LM63615DQPWPRQ1 [TI]
3.5V 至 36V、1.5A 降压转换器（具有扩展频谱） | PWP | 16 | -40 to 150;
| 型号： | LM63615DQPWPRQ1 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 3.5V 至 36V、1.5A 降压转换器（具有扩展频谱） | PWP | 16 | -40 to 150 转换器 |
| 文件： | 总59页 (文件大小：4787K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
LM636x5-Q1SN63635-Q1LM636x5DT-Q1 LM63635-Q1 3.5V 至36V28V32V36V，1.5A
3.25A 和2.5A 汽车降压转换器
1 特性
2 应用
• 符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准
• 汽车信息娱乐系统与仪表组
• 汽车车身电子装置和照明
• 汽车ADAS
– 器件温度等级1：–40°C 至+125°C 环境工作
温度范围
• 提供功能安全
3 说明
– 可帮助进行功能安全系统设计的文档
• 支持汽车系统要求
LM636x5-Q1 是一款易于使用的同步直流/直流降压转
换器，适用于条件严苛的汽车类应用。LM636x5-Q1
可使用高达 36V 的输入来驱动高达 1.5A 或 2.5A 的负
载电流。该转换器以小巧的解决方案尺寸提供出色的轻
负载效率和输出精度。RESET 标志和精密使能端之类
的特性可以为各种应用提供灵活且易于使用的解决方
案。轻负载时的自动频率折返可以提高效率，同时维持
严格的负载调节。此器件通过集成技术消除了很多外部
元件，并提供专为实现简单 PCB 布局而设计的引脚排
列方式。保护特性包括热关断、输入欠压锁定、逐周期
电流限制和断续短路保护。LM636x5-Q1 可采用具有
PowerPAD™ 的 HTSSOP 16 引脚电源封装 和 WSON
12 引脚电源封装。
– 输入电压范围：3.5V 至36V
– 最小导通时间短：50ns
– 良好的EMI 性能
假随机扩频
符合CISPR 25 标准
– 23µA 的低工作静态电流
– 具有–40°C 至+150°C 的结温范围
• 很高的设计灵活性
– 引脚可选VOUT：3.3V、5V、可调节
1V 至20V
– 与LM63610 和LM63635（1A、3.25A）引脚兼
容
器件信息(1)
– 引脚可选频率：400kHz、2.1MHz、
可调节250kHz 至2200kHz
– 引脚可选的FPWM、自动、同步模式
– TSSOP：散热增强型封装
– WSON：用于空间受限型应用
• 小尺寸解决方案
器件型号
封装
封装尺寸（标称值）
5.00mm × 4.00mm
3.00mm × 3.00mm
LM636x5-Q1
LM636x5-Q1
HTSSOP (16)
WSON (12)
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
– WSON 封装尺寸小至10mm × 10mm（2.5A、
2.2MHz）
– 高度集成的解决方案
– 低元件数
空白
典型解决方案示例IOUT = 2.5A，ƒSW = 2200kHz
简化版原理图
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SNVSB55
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 器件比较表.........................................................................3
6 引脚配置和功能................................................................. 4
7 规格................................................................................... 6
绝对最大额定值.................................................................6
7.1 ESD 等级.................................................................... 6
7.2 建议运行条件.............................................................. 6
7.3 热性能信息..................................................................7
7.4 电气特性......................................................................8
7.5 时序特性....................................................................10
7.6 开关特性....................................................................11
7.7 系统特性....................................................................12
7.8 典型特性....................................................................13
8 详细说明.......................................................................... 14
8.1 概述...........................................................................14
8.2 功能方框图................................................................14
8.3 特性说明....................................................................14
8.4 器件功能模式............................................................ 19
9 应用和实现.......................................................................24
9.1 应用信息....................................................................24
9.2 典型应用....................................................................24
9.3 该做事项和禁止事项..................................................39
10 电源相关建议.................................................................40
11 布局................................................................................41
11.1 布局指南..................................................................41
11.2 布局示例..................................................................43
12 器件和文档支持............................................................. 46
12.1 器件支持..................................................................46
12.2 文档支持..................................................................46
12.3 接收文档更新通知................................................... 46
12.4 支持资源..................................................................46
12.5 商标.........................................................................46
12.6 术语表..................................................................... 46
12.7 Electrostatic Discharge Caution..............................47
13 机械、封装和可订购信息...............................................47
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision F (March 2021) to Revision G (September 2022)
Page
• 将部分LM636x5D-Q1 标识更改为LM636x5-Q1 以描述所有三种封装型号....................................................... 1
• 更新了器件比较表。........................................................................................................................................... 3
• 添加了LM636x5C-Q1 输出电压设置说明。..................................................................................................... 15
• 删除了图8-11....................................................................................................................................................20
• 更新了“选择开关频率”主题以包含SYNC 引脚的使用。...............................................................................25
• 添加了器件命名规则解码器环...........................................................................................................................46
Changes from Revision E (June 2020) to Revision F (March 2021)
Page
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
• 为LM636x5C 添加了WSON 选项......................................................................................................................4
• 删除了多余的措辞...............................................................................................................................................7
• 添加了IPEAK-MIN 最小值...................................................................................................................................... 8
• 添加了第二个WSON 封装布局.........................................................................................................................43
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
2
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
5 器件比较表
订单号(1)
封装尺寸（标称值）
fSW
VOUT
封装
额定电流
1.5A
LM63615DQPWPRQ1
LM63625DQPWPRQ1
LM63615DQDRRRQ1
LM63625DQDRRRQ1
LM63615CQDRRRQ1
LM63625CQDRRRQ1
VSEL = VCC、VOUT = 5V、
VSEL = GND、VOUT = 3.3V
VSEL = RSEL_ADJ、VOUT =
可通过外部
FB 电阻器进行调节
PWP0016D
(HTSSOP)
5.00mm × 4.00mm
可通过RT 电阻器进行调节
RT = GND；fSW = 2.1MHz
RT = VCC；fSW = 400kHz
2.5A
1.5A
2.5A
DRR0012
(WSON)
3.00mm × 3.00mm
1.5A
可通过外部
反馈电阻调节VOUT
固定2.1 MHz
2.5A
(1) 更多有关可订购器件型号的信息，请参阅节12.1.1。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
3
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
6 引脚配置和功能
SW
1
12
SW
1
16
PGND
PGND
N/C
VIN
SW
2
3
15
14
BOOT
VCC
2
11
10
N/C
EN
CBOOT
PGND/DAP
13
3
4
4
5
VCC
RT
13
12
VIN
VIN
DAP
(17)
AGND
FB
RT
9
8
VSEL
SYNC/MODE
RESET
EN
6
7
11
10
VSEL
5
6
AGND
SYNC/MODE
RESET
7
8
9
FB
图6-2. 采用PowerPad 的12 引脚WSON DRR 封装
—LM636x5D （顶视图）
图6-1. 采用PowerPAD 的16 引脚HTSSOP PWP 封
装—LM636x5D （顶视图）
SW
1
12
VIN
N/C
EN
2
11
10
BOOT
3
4
N/C
VCC
PGND/DAP
13
AGND
N/C
FB
9
8
SYNC/MODE
5
6
RESET
7
图6-3. 采用PowerPad 的12 引脚WSON DRR 封装—LM636x5C （顶视图）
表6-1. 引脚功能
引脚
WSON
LM636x5D LM636x5D LM636x5C
说明
TSSOP
WSON
名称
类型
1
1
SW
P
1、2
稳压器开关节点。连接到功率电感。
内部高侧驱动器的自举电源电压。在该引脚与SW 引脚之间连接一个
220nF 优质电容器。
3
2
2
CBOOT
VCC
P
A
内部5V LDO 输出。用作内部控制电路的电源。不要连接至外部负载。
可用作稳压器功能的逻辑电源。在该引脚和PGND 之间连接一个1µF 优
质电容器。
4
5
6
3
4
5
4
-
频率编程输入。连接至VCC 以实现400kHz，或连接至AGND 以实现
2.1MHz，或连接至RT 时序电阻器。详细信息，请参阅节8.3.3。不能悬
空。
RT
A
A
输出电压选择输入。连接到VCC 以实现5V 输出，或连接到AGND 以
实现3.3V 输出；连接到10kΩ以实现可调输出。详细信息，请参阅节
8.3.2。不能悬空。
-
VSEL
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
4
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
TSSOP
表6-1. 引脚功能(continued)
引脚
说明
WSON
WSON
名称
类型
LM636x5D LM636x5D LM636x5C
SYNC/
MODE
模式选择和同步输入。在FPWM 模式下连接到VCC，在自动模式下连
接到AGND，或为此输入提供外部同步时钟。
7
8
6
7
5
6
A
开漏电源正常标志输出。通过限流电阻器连接到合适的电压电源。高电
平= 电源正常，低电平= 电源不良。当EN = 低电平时，标志拉至低电
平。可在不使用时保持开路。
RESET
FB
A
A
到稳压器的反馈输入。连接到输出电容器以实现5V 或3.3V 固定电压，
或连接到反馈分压器的抽头点以实现可调电压。不要悬空，也不要接
地。
9
8
7
稳压器和系统的模拟地。内部基准和逻辑的接地基准。所有电气参数都
是相对于这个引脚测量的。连接到PCB 上的系统地。
10
11
9
9
AGND
EN
G
A
使能输入到稳压器。高电平= 开启，低电平= 关闭。可直接连接至
VIN。不能悬空。
10
10
12
11
12
VIN
NC
P
12、13
到稳压器的输入电源。将优质旁路电容器直接连接到此引脚和PGND。
14
3、8、11
—
没有与器件的内部电路连接
电源接地端子。连接到系统地和AGND。用短而宽的布线连接到旁路电
容器。
13
13
13
13
PGND
DAP
G
G
15、16
17
电气接地和散热器连接。直接焊接到系统接地层。
A = 模拟，P = 电源，G = 地
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
5
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7 规格
绝对最大额定值
在建议的结温范围内测得(1)
参数
最小值
最大值
单位
-0.3
40
V
VIN 至PGND（HTSSOP 封装）
VIN 至PGND（WSON 封装）
EN 至AGND（HTSSOP 封装）
EN 至AGND（WSON 封装）
SYNC/MODE 到AGND
42
40
V
V
–0.3
-0.3
–0.3
–0.3
–0.3
-0.3
-0.3
–0.3
-0.3
-6
42
V
6
V
5.5
16
V
VOUT_SEL 和RT 至AGND
RESET 至AGND
V
16
V
FB 至AGND（固定VOUT 模式）
FB 至AGND（可调VOUT 模式）
AGND 到PGND
5.5
0.3
40
V
V
V
SW 至PGND，瞬变时间不到10ns（HTSSOP 封装）
-6
42
V
SW 至PGND，瞬变时间不到10ns（WSON 封装）
5.5
5.5
150
150
V
BOOT 至SW
VCC 到AGND
结温
–0.3
–0.3
-40
V
TJ
°C
°C
Tstg
–65
存储温度
(1) 超出绝对最大额定值下所列的值的应力可能会对器件造成损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
7.1 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合AEC Q100-002 HBM ESD 分类等
级2(1)
±2000
V
V(ESD)
静电放电
充电器件模型(CDM)，符合AEC Q100-011 CDM ESD 分类等
级C5
±750
V
(1) AEC Q100-002 指示HBM 应力测试应符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范。
7.2 建议运行条件
在建议的-40°C 到150°C 结温范围内测得（除非另外说明）(1)
最小值
最大值
36
单位
3.5
0
V
V
V
V
V
V
A
A
VIN 至PGND
EN
36
0
5
SYNC/MODE 到AGND
RESET
0
5
(2)
VOUT
1
20
VCC
2.7
0
5.25
2.5
1.5
IOUT，LM63625
IOUT，LM63615
0
(1) 建议运行条件表示器件可正常运行的条件。有关符合要求的规格，请参阅电气特性表。
(2) 在任何情况下，输出电压都不应降至0V 以下。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
6
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7.3 热性能信息
LM636x5
LM636X5
热指标(1)
DRR0012 (WSON)
HTSSOP (PWP)
单位
12 引脚
47.4
44.6
20.7
0.7
16 引脚
43.1
35.4
18.5
0.9
结至环境热阻(2)
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
ΨJT
结至顶部特性参数
20.7
6.3
18.5
4.5
ΨJB
结至电路板特性参数
结至外壳（底部）热阻
RθJC(bot)
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅“半导体和IC 封装热指标”应用报告，SPRA953。
(2) 此表中给出的RΘJA 值仅用于与其他封装的比较，不能用于设计目的。这些值是根据JESD 51-7 计算的，并在4 层JEDEC 板上进行了
仿真。它们并不代表在实际应用中获得的性能。有关设计信息，请参阅最高环境温度一节。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
7
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7.4 电气特性
限值适用于-40°C 至+150°C 结温范围（TJ）（除非另外说明）。最小值和最大值限值是经过测试、设计或统计相关性分析而
确定的。典型值表示TJ = 25°C 条件下最有可能达到的参数标准，仅供参考。除非另有说明，以下条件适用：VIN = 13.5V。(1)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压（VIN 引脚）
VIN
3.5
40
10
3.5
3
V
µA
µA
V
最小工作输入电压
非开关输入电流；在VIN 引脚处测得(2)
关断静态电流；在VIN 引脚处测得
VEN = 3.3V，VFB = 1.2× 稳压值
VEN = 0
IQ
23
ISD
5.3
VUVLO_R
VUVLO_F
IPOR
增加VIN，IVCC = 0
降低VIN，IVCC = 0
VEN = 0V、VSW = 5V
最小工作电压阈值
2.6
0.5
V
最小工作电压阈值
1.5
2.5
mA
触发OVP 时SW 上的下拉电流
使能（EN 引脚）
VEN-VCC
VEN-H
0.85
1.5
V
V
VCC 使能电压
VEN 上升
1.425
0.9
1.575
VOUT 的精密使能高电平
VOUT 的精密使能低电平
使能输入漏电流
VEN 上升
VEN-L
0.94
0.2
V
VEN 下降
ILKG-EN
ILKG-EN
300
150
nA
nA
VEN = 13.5V，WSON 封装
VEN = 13.5V，HTSSOP 封装
–100
–100
0.2
使能输入漏电流
输出电压选择（VSEL 引脚）
用于在启动时选择有效可调输出电压的电
阻器范围
RSEL-ADJ
8
50
kΩ
内部LDO
VCC
4.75
5.25
5
5.25
5.8
V
V
内部VCC 电压
VCC 钳位电压
6V ≤VIN ≤最大工作VIN
向VCC 提供1mA
VCCM
5.55
电压基准（FB 引脚）
VFB_ADJ
0.985
4.925
3.25
1
5
1.015
5.075
3.35
100
3.4
V
V
VIN = 3.5V –最大工作VIN
VIN = 5.5V –最大工作VIN
VIN = 3.8V –最大工作VIN
FB = 1.0V
反馈电压
VFB_5V
反馈电压
VFB_3p3V
3.3
0.2
2.89
1.67
V
反馈电压
IFB_ADJ
IFB_5V
nA
µA
µA
FB 引脚上的输入漏电流
FB 引脚上的输入漏电流
FB 引脚上的输入漏电流
FB = 5.0V
IFB_3p3V
FB = 3.3V
2
电流限值
ISC
3.18
2.55
0.373
-2.35
1.9
3.75
3
4.41
3.53
1.0
A
A
A
A
A
A
A
A
短路高侧电流限值
低侧电流限值
ILS-LIMIT
IPEAK-MIN
2.5A 版本
1.5A 版本
0.65
-1.8
2.25
1.8
最小峰值电感器电流
负电流限值
IL-NEG
–1.25
2.7
ISC
短路高侧电流限值
低侧电流限值
ILS-LIMIT
IPEAK-MIN
IL-NEG
1.5
2.12
0.7
0.122
-1.49
37%
0.375
-1.2
42%
最小峰值电感器电流
负电流限值
-0.75
47%
VHICCUP
FB 引脚上的断续阈值
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
8
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
限值适用于-40°C 至+150°C 结温范围（TJ）（除非另外说明）。最小值和最大值限值是经过测试、设计或统计相关性分析而
确定的。典型值表示TJ = 25°C 条件下最有可能达到的参数标准，仅供参考。除非另有说明，以下条件适用：VIN = 13.5V。(1)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源正常（RESET 引脚）
VRESET-
110%
91%
1.1%
0.7
112%
93%
1.8%
1.04
115%
95%
2.5%
1.25
RESET 阈值上限- 上升
RESET 阈值下限- 下降
RESET 迟滞
FB 电压%
FB 电压%
FB 电压%
HIGH
VRESET-
LOW
VRESET-
HYS
VRESET_V
在VRESET 小于0.4V 且10kΩ上拉至外部
5V 时测得
V
正常PG 功能的最小输入电压
ALID
RRESET
RRESET
60
40
150
125
RESET 导通电阻
RESET 导通电阻
VEN = 5.0V，1mA 上拉电流
VEN = 0V，1mA 上拉电流
Ω
Ω
振荡器（SYNC/MODE 引脚）
VSYNC-
1.5
1.8
V
V
同步输入和模式高电平阈值
HIGH
VSYNC-
0.355
同步输入迟滞
HYS
VSYNC-
0.8
1.15
100
V
同步输入和模式低电平阈值
LOW
RSYNC
MODE 引脚上的下拉电阻
kΩ
MOSFET
RDS-ON-
93
61
高侧MOSFET 导通电阻
低侧MOSFET 导通电阻
负载= 1A
负载= 1A
mΩ
mΩ
V
HS
RDS-ON-
LS
VCBOOT-
C
BOOT –SW UVLO 阈值(3)
2.13
UVLO
(1) 最小值和最大值限值在25ºC 下经过完整的生产测试。使用统计质量控制(SQC) 方法通过相关性验证了工作温度范围内的限值。这些限
值用于计算平均出厂质量水平(AOQL)。
(2) 这是器件开环使用的电流，并不代表稳压时系统的总输入电流。
(3) 当CBOOT 电容器上的电压降至低于该电压时，低侧MOSFET 将为引导电容器充电。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
9
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7.5 时序特性
限值适用于-40°C 至+150°C 结温范围（TJ）（除非另外说明）。最小值和最大值限值是经过测试、设计或统计相关性分析而
确定的。典型值表示TJ = 25°C 条件下最有可能达到的参数标准，仅供参考。除非另有说明，以下条件适用：VIN = 13.5V。(1)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电流限值和断续
NOC
tOC
128
104
触发断续前的开关电流限制连续事件数
过流断续重试延迟时间
周期
70
11
140
22
ms
启用断续电流保护之前软启动完成计时器
后的时间
tOC_active
16
ms
软启动
tSS
1
5
1.6
8
2.2
11
ms
ms
内部软启动时间
tSS_DONE
软启动完成计时器
电源正常（/RESET 引脚）和过压保护
tdg
10
2
17
3
30
5
µs
RESET 边沿抗尖峰延迟
tRISE-
ms
RESET 运行时间
FB 时间在RESET 释放前必须有效。
DELAY
振荡器（SYNC/MODE 引脚）
tON_OFF-
100
ns
同步输入ON 和OFF 时间
SYNC
(1) 最小值和最大值限值在25° 下经过完整的生产测试。使用统计质量控制(SQC) 方法通过相关性验证了工作温度范围内的限值。这些限值
用于计算平均出厂质量水平(AOQL)。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
10
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7.6 开关特性
限值适用于-40°C 至+150°C 结温范围（TJ）（除非另外说明）。最小值和最大值限值是经过测试、设计或统计相关性分析而
确定的。典型值表示TJ = 25°C 条件下最有可能达到的参数标准，仅供参考。除非另有说明，以下条件适用：VIN = 13.5V。(1)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
PWM 限制（SW 引脚）
tON-MIN
VIN = 12V，ISW = 1A
50
50
7
75
100
10
ns
ns
µs
最短开关导通时间
最短开关关断时间
最大开关导通时间
tOFF-MIN
tON-MAX
VIN = 5V
5.4
压降中的HS 超时
振荡器（RT 和SYNC 引脚）
fOSC
fOSC
fADJ1
fADJ2
fSYNC
RT = GND
1.85
360
2.1
400
2.35
440
MHz
kHz
kHz
kHz
kHz
内部振荡器频率
内部振荡器频率
RT = VCC
240
RT = 66.5kΩ，1%
RT = 7.15kΩ，1%
2200
250
2200
同步频率范围
展频
fPSS (2)
fOSC = 2.1MHz
0.98
Hz
展频伪随机模式频率
fSPREAD
fSPREAD
3.6%
5%
LM636x5（HTSSOP 封装）
LM636x5（WSON 封装）
–3.6%
启用展频时内部振荡器的扩展
启用展频时内部振荡器的扩展
-5%
(1) 最小值和最大值限值在25° 下经过完整的生产测试。使用统计质量控制(SQC) 方法通过相关性验证了工作温度范围内的限值。这些限值
用于计算平均出厂质量水平(AOQL)。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
11
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7.7 系统特性
以下规格仅适用于具有标称元件值的典型应用电路。典型值列中的规格仅适用于TJ = 25°C 的情况。最小值和最大值列中的规
格适用于典型元件在TJ = –40°C 至150°C 温度范围内的情况。上述规格不通过生产测试保证。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电压（VIN 引脚）
VIN = 12V，VOUT = 3.3V，IOUT = 0A，
RFBT = 1MΩ
ISUPPLY
VDROP
VDROP
DMAX
23
0.95
150
µA
V
稳压时的输入电源电流
VOUT = 5V，IOUT = 1A，fSW = 1850kHz
电压降；(VIN –VOUT
电压降；(VIN –VOUT
最大开关占空比(2)
)
)
VOUT = 5V，IOUT = 1A，VOUT –1% 调
节，fSW = 140kHz
mV
%
VIN = VOUT = 12V，IOUT = 1A
98%
电压基准（FB 引脚）
VIN = 7V 至30V，IOUT = 1A 至满载，
(1)
VOUT
VOUT = 5V
VOUT = 5V
VOUT = 3.3V
VOUT = 3.3V
1.5%
2.5%
1.5%
2.5%
–1.5%
-1.5%
CCM
VIN = 7V 至30V，IOUT = 0A 至满载，自动
模式
VIN = 3.8V 至30V，IOUT = 1A 至满载，
CCM
(1)
VOUT
–1.5%
-1.5%
VIN = 3.8V 至30V，IOUT = 0A 至满载，自
动模式
从保持低电平到进入PFM 的同步时钟延
迟
tSYNC-L
tSYNC-H
100
100
ns
ns
从保持高电平到默认频率的同步时钟延迟
热关断
TSD
155
163
150
175
°C
°C
热关断温度
热关断温度
关断温度
恢复温度
TSDR
(1) 偏差以VIN = 13.5V、IOUT = 1A 为基准。
(2) 在压降运行中，通过降低开关频率来增加实际占空比。最低频率被钳制在大约：fMIN = 1 / (tON-MAX + tOFF-MIN)。DMAX = tON-MAX
(tON-MAX + tOFF-MIN)。
/
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
12
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
7.8 典型特性
除非另有说明，否则以下条件适用：TA = 25°C，VIN = 13.5V
12
10
8
6
4
-40C
25C
125C
DN
UP
2
5
10
15
20 25
Input Voltage (V)
30
35
40
OFF_
0
INPUT VOLTAGE (1V/DIV)
EN = 0V
图7-1. 关断模式下的输入电源电流
IOUT = 1mA
请参阅图9-44
图7-2. UVLO 阈值
1000
950
900
850
800
750
700
650
600
600
575
550
525
500
475
450
425
400
-40C
25C
125C
-40C
25C
125C
5
10
15
20 25
Input Voltage (V)
30
35
40
5
10
15
20 25
Input Voltage (V)
30
35
40
Ipea
Ipea
IOUT = 0A
请参阅图9-44
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
A.
IOUT = 0A
VOUT = 5V
请参阅图9-44
ƒSW = 2100 kHz
图7-3. LM63625 的IPEAK-MIN
图7-4. LM63615 的IPEAK-MIN
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
13
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
8 详细说明
8.1 概述
LM636x5-Q1 器件是一款同步峰值电流模式降压稳压器，专为各种汽车应用而设计。稳压器根据负载情况自动在
PFM 和 PWM 模式之间切换。在重负载下，该器件以恒定开关频率在 PWM 模式下运行。轻负载时，通过二极管
仿真更改为PFM 模式，从而实现DCM。这降低了输入电源电流并保持高效率。该器件包含以下特性：
• 可调开关频率
• 强制PWM 模式(FPWM)
• 频率同步
• 可选输出电压
RESET 输出可实现轻松的系统时序控制。此外，内部补偿缩短了设计时间，并且与外部补偿稳压器相比，所需的
外部元件更少。
8.2 功能方框图
8.3 特性说明
8.3.1 同步/模式选择
LM636x5-Q1 可通过SYNC/MODE 输入实现工作模式的选择。表8-1 显示了选择编程。器件加电后，可随时动态
更改模式。不建议将该输入悬空，但是如果保持悬空，内部100kΩ会将输入拉至接地。此内部电阻器的阻值和此
输入的逻辑阈值可以从节7.4 中找到。有关运行模式的详细信息，请参阅节8.4。
表8-1. 模式选择设置
SYNC/MODE 输入
VCC
模式
FPWM
AGND
自动
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
14
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
表8-1. 模式选择设置(continued)
SYNC/MODE 输入
模式
FPWM；与外部时钟同步
自动
同步时钟
悬空（不推荐）
8.3.2 输出电压选择
LM636x5D-Q1 的输出电压由 VSEL 输入的条件进行设置。此输入的条件在器件首次启用时进行测试。一旦转换
器运行，电压选择是固定的，并且在下一个上电周期前不能改变。表8-2 显示了选择编程。LM636x5D-Q1 包含一
个连接到 FB 输入的集成分压器。转换器根据选择将 FB 输入上的电压调节为 5V、3.3V 或1V。在ADJ 模式下，
FB 输入上的电压被调节到 1V，并且内部分压器被禁用。在这种情况下，使用外部分压器在推荐工作范围内的任
何位置设置所需的输出电压。通过将10kΩ从VSEL 输入接地来设定ADJ 模式。虽然不建议使用，但如果此输入
保持悬空，器件将进入ADJ 模式。有关选择FB 分压电阻器的详细信息，请参阅节9.2.2.2。
对于LM636x5C-Q1 型号，输出电压由外部反馈电阻器设置，没有VSEL 引脚。有关FB 电压精度和FB 引脚输入
电流精度的可保证规格，请参阅节7。
为 5V 和 3.3V 模式提供内部分压器可节省外部元件，从而减少布板空间和元件成本。内部分压器的相对较大的值
可降低输出端的负载，有助于提高转换器的轻负载效率。此外，由于分压器位于器件内部，因此不太可能拾取外
部产生的噪声。
表8-2. 输出电压设置
VSEL 输入
VCC
输出电压
5V
AGND
3.3V
ADJ
10kΩ 至AGND
悬空（不推荐）
ADJ
8.3.3 开关频率选择
开关频率由 RT 输入的条件设置。此输入的条件在器件首次启用时进行测试。一旦转换器运行，开关频率选择是
固定的，并且在下一个上电周期前不能改变。表8-3 显示了选择编程。在可调频率模式下，通过正确选择RT 值，
可以在 250kHz 和 2200kHz 之间设置开关频率。图 8-1 中的曲线表示设置所需开关频率所需的 RT 电阻值。不建
议允许此输入悬空；在这种情况下，开关动作在没有生成输出电压的情况下停止。
15770
RT =
fSW
(1)
其中
• RT = RT 定时电阻的值，以kΩ为单位
• ƒSW = 开关频率，单位为kHz
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
15
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
表8-3. 开关频率设置
RT 输入
VCC
开关频率
400kHz
AGND
2100 kHz
RT 至AGND
悬空（不推荐）
可根据RT 值调节
无切换
80
70
60
50
40
30
20
10
0
200
600
1000
1400
1800
2200
Switching Frequency (kHz)
C002
图8-1. 开关频率与RT 间的关系
8.3.3.1 扩展频谱选项
LM636x5-Q1 具有展频时钟抖动功能。此功能使用假随机模式来抖动内部时钟频率。该图形以 0.98Hz 的速率重
复，而调制深度为±3%。
展频的目的是通过在比具有固定频率运行的器件更宽的频率范围内分散发射来消除特定频率下的峰值发射。在包
含 LM636x5-Q1 器件的大多数系统中，可以轻松过滤开关频率前几个谐波的低频传导发射。更困难的设计标准是
减少 FM 频带中较高谐波的发射。这些谐波通常通过开关节点周围的电场耦合到环境中。LM636x5-Q1 器件使用
±3% 的频率展频，该展频在FM 频带内平滑传播能量，但足够小，能够将次谐波发射限制在其开关频率以下。
8.3.4 使能和启动
启动和关断由 EN 输入控制。该输入具有精密阈值，允许使用外部分压器提供可调节输入 UVLO（请参阅节
9.2.2.8）。施加大于VEN-VCC 的电压会使器件进入待机模式，为内部VCC 供电，但不会产生输出电压。将EN 电
压增大到 VEN-H 可完全使能器件，使其进入启动模式并开始软启动周期。当 EN 输入低于 VEN-L 时，稳压器停止
运行并进入待机模式。EN 电压进一步降低至低于VEN-VCC 可完全关断器件。图8-2 显示了此行为。如果不需要此
功能，EN 输入可以直接连接到VIN。不得允许此输入悬空。各种EN 阈值的值可在节7 中找到。
LM636x5-Q1 使用基于基准的软启动功能，可在稳压器启动时防止输出电压过冲和大浪涌电流。图 8-3 显示了典
型启动波形以及典型时序。一旦 EN 变为高电平，在软启动周期开始之前会有大约 1ms 的延迟。输出电压开始上
升并在大约 1.5ms (tss) 内达到最终值。经过大约 3ms (trise-delay) 的延迟后，RESET 标志变为高电平。在启动期
间，在tss-done 时间过去前，不允许器件进入FPWM 模式。该时间是从EN 的上升沿开始测量的。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
16
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
EN
VEN-H
VEN-L
VEN-VCC
VCC
5V
0
VOUT
VOUT
0
图8-2. 精密使能行为
EN, 4V/DIV
VOUT, 2V/DIV
RESET, 5V/DIV
Inductor Current,
2A/DIV
1ms/DIV
图8-3. 典型启动行为VIN = 12V，VOUT = 5V，IOUT = 2.5A
8.3.5 RESET 标志输出
LM636x5-Q1 器件的 RESET 标志功能（RESET 输出引脚）可用于在输出电压超出稳压范围时复位系统微处理
器。该开漏输出在电流限值和热关断等故障条件下以及正常启动期间变为低电平。干扰滤波器可防止在输出电压
的短时偏移（例如在线路和负载瞬态期间）时出现错误标志。持续时间少于 tdg 的输出电压偏移不会触发 RESET
标志。一旦 FB 电压恢复到稳压值，并且在经过一段延迟 trise-delay 之后，RESET 标志变为高电平。最好参考图
8-4 和图8-5 来理解RESET 操作。
RESET 输出包含一个开漏 NMOS，需要一个外部上拉电阻器连接到合适的逻辑电源。还可以根据需要通过适当
的电阻器将其上拉至VCC 或VOUT。10kΩ至100kΩ范围内的上拉电阻器值是合理的。如果不需要该功能，则可
将 RESET 引脚保持悬空。当 EN 拉低时，标志输出也被强制为低电平。在 EN 为低电平时，只要输入电压为
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
17
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
≥1.2V（典型值），RESET 就保持有效。将进入 RESET 标志引脚的电流限制在大约 5mA 直流。当器件被启用
时，最大电流在内部被限制在大约 50mA，而当器件被禁用时，最大电流被限制在大约65mA。内部电流限值可在
此输出连接的滤波电容器放电时，保护器件免受可能出现的瞬态电流的影响。
VOUT
VRESET-HIGH
VRESET-HYS
VRESET-HYS
VRESET-LOW
RESET
High = Power Good
Low = Fault
图8-4. 静态RESET 操作
Glitches do not cause false operation nor reset timer
VOUT
VRESET-LOW
< tdg
t
RESET
t
Trise-delay
Trise-delay
tdg
图8-5. RESET 时序行为
8.3.6 欠压锁定以及热关断和输出放电
LM636x5-Q1 在内部 LDO 输出端（在 VCC 引脚上）整合了欠压锁定功能。当 VIN 达到大约 VPOR-R 时，器件准
备接收 EN 信号并启动。当 VIN 降至低于 VPOR-F 时，无论 EN 状态如何，器件都会关断。由于 LDO 在这些转换
期间处于压降状态，因此上述值大致代表了转换期间的 VCC 电压电平。也可以实现扩展输入电压 UVLO，如节
9.2.2.8 所示。
提供了热关断功能，以保护稳压器免受过高结温的影响。当结温达到大约 163°C 时，该器件会关断；当温度下降
到大约150°C 时，该器件会重新启动
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
18
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
LM636x5-Q1 具有从SW 引脚连接到地的输出电压放电FET。当EN 输入低于VEN-L 或输出电压超过VRESET-HIGH
时，该FET 被激活。这样，输出电容器通过功率电感器放电。当输出电压高于大约 5V 时，放电电流在IPOR 大约
1.4mA 时大致恒定。低于该电压时，FET 特性在2.5kΩ的值时看起来近似电阻。
8.4 器件功能模式
8.4.1 概述
在典型使用中，器件处于自动模式（SYNC/MODE 引脚 = 接地）。在自动模式下，器件会随着负载的变化在
PWM 和 PFM 之间切换。轻负载时，稳压器以 PFM 模式运行，在该模式下，开关频率会发生变化以调节输出电
压。在较高负载时，将变为PWM 模式，开关频率由RT 引脚的条件设置（请参阅节8.3.3）。
在 PWM 模式下，稳压器作为电流模式恒频转换器运行，使用 PWM 来调节输出电压。在此模式下运行时，通过
以恒定频率切换和调制占空比来调节输出电压，从而控制负载的电源。这可实现出色的线性调整率和负载调整率
以及低输出电压纹波。
在 PFM 模式下，高侧 MOSFET 在一个或多脉冲突发中导通，为负载提供电源。突发的持续时间取决于电感器电
流达到 IPEAK-MIN 所需的时间。通过调整上述突发的周期可调节输出，而二极管仿真 (DEM) 用于更大限度地提高
效率（请参阅词汇表）。该模式可减少在轻负载下调节输出电压所需的输入电源电流值，从而提供高轻负载效
率。这能够在更大的输出电压纹波和可变的开关频率下实现非常好的轻负载效率。此外，轻负载时输出电压会轻
微升高。有关PFM 模式下负载的输出电压变化，请参阅节9.2.4。图8-6 和图8-7 显示了PFM 和PWM 中的典型
开关波形。
在以下四种情况下，开关频率不符合RT 引脚设置的条件：
• 轻负载运行（自动模式）。
• 压降
• 最短导通时间运行
• 电流限值
在所有这些情况下，开关频率折返，这意味着它小于 RT 控制引脚编程的频率。在这些条件下，根据定义，输出
电压保持稳定，但在电流限值运行情况下除外。
当器件被置于强制 PWM 模式 (FPWM) 时，开关频率保持恒定，正如 RT 引脚在所有负载条件下设定的那样。此
模式基本上会关闭节8.4.2 中详述的轻负载PFM 频率折返模式。详细信息请见节8.3.1 和节8.4.2.1。
Switch Voltage
5 V/DIV
Switch Voltage
5 V/DIV
0
Inductor Current
200 mA/DIV
Inductor Current
1 A/DIV
5 µs/DIV
0
100 ns/DIV
图8-6. 典型PFM 开关波形，VIN = 12V，VOUT = 5V，
图8-7. 没有展频的典型PWM 开关波形，VIN = 12V，
VOUT = 5V，IOUT = 2.5A，ƒSW = 2100kHz
IOUT = 10mA
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
19
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
Switch Voltage
5 V/DIV
Switch Voltage
5 V/DIV
0
0
Inductor Current
200 mA/DIV
100 ns/DIV
100 ns/DIV
图8-8. 有展频的典型PWM 开关波形，VIN = 12V，
VOUT = 5V，IOUT = 2.5A，ƒSW = 2100kHz
图8-9. 典型PWM 开关波形，FPWM，VIN = 12V，
VOUT = 5V，IOUT = 0A，ƒSW = 2100kHz
8.4.2 轻负载运行
在轻负载运行期间，器件处于带 DEM 的 PFM 模式。这可在较低的负载电流下提供高效率。实际开关频率和输出
电压纹波取决于输入电压、输出电压和负载。节 9.2.4 中显示了器件进出 PFM 时的输出电流。模式变化的输出电
流取决于输入电压、电感值和编程的开关频率。这些曲线适用于表 9-4 中所示的 BOM。在较高的编程开关频率
下，发生模式变化的负载较大。对于在给定条件下必须知道开关频率的应用，必须在设计完成之前仔细测试 PFM
和PWM 之间的转换。或者，可以将模式设置为FPWM。
8.4.2.1 Sync/FPWM 运行
强制 PWM 模式 (FPWM) 可用于关闭自动模式，并强制器件以通过 RT 引脚编程的频率切换，即使在轻负载下也
是如此。这有一个缺点，即轻负载时效率较低。
当 SYNC/MODE 输入端出现有效时钟信号时，开关频率锁定到外部时钟。器件模式也是 FPWM。系统可以动态
更改模式。有关SYNC/MODE 功能变化的典型示例，请参阅图8-10 。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
20
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
SYNC/MODE
Input
0
Output Voltage
50 mV/DIV
5 V
0
Inductor Current
500 mA/DIV
2 ms/DIV
图8-10. 从FPWM 到自动模式的典型转换VIN = 12V，VOUT = 5V，IOUT = 1mA
8.4.3 压降运行
任何降压稳压器的压降性能都受功率 MOSFET 的 RDSON、电感器的直流电阻和控制器可实现的最大占空比的影
响。当输入电压电平接近输出电压时，高侧 MOSFET 的关断时间开始接近最小值（请参阅节7）。超过此值后，
开关可能会变得不稳定，输出电压可能会下降到稳压范围之外。为了避免这个问题，LM636x5-Q1 会自动降低开
关频率以增加实际占空比并维持稳压。本数据表中使用了两种压降 电压定义。对于这两种定义，电压降是在特定
条件下输入和输出电压之间的差值。对于第一种定义，压差是在开关频率下降到 1850kHz 时获得的（这显然适用
于标称开关频率 >1850kHz 的情况）。在这种情况下，输出电压处于稳压范围内。对于第二种定义，压差是在输
出电压下降标称稳压值的 1% 时获得的。在这种情况下，开关频率已达到约 130kHz 的下限。有关上述特性的详
细信息，请参阅节9.2.4。典型的总体压降特性可在图8-11 中找到。
5
1.5 A
2.5 A
4.8
4.6
4.4
4.2
4
3.8
3.6
3.4
3.5
4
4.5
5
5.5 6
Input Voltage (V)
6.5
7
7.5
8
drop
图8-11. 总体压降特性VOUT = 5V
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
21
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
8.4.4 最短导通时间运行
每个开关稳压器都有一个最小可控导通时间，此时间由与控制电路相关的固有延迟和消隐时间决定。这会强制实
现最小的开关占空比，从而实现最小的转换比。在高输入电压和低输出电压下会遇到此限制。为了帮助延长最小
可控占空比，LM636x5-Q1 会在达到最短导通时间限制时自动降低开关频率。这样，转换器可以在最大输入电压
下调节最低可编程输出电压。在发生频率折返之前，使用方程式 2 找出给定输出电压的近似输入电压估算值。tON
和 ƒSW 的值可在节 7 中找到。随着输入电压的增加，开关导通时间（占空比）会减少以调节输出电压。当导通时
间达到限值时，开关频率下降，而导通时间保持固定。节9.2.4 中的ƒSW 与VIN 关系曲线突出显示了这种关系。
VOUT
V
Ç
IN
tON ∂ fSW
(2)
8.4.5 电流限制和短路保护
LM636x5-Q1 整合了峰值和谷值电感器电流限值，可为器件提供过载和短路保护，并限制最大输出电流。谷值电
流限值可防止电感器电流在输出短路期间耗尽，而峰值和谷值限值则协同工作，以限制转换器的最大输出电流。
还采用了“断续”模式以实现持续短路。最后，在低侧功率 MOSFET 上使用零电流检测器在轻负载下实施 DEM
（请参阅术语表）。该限值的标称值约为0A。
当器件过载时，会达到一个电感器电流谷值在下一个时钟周期之前无法达到低于 ILS-LIMIT 的点。发生这种情况
时，谷值电流限值控制会跳过该周期，从而导致开关频率下降。进一步过载会导致开关频率继续下降，输出电压
仍保持稳定。随着过载的增加，电感电流纹波和峰值电流都将增加，直至达到高侧电流限值ISC。激活此限值后，
开关占空比会降低，输出电压会下降到超出稳压范围。这表示转换器的最大输出电流，根据方程式 3 得出近似
值。当器件更深入地进入过载状态时，输出电压和开关频率继续下降，而输出电流保持在大约 IOMAX。如果电感器
纹波电流较大，则可以在达到低侧限值之前跳闸高侧电流限值。在本例中，方程式 4 给出了近似的最大输出电
流。
ISC + ILS-LIMIT
IOMAX
ö
2
(3)
V
IN - VOUT
(
)
∂
VOUT
IOMAX ö ISC
-
2∂L ∂ fSW
V
IN
(4)
如果严重过载或短路导致 FB 电压降至VHICCUP 以下，转换器将进入“断续”模式。VHICCUP 代表标称编程输出电
压的大约 40%。在该模式下，器件在 tOC（即大约 100ms）内停止开关，然后通过软启动进行正常重启。如果短
路情况仍然存在，器件在电流限制下的运行时间比 tOC_active（即大约23ms）长一点，或，然后再次关断。只要短
路情况仍然存在，该周期就会重复（如图8-12 所示）。该运行模式可在输出持续短路期间降低器件的温升。此模
式下的输出电流约为IOMAX 的20%。一旦输出短路被移除并且tOC 延迟已过，输出电压将正常恢复，如图8-13 所
示。
有关总输出电压与输出电流特性的信息，请参阅图8-14。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
22
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
Short Removed
Short Applied
Output Voltage
2 V/DIV
0
Inductor Current
2 A/DIV
Inductor Current
500 mA/DIV
50 ms/DIV
20 ms/DIV
0
0
图8-13. 短路瞬态和恢复；LM63625
图8-12. 短路模式下的电感器电流突发；LM63625
Output
Voltage
VOUT
0.4· VOUT
Output
Current
IOMAX
0.2· IOMAX
图8-14. 电流限制中的输出电压与输出电流
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
23
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
9.1 应用信息
LM636x5-Q1 降压直流/直流转换器通常用于将较高的直流电压转换为较低的直流电压，最大输出电流为 1.5A 或
2.5A。以下设计过程可用于为LM636x5D-Q1 选择元件。
备注
在此数据表中，有效 电容值定义为直流偏置和温度下的实际电容，而不是额定值或铭牌值。在整个过
程中使用具有 X5R 或更好电介质的低 ESR 优质陶瓷电容器。除了正常的容差和温度影响外，所有高容
值陶瓷电容器还具有大电压系数。在直流偏置下，电容会显著下降。在这方面，较大的外壳尺寸和较高
的额定电压会更好。为了帮助减轻这些影响，可以并联多个电容器，以使最小有效 电容达到所需值。
这也可以降低单个电容器上的 RMS 电流要求。必须仔细研究任何电容器组的偏置和温度变化，以确保
提供有效电容的最小值。
9.2 典型应用
图 9-1 显示了 LM636x5D-Q1 的典型应用电路。该器件旨在各种外部元件和系统参数下正常工作。但是，内部补
偿针对特定的外部电感和输出电容进行了优化。作为快速入门指南，请参阅表9-1 和
表9-2 了解典型元件值。
L
VOUT
5 V
VIN
SW
VIN
6 V to 36 V
2.2 µH
2.5 A
CIN
10 µF
CBOOT
COUT
EN
CHF
220 nF
BOOT
2x 22 µF
0.22 µF
VSEL
RT
SYNC/
MODE
FB
PGND AGND
VCC
RESET
100 kΩ
CVCC
1 µF
RESET
图9-1. 示例应用电路VIN = 12V、VOUT = 5V、IOUT = 2.5A、ƒSW = 2.1MHz
表9-1. 1.5A 输出电流下的外部元件典型值
ƒSW
(kHz)
VOUT L (µH)(1)
VSEL
RT
CIN
CBOOT
CVCC
(2)
(2)
典型
C
OUT
最小
C
OUT
400
2100
400
3.3
3.3
5
10
4.7
10
4 × 10µF
2 × 10µF
4 × 10µF
2 × 10µF
1 × 10µF
2 × 10µF
AGND
AGND
VCC
VCC
AGND
VCC
4.7µF + 220nF
4.7µF + 220nF
4.7µF + 220nF
220nF
220nF
220nF
1µF
1µF
1µF
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
24
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
表9-1. 1.5A 输出电流下的外部元件典型值(continued)
ƒSW
(kHz)
VOUT L (µH)(1)
4.7
VSEL
RT
CIN
CBOOT
CVCC
(2)
(2)
典型
C
最小
C
OUT
OUT
2100
5
2 × 10µF
1 × 10µF
VCC
AGND
4.7µF + 220nF
220nF
1µF
(1) 请参阅节9.2.2.3。
(2) 请参阅节9.2.2.4。
表9-2. 2.5A 输出电流下的外部元件典型值
ƒSW
(kHz)
VOUT L (µH)(1)
VSEL
RT
CIN
CBOOT
CVCC
(2)
(2)
典型
C
最小
C
OUT
OUT
400
2100
400
3.3
3.3
5
6.8
2.2
6.8
2.2
3 × 22µF
2 × 22µF
3 × 22µF
2 × 22µF
2 × 22µF
1 × 22µF
2 × 22µF
1 × 22µF
AGND
AGND
VCC
VCC
AGND
VCC
4.7µF + 220nF
4.7µF + 220nF
4.7µF + 220nF
4.7µF + 220nF
220nF
220nF
220nF
220nF
1µF
1µF
1µF
1µF
2100
5
VCC
AGND
(1) 请参阅节9.2.2.3。
(2) 请参阅节9.2.2.4。
9.2.1 设计要求
表9-3 提供了详细设计过程的参数：
表9-3. 详细设计参数
设计参数
输入电压
示例值
12V（6V 至36V）
5V
输出电压
0A 至2.5A
2.1MHz
最大输出电流
开关频率
9.2.2 详细设计过程
以下设计过程适用于图9-1 和表9-3。
9.2.2.1 选择开关频率
选择开关频率时需权衡转换效率和整体解决方案尺寸。较低的开关频率意味着较小的开关损耗，通常会实现更高
的系统效率。不过，较高的开关频率允许使用较小的电感器和输出电容器，因此得到的设计更加紧凑。有多种方
法可用于设置LM636x5-Q1 的开关频率。对于LM636x5D-Q1，RT 或SYNC 引脚可用于设置开关频率。对于
LM636x5C-Q1，内部（默认）频率设置为 2.1MHz，也可以通过 SYNC 引脚在外部设置。使用 SYNC 引脚时，
应避免在运行期间将 SYNC 信号置位或取消置位，以防止输出电压中的干扰。在应用示例中，开关频率 (Fsw) 被
选为2100kHz。
9.2.2.2 设定输出电压
LM636x5D-Q1 的输出电压由 VSEL 输入的条件进行设置。此示例需要 5V 输出，因此 VSEL 输入连接到 VCC，
FB 输入直接连接到输出电容器。
对于所需输出电压不是 5V 或 3.3V 或使用 LM636x5C-Q1 型号，则需要一个外部反馈分压器。如图 9-2 所示，分
压器网络由 RFBT and RFBB 组成，并闭合输出电压与转换器之间的环路。在本例中，VSEL 输入与地之间连接了
一个10kΩ电阻器。转换器通过将FB 引脚上的电压保持在等于内部基准电压 1V 来调节输出电压。分压器的电阻
是噪声拾取过多和输出负载过大之间的折衷。较小的电阻值会降低噪声灵敏度，但也会降低轻负载效率。RFBT 的
建议值为 100kΩ，最大值为 1MΩ。如果为 RFBT 选择了 1MΩ，那么必须在此电阻器上使用前馈电容器来提供足
够的环路相位裕度（请参阅节9.2.2.2.1）。选择RFBT 后，根据方程式5 选择RFBB。VREF 的标称值为1V。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
25
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
RFBT
RFBB
=
»
…
ÿ
VOUT
VREF
-1
Ÿ
⁄
(5)
VOUT
RFBT
FB
VSEL
RFBB
10 kΩ
图9-2. 用于可调输出电压设置的反馈分压器
9.2.2.2.1 CFF 选型
在某些情况下，可在 RFBT 上使用前馈电容器，以改善负载瞬态响应或改善环路相位裕度。当使用的 RFBT 值大于
100kΩ 值时尤其如此。较大的 RFBT 值与 FB 引脚上的寄生电容相结合会产生一个小信号极点，从而干扰环路稳
定性。CFF 有助于减轻这种影响。方程式 6 可用于估算 CFF 的值。使用通过方程式 6 得出的值作为起点；使用较
低的值来确定使用 CFF 电容器是否获得了任何优势。在使用前馈电容器进行实验时，“使用前馈电容器优化内部
补偿直流/直流转换器的瞬态响应”应用报告非常有用。
VOUT ∂COUT
CFF
<
VREF
VOUT
120 ∂RFBT
∂
(6)
9.2.2.3 电感器选型
电感值和饱和电流是选择电感器的参数。电感值基于理想的纹波电流峰峰值得出，通常选择为最大输出电流的
20% 至 40% 范围。经验表明，电感纹波电流的理想值是最大负载电流的 30%。在达到电流限制之前，较大的纹
波电流值会限制最大输出电流。可借助方程式 3 和节 7 中的保证电流限制来检查这种折衷。较小的纹波电流值会
降低电流模式控制器的 SNR，并可能导致占空比中的抖动增加。电感和开关频率容差都会影响纹波电流的选择，
因此也会影响电感值。当为最大负载远小于器件最大可用负载的应用计算纹波电流时，请使用最大器件电流。在
以下公式中，电感纹波电流与最大输出电流之比被指定为K。方程式 7 可用于确定电感值。本例中选择了 K = 0.2
并得出了L = 2.8µH 的电感。选择标准值为2.2μF 的电容器。这将得出新的K = 0.25。
(
V
IN - VOUT
)
VOUT
L =
∂
fSW ∂K ∂IOUTmax
V
IN
(7)
理想情况下，电感器的饱和额定电流至少与高侧开关电流限制ISC 一样大（请参阅节7）。这可确保即使在输出短
路期间电感器也不会饱和。当电感磁芯材料饱和时，电感下降到一个非常低的值，导致电感电流上升非常快。虽
然谷值电流限值 ILIMIT 旨在降低电流耗尽的风险，但饱和电感器会使电流迅速上升到高电平。这可能导致元件损
坏。不允许电感器饱和。采用铁氧体磁芯材料的电感器具有非常硬 的饱和特性，但通常比铁粉磁芯具有更低的磁
芯损耗。铁粉磁芯具有软 饱和，允许在一定程度上放宽电感器的额定电流。但在高于大约 1MHz 的频率下，它们
具有更多的内芯损耗。在任何情况下，电感器饱和电流不得小于满载时的最大峰值电感电流。
为了避免次谐波振荡，电感值不得小于方程式 8 中给出的值。最大电感值受到电流模式控制正确执行所需的最小
电流纹波的限制。作为经验法则，在正常情况下，最小电感器波纹电流必须不少于器件最大额定电流的约10%。
VOUT
LMIN í M∂
fSW
(8)
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
26
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
其中
• 对于2.5A 器件，M = 0.42
• 对于1.5A 器件，M = 0.69
9.2.2.4 输出电容器选型
输出电容器的值和及其ESR 决定了输出电压纹波和负载瞬态性能。输出电容器组通常受限于负载瞬态要求，而不
是输出电压纹波。使用方程式 9 估算总输出电容的下限值和 ESR 的上限值，这些值是满足规定的负载瞬态所需
的。
K2
12
»
…
…
ÿ
DIOUT
fSW ∂ DVOUT ∂K
COUT
í
∂
(
1- D
)
∂
(
1+ K
)
+
∂
(
2 - D
)
Ÿ
Ÿ
⁄
(
2 + K
)
∂ DVOUT
ESR Ç
K2
1
»
ÿ
≈
’
2∂ DIOUT 1+ K +
∂∆1+
÷
÷
…
Ÿ
∆
12
(1- D)
…
«
◊Ÿ
⁄
VOUT
D =
V
IN
(9)
其中
• ΔVOUT = 输出电压瞬态
• ΔIOUT = 输出电流瞬态
• K = 节9.2.2.3 中的纹波系数
计算输出电容和ESR 后，使用方程式10 检查输出电压纹波峰峰值Vr。
1
Vr @ DIL ∂ ESR2 +
2
8∂ fSW ∂COUT
(10)
然后，可调节输出电容器和ESR 以满足负载瞬态和输出纹波要求。
此示例要求 ΔVOUT ≤ 150mV，输出电流阶跃为 ΔIOUT = 2.5A。方程式 9 得出的最小值为 23µF，最大 ESR 为
0.053Ω。假设 20% 的容差和 10% 的偏置降额，用户到达的最小电容为 32µF。这可以通过 1210 外壳尺寸的一
组 2 × 22µF、16V 陶瓷电容器来实现。可以使用更多的输出电容来改善负载瞬态响应。陶瓷电容器可以轻松满足
最低ESR 要求。在某些情况下，可以将铝电解电容器与陶瓷并联放置，以建立所需的电容值。当混合使用铝和陶
瓷电容器时，请使用陶瓷的最小建议值并根据需要添加铝电解电容器。
通常，对于3.3V 或更低的输出电压，使用额定电压至少为 10V 的电容器；对于5V 或更高的输出电压，使用额定
电压为16V 或更高的电容器。
表 9-1 和表 9-2 给出的建议提供了给定条件下输出电容的典型值和最小值。这些值是额定值或铭牌上的数字。如
果要使用最小值，则必须在所有预期应用条件下测试该设计，包括输入电压、输出电流和环境温度。此测试必须
包括波特图和负载瞬态评估。总输出电容的最大值必须限制在设计值的 10 倍左右，或 1000µF，以较小者为准。
较大的输出电容值会对稳压器的启动行为以及环路稳定性产生不利影响。如果必须使用大于此处注释的值，则必
须仔细研究满载启动和环路稳定性。
实际上，输出电容器对瞬态响应和环路相位裕度的影响非常大。负载瞬态测试和波特图是验证任何给定设计的理
想方法，必须始终在应用投入生产之前完成。除了所需的输出电容外，放置在输出端的小型陶瓷电容器还可以降
低高频噪声。1nF 至 100nF 范围内的小外壳尺寸陶瓷电容器有助于减少由电感器和电路板寄生效应引起的输出尖
峰。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
27
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.2.5 输入电容器选型
除了提供纹波电流并将开关噪声与其他电路隔离，陶瓷输入电容器还为稳压器提供低阻抗源。LM636x5-Q1 的输
入端需要至少4.7µF 的陶瓷电容，直接连接在VIN 和PGND 之间。必须至少为应用所需的最大输入电压设置该额
定值；该值最好为最大输入电压的两倍。可以增大该电容以帮助降低输入电压纹波，并在负载瞬态期间保持输入
电压。更大的输出电流需要更大的输入电容。此外，必须在尽可能靠近稳压器的输入端使用小外壳尺寸 220nF 陶
瓷电容器，通常在 VIN 和 PGND 引脚 1mm 范围内。这为器件内部的控制电路提供了高频旁路。在本例中，选择
了一个 10µF、50V、X7R（或更好）的陶瓷电容器。也可以使用两个4.7µF 电容器。220nF 的额定电压还必须为
50V，采用X7R 电介质，最好是小外壳尺寸，例如0603。
很多时候，最好在输入端使用与陶瓷并联的电解电容器。如果使用长引线或布线将输入电源连接到稳压器，情况
尤其如此。该电容器的中等 ESR 有助于抑制由长电源引线引起的输入电源上的任何振铃。使用这个额外的电容器
还有助于处理由具有异常高阻抗的输入电源引起的电压骤降。
大多数输入开关电流流经陶瓷输入电容器。使用方程式 11 计算 RMS 电流近似值。必须对照制造商的最大额定值
来检查此值。
IOUT
IRMS
@
2
(11)
9.2.2.6 CBOOT
LM636x5-Q1 需要在 BOOT 引脚和 SW 引脚之间连接一个自举电容。此电容器存储的能量用于为功率 MOSFET
的栅极驱动器供电。需要一个220nF 的优质陶瓷电容器，电压至少为16V。
9.2.2.7 VCC
VCC 引脚是内部 LDO 的输出，用于为稳压器的控制电路供电。输出需要在 VCC 和 PGND 之间连接一个 1µF、
16V 陶瓷电容器，用于确保正常运行。通常，此输出不得加载任何外部电路。但是，该输出可用于为 RESET 功
能提供上拉电阻，并用作器件各种控制输入的逻辑电源。对于 RESET 标志上拉电阻器，100kΩ 电阻值是不错的
选择。VCC 上的标称输出电压为5V。
9.2.2.8 外部UVLO
在某些情况下，需要一个与器件内部提供的输入 UVLO 电平不同的输入电平。这可以使用图 9-3 中所示的电路来
实现。器件导通时的输入电压被指定为 VON，而关断电压为 VOFF。首先，RENB 的值在 10kΩ 至 100kΩ 的范围
内选择。然后，方程式12 用于计算RENT 和VOFF。
VIN
RENT
EN
RENB
图9-3. 外部UVLO 应用的设置
≈
∆
«
’
VON
RENT = RENB
∂
-1
÷
◊
VEN-H
≈
’
÷
VON
VOFF = VEN-L
∂
∆
«
VEN-H ◊
(12)
其中
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
28
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
• VON = VIN 导通电压
• VOFF = VIN 关断电压
9.2.2.9 最高环境温度
与任何电源转换器件一样，LM636x5-Q1 在运行时会消耗内部功率。这种功耗的影响是将转换器的内部温度升高
到环境温度以上。内核温度 (TJ) 是环境温度、功率损耗以及器件的有效热阻 RθJA 和 PCB 组合的函数。
LM636x5-Q1 的最高内核温度必须限制为150°C。这会限制最大器件功耗，从而限制负载电流。方程式13 显示了
重要参数之间的关系。很容易看出，较大的环境温度 (TA) 和较大的 RθJA 值会降低最大可用输出电流。可以使用
本数据表中提供的曲线来估算转换器效率。请注意，这些曲线包括电感器中的功率损耗。如果在其中某条曲线中
找不到所需的运行条件，则可以使用内插来估算效率。或者，可以调整EVM 以匹配所需的应用要求，并且可以直
接测量效率。RθJA 的正确值更难估计。如“半导体和IC 封装热度量指标”应用报告中所述，热性能信息表中给
出的 RθJA 值对于设计用途无效，不得用于估算应用的热性能。该表中报告的值是在实际应用中很少获得的一组
特定条件下测量的。为 RθJC(bott) 和 ΨJT 提供的数据在确定热性能时很有用。有关更多信息和本节末尾提供的资
源，请参阅“半导体和集成电路封装热指标”应用报告。
(
TJ - TA
RqJA
)
∂
h
1- h
1
IOUT
=
∂
MAX
VOUT
(13)
其中
• η= 效率
有效RθJA 是一个关键参数，取决于许多因素，例如：
• 功率耗散
• 空气温度/流量
• PCB 面积
• 铜散热器面积
• 封装下的散热过孔数量
• 相邻元件放置
HTSSOP 和 DRR0012 封装使用裸片附接焊盘（或散热焊盘 (DAP)）提供一个焊接到 PCB 散热铜的位置。这提
供了从稳压器结到散热器的良好导热路径，并且必须正确焊接到 PCB 散热铜上。RθJA 与电路板铜面积的典型示
例请参阅图9-4 和图9-5。图中给出的铜面积对应于每层。顶层和底层为2oz 覆铜，内层为1oz。图9-6 显示了最
大输出电流与环境温度关系的典型曲线。该数据是使用器件和 PCB 组合获得的，RθJA 约为 30°C/W。请记住，
这些图表中给出的数据仅用于说明目的，任何给定应用的实际性能取决于前面提到的所有因素。
40
4L, 0.9W
4L, 2W
2L, 0.9W
2L, 2W
37.5
35
32.5
30
27.5
25
22.5
20
17.5
15
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Copper Area (cm2)
thet
图9-4. 典型的R θJA 与适用于HTSSOP 封装的铜面积
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
29
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
55
50
45
40
35
30
25
20
15
2L, 0.9W
2L, 2W
4L, 0.9W
4L, 2W
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
Copper Area (cm2)
Thet
图9-5. 典型RθJA 与适用于WSON 封装的铜面积
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
Ambient Temperature (èC)
dera
图9-6. 最大输出电流与环境温度间的关系VIN = 12V、VOUT = 5V、ƒSW = 2.1MHz、RθJA = 30°C/W
以下资源可用作理想热PCB 设计和针对给定应用环境估算RθJA 的指南：
• “AN-2020 热设计：学会洞察先机，不做事后诸葛”应用报告
• “外露焊盘封装实现理想热阻的电路板布局布线指南”应用报告
• “半导体和IC 封装热指标”应用报告
• “使用LM43603 和LM43602 简化热设计”应用报告
• “使用新的热指标”应用报告
9.2.3 全功能设计示例
图 9-7 中的原理图显示了使用 LM636x5D-Q1 所有特性的典型应用。此示例使用 24V 输入在 2.5A 下提供 12V 输
出。使用节9.2.2 中的公式和过程计算元件。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
30
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
L
VOUT 12 V
VIN
SW
VIN
24 V
8.2 µH
2.5 A
CBOOT
CHF
10 µF
CIN
COUT
2x 22 µF
BOOT
PGND
220 nF
0.22 µF
100 kΩ
*
AGND
SYNC/
MODE
FB
EN
µC
RESET
VCC
VSEL
RT
9.09 kΩ
100 kΩ
15.8 kꢀ
fSW= 1 MHz
CVCC
1 µF
Optional component
*
图9-7. 全功能设计示例VIN = 24V，VOUT = 12V，IOUT = 2.5A，ƒSW = 1MHz
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
31
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线
除非另有说明，否则以下条件适用：VIN = 13.5V，TA = 25°C。表9-4 显示了图9-44 中的电路及相应BOM。
100
95
90
85
80
75
70
65
95
90
85
80
75
70
65
60
8V
8V
13.5V
18V
24V
13.5V
18V
24V
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
5
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
5
eff_
eff_
LM63625
VOUT = 5V
LM63625
VOUT = 5V
ƒSW = 400kHz
（自动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-8. 效率
图9-9. 效率
100
95
90
85
80
75
70
65
95
90
85
80
75
70
65
60
55
8V
8V
13.5V
18V
24V
13.5V
18V
24V
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
2
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
2
eff_
eff_
LM63615
VOUT = 5V
LM63615
VOUT = 5V
ƒSW = 400kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-10. 效率
图9-11. 效率
95
90
85
80
75
70
65
60
95
90
85
80
75
70
65
60
55
8V
8V
13.5V
18V
24V
13.5V
18V
24V
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
5
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
5
eff_
eff_
LM63625
VOUT = 3.3V
LM63625
VOUT = 3.3V
ƒSW = 400kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-12. 效率
图9-13. 效率
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
32
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线(continued)
95
90
85
80
75
70
65
60
95
90
85
80
75
70
65
60
55
8V
8V
13.5V
18V
24V
13.5V
18V
24V
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
2
0.001
0.01
0.1
Output Current (A)
1
2
eff_
eff_
LM63615
VOUT = 3.3V
LM63615
VOUT = 3.3V
ƒSW = 400kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-14. 效率
图9-15. 效率
5.06
3.34
3.33
3.32
3.31
3.3
8V
8V
13.5V
18V
24V
13.5V
18V
24V
5.05
5.04
5.03
5.02
5.01
5
0
0.5
1 1.5
Output Current (A)
2
2.5
0
0.5
1 1.5
Output Current (A)
2
2.5
LL_5
LL_3
LM63625
VOUT = 5V
LM63625
VOUT = 3.3V
ƒSW = 2100kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-16. 线路和负载调节
图9-17. 线路和负载调节
5.06
5.05
5.04
5.03
5.02
5.01
5
3.34
3.33
3.32
3.31
3.3
8V
8V
13.5V
18V
24V
13.5V
18V
24V
4.99
4.98
3.29
0
0.25
0.5 0.75
Output Current (A)
1
1.25
1.5
0
0.25
0.5 0.75
Output Current (A)
1
1.25
1.5
LL_5
LL_3
LM63615
VOUT = 5V
A.
LM63615
VOUT = 3.3V
ƒSW = 2100kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-18. 线路和负载调节
图9-19. 线路和负载调节
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
33
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线(continued)
10000
10000
1000
100
10
1000
100
10
1
1
0.1
0.1
5V
3.3V
5V
3.3V
0.01
0.01
1E-6
1E-5 0.0001 0.001 0.01
Output Current (A)
0.1
1
5
1E-6
1E-5
0.0001
0.001
Output Current (A)
0.01
0.1
1
Fsw_
Fsw_
LM63625
VIN = 13.5V
LM63615
VIN = 13.5V
ƒSW = 2100kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-20. 开关频率与输出电流间的关系
图9-21. 开关频率与输出电流间的关系
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
500
0A
2.5A
0A
2.5A
250
250
0
0
0
4
8
12
16
Input Voltage (V)
20
24
28
32
36
40
0
4
8
12
16
Input Voltage (V)
20
24
28
32
36
40
Fsw_
Fsw_
LM63625
VOUT = 3.3V
LM63625
VOUT = 5V
ƒSW = 2100kHz
ƒSW = 2100kHz
(FPWM)
(FPWM)
图9-22. 开关频率与输入电压间的关系
图9-23. 开关频率与输入电压间的关系
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
500
0A
1.5A
0A
1.5A
250
250
0
0
0
4
8
12
16
Input Voltage (V)
20
24
28
32
36
40
0
4
8
12
16
Input Voltage (V)
20
24
28
32
36
40
Fsw_
Fsw_
LM63615
VOUT = 3.3V
LM63615
VOUT = 5V
ƒSW = 2100kHz
ƒSW = 2100kHz
(FPWM)
(FPWM)
图9-24. 开关频率与输入电压间的关系
图9-25. 开关频率与输入电压间的关系
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
34
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线(continued)
VOUT, 200mV/DIV
3.3V
VOUT, 200mV/DIV
3.3V
Output Current, 1A/DIV
Output Current, 1A/DIV
50µs/DIV
50µs/DIV
0
0
LM63625
VOUT = 3.3V
LM63615
0A 至1.5A，2µs
VOUT = 3.3V
FPWM
ƒSW = 2100 kHz
ƒSW = 2100 kHz
FPWM
0A 至2.5A，2µs
图9-26. 负载瞬态
图9-27. 负载瞬态
VOUT, 200mV/DIV
VOUT, 200mV/DIV
5V
5V
Output Current, 1A/DIV
Output Current, 1A/DIV
50µs/DIV
0
50µs/DIV
0
LM63625
0A 至2.5A，2µs
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
FPWM
LM63615
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
图9-28. 负载瞬态
FPWM
0A 至1.5A，2µs
图9-29. 负载瞬态
VOUT, 100mV/DIV
VOUT, 100mV/DIV
3.3V
3.3V
Output Current, 1A/DIV
Output Current, 1A/DIV
50µs/DIV
50µs/DIV
0
0
LM63615
0.5A 至1.5A，2µs
VOUT = 3.3V
LM63625
1.5A 至2.5A，2µs
VOUT = 3.3V
ƒSW = 2100 kHz
ƒSW = 2100 kHz
自动
自动
图9-31. 负载瞬态
图9-30. 负载瞬态
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
35
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线(continued)
VOUT, 100mV/DIV
5V
VOUT, 100mV/DIV
5V
Output Current, 1A/DIV
Output Current, 1A/DIV
50µs/DIV
50µs/DIV
0
0
LM63625
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
LM63615
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
1.5A 至2.5A，2µs
自动
0.5A 至1.5A，2µs
自动
图9-32. 负载瞬态
图9-33. 负载瞬态
0.4
0.35
0.3
3
2.5
2
0.25
0.2
1.5
1
0.15
0.1
0.5
0.5
0.75
1
1.25
Output Current (A)
1.5
1.75
2
2.25
2.5
0.5
0.75
1
1.25
Output Current (A)
1.5
1.75
2
2.25
2.5
DO_f
DO_f
LM63625
图9-34. -1% 压降时电压降与输出电流间的关系
LM63625
图9-35. 1.85MHz 时电压降与输出电流间的关系
ƒSW = 140kHz（自动）
ƒSW = 1850kHz（自动）
0.3
0.25
0.2
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.15
0.1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.05
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
Output Current (A)
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
Output Current (A)
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
DO_f
DO_f
LM63615
图9-36. -1% 压降时电压降与输出电流间的关系
LM63615
图9-37. 1.85MHz 时电压降与输出电流间的关系
ƒSW = 140kHz（自动）
ƒSW = 1850kHz（自动）
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
36
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线(continued)
30
29
28
27
26
25
24
23
22
29
28
27
26
25
24
23
5V
3.3V
5V
3.3V
5
10
15
20 25
Input Voltage (V)
30
35
40
5
10
15
20 25
Input Voltage (V)
30
35
40
Inpu
Inpu
LM63625
IOUT = 0A
LM63615
IOUT = 0A
ƒSW = 2100kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-38. 输入电源电流与输入电压间的关系
图9-39. 输入电源电流与输入电压间的关系
1
1
0.1
0.1
13.5V
18V
13.5V
18V
0.01
0.01
0.01
0.1
Output Current (mA)
1
0.01
0.1
Output Current (mA)
1
Inpu
Inpu
LM63625
VOUT = 5V
LM63615
VOUT = 5V
ƒSW = 2100kHz（自
动）
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-40. 输入电源电流与输出电流间的关系
图9-41. 输入电源电流与输出电流间的关系
1
1
0.1
0.1
13.5V
18V
13.5V
18V
0.01
0.01
0.01
0.01
0.1
Output Current (mA)
1
0.1
Output Current (mA)
1
Inpu
Inpu
LM63615
VOUT = 3.3V
ƒSW = 2100kHz（自
动）
LM63625
VOUT = 3.3V
ƒSW = 2100kHz（自
动）
图9-43. 输入电源电流与输出电流间的关系
图9-42. 输入电源电流与输出电流间的关系
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
37
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.4 应用曲线(continued)
VOUT
VIN
U1
SW
VIN
L
CIN
CHF
CBOOT
10 µF
EN
BOOT
220 nF
COUT
0.22 µF
SYNC/
MODE
Mode
VSEL
RT
VOUT
FB
Frequency
VCC
PGND AGND
RESET
100 kΩ
RESET
CVCC
1 µF
图9-44. 典型应用曲线的电路
表9-4. 典型应用曲线的BOM
(1)
VOUT
COUT
L
U1
LM63625D
频率
输出电流
3.3V
3.3V
5V
400kHz
2100 kHz
400kHz
2.5A
3 × 22µF
3 × 22µF
3 × 22µF
3 × 22µF
2 × 22µF
1 × 10µF
2 × 22µF
1 × 10µF
6.8µH，22mΩ
2.2µH，15mΩ
6.8µH，22mΩ
2.2µH，15mΩ
10µH，40mΩ
4.7µH，30mΩ
10µH，40mΩ
4.7µH，30mΩ
2.5A
2.5A
2.5A
1.5A
1.5A
1.5A
1.5A
LM63625D
LM63625D
LM63625D
LM63615D
LM63615D
LM63615D
LM63615D
5V
2100 kHz
400kHz
3.3V
3.3V
5V
2100 kHz
400kHz
5V
2100 kHz
(1) 选择此表中的值是为了增强某些性能标准，可能不代表典型值。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
38
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
9.2.5 EMI 性能曲线
EMI 结果在很大程度上取决于 PCB 布局和测试设置。此处给出的结果是典型的，仅供参考。图 9-45 所示为所用
的EMI 滤波器。所示的限制线是指CISPR25 5 级。
PK
AV
PK
AV
0.15 MHz
1 MHz
10 MHz
30 MHz
100 MHz
30 MHz
80 MHz
LM63625DQ
IOUT = 2.5 A
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
LM63625DQ
IOUT = 2.5 A
VOUT = 5V
ƒSW = 2100 kHz
抖动
抖动
图9-45. 典型传导EMI 为0.15MHz 至30MHz
图9-46. 典型传导EMI 为30MHz 至108MHz
Input to
Regulator
1.5 µF
Input Supply
Ferrite Bead
A. 输入滤波器仅用于EMI 测量，如节9.2.5 部分所示。
图9-47. 典型输入EMI 滤波器
9.3 该做事项和禁止事项
• 请勿超出绝对最大额定值。
• 请勿超出建议运行条件。
• 请勿超出ESD 等级。
• 请勿使EN 输入悬空。
• 不要让输出电压超过输入电压，也不要低于接地值。
• 请勿使用热性能信息表中给出的RθJA 值来设计您的应用。请参阅节9.2.2.9。
• 在将设计投入生产之前，请遵循此数据表中的所有指南和建议。TI 应用工程师随时乐意帮助您对设计和PCB
布局进行评论，以帮助您的项目取得成功。
• 使用直接连接到器件的VIN 和PGND 引脚的220nF 电容器。详细信息，请参阅节9.2.2.5。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
39
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
10 电源相关建议
输入电源的特性必须与本数据表节 7 中的限值兼容。此外，输入电源必须能够向负载稳压器提供所需的输入电
流。可以使用方程式14 来估算平均输入电流。
VOUT ∂IOUT
IIN
=
VIN ∂ h
(14)
其中
• η是效率
如果稳压器通过长导线或PCB 布线连接到输入电源，则需要特别谨慎，以实现良好的性能。输入电缆的寄生电感
和电阻可能会对稳压器的运行造成不良影响。寄生电感与低 ESR 陶瓷输入电容器相结合，可形成欠阻尼谐振电
路，从而在稳压器的输入端产生过压瞬变。每当负载瞬变施加到输出时，寄生电阻都会导致 VIN 引脚上的电压下
降。如果应用的工作电压接近最小输入电压，此下降会导致稳压器暂时关断并复位。要解决此类问题，最好的办
法是缩短输入电源与稳压器之间的距离，并将铝或钽输入电容器与陶瓷电容器并联使用。这些类型的电容器的中
等ESR 有助于抑制输入谐振电路并减少任何过冲。20µF 至100µF 范围内的值通常足以提供输入抑制，并有助于
在大负载瞬变期间保持输入电压稳定。
建议不要让输入电源电压下降到低于输出电压 0.3V 以上。在这种情况下，输出电容器通过高侧功率 MOSFET 的
体二极管放电。产生的电流可能会导致不可预测的行为，在极端情况下，可能会损坏器件。如果应用允许这种可
能性，则在VIN 和VOUT 之间使用肖特基二极管为该电流在稳压器周围提供路径。
在某些情况下，稳压器的输入端使用瞬态电压抑制器 (TVS)。一类此器件具有迅速反向 特性（晶闸管类型）。不
建议使用具有此类特性的器件。当 TVS 触发时，钳位电压降至非常低的值。如果该电压小于稳压器的输出电压，
则输出电容器通过器件放电，如上所述。
有时，出于其他系统注意事项，在稳压器前面使用输入滤波器。除非经过精心设计，否则这可能会导致不稳定以
及上面提到的一些影响。“AN-2162：轻松解决直流/直流转换器的传导EMI 问题”用户指南提供了一些为任何开
关稳压器设计输入滤波器时的实用建议。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
40
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
11 布局
11.1 布局指南
任何直流/直流转换器的 PCB 布局对于实现设计的理想性能而言都至关重要。PCB 布局不良可能会破坏原本良好
的原理图设计的运行效果。即使转换器正确调节，不良的 PCB 布局也可能意味着稳健的设计与无法大规模生产的
设计之间的差别。此外，稳压器的 EMI 性能在很大程度上取决于PCB 布局。在降压转换器中，关键的 PCB 功能
是由输入电容器和电源地形成的环路，如图 11-1 所示。该环路承载大瞬态电流，在布线电感的作用下可能产生大
瞬态电压。这些不必要的瞬态电压会破坏转换器的正常运行。因此，该环路中的布线必须宽且短，并且环路面积
必须尽可能小以降低寄生电感。图11-2 和图11-3 显示了LM636x5D-Q1 关键元件的推荐布局。
1. 将输入电容器尽可能靠近VIN 和PGND 端子放置。VIN 和PGND 引脚相邻，简化了输入电容的放置。不建议
在该区域进行散热。
2. 在靠近VCC 引脚的位置放置一个VCC 旁路电容器。该电容器必须靠近器件放置，并使用短而宽的布线连接
到VCC 和PGND 引脚。不建议在该区域进行散热。
3. 为CBOOT 电容器使用宽布线。将CBOOT 电容器放置在尽可能靠近器件的位置，并使用短而宽的布线连接至
BOOT 和SW 引脚。不建议在该区域进行散热。
4. 将反馈分压器尽可能靠近器件的FB 引脚放置。如果将外部反馈分压器与可调电压选项配合使用，请将
RFBB、RFBT 和CFF 靠近器件放置。与FB 和AGND 的连接必须短且靠近器件上的这些引脚。到VOUT 的连接
可能会更长一些。但是，不得将这一条较长的布线布置在任何可能电容耦合到稳压器反馈路径的噪声源（例如
SW 节点）附近。
5. 在其中一个中间层中至少使用一个接地层。该层充当噪声屏蔽层，也充当散热路径。
6. 将散热焊盘连接到接地层。散热焊盘(DAP) 连线必须焊接到PCB 接地层。此焊盘用作散热器连接和稳压器的
电气接地连接。该焊接连接的完整性直接影响应用的总有效RθJA。不建议在该区域进行散热。
7. 为VIN、VOUT、SW 和PGND 提供宽路径。使这些路径尽可能宽和直接可减少转换器输入或输出路径上的任
何电压降，并更大限度地提高效率。不建议在该区域进行散热。
8. 提供足够大的PCB 面积，以实现适当的散热。如节9.2.2.9 所述，必须使铜面积足够大，以确保实现与最大
负载电流和环境温度相称的低RθJA。PCB 顶层和底层必须采用2 盎司铜，且不得小于1 盎司。使用矩阵式
散热过孔将散热焊盘(DAP) 连接到PCB 底层上的接地层。如果PCB 设计使用多个铜层（建议），这些散热
过孔也可以连接到内层散热接地层。
9. 保持较小的开关面积。保持SW 引脚与电感器之间的铜区域尽可能短且宽。同时，必须更大程度地减小此节
点的总面积，以帮助降低辐射EMI。
有关其他重要指南，请参阅以下PCB 布局资源：
• 开关电源布局指南应用报告
• Simple Switcher PCB 布局指南应用报告
• “构建电源之布局注意事项”研讨会
• 使用LM4360x 与LM4600x 简化低辐射EMI 布局应用报告
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
41
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
VIN
KEEP
CURRENT
LOOP
CIN
SW
SMALL
GND
图11-1. 具有快速边沿的电流环路
11.1.1 接地及散热注意事项
如上所述，TI 建议使用一个中间层作为实心接地层。接地层可为敏感电路和布线屏蔽噪声，还可为控制电路提供
干净的基准电位。使用紧挨旁路电容器的过孔，将 AGND 和 PGND 引脚连接到接地层。PGND 引脚直接连接到
低侧 MOSFET 开关的源极，也直接连接到输入和输出电容器的接地端。PGND 网在开关频率下会产生噪声，会
因负载变化而反弹。PGND 布线以及 VIN 和SW 布线应限制在接地层的一侧。接地层另一侧的噪声要少得多，必
须用于敏感的布线。
TI 建议使用器件的散热焊盘 (DAP) 作为主要散热途径，从而使器件充分散热。使用至少 4 × 3 阵列的 10mil 散热
过孔将 DAP 连接到系统接地层散热器。过孔必须均匀地分布在 DAP 下方。系统接地层、顶层和底层的覆铜越
厚，越利于散热。使用四层电路板，四层的铜厚（从顶层开始）依次为：2oz/1oz/1oz/2oz。具有足够铜厚度和适
当布局布线的四层电路板可实现低电流传导阻抗、适当的屏蔽和较低的热阻。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
42
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
11.2 布局示例
Top Trace
Bottom Trace
VIA to Ground Plane
INDUCTOR
COUT
COUT
COUT
CIN
CBOOT
VCC
CIN
CIN
RT
EN
VSEL
SYNC/MODE
RESET
AGND
FB
GND
HEATSINK
图11-2. 适用于HTSSOP 封装的示例布局
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
43
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
Top Trace
Bottom Trace
VIA to Ground Plane
INDUCTOR
COUT
COUT
CIN-HF
CIN
CIN
SW
CBOOT
VCC
VIN
N/C
EN
RT
AGND
FB
VSEL
SYNC/
MODE
RESET
GND
HEATSINK
图11-3. WSON 封装的布局示例
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
44
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
Top Trace
Bo om Trace
VIA to Ground Plane
INDUCTOR
COUT
COUT
CIN-HF
CIN
CIN
SW
VIN
N/C
EN
CBOOT
N/C
VCC
AGND
N/C
FB
SYNC/
MODE
RESET
GND
HEATSINK
图11-4. WSON 封装第二个引脚排列的示例布局
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
45
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
12 器件和文档支持
12.1 器件支持
12.1.1 器件命名规则
图12-1 显示了LM636x5-Q1 的器件命名规则。有关每个变体的可用性，请参阅节5。如需了解其他选项的详细信
息和供货情况，请联系TI 销售代表或访问TI 的E2E 论坛；最低订购量适用。
LM636 X 5 X Q XXXR Q1
OUTPUT CURRENT MAX
1: 1.5 A
2: 2.5 A
PINOUT OPTION
PACKAGE
AUTO
C: RT and VSEL pins PWPR = HTSSOP 16-pin large reel
are not available
DRRR = WSON 12-pin large reel
D: RT and VSEL pins
are available
图12-1. 器件命名规则
12.2 文档支持
12.2.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，“AN-2020 热设计：学会洞察先机，不做事后诸葛”应用报告
• 德州仪器(TI)，“外露焊盘封装实现理想热阻性的电路板布局布线指南”应用报告
• 德州仪器(TI)，“半导体和IC 封装热指标”应用报告
• 德州仪器(TI)，“通过LM43603 和LM43602 简化热设计”应用报告
• 德州仪器(TI)，“使用新的热指标”应用报告
• 德州仪器(TI)，“开关电源布局指南”应用报告
• 德州仪器(TI)，“Simple Switcher PCB 布局指南”应用报告
• 德州仪器(TI)，“构建电源之布局注意事项”研讨会
• 德州仪器(TI)，“使用LM4360x 与LM4600x 简化低辐射EMI 布局”应用报告
12.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
12.4 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
12.5 商标
PowerPAD™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
12.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
46
Submit Document Feedback
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
LM63615-Q1, LM63625-Q1
ZHCSKE1G –FEBRUARY 2019 –REVISED SEPTEMBER 2022
www.ti.com.cn
12.7 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
13 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
Submit Document Feedback
47
Product Folder Links: LM63615-Q1 LM63625-Q1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
16-Sep-2022
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
LM63615CAQDRRRQ1
LM63615DQDRRRQ1
LM63615DQPWPRQ1
LM63625CAQDRRRQ1
LM63625DQDRRRQ1
LM63625DQPWPRQ1
LM63635CAQDRRRQ1
LM63635DQDRRRQ1
LM63635DQPWPRQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
WSON
WSON
DRR
DRR
PWP
DRR
DRR
PWP
DRR
DRR
PWP
12
12
16
12
12
16
12
12
16
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-3-260C-168 HR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-3-260C-168 HR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-3-260C-168 HR
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
-40 to 150
L615CA
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
L63615
HTSSOP
WSON
63615DQ
L625CA
L63625
WSON
HTSSOP
WSON
63625DQ
L635CA
L63635
WSON
HTSSOP
63635DQ
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
16-Sep-2022
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
17-Sep-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
LM63615CAQDRRRQ1 WSON
LM63615DQDRRRQ1 WSON
DRR
DRR
12
12
16
12
12
16
12
12
16
3000
3000
2000
3000
3000
2000
3000
3000
2000
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
3.3
3.3
6.9
3.3
3.3
6.9
3.3
3.3
6.9
3.3
3.3
5.6
3.3
3.3
5.6
3.3
3.3
5.6
1.1
1.1
1.6
1.1
1.1
1.6
1.1
1.1
1.6
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
Q2
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
Q2
Q2
Q1
LM63615DQPWPRQ1 HTSSOP PWP
LM63625CAQDRRRQ1 WSON
LM63625DQDRRRQ1 WSON
DRR
DRR
LM63625DQPWPRQ1 HTSSOP PWP
LM63635CAQDRRRQ1 WSON
LM63635DQDRRRQ1 WSON
DRR
DRR
LM63635DQPWPRQ1 HTSSOP PWP
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
17-Sep-2022
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
LM63615CAQDRRRQ1
LM63615DQDRRRQ1
LM63615DQPWPRQ1
LM63625CAQDRRRQ1
LM63625DQDRRRQ1
LM63625DQPWPRQ1
LM63635CAQDRRRQ1
LM63635DQDRRRQ1
LM63635DQPWPRQ1
WSON
WSON
DRR
DRR
PWP
DRR
DRR
PWP
DRR
DRR
PWP
12
12
16
12
12
16
12
12
16
3000
3000
2000
3000
3000
2000
3000
3000
2000
367.0
367.0
356.0
367.0
367.0
356.0
367.0
367.0
356.0
367.0
367.0
356.0
367.0
367.0
356.0
367.0
367.0
356.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
HTSSOP
WSON
WSON
HTSSOP
WSON
WSON
HTSSOP
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
PWP0016K
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
S
C
A
L
E
2
.
5
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
6.6
6.2
C
TYP
A
PIN 1 INDEX
AREA
0.1 C
SEATING
PLANE
14X 0.65
16
1
2X
5.1
4.9
4.55
NOTE 3
8
9
0.30
16X
4.5
4.3
B
0.19
0.1
C A B
SEE DETAIL A
(0.15) TYP
2X 0.95 MAX
NOTE 5
4X (0.3)
8
9
2X 0.23 MAX
NOTE 5
2.30
1.54
17
0.25
GAGE PLANE
1.2 MAX
0.15
0.05
0.75
0.50
0 -8
16
1
A
20
DETAIL A
TYPICAL
THERMAL
PAD
2.46
1.86
4224484/A 08/2018
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. Reference JEDEC registration MO-153.
5. Features may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
PWP0016K
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
(3.4)
NOTE 9
(2.46)
16X (1.5)
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
SYMM
1
16X (0.45)
16
(1.2) TYP
(2.3)
(R0.05) TYP
SYMM
17
(5)
NOTE 9
(0.6)
14X (0.65)
(
0.2) TYP
VIA
9
8
SOLDER MASK
DEFINED PAD
(1.1) TYP
SEE DETAILS
(5.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 10X
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
NON-SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
15.000
SOLDER MASK DETAILS
4224484/A 08/2018
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
8. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
numbers SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002) and SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004).
9. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
10. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. It is recommended that vias under paste be filled, plugged
or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
PWP0016K
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
(2.46)
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
16X (1.5)
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
1
16
16X (0.45)
(R0.05) TYP
SYMM
(2.3)
17
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
14X (0.65)
9
8
SYMM
(5.8)
SEE TABLE FOR
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE: 10X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.1
2.75 X 2.57
2.46 X 2.30 (SHOWN)
2.25 X 2.10
0.125
0.15
0.175
2.08 X 1.94
4224484/A 08/2018
NOTES: (continued)
11. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
12. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
WSON - 0.8 mm max height
PLASTIC QUAD FLAT PACK- NO LEAD
DRR0012E
3.1
2.9
A
B
3.1
2.9
PIN 1 INDEX AREA
0.100 MIN
(0.130)
SECTION A-A
TYPICAL
0.8
0.7
C
SEATING PLANE
0.08 C
0.05
0.00
1.4
1.2
SYMM
(0.2) TYP
(0.43) TYP
6
10X 0.5
7
A
A
SYMM
2X
2.6
2.4
2.5
13
1
12
0.3
0.2
12X
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
0.52
0.32
12X
0.1
C A B
C
0.05
4224874/B 03/2019
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for optimal thermal and mechanical performance.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
WSON - 0.8 mm max height
DRR0012E
PLASTIC QUAD FLAT PACK- NO LEAD
2X (2.78)
(1.3)
12X (0.62)
12X (0.25)
1
12
10X (0.5)
SYMM
(2.5)
13
2X
(2.5)
2X
(1)
(R0.05)
TYP
7
6
SYMM
(Ø0.2) VIA
TYP
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 20X
0.07 MAX
0.07 MIN
ALL AROUND
ALL AROUND
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4224874/B 03/2019
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
WSON - 0.8 mm max height
DRR0012E
PLASTIC QUAD FLAT PACK- NO LEAD
2X (2.78)
12X (0.62)
12X (0.25)
2X (1.21)
13
1
12
2X
(1.1)
10X (0.5)
SYMM
2X
(2.5)
(R0.05)
TYP
2X
(0.65)
7
6
SYMM
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD
82% PRINTED COVERAGE BY AREA
SCALE: 20X
4224874/B 03/2019
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
www.ti.com
重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验
证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。
您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成
本、损失和债务，TI 对此概不负责。
TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改
TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。
TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Copyright © 2022，德州仪器 (TI) 公司
相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明