ISOW7841FDWE [TI]
具有集成电源的四通道、3/1、增强型数字隔离器 | DWE | 16 | -40 to 125;
| 型号： | ISOW7841FDWE |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有集成电源的四通道、3/1、增强型数字隔离器 | DWE | 16 | -40 to 125 |
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ISOW7840, ISOW7841, ISOW7842, ISOW7843, ISOW7844
ZHCSG29G –MARCH 2017 –REVISED AUGUST 2021
ISOW784x 具有集成式高效低辐射直流/直流转换器的高性能、5000VRMS 四通道
增强型数字隔离器
1 特性
3 说明
• 100 Mbps 数据速率
• 稳健可靠的隔离栅：
ISOW784x 是一系列具有集成式高效电源转换器的高
性能四通道增强型数字隔离器。集成式直流/直流转换
器高效运行，提供最高可达 650 mW 的隔离式电源，
可按各种输入和输出电压进行配置。因此，得益于这些
器件，空间受限的隔离式设计将不再需要单独的隔离式
电源。
– 在1 kVRMS 工作电压下预计寿命超过100 年
– 隔离等级高达5000 VRMS
– 浪涌抗扰度高达10 kVPK
– ±100 kV/µs 最低CMTI
• 集成式高效直流/直流转换器与片上变压器
• 3V 至5.5V 宽电源电压范围
• 5V 或3.3V 稳压输出
器件信息
器件型号(1)
ISOW7840
封装尺寸（标称值）
封装
• 高达0.65W 的输出功率
ISOW7841
ISOW7842
ISOW7843
ISOW7844
SOIC (16)
10.30mm × 7.50mm
• 5V 至5V；5V 至3.3V：可用负载电流≥130 mA
• 3.3V 至3.3V：可用负载电流≥75 mA
• 3.3V 至5 V：可用负载电流≥40 mA
• 软启动可限制浪涌电流
• 过载和短路保护
• 热关断
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
Isolation Transformer
• 默认输出：高电平和低电平选项
• 低传播延迟：13 ns（典型值，5V 电源）
• 优异的电磁兼容性(EMC)
DC-DC
Primary
DC-DC
Secondary
VCC
VISO
– 系统级ESD、EFT 和浪涌抗扰性
– 在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放
电保护
VSI
VSO
Isolation Capacitors
INx
OUTx
– 低辐射
GNDI
GNDO
• 16 引脚宽体SOIC 封装
• 工作温度范围：–40°C 至+125°C
• 安全相关认证：
VCC 是以GND1 为基准的主电源电压。VISO 是以GND2 为基
准的隔离式电源电压。
VSI 和VSO 可为VCC 或VISO，具体取决于通道方向。
VSI 是以GNDI 为基准的输入侧电源电压，而VSO 是以GNDO
为基准的输出侧电源电压。
– 符合DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的
7071VPK 增强型隔离
– 符合UL 1577 标准且长达1 分钟的5000VRMS
隔离
简化版原理图
– 符合IEC 60950-1、IEC 62368-1 和IEC
60601-1 终端设备标准的CSA 认证
– 符合GB4943.1-2011 标准的CQC 认证
– 符合EN 60950-1 和EN 61010-1 标准的TUV
认证
2 应用
• 工业自动化
• 电机控制
• 电网基础设施
• 医疗设备
• 测试和测量
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
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English Data Sheet: SLLSEY2
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 说明（续）.........................................................................4
6 引脚配置和功能................................................................. 4
引脚功能............................................................................6
7 规格................................................................................... 8
7.1 绝对最大额定值...........................................................8
7.2 ESD 等级.................................................................... 8
7.3 建议运行条件.............................................................. 8
7.4 热性能信息..................................................................9
7.5 额定功率......................................................................9
7.6 绝缘规格....................................................................10
7.7 安全相关认证.............................................................11
7.8 安全限值....................................................................11
7.9 电气特性- 5V 输入、5V 输出....................................12
7.10 电源电流特性- 5V 输入，5V 输出.......................... 13
7.11 电气特性- 3.3V 输入、5V 输出...............................15
7.12 电源电流特性- 3.3V 输入，5V 输出....................... 16
7.13 电气特性- 5V 输入、3.3V 输出...............................17
7.14 电源电流特性- 5V 输入，3.3V 输出....................... 18
7.15 电气特性- 3.3V 输入、3.3V 输出............................21
7.16 电源电流特性- 3.3V 输入，3.3V 输出.................... 22
7.17 开关特性- 5V 输入，5V 输出..................................25
7.18 开关特性- 3.3V 输入，5V 输出...............................25
7.19 开关特性- 5V 输入，3.3V 输出...............................25
7.20 开关特性- 3.3V 输入，3.3V 输出............................25
7.21 绝缘特性曲线.......................................................... 26
7.22 典型特性..................................................................27
8 参数测量信息...................................................................32
9 详细说明.......................................................................... 33
9.1 概述...........................................................................33
9.2 功能方框图................................................................34
9.3 特性说明....................................................................35
9.4 器件功能模式............................................................ 36
10 应用和实现.....................................................................38
10.1 应用信息..................................................................38
10.2 典型应用..................................................................38
11 电源相关建议................................................................. 41
12 布局............................................................................... 42
12.1 布局指南..................................................................42
12.2 布局示例..................................................................43
13 器件和文档支持............................................................. 44
13.1 器件支持..................................................................44
13.2 文档支持..................................................................44
13.3 相关链接..................................................................44
13.4 接收文档更新通知................................................... 44
13.5 支持资源..................................................................44
13.6 商标.........................................................................44
13.7 Electrostatic Discharge Caution..............................45
13.8 术语表..................................................................... 45
14 机械、封装和可订购信息...............................................46
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision F (March 2019) to Revision G (August 2021)
Page
• 通篇添加了3.3V 至5V 电源转换器支持............................................................................................................. 1
• 通篇删除了对100 uF 电容器的引用................................................................................................................... 1
• 删除了讨论次级VISO 监视的段落....................................................................................................................41
Changes from Revision E (November 2017) to Revision F (March 2019)
Page
• 通篇进行了编辑性和修饰性更改......................................................................................................................... 1
• 在特性中添加了项目符号“稳健可靠的隔离栅”................................................................................................ 1
• 在特性中添加了项目符号“在1kVRMS 工作电压下预计寿命超过100 年”........................................................1
• 在特性中添加了项目符号“高达5000V 的VRMS 隔离额定值”......................................................................... 1
• 在特性中添加了项目符号“高达10kVPK 的浪涌保护能力”...............................................................................1
• 在特性中添加了项目符号“±8kV IEC 61000-4-2 跨隔离栅接触放电保护”....................................................... 1
• 更新了简化版原理图，以显示信号隔离通道的两个串联隔离电容器，而不是单个电容器................................... 1
• 在节7.2 表中添加了±8000 的规格“根据IEC 61000-4-2 进行接触放电；隔离栅耐受测试”...........................8
• 在节7.2 表中添加了表注“在隔离栅上施加IEC ESD 冲击并将两侧的所有引脚都连在一起来构成一个双端子
器件”.................................................................................................................................................................8
• 从节7.3 表中删除了“TJ 或结温”参数，因为节7.1 表中已经标明了该参数.....................................................8
• 在VIOWM 规格的测试条件中添加了“请参阅图10-5”.....................................................................................10
• 向图8-2 中添加了以下注释：“可选择在VCC 和GND1 之间添加100 µF 电容器；请参阅节11”................ 32
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• 向采用ISOW7841-Q1 的ADC 感测应用的隔离式电源和SPI 中添加了以下注释：“可选择在VCC 和GND1
之间添加100 µF 电容器；请参阅‘电源相关建议’”.....................................................................................38
• 向节10.2.1 中添加了以下文本：“可选择在VCC 和GND1 引脚之间添加100 µF 去耦电容器；请参阅节11，
以了解更多详细信息。......................................................................................................................................38
• 向图10-2 中添加了以下注释：“可选择在VCC 和GND1 之间添加100 µF 电容器；请参阅节11”.............. 39
• 在节10.2.3 部分下添加了节10.2.3.1 子部分....................................................................................................40
• 向节11 部分中添加了一些文本，强调输入去耦电容器应至少比输出电容器大100 µF.....................................41
• 向图12-1 中添加了以下注释：“可选择在VCC 和GND1 之间添加100 µF 电容器；请参阅节11”.............. 43
Changes from Revision D (November 2017) to Revision E (November 2017)
Page
• 将ISOW7843 器件从预发布更改为量产数据.....................................................................................................4
• 向每个电源电流特性表中添加了ISOW7843 电流参数..................................................................................... 13
• 在典型特性部分中添加了ISOW7843 的电源电流与数据速率关系图................................................................27
Changes from Revision C (October 2017) to Revision D (November 2017)
Page
• 将ISOW7840 器件从预发布更改为量产数据.....................................................................................................4
• 向每个电源电流特性表中添加了ISOW7840 电流参数..................................................................................... 13
• 在每个电源电流特性表中，将ISOW7841 电流参数的测试条件中的IISO 更改为ILOAD，并将方波时钟输入值从
0.5 MHz、5 MHz 和50 MHz 更改为1 Mbps、10 Mbps 和100 Mbps.............................................................13
• 从每个电源电流特性表中删除了ISOW7842 和ISOW7844 器件提供给隔离式电源的电流参数的无外部ILOAD
测试条件........................................................................................................................................................... 13
• 更改了安全限制电流的热降额曲线（根据VDE 标准）的曲线标签...................................................................26
• 在典型特性部分中添加了ISOW7840 的电源电流与数据速率关系图................................................................27
• 在器件I/O 原理图中，更改了带有F 后缀的器件以及SEL 引脚的输入原理图接地符号..................................37
Changes from Revision B (June 2017) to Revision C (October 2017)
Page
• 更改了安全相关认证特性列表.............................................................................................................................1
• 将标题行从“DIN V VDE 0884-10 (VDE V 0884-10): 2016-12”更改为“DIN V VDE 0884-11:2017-01”（在
绝缘规格中）.................................................................................................................................................... 10
• 更改了绝缘规格中的VIOSM 测试条件................................................................................................................10
• 更改了绝缘规格中的VISO(UL) 测试条件.............................................................................................................10
• 更改了安全相关认证表...................................................................................................................................... 11
• 更改了安全限值表的注释1................................................................................................................................11
• 向每个电源电流特性表中添加了ISOW7842 电流参数..................................................................................... 13
• 在典型特性部分中添加了ISOW7842 的电源电流与数据速率关系图................................................................27
Changes from Revision A (March 2017) to Revision B (June 2017)
Page
• 向每个电源电流特性表中添加了ISOW7844 电流参数..................................................................................... 13
Changes from Revision * (March 2017) to Revision A (March 2017)
Page
• 更改了所有开关特性表中的最大传播延迟时间和脉宽失真的典型值及最大值................................................... 25
• 在开关特性- 5V 输入，3.3V 输出表中，将输出信号上升和下降时间的最大限值从3 ns 更改为4 ns..............25
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5 说明（续）
在隔离互补金属氧化物半导体(CMOS) 或低电压互补金属氧化物半导体(LVCMOS) 数字 I/O 时，ISOW784x 系列
器件可提供高电磁抗扰度和低辐射。该信号隔离通道具有逻辑输入和输出缓冲器，由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘
栅隔开，而电源隔离使用片上变压器，采用薄膜聚合物作为绝缘材料进行隔离。提供各种正向和反向通道配置。
如果输入信号丢失，不带 F 后缀的 ISOW784x 器件 默认输出高电平，而带有 F 后缀的器件默认输出低电平（请
参阅VSI 和VSO 可为VCC 或VISO，具体取决于通道方向）。
这些器件有助于防止数据总线（例如，RS-485、RS-232 和 CAN）或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端以
及干扰或损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术，该器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级
ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。电源转换器效率较高，因而能够在较高的环境温度下工作。器件采用 16
引脚SOIC 宽体(SOIC-WB) DWE 封装。
6 引脚配置和功能
VCC
GND1
INA
1
2
3
16 VISO
15 GND2
14 OUTA
INB
INC
4
5
13 OUTB
12 OUTC
IND
NC
6
7
11
OUTD
10 SEL
GND1
8
9 GND2
图6-1. ISOW7840 DWE 封装16 引脚SOIC-WB 顶视图
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VCC
1
16 VISO
GND1
INA
2
3
15 GND2
14 OUTA
INB
INC
4
5
13 OUTB
12 OUTC
OUTD
NC
6
7
11
10 SEL
IND
GND1
8
9 GND2
图6-2. ISOW7841 DWE 封装16 引脚SOIC-WB 顶视图
VCC
1
16 VISO
GND1
INA
2
3
15 GND2
14 OUTA
INB
4
5
13 OUTB
12 INC
OUTC
OUTD
NC
6
7
11
10 SEL
IND
GND1
8
9 GND2
图6-3. ISOW7842 DWE 封装16 引脚SOIC-WB 顶视图
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VCC
1
16 VISO
GND1
INA
2
3
15 GND2
14 OUTA
OUTB
OUTC
4
5
13 INB
12 INC
OUTD
NC
6
7
11
10 SEL
IND
GND1
8
9 GND2
图6-4. ISOW7843 DWE 封装16 引脚SOIC-WB 顶视图
VCC
1
16 VISO
GND1
OUTA
2
3
15 GND2
14 INA
OUTB
OUTC
4
5
13 INB
12 INC
OUTD
NC
6
7
11
10 SEL
IND
GND1
8
9 GND2
图6-5. ISOW7844 DWE 封装16 引脚SOIC-WB 顶视图
引脚功能
引脚
I/O
编号
说明
名称
ISOW7840
ISOW7841
ISOW7842
ISOW7843
ISOW7844
GND1
GND2
INA
2、8
9、15
3
2、8
9、15
3
2、8
9、15
3
2、8
9、15
3
2、8
9、15
14
13
12
11
7
V
V
CC 的接地连接
ISO 的接地连接
—
—
I
I
I
I
输入通道A
输入通道B
输入通道C
输入通道D
未连接
INB
4
4
4
13
12
11
7
INC
5
5
12
11
7
IND
6
11
7
NC
7
—
OUTA
OUTB
OUTC
OUTD
14
13
12
11
14
13
12
6
14
13
5
14
4
3
O
输出通道A
输出通道B
输出通道C
输出通道D
4
O
O
O
5
5
6
6
6
V
ISO 选择引脚。当SEL 短接至VISO 时，VISO = 5V。当
SEL
10
10
10
10
10
I
SEL 短接至GND2 或保持悬空时，VISO = 3.3V。如需更多
信息，请参阅节9.4。
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引脚
编号
I/O
说明
名称
ISOW7840
ISOW7841
ISOW7842
ISOW7843
ISOW7844
VCC
1
1
1
1
1
—
—
电源电压
由SEL 引脚确定的隔离式电源电压
VISO
16
16
16
16
16
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
请参阅(1) (2)
最小值
–0.5
–0.5
最大值
单位
6
VCC
V
电源电压
6
VISO
V
V
隔离式电源电压
VCC + 0.5，
VIO
INx、OUTx、SEL 引脚处的电压
–0.5
VISO + 0.5(3)
IO
-15
15
mA
°C
通过数据通道的最大输出电流
TJ
150
150
结温
Tstg
–65
贮存温度
℃
(1) 超出绝对最大额定值下列出的压力可能会对器件造成永久损坏。这些仅仅是压力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条
件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 差分I/O 总线电压以外的所有电压值都是相对于本地接地引脚（GND1 或GND2）的峰值电压值。
(3) 该值取决于该引脚位于VCC 侧还是VISO 侧。I/O 引脚上的最大电压不应超过6V。
7.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM)，符合JEDEC 规范JESD22-C101(2)
根据IEC 61000-4-2 进行接触放电；隔离栅耐受测试(3)
±2000
V(ESD）
±1000
±8000
V
静电放电
(1) JEDEC 文件JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(3) 在隔离栅上施加IEC ESD 冲击并将两侧的所有引脚都连在一起来构成一个双端子器件。
7.3 建议运行条件
(1)
最小值
标称值
最大值
单位
VCC
IOH
3
-4
-2
5.5
V
电源电压
VSO (1) = 5V
VSO = 3.3V
VSO = 5V
高电平输出电流(2)
mA
mA
4
2
低电平输出电流(2)
IOL
VSO = 3.3V
VIH
VIL
DR
TA
0.7 × VSI
0
VSI
V
V
高电平输入电压
低电平输入电压
数据速率
0.3 × VSI
100
Mbps
°C
-40
125
环境温度
(1) VSI 为输入侧电源，VSO 为输出侧电源
(2) 此电流用于数据输出通道。
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7.4 热性能信息
ISOW784x
热指标(1)
DWE (SOIC)
单位
16 引脚
RθJA
56.8
15.6
28.5
2.4
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
ΨJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
28.5
ΨJB
RθJC(bot)
—
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅《半导体和IC 封装热指标》应用报告。
7.5 额定功率
VCC = 5.5V，IISO = 110 mA，TJ = 150°C，TA ≤80°C，CL = 15 pF，输入50 MHz 50% 占空比方波
参数
最大功耗（两侧）
最大功耗（侧1）
最大功耗（侧2）
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
PD
1.02
W
PD1
PD2
0.51
0.51
W
W
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7.6 绝缘规格
参数
测试条件
值
单位
常规
外部间隙(1)
CLR
CPG
>8
>8
mm
mm
端子间的最短空间距离
外部爬电距离(1)
端子间的最短封装表面距离
> 21
>120
> 600
I
最小内部间隙（内部间隙–电容式信号隔离）
最小内部间隙（内部间隙–变压器电源隔离）
DIN EN 60112 (VDE 0303-11)；IEC 60112
符合IEC 60664-1
DTI
CTI
µm
V
绝缘穿透距离
相对漏电起痕指数
材料组别
I-IV
I-IV
I-III
额定市电电压≤300VRMS
过压类别（符合IEC 60664-1）
额定市电电压≤600 VRMS
额定市电电压≤1000VRMS
DIN V VDE 0884-11:2017-01(2)
VIORM
1414
1000
1414
7071
VPK
VRMS
VDC
交流电压（双极）
最大重复峰值隔离电压
交流电压；时间依赖型电介质击穿(TDDB) 测试；请参
阅图10-5
VIOWM
最大工作隔离电压
直流电压
VTEST = VIOTM，t = 60s（鉴定测试）；
VTEST = 1.2 × VIOTM，t = 1s（100% 生产测试）
VIOTM
VPK
最大瞬态隔离电压
采用符合IEC 62368-1 的测试方法，1.2/50 µs 波形，
VTEST = 1.6 × VIOSM = 10000VPK（鉴定测试）
最大浪涌隔离电压(3)
VIOSM
6250
VPK
方法a，输入/输出安全测试子组2/3 后，
Vini = VIOTM，tini = 60s；
Vpd(m) = 1.2 × VIORM，tm = 10s
≤5
方法a，环境测试子组1 后，
Vini = VIOTM，tini = 60s；Vpd(m) = 1.6 × VIORM，tm
=
≤5
≤5
视在电荷(4)
qpd
pC
10s
方法b1，常规测试（100% 生产测试）和预调节（类型
测试），
Vini = 1.2 × VIOTM，tini = 1s；
Vpd(m) = 1.875 × VIORM，tm = 1s
势垒电容，输入至输出(5)
VIO = 0.4 × sin (2πft)，f = 1 MHz
VIO = 500V，TA = 25°C
CIO
RIO
~3.5
> 1012
> 1011
> 109
pF
绝缘电阻(5)
VIO = 500V，100°C ≤TA ≤125°C
VIO = 500V，TS = 150°C
Ω
2
污染等级
气候类别
40/125/21
UL 1577
VTEST = VISO(UL)= 5000VRMS，t = 60s（鉴定测试），
VTEST = 1.2 × VISO(UL) = 6000VRMS，t = 1s（100% 生
产测试）
VISO(UL)
5000
VRMS
可承受的隔离电压
(1) 爬电距离和间隙应满足应用的特定设备隔离标准中的要求。请注意保持电路板设计的爬电距离和间隙，从而确保印刷电路板上隔离器的
安装焊盘不会导致此距离缩短。在特定的情况下，印刷电路板上的爬电距离和间隙相等。在印刷电路板上插入坡口或肋或同时应用这两
项技术可帮助提高这些规格。
(2) 此耦合器仅适用于安全额定值范围内的安全电气绝缘。应借助合适的保护电路来确保符合安全额定值。
(3) 在空气或油中执行测试，以确定隔离栅的固有浪涌抗扰度。
(4) 视在电荷是局部放电(pd) 引起的电气放电。
(5) 将隔离栅每一侧的所有引脚都连在一起，构成一个双端子器件。
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7.7 安全相关认证
VDE
CSA
UL
CQC
TUV
根据DIN V VDE V
0884-11:2017-01 进行了认
证
根据EN 61010-1:2010 和
EN 60950- 1:2006/
A2:2013 进行了认证
根据IEC 60950-1、IEC 62368-1
和IEC 60601-1 进行了认证
在UL 1577 组件认证计 根据GB 4943.1-2011
划下进行了认证
进行了认证
符合CSA 60950-1-07+A1+A2、
IEC 60950-1 第2 版+A1+A2、
CSA 62368-1-14 和IEC
62368-1 第2 版标准的增强型绝
缘，800VRMS 最大工作电压（污
染等级2，材料组I）；
符合CSA 60601-1:14 和IEC
60601-1 第3 版+A1 的2 MOPP
（患者保护措施），250VRMS 最
大工作电压；
温度额定值为90°C（增强型绝
缘）和125°C（标准绝缘）；详
细信息，请参阅证书。
符合EN 61010- 1:2010 标
准的5000VRMS 增强型绝
缘，高达600VRMS 的工作
电压；
符合EN 60950- 1:2006/
A2:2013 标准的5000VRMS
增强型绝缘，高达
增强型绝缘；
最大瞬态隔离电压
增强型绝缘，海拔≤
5000m，热带气候，
700VRMS 最大工作电
压；
7071VPK
最大重复峰值隔离电压
1414VPK
；
单一保护，5000VRMS
；
最大浪涌隔离电压
6250VPK
800VRMS 的工作电压
证书编号：40040142
主合同编号：220991
文件编号：E181974
证书编号：
CQC15001121716
客户端ID 编号：77311
7.8 安全限值
安全限制旨在最大限度地减小在发生输入或输出电路故障时对隔离栅的潜在损害。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
R
θJA = 56.8°C/W，VI = 5.5V，TJ =
400
150°C，TA = 25°C，请参阅图7-1
θJA = 56.8°C/W，VI = 3.6V，TJ =
150°C，TA = 25°C，请参阅图7-1
θJA = 56.8°C/W，TJ = 150°C，TA
25°C，请参阅图7-2
安全输入、输出或电源电流(1)
IS
mA
R
611
R
=
安全输入、输出或总功率(1)
最高安全温度(1)
PS
TS
2200
150
mW
°C
(1) 最高安全温度TS 具有与为器件指定的最大结温TJ 相同的值。IS 和PS 参数分别表示安全电流和安全功率。不应超出IS 和PS 的最大限
值。这些限值会因环境温度TA 而异。
节7.4 表中的结至空气热阻RθJA 所属器件安装在含引线的表面贴装封装对应的高K 测试板上。可以使用以下公式计算每个参数的值：
TJ = TA + RθJA × P，其中P 为器件中耗散的功率。
TJ(max) = TS = TA + RθJA × PS，其中TJ(max) 为允许的最大结温。
PS = IS × VI，其中VI 为最大输入电压。
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7.9 电气特性- 5V 输入、5V 输出
VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
外部IISO = 0 mA 至50 mA
外部IISO = 0 mA 至130 mA
IISO = 50 mA，VCC = 4.5V 至5.5V
IISO = 0 mA 至130 mA
最小值
典型值
最大值
单位
4.75
5.07
5.43
5.43
VISO
V
隔离式电源电压
4.5
5.07
2
VISO(LINE)
VISO(LOAD)
mV/V
直流线路调节
直流负载调节
1%
IISO = 130 mA，CLOAD = 0.1 µF || 10 µF；
VI = VSI (ISOW784x)；VI = 0V（带有F 后缀
的ISOW784x）
EFF
53%
0.2
最大负载电流时的效率
VCC+(UVLO)
VCC–(UVLO)
VHYS (UVLO)
VITH
2.7
0.7
V
V
VCC、VISO 的正向UVLO 阈值
VCC、VISO 的负向UVLO 阈值
VCC、VISO 的UVLO 阈值迟滞
输入引脚上升阈值
2.1
V
VSI
VSI
VSI
µA
µA
VITL
0.3
0.1
输入引脚下降阈值
VI(HYS)
IIL
输入引脚阈值迟滞(INx)
VIL = 0（在INx 或SEL 处）
VIH = VSI (1)（在INx 或SEL 处）
–10
低电平输入电流
高电平输入电流
IIH
10
(1)
VSO
–
0.4
VSO –
VOH
V
IO = –4 mA，请参阅图8-1
高电平输出电压
0.2
VOL
0.2
0.4
V
IO = 4 mA，请参阅图8-1
低电平输出电压
共模瞬态抗扰度
CMTI
100
kV/us
VI = VSI 或0V，VCM = 1000V；请参阅图8-2
短路条件下VISO 上来自电源的直
流电流
ICC_SC
137
100
mA
mV
V
ISO 短接至GND2
20 MHz 带宽，CLOAD = 0.1 µF || 20 µF，IISO
= 130 mA
VISO(RIP)
隔离式电源上的输出纹波(pk-pk)
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
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7.10 电源电流特性- 5V 输入，5V 输出
VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7840
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7840)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7840）
23
17
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7840)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7840）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
21
24
56
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7840)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7840）
128
130
128
127
111
VI = VSI (ISOW7840)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7840）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
ISOW7841
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7841)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7841）
23
17
20
24
54
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7841)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
128
130
VI = 0V (ISOW7841)；VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7841）
VI = VSI (ISOW7841)；VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
128
127
112
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
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VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7842
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7842)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7842）
24
18
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7842)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7842）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
21
24
51
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7842)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7842）
126
130
128
127
116
VI = VSI (ISOW7842)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7842）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
ISOW7843
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7843)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7843）
25
17
21
24
48
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7843)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7843）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7843)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7843）
125
130
127
126
120
VI = VSI (ISOW7843)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7843）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
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VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7844
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7844)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7844）
26
17
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7844)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7844）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
22
24
46
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7844)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7844）
123
130
126
126
126
VI = VSI (ISOW7844)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7844）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
(2) 当TA > 80°C 时，提供给负载的电流应该降低2 mA/°C。
7.11 电气特性- 3.3V 输入、5V 输出
VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
外部IISO = 0 mA 至40 mA
IISO = 20 mA，VCC = 4.5V 至5.5V
IISO = 0 mA 至40 mA
最小值
典型值
最大值
单位
VISO
4.5
5.07
2
5.43
V
隔离式电源电压
直流线路调节
直流负载调节
VISO(LINE)
VISO(LOAD)
mV/V
1%
IISO = 40 mA，CLOAD = 0.1 µF || 10 µF；
VI = VSI (ISOW7841A-Q1)；VI = 0V（带有F
后缀的ISOW7841A-Q1）
EFF
42%
0.2
最大负载电流时的效率
VCC+(UVLO)
VCC–(UVLO)
VHYS (UVLO)
VITH
2.7
0.7
V
V
VCC、VISO 的正向UVLO 阈值
VCC、VISO 的负向UVLO 阈值
VCC、VISO 的UVLO 阈值迟滞
输入引脚上升阈值
2.1
V
VSI
VSI
VSI
µA
µA
VITL
0.3
0.1
输入引脚下降阈值
VI(HYS)
IIL
输入引脚阈值迟滞(INx)
VIL = 0（在INx 或SEL 处）
VIH = VSI (1)（在INx 或SEL 处）
–10
低电平输入电流
高电平输入电流
IIH
10
(1)
VSO
–
0.4
VSO –
VOH
V
IO = –4 mA，请参阅图8-1
高电平输出电压
0.2
VOL
0.2
0.4
V
IO = 4 mA，请参阅图8-1
低电平输出电压
共模瞬态抗扰度
CMTI
100
kV/us
VI = VSI 或0V，VCM = 1000V；请参阅图8-2
短路条件下VISO 上来自电源的直
流电流
ICC_SC
137
mA
V
ISO 短接至GND2
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参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
20 MHz 带宽，CLOAD = 0.1µF || 20 µF，IISO
40 mA
=
VISO(RIP)
90
mV
隔离式电源上的输出纹波(pk-pk)
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
7.12 电源电流特性- 3.3V 输入，5V 输出
VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7841
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7841)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7841）
31
24
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7841)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15pF，无外部ILOAD
ICC
28
33
80
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15pF，无外部ILOAD
38
40
VI = 0V (ISOW7841)；VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7841）
VI = VSI (ISOW7841)；VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1Mbps 的方波时钟输入实现开关；
38
37
22
(2)
CL = 15pF
提供给隔离式电源的
电流
(
)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15pF
所有通道均通过100Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15pF
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7.13 电气特性- 5V 输入、3.3V 输出
VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
外部IISO = 0 mA 至50 mA
外部IISO = 0 mA 至130 mA
IISO = 50 mA，VCC = 4.5V 至5.5V
IISO = 10 mA 至130 mA
最小值
典型值
最大值
单位
3.13
3.34
3.56
VISO
V
隔离式电源电压
3
3.34
2
3.56
VISO(LINE)
VISO(LOAD)
mV/V
直流线路调节
直流负载调节
1%
IISO = 130 mA，CLOAD = 0.1 µF || 10 µF；
VI = VSI (ISOW784x)；VI = 0V（带有F 后缀
的ISOW784x）
EFF
48%
0.2
最大负载电流时的效率
VCC+(UVLO)
VCC–(UVLO)
VHYS (UVLO)
VITH
2.7
0.7
V
V
VCC、VISO 的正向UVLO 阈值
VCC、VISO 的负向UVLO 阈值
VCC、VISO 的UVLO 阈值迟滞
输入引脚上升阈值
2.1
V
VSI
VSI
VSI
µA
µA
VITL
0.3
0.1
输入引脚下降阈值
VI(HYS)
IIL
输入引脚阈值迟滞(INx)
VIL = 0（在INx 或SEL 处）
VIH = VSI (1)（在INx 或SEL 处）
–10
低电平输入电流
高电平输入电流
IIH
10
(1)
VSO
–
0.3
VSO –
VOH
VOL
V
V
IO = –2 mA，请参阅图8-1
IO = 2 mA，请参阅图8-1
高电平输出电压
低电平输出电压
共模瞬态抗扰度
0.1
0.1
0.3
VI = VSI 或0V，VCM = 1000V；请参阅图
8-2
CMTI
100
kV/us
短路条件下VISO 上来自电源的直
流电流
ICC_SC
137
100
mA
mV
V
ISO 短接至GND2
20 MHz 带宽，CLOAD = 0.1 µF || 20 µF，IISO
= 130 mA
VISO(RIP)
隔离式电源上的输出纹波(pk-pk)
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
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17
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7.14 电源电流特性- 5V 输入，3.3V 输出
VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7840
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7840)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7840）
20
15
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7840)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7840）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
17
19
39
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7840)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7840）
128
130
129
128
116
VI = VSI (ISOW7840)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7840）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
ISOW7841
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7841)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7841）
20
14
17
20
40
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7841)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
128
130
VI = 0V (ISOW7841)；VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7841）
VI = VSI (ISOW7841)；VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
129
128
118
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
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VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7842
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7842)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7842）
20
15
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7842)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7842）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
18
20
39
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
126
130
VI = 0V (ISOW7842)；VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7842）
VI = VSI (ISOW7842)；VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7842）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
128
127
119
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
ISOW7843
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7843)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7843）
20
14
18
20
39
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7843)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7843）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7843)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7843）
125
130
127
127
123
VI = VSI (ISOW7843)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7843）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
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VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7844
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7844)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7844）
21
15
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7844)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7844）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
18
20
41
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
123
130
VI = 0V (ISOW7844)；VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7844）
VI = VSI (ISOW7844)；VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7844）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
126
126
126
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
(2) 当TA > 105°C 时，提供给负载的电流应该降低2 mA/°C。
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7.15 电气特性- 3.3V 输入、3.3V 输出
VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值
最大值
单位
3.13
3
3.34
3.34
2
3.58
外部IISO = 0 mA 至30 mA
VISO
V
隔离式电源电压
3.58
外部IISO = 0 mA 至75 mA
IISO = 30 mA，VCC = 3V 至3.6V
IISO = 0 mA 至75 mA
VISO(LINE)
VISO(LOAD)
mV/V
直流线路调节
直流负载调节
1%
IISO = 75 mA，CLOAD = 0.1 µF || 10 µF；
VI = VSI (ISOW784x)；VI = 0V（带有F 后缀的
ISOW784x）
EFF
47%
0.2
最大负载电流时的效率
VCC+(UVLO)
VCC–(UVLO)
VHYS (UVLO)
VITH
2.7
0.7
V
V
VCC、VISO 的正向UVLO 阈值
VCC、VISO 的负向UVLO 阈值
VCC、VISO 的UVLO 阈值迟滞
输入引脚上升阈值
2.1
V
VSI
VSI
VSI
µA
µA
VITL
0.3
0.1
输入引脚下降阈值
VI(HYS)
IIL
输入引脚阈值迟滞(INx)
VIL = 0（在INx 或SEL 处）
VIH = VSI (1)（在INx 或SEL 处）
–10
低电平输入电流
高电平输入电流
IIH
10
(1)
VSO
VSO –
VOH
V
IO = –2 mA，请参阅图8-1
高电平输出电压
–0.3
0.1
VOL
0.1
0.3
V
IO = 2 mA，请参阅图8-1
低电平输出电压
共模瞬态抗扰度
CMTI
100
kV/us
VI = VSI 或0V，VCM = 1000V；请参阅图8-2
短路条件下VISO 上来自电源的直
流电流
ICC_SC
143
90
mA
mV
V
ISO 短接至GND2
20 MHz 带宽，CLOAD = 0.1 µF || 20 µF，IISO
75 mA
=
VISO(RIP)
隔离式电源上的输出纹波(pk-pk)
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
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7.16 电源电流特性- 3.3V 输入，3.3V 输出
VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7840
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7840)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7840）
26
20
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7840)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7840）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
23
26
54
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7840)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7840）
73
75
74
73
61
VI = VSI (ISOW7840)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7840）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
ISOW7841
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7841)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7841）
26
20
23
26
53
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7841)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7841)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7841）
73
75
74
73
61
VI = VSI (ISOW7841)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7841）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
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VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7842
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7842)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7842）
28
20
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7842)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7842）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
24
26
49
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7842)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7842）
71
75
73
72
64
VI = VSI (ISOW7842)；
VI= 0V（带有F 后缀的ISOW7842）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
ISOW7843
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7843)；
VI = VSI (1)（带有F 后缀的ISOW7843）
28
19
24
26
45
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7843)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7843）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7843)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7843）
70
75
72
72
68
VI = VSI (ISOW7843)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7843）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
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VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
ISOW7844
无外部ILOAD；VI = 0V (ISOW7844)；
VI = VSI (1) （带有F 后缀的ISOW7844）
30
19
无外部ILOAD；VI = VSI (ISOW7844)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7844）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
ICC
25
26
42
mA
从电源获取的电流
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF，无外部ILOAD
VI = 0V (ISOW7844)；
VI = VSI（带有F 后缀的ISOW7844）
68
75
71
71
71
VI = VSI (ISOW7844)；
VI = 0V（带有F 后缀的ISOW7844）
所有通道均通过1 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
提供给隔离式电源的
电流
(2)
IISO(OUT)
mA
所有通道均通过10 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
所有通道均通过100 Mbps 的方波时钟输入实现开关；
CL = 15 pF
(1) VSI = 输入侧电源；VSO = 输出侧电源
(2) 当TA > 115°C 时，提供给负载的电流应该降低2 mA/°C。
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7.17 开关特性- 5V 输入，5V 输出
VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
tPLH
tPHL
、
13
17.6
ns
请参阅图8-1
传播延迟时间
脉宽失真(1) |tPHL –tPLH
通道间输出偏斜时间(2)
器件间偏斜时间(3)
|
PWD
tSK(o)
tSK(p-p)
tr，tf
0.6
2
4.7
2.5
4.5
4
ns
ns
ns
ns
同向通道
输出信号上升和下降时间
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜：所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度：在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作，同时在相同方向上开
关。
7.18 开关特性- 3.3V 输入，5V 输出
VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至VISO（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
tPLH
tPHL
、
13.5
19.6
ns
请参阅图8-1
传播延迟时间
脉宽失真(1) |tPHL –tPLH
通道间输出偏斜时间(2)
器件间偏斜时间(3)
|
PWD
tSK(o)
tSK(p-p)
tr，tf
0.6
2
4.7
2.5
4.5
4
ns
ns
ns
ns
同向通道
输出信号上升和下降时间
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜：所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度：在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作，同时在相同方向上开
关。
7.19 开关特性- 5V 输入，3.3V 输出
VCC = 5V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
tPLH
tPHL
、
传播延迟时间
请参阅图8-1
14
19.7
ns
脉宽失真(1) |tPHL –tPLH
通道间输出偏斜时间(2)
器件间偏斜时间(3)
|
PWD
tSK(o)
tSK(p-p)
tr，tf
0.6
1
4.4
2
ns
ns
ns
ns
同向通道
4.5
4
输出信号上升和下降时间
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜：所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度：在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作，同时在相同方向上开
关。
7.20 开关特性- 3.3V 输入，3.3V 输出
VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
tPLH
tPHL
、
传播延迟时间
请参阅图8-1
14.5
20.2
ns
脉宽失真(1) |tPHL –tPLH
|
PWD
tSK(o)
0.6
4.4
2.2
ns
ns
通道间输出偏斜时间(2)
同向通道
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VCC = 3.3V ±10% 且SEL 短接至GND2（在推荐的工作条件下测得，除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
ns
器件间偏斜时间(3)
tSK(p-p)
4.5
3
tr，tf
1
ns
输出信号上升和下降时间
(1) 也称为脉冲偏斜。
(2)
(3)
t
t
sk(o) 是以下单个器件的输出之间的偏斜：所有驱动输入均连在一起且在驱动相同负载时输出在相同方向上开关。
sk(pp) 是以下不同器件的任意端子之间的传播延迟时间差幅度：在相同电源电压、温度、输入信号和负载下工作，同时在相同方向上开
关。
7.21 绝缘特性曲线
700
600
500
400
300
200
100
0
2500
2000
1500
1000
500
VCC = 3.6 V
VCC = 5.5 V
0
0
50
100
Ambient Temperature (èC)
150
200
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature (èC)
D002
D001
图7-2. 安全限制功率的热降额曲线（根据VDE 标准）
图7-1. 安全限制电流的热降额曲线（根据VDE 标准）
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7.22 典型特性
3.45
3.43
3.41
3.39
3.37
3.35
3.33
3.31
3.29
3.27
3.25
5.2
5.15
5.1
VCC = 3.3 V
VCC = 5 V
5.05
5
0
20
40
60
Load Current (mA)
80
100
120
140
0
20
40
60
Load Current (mA)
80
100
120
140
VISO = 3.3V
TA = 25°C
VISO = 5V
TA = 25°C
图7-3. 隔离式电源电压(VISO) 与负载电流(IISO) 间的关 图7-4. 隔离式电源电压(VISO) 与负载电流(IISO) 间的关
系
系
300
275
250
225
200
175
150
125
100
75
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
VCC = 5 V, VISO = 5 V
VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
VCC = 5 V, VISO = 5 V
VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
50
25
0
0
20
40
60
Load Current (mA)
80
100
120
140
160
0
20
40
60 80
Load Current (mA)
100
120
140
TA = 25°C
TA = 25°C
图7-5. ISOW7841 电源电流(ICC) 与负载电流(IISO) 间
的关系
图7-6. ISOW7841 效率与负载电流(IISO) 间的关系
3.4
640
VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
VCC = 5 V, VISO = 5 V
VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
560
480
400
320
240
160
80
3.35
3.3
3.25
0
3.2
-40
0
20
40
60 80
Load Current (mA)
100
120
140
-20
0
20
40
60
80
100
120
Free-Air Temperature (èC)
D008
TA = 25°C
VCC = 5V
VISO = 3.3V
无IISO 负载
图7-7. ISOW7841 功率损耗与负载电流(IISO) 间的关系
图7-8. 3.3V 隔离式电源电压(VISO) 与自然通风条件下
的温度间的关系
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5.14
5.09
5.04
4.99
4.94
130
125
120
115
110
105
100
95
800
700
600
500
400
300
200
100
Short-circuit Supply Current
Short-circuit Power
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
90
0
Free-Air Temperature (èC)
3
3.2 3.4 3.6 3.8
4
4.2 4.4 4.6 4.8
Input Supply Voltage (V)
5
5.2 5.4
VCC = 5V
VISO = 5
无IISO 负载
TA = 25°C
V
ISO 短接至GND2
图7-9. 5V 隔离式电源电压(VISO) 与自然通风条件下的
温度间的关系
图7-10. 短路电源电流(ICC) 和功率(P) 与电源电压
(VCC) 间的关系
70
60
50
40
30
40
35
30
25
20
15
20
10
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
10
5
0
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D022
D023
CL = 15 pF
TA = 25°C
TA = 25°C
无IISO 负载
CL = 无负载
无IISO 负载
图7-11. ISOW7840 电源电流与数据速率间的关系
图7-12. ISOW7840 电源电流与数据速率间的关系
120
80
ICC (mA) at VCC = 5 V, VISO = 5 V
110
ICC (mA) at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC (mA) at VCC = 5 V, VISO = 5 V
ICC (mA) at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC (mA) at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC (mA) at VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
70
60
50
40
30
20
10
0
100
ICC (mA) at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC (mA) at VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
CL = 15 pF
TA = 25°C
TA = 25°C
无IISO 负载
CL = 无负载
无IISO 负载
图7-13. ISOW7841 电源电流与数据速率间的关系
图7-14. ISOW7841 电源电流与数据速率间的关系
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60
40
35
30
25
20
15
50
40
30
20
10
10
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
5
0
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D021
D020
CL = 15 pF
TA = 25°C
TA = 25°C
无IISO 负载
CL = 无负载
无IISO 负载
图7-15. ISOW7842 电源电流与数据速率间的关系
图7-16. ISOW7842 电源电流与数据速率间的关系
60
40
35
30
25
20
15
50
40
30
20
10
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
10
0
5
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D024
D025
CL = 15 pF
TA = 25°C
TA = 25°C
无IISO 负载
CL = 无负载
无IISO 负载
图7-17. ISOW7843 电源电流与数据速率间的关系
图7-18. ISOW7843 电源电流与数据速率间的关系
50
45
40
35
30
25
20
15
40
35
30
25
20
15
10
10
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
ICC at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
ICC at VCC = 5 V, VISO = 5 V
5
0
5
0
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
0
25
50
Data Rate (Mbps)
75
100
D018
D019
CL = 15 pF
TA = 25°C
TA = 25°C
无IISO 负载
CL = 无负载
无IISO 负载
图7-19. ISOW7844 电源电流与数据速率间的关系
图7-20. ISOW7844 电源电流与数据速率间的关系
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2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
20
18
16
14
12
10
8
tPLH(ns) at VCC = 5 V, VISO = 5 V
tPHL(ns) at VCC = 5 V, VISO = 5 V
tPLH(ns) at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
tPHL(ns) at VCC = 5 V, VISO = 3.3 V
tPLH(ns) at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
tPHL(ns) at VCC = 3.3 V, VISO = 3.3 V
tPLH(ns) at VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
tPHL(ns) at VCC = 3.3 V, VISO = 5 V
6
2.1
4
VCC Rising
VCC Falling
2
-40
-20
0
20
40
60
Free Air Temperature (°C)
80
100 120 140
2
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120
Free-Air Temperature (èC)
图7-22. 传播延迟时间与自然通风条件下的温度间的关
系
图7-21. 电源欠压阈值与自然通风条件下的温度间的关
系
6
5
4
3
2
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
1
VSO = 3.3 V
VSO = 5 V
VSO = 3.3 V
VSO = 5 V
0.1
0
0
-15
0
5
10
Low-Level Output Current (mA)
15
-10 -5
High-Level Output Current (mA)
0
D016
D015
TA = 25°C
TA = 25°C
图7-24. 低电平输出电压与低电平输出电流间的关系
图7-23. 高电平输出电压与高电平输出电流间的关系
VISO = 3.3 V (50 mV/div)(1)
ICC (40 mA/div)
IISO
110 mA
VISO = 3.3 V (1 V/div)
10 mA
10 mA
2
100 µs/div
2 ms/div
VCC = 5V
VISO = 3.3V
VCC = 5V
VISO = 3.3V
负载瞬态导致的可忽略下冲和过冲
电流尖峰是为输入电源电容器充电而造成的
图7-25. 10 mA 至110 mA 负载瞬态响应
图7-26. 10 mA 负载条件下的软启动
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ICC (40 mA/div)
ICC (40 mA/div)
VISO = 5 V (1 V/div)
VISO = 3.3 V (1 V/div)
2 ms/div
2 ms/div
VCC = 5V
VISO = 5V
VCC = 5V
VISO = 3.3V
输入电流尖峰是为输入电源去耦电容器充电而造成的。
输入电流尖峰是为输入电源去耦电容器充电而造成的。
图7-28. 10 mA 负载条件下的软启动
图7-27. 120 mA 负载条件下的软启动
ICC (40 mA/div)
VISO = 5 V (20 mV/div)
VISO = 5 V (1 V/div)
5 µs/div
2 ms/div
VCC = 5V
VISO = 5V
VCC = 5V
VISO = 5V
输入电流尖峰是为输入电源去耦电容器充电而造成的。
图7-30. 130 mA 条件下的VISO 纹波电压
图7-29. 130 mA 负载条件下的软启动
VISO = 3.3 V (20 mV/div)
5 µs/div
VCC = 5V
VISO = 3.3V
图7-31. 130 mA 条件下的VISO 纹波电压
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8 参数测量信息
V
SI
V
50%
I
50%
IN
OUT
0 V
t
t
PHL
PLH
Input Generator
(See Note A)
C
L
V
I
V
O
50 ꢀ
V
See Note B
OH
90%
10%
50%
50%
V
O
V
OL
t
r
t
f
输入脉冲由具有以下特性的发生器提供：PRR ≤50 kHz，50% 占空比，tr ≤3 ns，tf ≤3 ns，ZO = 50Ω。输入端需要50Ω电阻器来端
接输入发生器信号。实际应用中并不需要该电阻器。
CL = 15 pF 并包含±20% 范围内的仪表和设备电容。
图8-1. 开关特性测试电路和电压波形
5 V
5 V
V
SO
V
SI
10 …F || 0.1 µF
C3
C4
10 …F
0.1 …F
GNDI
IN
OUT
C
L
GNDI
GNDO
+
œ
V
CM
CL = 15 pF 并包含±20% 范围内的仪表和设备电容。
通过/失败标准：输出必须保持稳定。
图8-2. 共模瞬态抗扰度测试电路
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9 详细说明
9.1 概述
ISOW784x 系列器件具有一个高效、低辐射隔离式直流/直流转换器和四个高速隔离式数据通道。图 9-1 显示了
ISOW784x 系列器件的功能方框图。
集成式直流/直流转换器采用开关模式操作和专有的电路技术来降低功率损耗并提高了效率。专用控制机制、时钟
方案和高Q 值片上变压器带来了高效率和低辐射。集成式变压器采用薄膜聚合物作为绝缘栅。
VCC 电源为初级侧电源控制器供电，该控制器负责开关连接到集成式变压器的功率级。电源会传输到次级侧，经
过整流后调节至 3.3V 或 5V，具体取决于 SEL 引脚。输出电压 VISO 会被监控，而反馈信息会通过专用的隔离式
通道传输至初级侧。随即会相应地调整初级侧开关级的占空比。电源转换器的快速反馈控制环路确保负载瞬变过
程中具有低过冲和下冲。VCC 和 VISO 电源集成了带迟滞功能的欠压闭锁 (UVLO) 功能，确保系统在有噪声的条件
下保持性能稳定。集成的软启动机制确保浪涌电流受控，并避免上电期间输出端出现任何过冲。
集成的信号隔离通道采用开关键控 (OOK) 调制方案，以跨越基于二氧化硅的隔离栅传输数字数据。发送器通过跨
隔离栅发送高频载波来表示一种状态，通过不发送信号来表示另一种状态。接收器在信号调节完成后对信号进行
解调并通过缓冲器级产生输出。信号隔离通道采用了先进的电路技术，可最大限度地提高 CMTI 性能，并最大限
度地减少高频载波和IO 缓冲器开关产生的辐射。图9-2 显示了典型信号隔离通道的功能方框图。
ISOW784x 系列器件适用于布板空间有限且需要更多集成的应用。该系列器件还适用于为满足所需隔离规范而采
用体积庞大且价格昂贵的电源变压器的超高电压应用。
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9.2 功能方框图
Transformer
V
CC
V
ISO
Power
Controller
Transformer
Driver
Rectifier
UVLO, Soft-start
Thermal
Shutdown,
UVLO, Soft-start
FB Channel (Tx)
FB Controller
I/O Channels
FB Channel (Rx)
V
ref
I/O Channels
Data Channels
(4)
Data Channels
(4)
Isolation Barrier
图9-1. 方框图
Transmitter
Receiver
OOK
Modulation
TX IN
SiO based
2
RX OUT
TX Signal
Conditioning
RX Signal
Conditioning
Envelope
Detection
Capacitive
Isolation
Barrier
Emissions
Reduction
Techniques
Oscillator
图9-2. 电容数据通道的概念方框图
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图9-3 展示了OOK 方案工作原理的概念细节。
TX IN
Carrier signal through
isolation barrier
RX OUT
图9-3. 基于开关键控(OOK) 的调制方案
9.3 特性说明
表9-1 展示了器件特性概览。
表9-1. 器件特性
最大数据速率
器件型号(1)
隔离额定值(2)
通道方向
默认输出状态
ISOW7840
高
低
高
低
高
低
高
低
高
低
4 个正向，0 个反向
3 个正向，1 个反向
2 个正向，2 个反向
1 个正向，3 个反向
0 个正向，4 个反向
ISOW7840F
ISOW7841
ISOW7841F
ISOW7842
ISOW7842F
ISOW7843
ISOW7843F
ISOW7844
ISOW7844F
100 Mbps
5 kVRMS/7071 VPK
(1) F 后缀是可订购器件型号的一部分。请参阅节14 部分，以了解完整的可订购器件型号。
(2) 详细的隔离额定值，请参阅节7.7 表。
9.3.1 电磁兼容性(EMC) 注意事项
ISOW784x 系列器件采用内部振荡器降低辐射方案和先进的内部布局方案，从而最大限度地减小系统级辐射发
射。
恶劣工业环境中的很多应用都对静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT)、浪涌和电磁辐射等干扰非常敏感。IEC
61000-4-x 和CISPR 22 等国际标准对这些电磁干扰进行了规定。尽管系统级性能和可靠性在很大程度上取决于应
用板设计和布局，但 ISOW784x 系列器件包含很多芯片级设计改进来增强整体系统稳健性。其中的一些改进包
括：
• 输入和输出信号引脚以及芯片间接合焊盘具有可靠的ESD 保护单元。
• ESD 单元与电源和接地引脚之间采用低电阻连接。
• 高压隔离电容器具有增强性能，能够更好地耐受ESD、EFT 和浪涌事件。
• 片上去耦电容器更大，可通过低阻抗路径旁路不良的高能信号。
• PMOS 和NMOS 器件通过防护环互相隔离，从而避免触发寄生SCR。
• 通过确保纯差分内部运行，减少隔离栅上的共模电流。
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9.3.2 上电和断电行为
ISOW784x 系列器件在VCC 和VISO 电源上具有内置的UVLO 并且存在正向和负向阈值及迟滞。当VCC 电压在上
电期间超过正向UVLO 阈值时，直流/直流转换器会进行初始化，同时电源转换器占空比会以受控的方式增加。此
软启动方案会限制从VCC 电源获取的初级峰值电流，并以受控方式为VISO 输出充电，从而避免出现过冲。隔离式
数据通道的输出会处于不确定状态，直到VCC 或VISO 电压超过正向 UVLO 阈值。当次级侧 VISO 引脚上的电压超
过 UVLO 正向阈值时，反馈数据通道开始向初级控制器提供反馈。调节环路会接管，而隔离式数据通道会进入相
应输入通道定义的正常状态或其默认状态。设计中应考虑留出足够的时间裕度（通常为 10 ms 并使用 10 µF 负载
电容），以便在系统功能考虑有效的数据通道前完成此上电序列。
当 VCC 电源丢失时，初级侧直流/直流转换器会在达到 UVLO 阈值下限时关断。然后，VISO 电容器会根据外部负
载情况进行放电。VISO 一侧的隔离式数据输出会短暂返回默认状态，这时VISO 会放电至零。
9.3.3 电流限制、热过载保护
ISOW784x 系列器件具有输出过载和短路保护功能。当电源转换器无法提供过载情况下所需的电流时，输出电压
开始下降。当VISO 对地短路时，转换器的占空比会受到限制，这有助于避免造成任何损坏。
器件还集成了热保护功能，有助于防止在隔离式输出出现过载和短路情况时损坏器件。在这些情况下，器件温度
开始升高。当温度超过180°C 时，热关断激活，而初级控制器关断，从而切断提供给VISO 负载的能源，使器件降
温。当结温降至 150°C 以下时，器件开始正常工作。如果过载或输出短路情况依然存在，此保护周期会重复。设
计时应该小心谨慎，尽量避免器件结温达到这么高的值。
9.4 器件功能模式
表9-2 列出了这些器件的电源配置。
表9-2. 电源配置
VCC
5V
VISO
5V
SEL 输入
短接至VISO
3.3V
5V
5V
短接至VISO
3.3 V(1)
3.3 V(1)
短接至GND2 或悬空
短接至GND2 或悬空
3.3V
(1) SEL 引脚具有内部弱下拉电阻。因此，在有噪声的系统场景中，当VISO = 3.3V 时，SEL 引脚强连接
至GND2 引脚。
表9-3 列出了ISOW784x 器件的功能模式。
表9-3. 功能表
输出
(OUTx)
输入电源
(1)
输入
(INx)
备注
(VCC
)
H
L
H
L
输出通道假定其输入的逻辑状态
PU
默认模式(2): 当INx 断开时，相应的输出通道会根据所选版
本的默认输出模式来假定逻辑
开路
默认
未定(3)
PD
X
(1) PU = 上电(VCC ≥2.7V)；PD = 断电(VCC < 2.1V)；X = 不相关；H = 高电平；L = 低电平；VCC = 输入侧电压
(2) 在默认情况下，ISOW784x 输出高电平，而带有F 后缀的ISOW784x 输出低电平。
(3) 当VCC < 2.1V 时，输出为未定状态。
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9.4.1 器件I/O 原理图
Input (Devices without F suffix)
Input (Devices with F suffix)
V
V
V
V
V
V
V
CC
CC
CC
CC
CC
CC
CC
1.5 Mꢀ
985 ꢀ
985 ꢀ
INx
INx
1.5 Mꢀ
SEL Pin
Output
V
ISO
V
V
ISO
V
ISO
ISO
~20 ꢀ
1970 ꢀ
OUTx
SEL
2 Mꢀ
图9-4. 器件I/O 原理图
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10 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规格，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定元件是
否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能正常。
10.1 应用信息
该器件是一款具有集成式直流/直流转换器的高性能四通道数字隔离器。数字隔离器通常需要两个相互隔离的电源
来为器件的两侧供电。该器件具有集成式直流/直流转换器，因此隔离式电源会在器件内部生成，可用于为器件的
隔离侧和隔离侧的外设供电，从而节省布板空间。该器件采用单端CMOS 逻辑开关技术。使用数字隔离器进行设
计时，请注意由于采用的是单端设计结构，数字隔离器不符合任何特定的接口标准，并仅用于隔离单端CMOS 或
TTL 数字信号线。不管接口类型或标准如何，隔离器通常都放在数据控制器（即微控制器或 UART）和数据转换
器或数据线收发器之间。
该器件适用于布板空间有限且需要更多集成的应用。该器件还适用于为满足所需隔离规范而采用体积庞大且价格
昂贵的电源变压器的超高电压应用。
10.2 典型应用
有关分步设计过程、电路原理图、物料清单、印刷电路板(PCB) 文件、模拟结果和测试结果，请参阅TI 设计
TIDA-01333 采用ISOW7841 的8 通道隔离式高电压模拟输入模块参考设计。
图10-1 展示了SPI 隔离的典型原理图。
Reference
0.1 …F
22 …F
22 …F
0.1 …F
3.3VIN
VISO
SEL
VCC
3.3VOUT
DVCC
MCU
DVSS
AVDD
DVDD
REF
CS
CS
INA
INB
OUTA
OUTB
SCLK
SCLK
ISOW7841
Analog Input
ADC
SDI
SDO
SDI
INC
OUTC
IND
SDO
OUTD
AGND
DGND
GND1
GND2
图10-1. 采用ISOW7841
10.2.1 设计要求
若要使用此器件进行设计，请使用表10-1 中列出的参数。
表10-1. 设计参数
参数
值
3V 至5.5V
输入电压
VCC 和GND1 之间的去耦电容器
0.1 µF 至10 µF
0.1 µF 至10 µF
V
ISO 和GND2 之间的去耦电容器
流过 ISOW7841 器件 VCC 和 VISO 电源的电流很大，因此通常去耦电容器越大，器件的噪声和纹波性能就越出
色。尽管 10 µF 的电容器就足够了，但强烈建议在 VCC 和 VISO 引脚与相应接地端之间使用更大的去耦电容器
（例如47 µF），以实现最佳性能。
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10.2.2 详细设计过程
这些器件只需外部旁路电容器即可工作。这些低ESR 陶瓷旁路电容器必须尽可能靠近焊盘放置。
10 ꢀF
10 ꢀF
2 mm Maximum
from Vcc
2 mm Maximum
from VISO
0.1 ꢀF
0.1 ꢀF
VCC
VISO
1
16
GND1
2
3
15
14
GND2
INA
INB
OUTA
OUTB
4
13
INC
5
6
12
11
OUTC
IND
OUTD
7
8
10
9
SEL
GND1
GND2
可选择在VCC 和GND1 之间添加100 µF 电容器；请参阅节11。
图10-2. 典型ISOW7841 电路组装
VCC 电源输入为隔离式数据通道和隔离式直流/直流转换器供电。可使用方程式1 计算初级侧的总功率预算。
ICC = (VISO × IISO) / (η× VCC) + Iinpx
(1)
其中
• ICC 是主电源所需的总电流。
• VISO 是隔离式电源电压。
• IISO 是隔离式电源电压上的外部负载。
• η是效率。
• VCC 是电源电压。
• Iinpx 是以特定数据速率切换数据通道时隔离式数据通道和电源转换器获取的总电流。节7.9 表中展示了该数
据。
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10.2.3 应用曲线
ICC (40 mA/div)
VISO (600 mV/div)
VCC = 3.3V
IISO = 70mA
输入电流尖峰是为输入电源去耦电容器充电而造成的。
图10-3. 软启动波形
10.2.3.1 绝缘寿命
绝缘寿命预测数据是使用业界通用的时间依赖性电介质击穿 (TDDB) 测试方法收集的。在该测试中，隔离栅两侧
的所有引脚都连在一起，构成了一个双端子器件并在两侧之间施加高电压；对于 TDDB 测试设置，请参阅图
10-4。绝缘击穿数据是在开关频率为 60 Hz 以及各种高电压条件下在整个温度范围内收集的。对于增强型绝缘，
VDE 标准要求使用故障率小于 1 ppm 的 TDDB 预测线。尽管额定工作隔离电压条件下的预期最短绝缘寿命为 20
年，但是 VDE 增强认证要求工作电压具有额外20% 的安全裕度，寿命具有额外 87.5% 的安全裕度，也就是说在
工作电压高于额定值20% 的条件下，所需的最短绝缘寿命为37.5 年。
图10-5 展示了隔离栅在整个寿命期内承受高压应力的固有能力。根据TDDB 数据，固有绝缘能力为 1000VRMS
寿命为1184 年。
，
A
Vcc 1
Vcc 2
Time Counter
> 1 mA
DUT
GND 1
GND 2
V
S
Oven at 150 °C
图10-4. 绝缘寿命测量的测试设置
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图10-5. 绝缘寿命预测数据
11 电源相关建议
为了有助于确保在各种数据速率和电源电压条件下可靠运行，必须尽可能靠近电源引脚放置足够的去耦电容器。
输入电源 (VCC) 必须具有适当的电流额定值，以便使用最终应用所需的最大数据速率支持输出负载和开关。如需
更多信息，请参阅节10.2.2 部分。
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12 布局
12.1 布局指南
至少需要四层才能实现低 EMI PCB 设计（请参阅图 12-1）。层堆叠应符合以下顺序（从上到下）：高速信号
层、接地平面、电源平面和低频信号层。
• 在顶层布置高速迹线可避免使用过孔（以及引入其电感），并且可实现隔离器与数据链路的发送器和接收器电
路之间的可靠互连。
• 通过在高速信号层旁边放置一个实心接地平面，可以为传输线互连建立受控阻抗，并为返回电流提供出色的低
电感路径。
• 在接地平面旁边放置电源平面后，会额外产生大约100 pF/in2 的高频旁路电容。
• 在底层路由速度较慢的控制信号可实现更高的灵活性，因为这些信号链路通常具有裕量来承受过孔等导致的不
连续性。
• 将去耦电容器尽可能靠近VCC 和VISO 引脚放置。
如果需要额外的电源电压平面或信号层，请在堆栈中添加另一个电源平面或接地平面系统，以使其保持对称。这
样可使堆栈保持机械稳定并防止其翘曲。此外，每个电源系统的电源平面和接地平面可以放置得更靠近彼此，从
而显著增大高频旁路电容。
该器件没有散热焊盘来散热，因此会通过相应的GND 引脚进行散热。确保两个 GND 引脚上都存在足够的覆铜，
以防器件的内部结温上升到不可接受的水平。
集成式信号和电源隔离器件简化了设计并减少了布板空间。该器件采用了低电感微变压器，因此必须使用高频开
关，这就导致与分立式解决方案相比辐射会更高。与竞争解决方案相比，该器件采用片上电路技术来减少辐射。
如需进一步降低系统级别的辐射，请参阅采用ISOW7841 集成式信号和电源隔离器的低排放设计应用报告。
12.1.1 PCB 材料
对于运行速度低于 150 Mbps（或上升和下降时间大于 1 ns）且迹线长度达 10 英寸的数字电路板，请使用标准
FR-4 UL94V-0 印刷电路板。该 PCB 在高频下具有较低的电介质损耗、较低的吸湿性、较高的强度和刚度以及自
熄性可燃性特征，因而优于较便宜的替代产品。
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12.2 布局示例
Solid supply islands reduce
inductance because large peak
currents flow into the VCC pin
2 mm
maximum
from VCC
2 mm
maximum
from VISO
VCC
VISO
16
1
0.1 …F
GND2
10 …F
0.1 …F
10 …F
GND1
2
3
15
14
4
13
5
6
12
11
SEL
7
8
10
9
GND2
GND1
Solid ground islands help
dissipate heat through PCB
图12-1. 布局示例
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13 器件和文档支持
13.1 器件支持
13.1.1 开发支持
有关开发支持的信息，请参阅：
• 采用ISOW7841 的8 通道隔离式高电压模拟输入模块参考设计
• 具有集成信号和电源的隔离式RS-485 参考设计
• 具有集成信号和电源的隔离式RS-232 参考设计
13.2 文档支持
13.2.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，《数字隔离器设计指南》
• 德州仪器(TI)，《隔离相关术语》
• 德州仪器(TI)，《具有集成式直流/直流转换器的ISOW784x 四通道数字隔离器评估模块》用户指南
• 德州仪器(TI)，《采用ISOW7841 集成式信号和电源隔离器的低排放设计》应用报告
• 德州仪器(TI)，《隔离式直流/直流转换器的过压保护》技术手册
13.3 相关链接
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件，以及申请样片或购买产品的快速
链接。
表13-1. 相关链接
器件
产品文件夹
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点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
立即订购
点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
技术文档
点击此处
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点击此处
点击此处
点击此处
工具和软件
点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
支持和社区
点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
点击此处
ISOW7840
ISOW7841
ISOW7842
ISOW7843
ISOW7844
13.4 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的通知我进行注册，即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
13.5 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
13.6 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
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13.7 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
13.8 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
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14 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
ISOW7840DWE
ISOW7840DWER
ISOW7840FDWE
ISOW7840FDWER
ISOW7841DWE
ISOW7841DWER
ISOW7841FDWE
ISOW7841FDWER
ISOW7842DWE
ISOW7842DWER
ISOW7842FDWE
ISOW7842FDWER
ISOW7843DWE
ISOW7843DWER
ISOW7843FDWE
ISOW7843FDWER
ISOW7844DWE
ISOW7844DWER
ISOW7844FDWE
ISOW7844FDWER
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
40
RoHS & Green
NIPDAU
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
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Level-3-260C-168 HR
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Level-3-260C-168 HR
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Level-3-260C-168 HR
Level-3-260C-168 HR
-40 to 125
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ISOW7840
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
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2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
40 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
ISOW7840
ISOW7840F
ISOW7840F
ISOW7841
ISOW7841
ISOW7841F
ISOW7841F
ISOW7842
ISOW7842
ISOW7842F
ISOW7842F
ISOW7843
ISOW7843
ISOW7843F
ISOW7843F
ISOW7844
ISOW7844
ISOW7844F
ISOW7844F
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
2-Mar-2021
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
ISOW7840DWER
ISOW7840FDWER
ISOW7841DWER
ISOW7841FDWER
ISOW7842DWER
ISOW7842FDWER
ISOW7843DWER
ISOW7843FDWER
ISOW7844DWER
ISOW7844FDWER
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
16.4
16.4
16.4
16.4
16.4
16.4
16.4
16.4
16.4
16.4
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
10.75 10.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
2.7
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
16.0
16.0
16.0
16.0
16.0
16.0
16.0
16.0
16.0
16.0
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
ISOW7840DWER
ISOW7840FDWER
ISOW7841DWER
ISOW7841FDWER
ISOW7842DWER
ISOW7842FDWER
ISOW7843DWER
ISOW7843FDWER
ISOW7844DWER
ISOW7844FDWER
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
SOIC
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
2000
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
350.0
43.0
43.0
43.0
43.0
43.0
43.0
43.0
43.0
43.0
43.0
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
TUBE
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
ISOW7840DWE
ISOW7840FDWE
ISOW7841DWE
ISOW7841FDWE
ISOW7842DWE
ISOW7842FDWE
ISOW7843DWE
ISOW7843FDWE
ISOW7844DWE
ISOW7844FDWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
DWE
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
SO-MOD
16
16
16
16
16
16
16
16
16
16
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
506.98
506.98
506.98
506.98
506.98
506.98
506.98
506.98
506.98
506.98
12.7
12.7
12.7
12.7
12.7
12.7
12.7
12.7
12.7
12.7
4826
4826
4826
4826
4826
4826
4826
4826
4826
4826
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
DWE0016A
SOIC - 2.65 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
5
0
0
SOIC
C
10.63
9.97
SEATING PLANE
TYP
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
A
14X 1.27
16
1
2X
10.5
10.1
NOTE 3
8.89
8
9
0.51
0.31
16X
7.6
7.4
B
2.65 MAX
0.25
C A
B
NOTE 4
0.33
0.10
TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.3
0.1
0 - 8
1.27
0.40
DETAIL A
TYPICAL
(1.4)
4223098/A 07/2016
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm, per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.
5. Reference JEDEC registration MS-013.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DWE0016A
SOIC - 2.65 mm max height
SOIC
SYMM
SYMM
16X (2)
1
16X (1.65)
SEE
DETAILS
SEE
DETAILS
1
16
16
16X (0.6)
16X (0.6)
SYMM
SYMM
14X (1.27)
8
14X (1.27)
9
9
8
(9.75)
(9.3)
HV / ISOLATION OPTION
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE
IPC-7351 NOMINAL
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:4X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL
0.07 MAX
ALL AROUND
0.07 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4223098/A 07/2016
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DWE0016A
SOIC - 2.65 mm max height
SOIC
SYMM
SYMM
16X (1.65)
16X (2)
1
1
16
16
16X (0.6)
16X (0.6)
SYMM
SYMM
14X (1.27)
8
14X (1.27)
8
9
9
(9.75)
(9.3)
HV / ISOLATION OPTION
8.1 mm CLEARANCE/CREEPAGE
IPC-7351 NOMINAL
7.3 mm CLEARANCE/CREEPAGE
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:4X
4223098/A 07/2016
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
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邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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