ISOUSB111DWR [TI]
低发射、全速/低速隔离式 USB 中继器 | DW | 16 | -40 to 125;
| 型号： | ISOUSB111DWR |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 低发射、全速/低速隔离式 USB 中继器 | DW | 16 | -40 to 125 中继器 |
| 文件： | 总40页 (文件大小：2057K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
ISOUSB111
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
ISOUSB111 全速/低速隔离式USB 转发器
1 特性
3 说明
• 符合USB 2.0 要求
• 支持低速(1.5 Mbps)和全速(12 Mbps) 信号传输
• 自动速度和连接检测
• 支持L1（睡眠）和L2（挂起）低功耗状态
• 支持USB On-the-Go (OTG) 和Type C® 双角色端
口(DRP) 设计的自动角色交换
ISOUSB111 是一款兼容 USB 2.0 的电气隔离式中继
器，支持低速 (1.5Mbps)和全速 (12Mbps) 信号传输速
率。该器件支持自动连接和速度检测、上拉/下拉反射
以及链路电源管理，因而能够实现插入式 USB 集线
器、主机、外设和电缆隔离。该器件还支持自动角色交
换。如果连接断开后在上行端口上检测到新的连接，上
行和下行端口定义将会调换。此功能使器件能够支持
USB On-The-Go (OTG) 和 Type-C 双角色端口 (DRP)
实现。该器件采用二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅，可承受
高达 5000VRMS 的电压和 1500VRMS 的工作电压。此
器件与隔离式电源一同使用，可抵御高电压冲击，并防
止总线的噪声电流进入局部接地层。ISOUSB111 器件
可用于增强型隔离。该器件支持 –40°C 至 +125°C 的
宽环境温度范围，并采用标准 SOIC-16 (16-DW) 封装
和更小型的SSOP-16 (16-DWX) 封装。
• 高CMTI：100kV/µs
• VBUS 电压范围：4.25V 至5.5V
– 3.3V 内部LDO
• 符合CISPR32 B 类辐射限制
• 环境温度范围：–40°C 至+125°C
• 16-SOIC 和16-SSOP 封装选项
• 安全相关认证：
– 符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标
准的7071VPK
VIOTM 和2121VPK VIORM（增强
型）
器件信息
器件型号(1)
ISOUSB111
封装尺寸（标称值）
– 符合UL 1577 标准且长达1 分钟的5000VRMS
隔离
– IEC 62368-1、IEC 60601-1 和IEC 61010-1 认
证
封装
SOIC (16) DW
10.30mm x 7.50mm
SSOP (16) DWX 5.85mm × 7.50mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
– CQC、TUV 和CSA 认证
– 完成16-SOIC 认证；计划进行16-SSOP 认证
3.3 V (local supply)
Upstream
Port
2 应用
ISOUSB111
Connector
V3P3V2
• USB 集线器、主机、外设和电缆隔离
• 医疗
• 工厂自动化
• 电机驱动器
• 电网基础设施
• 电力输送
VBUS1
UD+
VBUS2
DD+
DD-
VCC
Peripheral
MCU
DP
USB
HOST
DM
UD-
GND2
GND
GND1
Galvanic
Isolation Barrier
PERIPHERAL
• USB 音频
增强型隔离选项
应用示意图
ISOUSB111
特性
保护级别
增强型
12800VPK
5000VRMS
浪涌隔离电压
隔离额定值
1500VRMS
2121VPK
/
隔离工作电压
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLLSFC6
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 5
6.1 绝对最大额定值...........................................................5
6.2 ESD 等级.................................................................... 5
6.3 建议工作条件.............................................................. 5
6.4 热性能信息..................................................................6
6.5 额定功率......................................................................6
6.6 绝缘规格......................................................................7
6.7 安全相关认证.............................................................. 8
6.8 安全限值......................................................................8
6.9 电气特性......................................................................9
6.10 开关特性..................................................................11
6.11 绝缘特性曲线...........................................................13
6.12 典型特性..................................................................14
7 参数测量信息...................................................................15
7.1 测试电路....................................................................15
8 详细说明.......................................................................... 16
8.1 概述...........................................................................16
8.2 功能方框图................................................................16
8.3 特性说明....................................................................16
8.4 器件功能模式............................................................ 18
9 电源相关建议...................................................................19
10 应用和实现.....................................................................20
10.1 典型应用..................................................................20
11 布局................................................................................24
11.1 布局指南..................................................................24
12 器件和文档支持............................................................. 26
12.1 文档支持..................................................................26
12.2 接收文档更新通知................................................... 26
12.3 支持资源..................................................................26
12.4 商标.........................................................................26
12.5 静电放电警告.......................................................... 26
12.6 术语表..................................................................... 26
13 机械、封装和可订购信息...............................................26
13.1 卷带封装信息.......................................................... 33
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (September 2022) to Revision D (January 2023)
Page
• 从数据表中删除了“基本”选项。......................................................................................................................1
Changes from Revision B (July 2022) to Revision C (September 2022)
Page
• 更新了ESD 规格................................................................................................................................................ 5
Changes from Revision A (April 2022) to Revision B (July 2022)
Page
• 将器件状态更新为“量产数据”......................................................................................................................... 1
Changes from Revision * (November 2021) to Revision A (April 2022)
Page
• 将TA 最大值更新为125°C..................................................................................................................................5
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
2
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
5 引脚配置和功能
V
1
2
3
4
5
6
7
8
16
V
BUS1
BUS2
GND1
15
14
13
12
11
10
9
GND2
V
V
3P3V1
NC
3P3V2
NC
NC
UD-
PIN
DD-
DD+
GND2
UD+
GND1
Not to scale
图5-1. DW 封装16 引脚SOIC 俯视图
表5-1. 引脚功能—16 DW
引脚
I/O(1)
说明
编号
名称
1 侧的输入电源。如果存在4.25V 至5.5V（例如USB 电源总线）电源，则将其连接到VBUS1。在这种情
况下，内部LDO 会生成V3P3V1。否则，将VBUS1 和V3P3V1 连接到外部3.3V 电源。
1
VBUS1
—
—
—
2
3
GND1
V3P3V1
接地1。隔离器1 侧的接地基准。
1 侧的电源。如果VBUS1 上连接了一个4.25V 至5.5V 电源，则在V3P3V1 与GND1 之间连接一个旁路电
容器。在这种情况下，内部LDO 会生成V3P3V1。否则，将VBUS1 和V3P3V1 连接到外部3.3V 电源。
4
NC
NC
最好保持悬空或连接至V3P3V1。也可以连接到GND1。
最好保持悬空或连接至V3P3V1。也可以连接到GND1。
上行端口D-。
—
—
5
6
UD-
I/O
I/O
7
UD+
GND1
GND2
DD+
DD-
上行端口D+。
8
接地1。隔离器1 侧的接地基准。
接地2。隔离器2 侧的接地基准。
下行端口D+。
—
—
I/O
I/O
I
9
10
11
12
13
下行端口D-。
上行上拉使能。如果该引脚为低电平，则无法识别DD+ 和DD- 上的上拉电阻。
最好保持悬空或连接至V3P3V2。也可以连接到GND2。
引脚
NC
—
—
—
—
2 侧的电源。如果VBUS2 上连接了一个4.25V 至5.5V 电源，则在V3P3V2 与GND1 之间连接一个旁路电
容器。在这种情况下，内部LDO 会生成V3P3V2。否则，将VBUS2 和V3P3V2 连接到外部3.3V 电源。
14
15
16
V3P3V2
GND2
VBUS2
接地2。隔离器2 侧的接地基准。
2 侧的输入电源。如果存在4.25V 至5.5V（例如USB 电源总线）电源，则将其连接到VBUS2。在这种情
况下，内部LDO 会生成V3P3V2。否则，将VBUS2 和V3P3V2 连接到外部3.3V 电源。
(1) I = 输入，O = 输出
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
3
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
VBUS1
VBUS2
1
16
15
14
13
12
11
10
9
GND1
2
GND2
V3P3V2
NC
3
4
5
6
7
8
V3P3V1
NC
V1OK
DD-
V2OK
UD-
UD+
DD+
GND1
GND2
Not to scale
图5-2. DWX 封装16 引脚SSOP 俯视图
表5-2. 引脚功能—16 DWX
引脚
名称
I/O(1)
说明
编号
1 侧的输入电源。如果存在4.25V 至5.5V（例如USB 电源总线）电源，则将其连接到VBUS1。在这种情
况下，内部LDO 会生成V3P3V1。否则，将VBUS1 和V3P3V1 连接到外部3.3V 电源。
1
VBUS1
GND1
V3P3V1
—
—
—
2
3
接地1。隔离器1 侧的接地基准。
1 侧的电源。如果VBUS1 上连接了一个4.25V 至5.5V 电源，则在V3P3V1 与GND1 之间连接一个旁路电
容器。在这种情况下，内部LDO 会生成V3P3V1。否则，将VBUS1 和V3P3V1 连接到外部3.3V 电源。
4
NC
V2OK
UD-
保持悬空或连接至V3P3V1
。
—
O
5
该引脚上的高电平表示2 侧已加电。
上行端口D-。
6
I/O
I/O
7
UD+
GND1
GND2
DD+
DD-
上行端口D+。
8
接地1。隔离器1 侧的接地基准。
接地2。隔离器2 侧的接地基准。
下行端口D+。
—
—
9
10
11
12
13
I/O
I/O
下行端口D-。
V1OK
NC
该引脚上的高电平表示1 侧已加电。
—
—
保持悬空或连接至V3P3V2
。
2 侧的电源。如果VBUS2 上连接了一个4.25V 至5.5V 电源，则在V3P3V2 与GND1 之间连接一个旁路电
容器。在这种情况下，内部LDO 会生成V3P3V2。否则，将VBUS2 和V3P3V2 连接到外部3.3V 电源。
14
15
16
V3P3V2
GND2
VBUS2
—
—
—
接地2。隔离器2 侧的接地基准。
2 侧的输入电源。如果存在4.25V 至5.5V（例如USB 电源总线）电源，则将其连接到VBUS2。在这种情
况下，内部LDO 会生成V3P3V2。否则，将VBUS2 和V3P3V2 连接到外部3.3V 电源。
(1) I = 输入，O = 输出
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
4
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）(1) (2)
最小值
最大值
单位
-0.3
6
V
V
V
BUS1、VBUS2
VBUS 电源电压
-0.3
4.25
6
V
V
3P3V1、V3P3V2
3.3V 输入电源电压
总线引脚（UD+、UD-、DD+、DD-）上的电压总共1000 次短路事
件、累计持续时间为1000 小时
VDPDM
–0.3
VIO
IO
-0.3
-10
V3P3Vx+0.3(3)
V
IO 电压范围（PIN、V*OK）
输出引脚上的输出电流(V*OK)
结温
10
150
150
mA
°C
°C
TJ
TSTG
–65
存储温度
(1) 超出绝对最大额定值下列出的压力可能会对器件造成永久损坏。这些仅是压力额定值，并不意味着器件在这些条件下以及在建议运行条
件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 所有电压值均是以本地接地端子（GND1 或GND2）为基准的峰值电压值。
(3) 最大电压不得超过4.25V。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001，DW 封装，所有引脚(1)
V(ESD)
V(ESD)
V(ESD)
±2000
V
静电放电
静电放电
静电放电
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001，DWX 封装，所有引脚(1)
±1500
±500
V
V
充电器件模型(CDM)，符合JEDEC 规范
JESD22-C101，所有引脚(2)
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议工作条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
标称值
最大值
单位
VBUSx
V3P3Vx
TA
4.25
5
5.5
3.6
V
V
BUS 输入电压（包括任何纹波）
3.0
-40
-55
3.3
V
3.3V 输入电源电压（包括任何纹波）
125
150
°C
°C
自然通风工作温度
结温
TJ
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
5
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.4 热性能信息
ISOUSB111
热指标1(1)
DW (SOIC)
16 引脚
53.4
DWX (SSOP)
单位
16 引脚
60.6
22.5
27
RΘJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RΘJC(top)
RΘJB
19.6
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
22.3
2.4
2
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
21.6
26.1
-
ψJB
RΘJC(bot)
-
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 额定功率
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
ISOUSB111
PD
157
72
mW
mW
mW
最大功耗（两侧）
最大功耗（侧1）
最大功耗（侧2）
VBUS1 = VBUS2 = 5.5V、TJ = 150°C、CL =
50pF（在DD- 和DD+ 上均如此），在
UD- 和UD+ 上输入一个6MHz 50% 占空
比3.3V 差分方波
PD1
PD2
85
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
6
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.6 绝缘规格
规格
参数
测试条件
单位
DW-16
DWX-16
IEC 60664-1
外部间隙(1)
1 侧到2 侧的空间距离
CLR
CPG
DTI
>8
>8
mm
mm
µm
V
外部爬电距离(1)
绝缘穿透距离
相对漏电起痕指数
材料组
1 侧到2 侧的封装表面距离
>8
>8
>21
>600
I
>21
>600
I
最小内部间隙
CTI
IEC 60112；UL 746A
符合IEC 60664-1
I-IV
I-III
I-IV
I-III
额定市电电压≤600VRMS
额定市电电压≤1000VRMS
过压类别
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2)
VIORM
2121
1500
2121
7071
2121
1500
2121
7071
VPK
VRMS
VDC
交流电压（双极）
最大重复峰值隔离电压
交流电压（正弦波）；时间依赖型电介质击穿
(TDDB) 测试；
VIOWM
最大隔离工作电压
直流电压
VTEST = VIOTM，t = 60s（鉴定测试）；VTEST
1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生产测试）
=
VIOTM
VIMP
VPK
最大瞬态隔离电压
最大脉冲电压(3)
在空气中测试，1.2/50µs 方波，符合IEC
62368-1
8000
12800
≤5
8000
12800
≤5
VPK
VPK
在油中测试（鉴定测试）1.2/50µs 方波，符合
IEC 62368-1
最大浪涌隔离电压(4)
VIOSM
方法a：I/O 安全测试子组2/3 后，Vini = VIOTM
tini = 60s；Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s
，
方法a：环境测试子组1 后，
Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm ≤5
≤5
= 10s
视在电荷(5)
qpd
pC
方法b：常规测试（100% 生产测试）和预调节
（类型测试），
Vini = 1.2 x VIOTM，tini = 1s；
≤5
≤5
Vpd(m) = 1.875 x VIORM，tm = 1s（方法b1）
或
Vpd(m) = Vini，tm = tini（方法b2）
势垒电容，输入至输出(6)
隔离电阻，输入至输出(6)
CIO
RIO
VIO = 0.4 × sin (2 pft)，f = 1MHz
VIO = 500V，TA = 25°C
0.8
0.7
pF
W
> 1012
> 1011
> 109
2
> 1012
> 1011
> 109
2
VIO = 500V，100°C ≤TA ≤125°C
VIO = 500V，TS = 150°C
污染等级
气候类别
40/125/21 40/125/21
UL 1577
VTEST = VISO，t = 60s（生产测试）；VTEST = 1.2
× VISO，t = 1s（100% 生产测试）
VISO
5000
5000
VRMS
可承受的隔离电压
(1) 电路板设计过程中必须谨慎小心，确保印刷电路板(PCB) 上隔离器的安装焊盘不会缩短爬电距离和间隙。插入坡口、肋或两者都有助于
增加PCB 上的爬电距离。
(2) ISOUSB111 仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全额定值。
(3) 在空气中进行测试，以确定封装的固有浪涌抗扰度。
(4) 在油中进行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(5) 视在电荷是由局部放电(pd) 引起的电气放电。
(6) 将隔离层每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双引脚器件。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
7
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.7 安全相关认证
VDE
CSA
UL
CQC
TUV
根据IEC 61010-1、IEC
62368-1 和IEC 60601-1
进行了认证
根据DIN EN IEC
60747-17 (VDE 0884-17)
进行了认证
根据EN 61010-1 和EN
62368-1 进行了认证
在UL 1577 组件认证计划 根据GB 4943.1 进行了认
下进行了认证
证
符合CSA 62368-1 和IEC
62368-1
ISOUSB111 标准的增强型
绝缘：800VRMS
最大工作电压（污染等级
2，材料组I）；
ISOUSB111：2 MOPP
----------------
符合CSA 60601-1 和IEC
60601-1 的（患者保护措
施），250VRMS 最大工作
电压
增强型绝缘；最大瞬态隔
离电压，
符合EN 61010-1 标准的
5000VRMS 增强型绝缘，高
达600VRMS 的工作电压
----------------
符合EN 62368-1 标准的
5000VRMS 增强型绝缘，高
达800VRMS 的工作电压
ISOUSB111：7071VPK
最大重复峰值隔离电压，
增强型绝缘，海拔≤
5000m，热带气候，
700VRMS 最大工作电压
单一保护，
ISOUSB111：5000VRMS
2121VPK
；
最大浪涌隔离电压，
ISOUSB111：12800VPK
（增强型）
证书编号：40040142
主合同：220991
文件编号：E181974
证书：CQC15001121716 客户端ID：77311
6.8 安全限值
安全限制(1)旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
DW-16 封装
R
θJA = 53.4°C/W，VI = 5.5V，TJ =
425
650
mA
mA
150°C，TA = 25°C，请参阅图6-1
θJA = 53.4°C/W，VI = 3.6V，TJ =
150°C，TA = 25°C，请参阅图6-1
θJA = 53.4°C/W，TJ = 150°C，TA
25°C，请参阅图6-3
IS
安全输入、输出或电源电流
R
R
=
PS
TS
2340
150
mW
°C
安全输入、输出或总功耗
最高安全温度
DWX-16 封装
R
θJA = 60.6°C/W，VI = 5.5V，TJ =
374
572
mA
mA
150°C，TA = 25°C，请参阅图6-2
IS
安全输入、输出或电源电流
RθJA = 60.6°C/W，VI = 3.6V，TJ =
150°C，TA = 25°C，请参阅图6-2
R
θJA = 60.6°C/W，TJ = 150°C，TA
=
PS
TS
2062
150
mW
°C
安全输入、输出或总功耗
最高安全温度
25°C，请参阅图6-4
(1) 最高安全温度TS 具有与为器件指定的最大结温TJ 相同的值。IS 和PS 参数分别表示安全电流和安全功率。请勿超出IS 和PS 的最大限
值。这些限值随环境温度TA 的变化而变化。
表中的结至空气热阻RθJA 所属器件安装在引线式表面贴装封装对应的高K 测试板上。可使用以下公式计算各参数值：
TJ = TA + RθJA × P，其中，P 为器件所耗功率。
TJ(max) = TS = TA + RθJA × PS，其中，TJ(max) 为允许的最大结温。
PS = IS × VI，其中，VI 为最大输入电压。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
8
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.9 电气特性
在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V 条件下的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
电源特性
接收侧FS 有效（6MHz 信号速率），图
7-9，CL= 50pF
12
9.5
11
15.3 mA
13 mA
发送侧FS 有效（6MHz 信号速率），图
7-9，CL= 50pF
V
BUS 或V3P3V 电流消耗- 全速(FS) 和
接收侧LS 有效（750kHz 信号速率），
图7-10，CL= 450pF
I
VBUSx 或IV3P3Vx
13.5 mA
13 mA
低速(LS) 模式
发送侧LS 有效（750kHz 信号速率），
图7-10，CL= 450pF
9.5
7.4
7.5
11 mA
9.8 mA
9.5 mA
1.55 mA
7.5 mA
8.5 mA
8.9 mA
FS/LS 空闲状态（US 侧或DS 侧）
上行侧
下行侧
上行侧
下行侧
上行侧
下行侧
I
I
I
VBUSx 或IV3P3Vx
VBUS 或V3P3V 电流消耗- L1 睡眠模式
VBUS 或V3P3V 电流消耗- L2 暂停模式
VBUS 或V3P3V 电流消耗- 未连接
7.3
1.07
5.6
VBUSx 或IV3P3Vx
6.2
VBUSx 或IV3P3Vx
6.2
(1)
UV+(VBUSx)
UV-(VBUSx)
4.0
V
V
电源电压升高时的欠压阈值，VBUS
电源电压下降时的欠压阈值，VBUS
(1)
3.6
UVHYS(VBUSx)
0.08
0.11
V
欠压阈值迟滞，VBUS
(1)
UV+(V3P3Vx)
UV-(V3P3Vx)
UVHYS(V3P3Vx)
数字输入
2.95
V
V
V
电源电压升高时的欠压阈值，V3P3V
电源电压下降时的欠压阈值，V3P3V
欠压阈值迟滞，V3P3V
1.95
0.7 x
V3PV3x
VIH
VIL
V
V
高电平输入电压
低电平输入电压
0.3 x
V3PV3x
VIHYS
IIH
0.3
V
输入转换阈值迟滞
高电平输入电流
低电平输入电流
1
µA
IIL
10 µA
数字输出（V1OK、V2OK）
V3P3Vx
-
IO = -3mA（对于3.0V ≤V3P3Vx
3.6V）
≤
VOH
VOL
V
高电平输出电压
低电平输出电压
0.2
IO = 3mA（对于3.0V ≤V3P3Vx
3.6V）
≤
0.2
V
UDx、DDx、输入电容和端接
Vin=3.6V，V3P3Vx=3.0V，TJ < 125℃，
USB 2.0 规范第7.1.6 节
ZINP_xDx
300
接地阻抗，无上拉/下拉
kΩ
在240MHz 且驱动器为高阻态时使用
VNA 测得
CIO_xDx
10
pF
接地电容
RPUI
RPUR
RPD
0.9
1.5
1.1
2.2
19
1.575
3
上行端口上的总线上拉电阻（空闲）
上行端口上的总线上拉电阻（接收）
下行端口上的总线下拉电阻
USB 2.0 规范第7.1.5 节
USB 2.0 规范第7.1.5 节
USB 2.0 规范第7.1.5 节
kΩ
kΩ
kΩ
14.25
24.8
USB 2.0 规范第7.1.5 节，在断开外部负
载且上行端口上启用上拉电阻的情况下
在D+ 或D- 上测得。
VTERM
3
3.6
V
上行端口上拉电阻的端接电压(RPU)
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
9
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V 条件下的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
UDX、DDx、输入电平LS/FS
USB 2.0 规范第7.1.4 节（在连接器处测
量）
VIH
2
V
高电平（驱动）
高电平（悬空）
USB 2.0 规范第7.1.4 节（主机下行端口
下拉电阻启用，器件被上拉到3.0V 至
3.6V）。
VIHZ
2.7
3.6
0.8
V
VIL
VDI
V
V
USB 2.0 规范第7.1.4 节
低
|(xD+)-(xD-)|；USB 2.0 规范图7-19；
（在连接器处测量）
0.2
0.8
差分输入灵敏度
包括VDI 范围；USB 2.0 规范图7-19；
（在连接器处测量）
VCM
2.5
V
共模范围
UDX、DDx、输出电平LS/FS
USB 2.0 规范第7.1.1 节，（在RL 为
0.9kΩ且连接到3.6V 的连接器处测
量。）
VOL
0
0.3
3.6
V
低
USB 2.0 规范第7.1.1 节（在RL 为
14.25kΩ且接地的连接器处测量。)
VOH
2.8
0.8
28
V
V
Ω
高电平（驱动）
VOSE1
ZFSTERM
SE1
USB 2.0 规范第7.1.1 节
USB 2.0 规范第7.1.1 节和图7-4，在
VOL 或VOH 期间测得
44
2
驱动器串联输出电阻
输出信号交叉电压
根据USB 2.0 规范第7.1.1 节的图7-8、
7-9 和7-10 测量；不包括从空闲状态的
第一次转换
VCRS
1.3
V
热关断
TSD+
160
150
170
160
10
180
170
°C
°C
°C
热关断开启温度
热关断关闭温度
热关断迟滞
TSD-
TSDHYS
(1) 如果VBUSx 引脚在外部连接至相应的V3P3Vx 引脚，那么VBUSx 上的UVLO 阈值由UV+(V3P3Vx)、UV-(V3P3Vx) 和UVHYS(V3P3Vx) 控制
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
10
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.10 开关特性
在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V 条件下的典型值。
典型
值
参数
测试条件
最小值
最大值 单位
上电时序
VBUSx 和V3P3Vx 外部电源上允许的电源斜
升时间
TSUPRAMP
0.005
100
8
ms
ms
1 侧和2 侧上提供有效电源后，器件上电并
识别USB 信号所需的时间。
TPWRUP
3.6
所有外部电源都在5µs 的上电时间内一起斜升。
UDx、DDx、FS 驱动器开关特性
TFR
TFF
4
4
20
20
ns
ns
上升时间(10% - 90%)
下降时间(10% - 90%)
USB 2.0 规范图7-8，图7-9，CL = 50pF
USB 2.0 规范图7-8，图7-9，CL = 50pF
USB 2.0 规范第7.1.2 节，不包括从空闲状态到
其他状态的第一次转换，图7-9，CL = 50pF
TFRFM
90
111.1
%
差分上升和下降时间匹配(TFR/TFM
)
UDx、DDx、LS 驱动器开关特性
USB 2.0 规范图7-8 和7-10，CL 范围为50pF
至600pF。
TLR
75
75
80
300
300
125
ns
ns
%
上升时间(10% - 90%)
下降时间(10% - 90%)
USB 2.0 规范图7-8 和7-10，CL 范围为50pF
至600pF。
TLF
USB 2.0 规范图7-8 和7-10，CL 范围为50pF
至600pF。
上升和下降时间匹配(TLR/TFM)，不包括从
空闲状态到其他状态的第一次转换。
TLRFM
中继器时序- 连接、断开、复位、L1、L2
TFILTCONN
TDDIS
TDETRST
45
2
70
80
7
µs
µs
FS 或LS 连接检测上的去抖滤波器
在LS/FS L0 模式下检测下行侧端口断开的
时间。
在LS/FS L0 模式下检测上行端口上复位所
需的时间
0
3
7
µs
当总线持续处于空闲状态时，上行侧检测到
暂停模式(L2) 且电流消耗小于2.5mA 所需
的时间。
T2SUSP
10
ms
检测到上行侧恢复和下行端口反映恢复/从睡
眠/L1 状态驱动恢复所需的最长时间。
tDRESUMEL1
tDRESUMEL2
tDWAKEL1
tDWAKEL2
tDRSMPROP
CMTI
1
130
5
µs
µs
检测到上行侧恢复和下行端口反映恢复/从暂
停/L2 状态驱动恢复所需的最长时间。
处于睡眠/L1 状态时检测和传播远程唤醒所
需的最长时间。
µs
处于暂停/L2 状态时确保可检测到远程唤醒
的远程唤醒最大脉冲宽度。
900
µs
处于暂停/L2 状态时检测到远程唤醒后，从
上行和下行驱动恢复的最短持续时间。
1
ms
峰峰值共模噪声，USB 数据传输期间VCMPKPK
1200V，请参阅图7-2
=
75 100
kV/µs
共模瞬态抗扰度
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
11
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
在建议的工作条件下测得（除非另有说明）。所有典型值都是TA = 25°C、VBUSx = 5V、V3P3Vx = 3.3V 条件下的典型值。
典型
值
参数
测试条件
最小值
最大值 单位
中继器时序- LS、FS
TLSDD
358
25
5
ns
ns
ns
ns
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
低速差分数据传播延迟
TLSOP
TLSJP
TLSJN
-40
-5
SOP 后的LS 数据位宽失真
LS 中继器附加抖动- 成对转换
LS 中继器附加抖动- 下一个转换
-7.0
7.0
LS 差分转换期间SE0 间隔的最小宽度- 由
中继器滤除
TLST
210
ns
USB 2.0 规范第7.1.4 节。
TLEOPD
TLESK
TFSDD
TFSOP
TFSJP
TFSJN
0
200
100
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相对于TLSDD 的中继器EOP 延迟
LS EOP 期间中继器导致的SE0 偏斜
全速差分数据传播延迟
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-52(C)。
-100
-10
-2
10
SOP 后的FS 数据位宽失真
2
FS 中继器附加抖动- 成对转换
FS 中继器附加抖动- 下一个转换
-6.0
6.0
FS 差分转换期间SE0 间隔的最小宽度- 由
中继器滤除
TFST
14
ns
USB 2.0 规范第7.1.4 节。
TFEOPD
TFESK
0
17
15
ns
ns
相对于TFSDD 的中继器EOP 延迟
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
USB 2.0 规范第7.1.14 节。图7-53(C)。
-15
FS EOP 期间中继器导致的SE0 偏斜
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
12
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.11 绝缘特性曲线
700
600
500
400
300
200
100
0
700
600
500
400
300
200
100
0
VI = 3.6 V
VI = 5.5 V
VI = 3.6 V
VI = 5.5 V
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
Ambient Temperature (C)
Ambient Temperature (C)
图6-1. DW-16 封装根据VDE 标准限制电流的热降额曲 图6-2. DWX-16 封装根据VDE 标准限制电流的热降额
曲线
线
2500
2000
1500
1000
500
2500
2000
1500
1000
500
Power
Power
0
0
0
50
100
Ambient Temperature (C)
150
200
0
50
100
Ambient Temperature (C)
150
200
图6-3. DW-16 封装根据VDE 标准限制功率的热降额曲 图6-4. DWX-16 封装根据VDE 标准限制功率的热降额
线
曲线
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
13
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
6.12 典型特性
图6-5. 通过ISOUSB111 实现的典型全速(12Mbps) 眼
图
图6-6. 通过ISOUSB111 实现的典型低速(1.5Mbps)
眼图
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
14
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
7 参数测量信息
7.1 测试电路
Oscilloscope
UD+
UD–
DD+
DD–
USB 2.0
Host
USB 2.0
Peripheral
ISOUSB111
图7-1. 上行和下行数据包参数和眼图测量
ISOUSB
UD+
UD-
DD+
DD-
USB 2.0
Host
USB 2.0
Peripheral
GND1
GND2
Pass/Fail Criterion:
No packet loss
VCM
VCMPKPK/2
VCM
–VCMPKPK/2
图7-2. 共模瞬态抗扰度测试电路
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
15
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
8 详细说明
8.1 概述
ISOUSB111 是一款兼容 USB2.0 的电气隔离式中继器，支持低速 (1.5Mbps) 和全速 (12Mbps) 信号传输速率。该
器件支持自动速度和连接检测、上拉/下拉反射以及链路电源管理，因而能够实现插入式 USB 集线器、主机、外
设和电缆隔离。大多数微控制器都集成了 USB PHY，因此只提供D+ 和D- 总线作为外部引脚。ISOUSB111 可以
将这些引脚与 USB 总线隔离，无需微控制器的任何其他干预。该器件还支持自动角色交换。如果连接断开后在上
行端口上检测到新的连接，上行和下行端口定义将会调换。
ISOUSB111 提供增强型隔离选项，隔离耐受电压分别为5000VRMS，浪涌测试电压为12.8kVPK。该器件可以完全
采用 4.25V 至 5.5V 电源（USB VBUS 电源）或者采用 1 侧和 2 侧上的本地 3.3V 电源（如果有）工作。这种电
源电压灵活性允许根据系统中可用的电源轨来优化热性能。
8.2 功能方框图
图8-1 展示了ISOUSB111 的简化功能方框图。该器件包含以下部分：
1. 发送和接收电路以及上拉和下拉电阻器，符合USB 标准。
2. 数字逻辑，用于处理双向通信和各种状态转换。
3. 内部LDO，用于从VBUSx 电源生成V3P3Vx
4. 电隔离。
。
VBUS1
VBUS2
LDO
LDO
V3P3V1
V3P3V2
SERXD-
SERXD-
SERXD+
LSFSRX
SERXD+
LSFSRX
FSM
FSM
UD+
DD+
DD-
LSFSTX
LSFSTX
UD-
PU/PD
PU/PD
图8-1. ISOUSB111 简化功能方框图
8.3 特性说明
8.3.1 电源选项
ISOUSB111 可以通过在 VBUSx 引脚上连接一个 4.25V 至5.5V 电源来供电，这时内部 LDO 会生成 V3P3Vx 电压。
此选项适用于 USB 连接器一侧，该侧提供5V VBUS 电源。或者，VBUSx 和V3P3Vx 引脚可以短接在一起，并且可
以在这两个引脚上连接一个外部3.3V 电源。这个第二个选项适用于微控制器一侧，该侧可能没有5V 电源。
8.3.2 上电
在 ISOUSB111 两侧上的所有电源都超过各自的 UVLO 阈值之前，该器件会忽略上行和下行两侧总线上的所有活
动。在电源超过UVLO 阈值后，该器件就已准备好响应总线上的活动。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
16
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
8.3.3 对称操作、双角色端口和角色交换
ISOUSB111 支持对称操作。通常，UD+ 和UD- 是上行端口并连接到主机或集线器。DD+ 和DD- 是下行端口并连
接到外设。但是，也可以将UD+ 和UD- 连接到外设，将DD+ 和DD- 连接到主机或集线器。只要先检测到连接，
任何一侧（D+ 或 D- 上拉至 3.3V）都将成为下行侧。此功能支持实现双角色端口（例如，Type-C 双角色端口）
和角色反转（例如，OTG 主机协商协议 - HNP）。有关详细信息，请参阅如何实现隔离式 USB 2.0 高速 Type-
C® DRP 应用手册。本文档的其余部分中将 DD+/DD- 视为下行端口并将 UD+/UD- 视为上行端口，但如果此分配
角色调换，所述的各种操作和功能同样适用。
8.3.4 连接和速度检测
当没有外设连接到 ISOUSB111 的下行侧时，DD+ 和DD- 引脚上的内部 15kΩ下拉电阻会将总线拉至零，从而形
成SE0 状态。当DD+ 或DD- 线路被拉高至VIH 阈值以上时，在大于TFILTCONN 的时间段内，ISOUSB111 器件会
将此视为连接。ISOUSB111 器件会配置上行侧的内部上拉电阻，以便与在下行侧检测到的上拉电阻相匹配。检测
到连接后，ISOUSB111 器件会等待上行侧的主机/集线器置位复位。根据复位开始时是DD+ 还是DD- 被拉高，会
设置ISOUSB111 中继器的速度。设置后，中继器的速度只能在断电或断开事件后更改。
8.3.5 断开检测
在全速 (FS) 和低速 (LS) 模式下，当主机/集线器未在驱动上行侧的任何信号时，并且下行总线处于 SE0 状态
（DD+ 和 DD- 都低于 VIL 阈值）的时间周期超过 TDDIS 时，则指示外设断开。在 FS 和 LS 模式下检测到断开
时，ISOUSB111 器件会从上行侧移除上拉电阻，从而使上行 UD+ 和 UD- 线路放电至零。然后，ISOUSB111 会
等待下一个连接事件发生。
8.3.6 复位
ISOUSB111 器件会在上行侧检测复位置位（持续时间较长的SE0 状态）并将其发送到下行侧。
8.3.7 LS/FS 消息流量
ISOUSB111 器件会监控上行侧和下行侧的总线状态。通信方向由哪一侧先从 LS/FS 空闲状态转换到其他状态（J
到 K 转换）来设置。之后，数据跨越隔离层以数字方式传输，并在另一侧进行重构。数据传输会继续，直到出现
结束包 (EOP) 或长时间空闲。此时，ISOUSB111 器件会将其 LS/FS 发送器置于三态，并等待从 LS/FS 空闲状态
到其他状态的下一次转换。
8.3.8 L2 电源管理状态（暂停）和恢复
ISOUSB111 器件支持低功耗暂停状态，在USB 2.0 链路电源管理工程变更通知(ECN) 中也称为L2 状态。如果总
线保持在 LS/FS 空闲状态超过 3ms，则会检测到暂停模式。当检测到从 LS 和 FS 空闲状态进入暂停状态时，
ISOUSB111 会继续处于 LS 或 FS 空闲状态，同时降低内部功耗。转换至 L2 低功耗模式的操作会在 10ms 内完
成。
当从ISOUSB111 上行侧的主机收到恢复信号时，或者先从ISOUSB111 下行侧的外设收到远程唤醒信号，再从上
行侧的主机/集线器收到恢复信号时，便会从 L2 退出。恢复或唤醒的开始分别由主机或器件通过“K”状态发出信
号。恢复的结束由主机通过驱动 SE0 的两个低速位时间后跟一个“J”状态来发出信号。ISOUSB111 能够适当地
复制上行和下行的恢复和唤醒信号。在收到恢复/唤醒信号后，器件会返回到 LS 或 FS 空闲状态，具体取决于进
入L2 状态前所处的状态。
8.3.9 L1 电源管理状态（睡眠）和恢复
ISOUSB111 器件支持USB 2.0 链路电源管理ECN 中定义的额外L1 或睡眠低功耗状态。当检测到从LS 和FS 空
闲状态进入 L1 时，ISOUSB111 会继续处于 LS 或FS 空闲状态，同时降低内部功耗。转换至 L1 低功耗模式的操
作会在50μs 内完成。
当从ISOUSB111 上行侧的主机收到恢复信号时，或者先从ISOUSB111 下行侧的外设收到远程唤醒信号，再从上
行侧的主机/集线器收到恢复信号时，便会从 L1 退出。恢复或唤醒的开始分别由主机或器件通过“K”状态发出信
号。恢复的结束由主机通过驱动 SE0 的两个低速位时间后跟一个“J”状态来发出信号。ISOUSB111 能够适当地
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
17
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
复制上行和下行的K 信号。在收到恢复/唤醒信号后，器件会返回到LS 或FS 空闲状态，具体取决于进入L1 状态
前所处的状态。
8.4 器件功能模式
表8-1 列出了ISOUSB111 器件的功能模式。
表8-1. 功能表
1 侧电源
总线1
（UD+、
UD-）
2 侧电源
VBUS2
V3P3V2
总线2
（DD+、DD-）
2 侧电源
VPIN
VBUS1、
、
注释
V3P3V1
(1)
当两侧都通电时，总线的状态会正确地从上行反映到下行，反
之亦然。
H
供电
激活
供电
激活
L
X
X
X
15kΩPD
15kΩPD
Z
供电
供电
供电
未供电
供电
上行和下行均呈现断开状态
15kΩPD
Z
Z
如果一侧未通电，该侧的总线处于高阻抗状态。
15kΩPD
不确定
未供电
未供电
未供电
(1) 供电= (VBUSx ≥UV+(VBUSx)) || (VBUSx = V3P3Vx ≥UV+(V3P3Vx)) ；未供电= (VBUSx < UV-(VBUSx)) & (V3P3Vx < UV-(V3P3Vx)) ；X = 不相
关；H = 高电平；L = 低电平；Z = 高阻抗
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
18
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
9 电源相关建议
建议在非常靠近 V3P3Vx 引脚的地方放置 0.1µF 电容器并连接到 GNDx。建议在非常靠近 VBUSx 引脚的地方放置
1µF 电容器并连接到GNDx。
这些去耦电容器建议与3.3V 电源是从外部提供还是使用内部LDO 生成无关。
有关去耦电容器的建议放置方式，请参阅节 11.1.1 部分。建议使用小尺寸电容器 (0402/0201)，以便可以将它们
放置在非常靠近电源引脚和顶层上相应接地引脚的位置，而不使用过孔。
在隔离主机/集线器或总线供电的外设时，需要使用隔离式电源，并可借助 TI 的SN6505B 等变压器驱动器生成隔
离式电源。适用于隔离式电源的 SN6505A 低噪声 1A 变压器驱动器 数据表中提供了此类设计、详细的电源设计
以及变压器选择建议。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
19
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
10 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各元件
是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。
10.1 典型应用
10.1.1 隔离式主机或集线器
图10-1 展示了一个使用ISOUSB111 隔离主机或集线器的应用。在此示例中，在微控制器侧，V3P3V1 和VBUS1 一
起连接到一个外部 3.3V 电源。在连接器侧，来自 USB 连接器的 VBUS 连接至 VBUS2，而 V3P3V2 电源由内部
3.3V LDO 生成。
去耦电容器根据节 9 部分中提供的建议放置在 ISOUSB111 旁边。隔离式直流/直流转换器（例如 SN6505）使用
3.3V 本地电源为 VBUS 供电。请注意，对于主机或集线器，USB 标准要求在 VBUS 上放置一个 120μF 的电容
器，以便在连接下游外设时能够提供浪涌电流。此外，建议在 VBUS 引脚附近使用 100nF 电容器来处理瞬态电
流。
可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接
器的 VBUS 引脚与 ISOUSB111 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所
示），来抑制ESD 等瞬变。
GND
D2
IN
OUT
LDO
GND
3.3V
VCC
3.3 µF
EN
SN6505
1 µF
D1
CLK
16
15
3.3 V (local supply)
VCC
VBUS (5.0 V)
1
VBUS1
VBUS2
1 µF
0.1
1 µF
2
Ferrite
Bead
GND2
GND1
0.1 µF
3
µF
14
V3P3V2
NC
V3P3V1
NC
100 nF
13
12
4
5
6
7
8
VBUS
D-
Host/Hub
MCU
120 µF
NC
PIN
ISOUSB111
11
D+
UD-
DM
DD-
DD+
10
9
GND
DP
UD+
GND1
DGND
0 V
Downstream
GND2
Port
Connector
ISO
Ground
Digital
Ground
Galvanic
Isolation Barrier
图10-1. 采用ISOUSB111 的隔离式主机或集线器
10.1.2 隔离式外设- 自供电
图10-2 展示了一个采用ISOUSB111 隔离自供电外设的应用。在此示例中，在微控制器侧，V3P3V2 和Vbus2 一起
连接到一个外部3.3V 电源。在连接器侧，来自USB 连接器的VBUS 连接至VBUS1，而V3P3V1 电源由内部3.3V
LDO 生成。
去耦电容器根据节 9 部分中提供的建议放置在 ISOUSB111 旁边。请注意，USB 标准要求，对于外设，VBUS 上
的总电容值必须小于10μF。建议在VBUS 引脚附近使用100nF 电容器来处理瞬态电流。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
20
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接
器的 VBUS 引脚与 ISOUSB111 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所
示），来抑制ESD 等瞬变。
16
15
3.3V (local supply)
VCC
1
VBUS1
VBUS2
1 µF
1 µF
Ferrite
Bead
2
GND2
GND1
V3P3V1
NC
0.1 µF
3
0.1 µF
14
V3P3V2
NC
VBUS
D-
100 nF
13
12
4
5
6
7
8
Peripheral
MCU
NC
PIN
D+
ISOUSB111
11
UD-
DD-
DD+
DM
GND
10
9
DP
UD+
GND1
DGND
Upstream
0 V
GND2
Port
ISO
Ground
Digital
Ground
Connector
Galvanic
Isolation Barrier
图10-2. 采用ISOUSB111 的隔离式自供电外设
10.1.3 隔离式外设- 总线供电
图10-3 展示了一个采用ISOUSB111 隔离自供电外设的应用。在此示例中，隔离式直流/直流转换器（例如
SN6505）用于产生一个3.3V 本地电源，同时从USB VBUS 获取电源。在微控制器侧，V3P3V2 和VBUS2 一起连
接到一个外部3.3V 电源。在连接器侧，来自USB 连接器的VBUS 连接至VBUS1，而V3P3V1 电源由内部3.3V
LDO 生成。
去耦电容器根据节 9 部分中提供的建议放置在 ISOUSB111 旁边。请注意，USB 标准要求，对于外设，VBUS 上
的总电容值（包括通过隔离式直流/直流转换器从次级侧反射的任何去耦电容）必须小于 10μF。建议在 VBUS 连
接器附近使用100nF 电容器来处理瞬态电流。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
21
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
可以在 D+ 和 D- 线路上放置具有低电容和低动态电阻的 ESD 二极管，例如 PESD5V0C1USF。可以选择在连接
器的 VBUS 引脚与 ISOUSB111 的 VBUS 引脚之间放置一个直流电阻小于 100mΩ 的铁氧体磁珠（如图中所
示），来抑制ESD 等瞬变。
GND
EN
D2
IN
OUT
LDO
GND
1 µF
VCC
3.3 µF
SN6505
1 µF
D1
CLK
16
15
3.3 V (local supply)
VCC
1
VBUS1
VBUS2
1 µF
2
1 µF
VBUS (5.0 V)
Ferrite
Bead
GND2
GND1
V3P3V1
NC
0.1 µF
0.1 µF
3
14
V3P3V2
NC
VBUS
D-
100 nF
4
5
6
7
8
13
12
Peripheral
MCU
NC
PIN
D+
ISOUSB111
11
UD-
DD-
DD+
DM
DP
GND
10
9
UD+
GND1
DGND
Upstream
0 V
GND2
Port
ISO
Ground
Digital
Ground
Connector
Galvanic
Isolation Barrier
图10-3. 采用ISOUSB111 的隔离式总线供电外设
10.1.4 应用曲线
10.1.4.1 绝缘寿命
绝缘寿命预测数据是使用业界通用的时间依赖性电介质击穿 (TDDB) 测试方法收集的。在该测试中，隔离栅两侧
的所有引脚都连在一起，构成了一个双端子器件并在两侧之间施加高电压；对于 TDDB 测试设置，请参阅图
10-4。绝缘击穿数据是在开关频率为 60 Hz 以及各种高电压条件下在整个温度范围内收集的。对于增强型绝缘，
VDE 标准要求使用故障率小于 1 ppm 的 TDDB 预测线。尽管额定工作隔离电压条件下的预期最短绝缘寿命为 20
年，但是VDE 增强认证要求工作电压具有额外 20% 的安全裕度，寿命具有额外50% 的安全裕度，也就是说在工
作电压高于额定值20% 的条件下，所需的最短绝缘寿命为30 年。
图10-5 展示了隔离栅在整个寿命期内承受高压应力的固有能力。根据TDDB 数据，固有绝缘能力为 1500VRMS
，
寿命为 169 年。其他因素，比如封装尺寸、污染等级、材料组等，可能会进一步限制元件的工作电压。DW-16 和
DWX-16 封装的工作电压上限值可达1500V VRMS。较低工作电压所对应的绝缘寿命远远超过169 年。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
22
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
A
Vcc 1
Vcc 2
Time Counter
> 1 mA
DUT
GND 1
GND 2
V
S
Oven at 150 °C
图10-4. 绝缘寿命测量的测试设置
图10-5. 绝缘寿命预测数据
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
23
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
11 布局
11.1 布局指南
二层就足以实现低EMI PCB 设计。
• 在顶层布置高速迹线可避免使用过孔（以及引入其电感），并且可实现隔离器与数据链路的发送器和接收器电
路之间的可靠互连。
• 为了获得理想性能，建议尽量缩短从MCU 到ISOUSB111，以及从ISOUSB111 到连接器的D+/D- 电路板布
线长度。必须避免D+/D- 线路上的过孔和残桩。
• 通过在高速信号层正下方放置一个实心接地层，可以为传输线互连建立受控阻抗，并为返回电流提供出色的低
电感路径。D+ 和D- 布线必须设计为90Ω差分阻抗并尽可能靠近45Ω单端阻抗。
• 在接地平面旁边放置电源平面后，会额外产生大约100 pF/in2 的高频旁路电容。
• 去耦电容器必须放置在顶层，并且电容器与相应电源引脚和接地引脚之间的布线必须在顶层本身完成。去耦电
容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。
• ESD 结构必须放置在顶层，靠近连接器，并且就在D+/D- 布线上，而没有过孔。如果可能，必须在顶层进行
ESD 结构的接地布线，否则必须通过多个过孔与接地层建立牢固连接。
• 在底层路由速度较慢的控制信号可实现更高的灵活性，因为这些信号链路通常具有裕量来承受过孔等导致的不
连续性。
11.1.1 布局示例
本部分中的布局示例显示了去耦电容器和ESD 保护二极管的建议放置方式。建议在D+/D- 信号布线下方使用连续
的接地层。建议使用小尺寸电容器(0402/0201)，以便可以将它们放置在非常靠近电源引脚和相应接地引脚的位置
并使用顶层进行连接。去耦电容器与相应电源和接地引脚之间的布线路径上不应有任何过孔。ESD 保护二极管应
靠近连接器放置，并与接地层牢固连接。所示的示例适用于隔离式主机或集线器，但类似的注意事项也适用于隔
离式外设。VBUS 上的120μF 电容器仅适用于主机或集线器，而不应用于外设。可以选择在VBUS 线路上的
100nF（和120μF）电容器之后放置一个直流电阻小于100mΩ的铁氧体磁珠，以防止ESD 等瞬变影响电路的
其余部分。
为了获得理想性能，建议尽量缩短从 MCU 到 ISOUSB111，以及从 ISOUSB111 到连接器的 D+/D- 电路板布线长
度。必须避免D+/D- 线路上的过孔和残桩。
Ferrite
Bead
1 µF
1 µF
VBUS1
VBUS2
GND2
V3P3V2
0.1 µ F
0.1 µ F
GND1
120 µF
V3P3V1
NC
100 nF
NC
NC
PIN
DD-
VBUS
D-
D
ESD
ESD
UD-
MCU
D+
UD+
DD+
D
GND
GND2
GND1
GND1 Plane
GND2 Plane
图11-1. ISOUSB111 布局示例
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
24
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
11.1.2 PCB 材料
对于运行速度低于 500 Mbps（或上升和下降时间大于 1 ns）且迹线长度达 10 英寸的数字电路板，请使用标准
FR-4 UL94V-0 印刷电路板。该 PCB 在高频下具有较低的电介质损耗、较低的吸湿性、较高的强度和刚度以及自
熄性可燃性特征，因而优于成本更低的替代产品。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
25
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
12 器件和文档支持
12.1 文档支持
12.1.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，《数字隔离器设计指南》
• 德州仪器(TI)，隔离相关术语
12.2 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的提醒我进行注册，即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
12.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
12.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
12.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
12.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
13 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
26
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
PACKAGE OUTLINE
DW0016B
SOIC - 2.65 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
5
0
0
SOIC
C
10.63
9.97
SEATING PLANE
TYP
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
A
14X 1.27
16
1
2X
10.5
10.1
NOTE 3
8.89
8
9
0.51
0.31
16X
7.6
7.4
B
2.65 MAX
0.25
C A
B
NOTE 4
0.33
0.10
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.3
0.1
0 - 8
1.27
0.40
DETAIL A
TYPICAL
(1.4)
4221009/B 07/2016
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm, per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.
5. Reference JEDEC registration MS-013.
www.ti.com
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
27
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DW0016B
SOIC - 2.65 mm max height
SOIC
SYMM
SYMM
16X (2)
16X (1.65)
16X (0.6)
SEE
DETAILS
SEE
DETAILS
1
1
16
16
16X (0.6)
SYMM
SYMM
14X (1.27)
14X (1.27)
9
9
8
8
R0.05 TYP
R0.05 TYP
(9.75)
(9.3)
HV / ISOLATION OPTION
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE
IPC-7351 NOMINAL
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:4X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4221009/B 07/2016
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
28
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DW0016B
SOIC - 2.65 mm max height
SOIC
SYMM
SYMM
16X (1.65)
16X (2)
1
1
16
16
16X (0.6)
16X (0.6)
SYMM
SYMM
14X (1.27)
R0.05 TYP
14X (1.27)
8
9
8
9
R0.05 TYP
(9.75)
(9.3)
HV / ISOLATION OPTION
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE
IPC-7351 NOMINAL
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:4X
4221009/B 07/2016
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
29
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
PACKAGE OUTLINE
DWX0016A
SSOP - 2.6 mm max height
5
SMALL OUTLINE PACKAGE
C
10.43
10.18
TYP
SEATING PLANE
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
0.65
1
16
2X
4.55
5.95
5.75
NOTE3
8
9
0.354
0.154
16X
7.6
7.4
0.25
C A B
A
B
2.6 MAX
NOTE4
0.33
0.13
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
2.286
1°-5°
0.2
0.14
0.85
0.65
1.4
DETAIL A
TYPICAL
4226511/A 01/2021
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Ref. JEDEC registration MS-013
www.ti.com
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
30
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DWX0016A
SSOP - 2.6 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
16X (1.7)
SEE DETAILS
SYMM
SYMM
16X (0.41)
14X (0.65)
(9.7)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 6X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
0.07 MIN
ALL AROUND
0.07 MAX
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4226511/A 01/2021
NOTES: (continued)
5. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
6. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
31
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DWX0016A
SSOP - 2.6 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
SYMM
16X (1.7)
16X (0.41)
SYMM
14X (0.65)
(9.7)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE: 6X
4226511/A 01/2021
NOTES: (continued)
7. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
8. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
32
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
13.1 卷带封装信息
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
卷带
宽度W1
（mm）
A0
（mm）
B0
（mm）
K0
（mm）
P1
（mm）
W
Pin1
象限
卷带
直径（mm）
封装
类型
SPQ
器件
封装图
引脚
（mm）
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
SOIC
DW
16
16
2000
1000
330.0
330.0
16.4
16.4
10.75
12.05
10.7
6.15
2.7
3.3
12.0
16.0
16.0
16.0
Q1
Q1
SSOP
DWX
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
33
Product Folder Links: ISOUSB111
ISOUSB111
www.ti.com.cn
ZHCSP10D –NOVEMBER 2021 –REVISED JANUARY 2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
SPQ
2000
1000
长度（mm） 宽度（mm）
高度（mm）
43.0
器件
封装类型
封装图
DW
引脚
16
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
SOIC
350.0
350.0
350.0
350.0
SSOP
DWX
16
43.0
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
34
Submit Document Feedback
Product Folder Links: ISOUSB111
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
14-Mar-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
ACTIVE
ACTIVE
SOIC
DW
16
16
2000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
-40 to 125
-40 to 125
ISOUSB111
ISOU111
Samples
Samples
SSOP
DWX
NIPDAU
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
14-Mar-2023
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
1-Feb-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
SOIC
DW
16
16
2000
1000
330.0
330.0
16.4
16.4
10.75 10.7
12.05 6.15
2.7
3.3
12.0
16.0
16.0
16.0
Q1
Q1
SSOP
DWX
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
1-Feb-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
ISOUSB111DWR
ISOUSB111DWXR
SOIC
DW
16
16
2000
1000
350.0
350.0
350.0
350.0
43.0
43.0
SSOP
DWX
Pack Materials-Page 2
GENERIC PACKAGE VIEW
DW 16
7.5 x 10.3, 1.27 mm pitch
SOIC - 2.65 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4224780/A
www.ti.com
重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验
证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。
您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成
本、损失和债务，TI 对此概不负责。
TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改
TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。
TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Copyright © 2023，德州仪器 (TI) 公司
相关型号：
ISOW1044
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044B
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044BDFMR
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044DFMR
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044_V01
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1044_V02
ISOW1044 Isolated CAN FD Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412B
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
ISOW1412BDFMR
ISOW14x2 Isolated RS-485/RS-422 Transceiver with Integrated Low-Emissions, Low-Noise, High-Efficiency DC-DC Converter
TI
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明