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LM7321QMFX/NOPB [TI]

Automotive-grade, single, 32-V, 20-MHz operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125;
LM7321QMFX/NOPB
型号： LM7321QMFX/NOPB
厂家： TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述：

Automotive-grade, single, 32-V, 20-MHz operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125
文件： 总42页 (文件大小：2153K)
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LM7321, LM7322  
ZHCSI76E –MAY 2008–REVISED SEPTEMBER 2015  
LM7321x 单通道和 LM7322x 双通道轨至轨输入和输出 ±15V、高输出电流  
和无限容性负载运算放大器  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
VS = ±15V，TA = 25°C（典型值，除非另有说明）  
LM732xx 器件是具有宽工作电压范围和高输出电流的  
轨至轨输入和输出放大器。LM732xx 系列非常高效，  
能实现 18V/μs 的压摆率和 20MHz 的单位增益带宽，  
同时每个运算放大器只需 1mA 的电源电流。LM732xx  
器件的性能在 2.7V、±5V 和 ±15V 的条件下完全符合  
运行规格。  
宽电源电压范围：2.5V 至 32V  
输出电流：+65mA/−100mA  
增益带宽积：20MHz  
压摆率：18V/µs  
容性负载容差无限制  
输入共模电压越过电源轨 0.3V  
输入电压噪声：15nV/√Hz  
输入电流噪声：1.3pA/√Hz  
电源电流/通道：1.1mA  
失真 THD+噪声：−86dB  
温度范围：−40°C 至 125°C  
LM732xx 器件设计用于驱动无限容性负载而不产生振  
荡。所有 LM7321x 和 LM7322x 器件均在 −40°C、  
125°C 和 25°C 的条件下以现代化的自动测试设备经过  
测试。−40°C 至 125°C 范围内的高性能、详细的规格  
和广泛的测试使这些器件适用于工业、汽车和通信 应  
用。  
在 −40°C、25°C 和 125°C 温度下以 2.7V、±5V 和  
±15V 的电压经过测试。  
较大的轨至轨输入共模电压范围以及此宽电压范围内的  
50dB 共模抑制能力，让这些器件可实现高侧和低侧感  
应。大多数器件参数对电源电压不敏感，因此这些器件  
更便于用在电源电压可能出现变化的场合，例如汽车电  
气系统和电池供电型设备。这些放大器具有真正的轨至  
轨输出，能够在低失真（0.05% THD+噪声）的情况下  
以超越任一电源轨的最小余量电压 (300mV) 提供可观  
的电流量 (15mA)。  
•
LM732xx 是通过了 AEC-Q100 1 级认证的汽车级  
产品。  
2 应用  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
驱动 MOSFET 和功率晶体管  
电容式接近传感器  
驱动模拟光耦合器  
高侧感应  
器件信息(1)  
地下电流检测  
光电二极管偏置  
在 PLL 中驱动变容二极管  
宽电压范围的电源  
汽车  
器件型号  
LM7321  
封装  
SOIC (8)  
封装尺寸（标称值）  
4.90mm × 3.91mm  
小外形尺寸晶体  
管 (SOT) (5)  
LM7322  
2.90mm x 1.60mm  
3.00mm × 3.00mm  
LM7322  
VSSOP (8)  
国际电源  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
输出摆幅与拉电流间的关系  
大信号阶跃响应  
10  
1
V
= ±15V  
S
12,200 pF  
8,600 pF  
125°C  
V
= ±15V, A = +1  
V
S
2,200 pF  
85°C  
0.1  
25°C  
10 pF  
-40°C  
INPUT  
0.01  
0.1  
1
I
10  
(mA)  
100  
5 ms/DIV  
SOURCE  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SNOSAW8  
 
 
 
 
LM7321, LM7322  
ZHCSI76E –MAY 2008–REVISED SEPTEMBER 2015  
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目录  
8.2 功能框图.................................................................. 20  
8.3 特性 说明................................................................. 20  
8.4 器件功能模式........................................................... 23  
以下一些应用中...................................................... 25  
9.1 应用信息.................................................................. 25  
9.2 典型应用 ................................................................. 25  
1
2
3
4
5
6
7
特性.......................................................................... 1  
应用.......................................................................... 1  
说明.......................................................................... 1  
修订历史记录 ........................................................... 2  
说明 （续）.............................................................. 3  
引脚配置和功能........................................................ 3  
规格.......................................................................... 4  
7.1 绝对最大额定值 ........................................................ 4  
7.2 ESD 额定值............................................................... 4  
7.3 建议的工作状态......................................................... 4  
7.4 热性能信息 ................................................................ 4  
7.5 2.7V 电气特性 .......................................................... 4  
7.6 ±5V 电气特性 ............................................................ 7  
7.7 ±15V 电气特性 .......................................................... 8  
7.8 典型特性.................................................................. 10  
详细 说明................................................................ 20  
8.1 概述......................................................................... 20  
9
10 电源建议................................................................ 27  
11 布局 ....................................................................... 27  
11.1 布局指南................................................................ 27  
11.2 布局示例................................................................ 27  
12 器件和文档支持 ..................................................... 28  
12.1 相关链接................................................................ 28  
12.2 社区资源................................................................ 28  
12.3 商标....................................................................... 28  
12.4 静电放电警告......................................................... 28  
12.5 术语表 ................................................................... 28  
13 机械、封装和可订购信息....................................... 28  
8
4 修订历史记录  
注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。  
Changes from Revision D (March 2013) to Revision E  
Page  
•
已添加 引脚配置和功能 部分、ESD 额定值 表、特性 说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源建议 部分、  
布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分 .................................................................................... 1  
Changes from Revision C (May 2008) to Revision D  
Page  
•
已更改 将美国国家半导体产品说明书的布局更改为 TI 格式................................................................................................. 25  
2
版权 © 2008–2015, Texas Instruments Incorporated  
 
LM7321, LM7322  
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5 说明 （续）  
每种器件都有多种封装选项。这两种器件的标准 SOIC 版本可以轻松升级现有设计。LM7322x 采用节省空间的 8  
引脚 VSSOP 封装。LM7321x 采用小型 SOT-23 封装，因此可轻松将该器件放置在传感器附近以便获得更好的电  
路性能。  
6 引脚配置和功能  
DBV 封装  
5 引脚 SOT-23  
俯视图  
D 封装  
8 引脚 SOIC  
俯视图  
5
1
+
1
8
OUT  
V
N/C  
N/C  
2
3
4
7
6
5
+
-IN  
V
2
3
-
-
V
-
+
+IN  
OUT  
N/C  
4
-IN  
+IN  
-
V
DGK 封装  
8 引脚 VSSOP 或 SOIC  
俯视图  
1
8
+
OUT A  
V
A
7
6
5
2
3
4
OUT B  
-IN B  
-IN A  
-
B
+IN A  
-
-
+IN B  
V
引脚功能  
引脚  
I/O  
说明  
SOT-23  
编号  
VSSOP、  
SOIC 编号  
名称  
SOIC 编号  
OUT  
OUT A  
OUT B  
V+  
1
—
—
5
6
—
1
O
O
O
P
P
I
输出  
—
放大器 A 的输出  
放大器 B 的输出  
正电源  
—
7
7
7
V–  
2
4
4
负电源  
+IN  
3
3
—
—
3
同相输入  
–IN  
4
2
—
I
反相输入  
+IN A  
–IN A  
+IN B  
–IN B  
N/C  
—
—
—
—
—
I
放大器 A 的同相输入  
放大器 A 的反相输入  
放大器 B 的同相输入  
放大器 B 的反相输入  
无连接  
—
2
I
—
5
I
—
6
I
1、5、8  
—
—
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3
LM7321, LM7322  
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7 规格  
7.1 绝对最大额定值  
自然通风工作温度范围内（除非另有说明）(1)(2)  
最小值  
V+ + 0.8  
−65  
最大值  
单位  
VIN 差分电压  
±10  
V
(3)  
输出短路电流  
请参阅  
电源电压 (VS = V+ - V−)  
输入/输出引脚电压  
结温(4)  
35  
V− − 0.8  
150  
V
V
°C  
°C  
°C  
°C  
焊接信息：  
红外或对流（20 秒）  
波焊（10 秒）  
235  
260  
贮存温度  
150  
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在极端额定值下的工作情况，这不表示在这些条件下以及其它  
在超出推荐的操作条件下的任何其它操作时，器件能够功能性运行. 长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。  
(2) 如果需要军用/航天专用器件，请与德州仪器 (TI) 销售办事处/分销商联系以了解供货情况和技术规格。  
(3) 同时适用于单电源供电和双电源供电。在环境温度升高的情况下，持续短路运行可能会导致超过允许的最大结温 (150°C)。短路测试是瞬  
时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为 1.5ms。  
(4) 最大功耗是 TJ(MAX)、RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX)) – TA)/ RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的  
封装。  
7.2 ESD 额定值  
值
单位  
人体放电模型 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(2)  
充电器件模型 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(3)  
机器模型  
±2000  
±1000  
200  
V(ESD)  
静电放电(1)  
V
(1) 人体放电模型，适用标准。MIL-STD-883，Method 3015.7。机器模型，适用标准。JESD22-A115-A（JEDEC 的ESD MM 标准）电场诱  
导充电器件模型，适用标准。JESD22-C101-C（JEDEC 的 ESD FICDM 标准）。  
(2) JEDEC 文档 JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。  
(3) JEDEC 文档 JEP157 指出：250V CDM 时能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。  
7.3 建议的工作状态  
最小值  
2.5  
最大值  
32  
单位  
V
电源电压 (VS = V+ - V−)  
温度范围(1)  
−40  
125  
°C  
(1) 最大功耗是 TJ(MAX)、RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX)) – TA)/ RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的  
封装。  
7.4 热性能信息  
LM7321  
热指标(1)  
D (SOIC)  
DBV (SOT)  
DGK (VSSOP)  
单位  
8 引脚  
5 引脚  
8 引脚  
(2)  
RθJA  
结至环境热阻  
165  
325  
235  
°C/W  
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。  
(2) 最大功耗是 TJ(MAX)、RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX)) – TA)/ RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB 的  
封装。  
7.5 2.7V 电气特性  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 2.7V，V− = 0V，VCM = 0.5V，VOUT = 1.35V，且 RL > 1MΩ  
（连接至 1.35V）。(1)  
(1) 电气表的值仅适用于指示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条件  
下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。  
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2.7V 电气特性 (接下页)  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 2.7V，V− = 0V，VCM = 0.5V，VOUT = 1.35V，且 RL > 1MΩ  
（连接至 1.35V）。(1)  
参数  
测试条件  
最小值(2) 典型值(3) 最大值(2)  
单位  
−5  
−6  
±0.7  
+5  
+6  
VOS  
输入失调电压  
输入失调电压温漂  
VCM = 0.5V 以及 VCM = 2.2V  
mV  
TA=-40°C 至 +125°C  
TC VOS  
VCM = 0.5V 以及 VCM = 2.2V(4)  
±2  
µV/C  
−2  
−1.2  
VCM = 0.5V(5)  
TA = –40°C 至  
+125°C  
−2.5  
IB  
输入偏置电流  
输入失调电流  
µA  
nA  
0.45  
20  
1
1.5  
VCM = 2.2V(5)  
TA = -40°C 至 +125°C  
200  
IOS  
VCM = 0.5V 以及 VCM = 2.2V  
0V ≤ VCM ≤ 1V  
TA = –40°C 至  
+125°C  
300  
70  
60  
55  
100  
70  
TA = -40°C 至 +125°C  
CMRR  
PSRR  
共模抑制比  
电源抑制比  
dB  
dB  
0V ≤ VCM ≤ 2.7V  
2.7V ≤ VS ≤ 30V  
TA = –40°C 至  
+125°C  
50  
78  
74  
104  
TA = -40°C 至 +125°C  
−0.3  
−0.1  
共模电压范围（最小值） CMRR > 50dB  
TA = –40°C 至  
+125°C  
0
CMVR  
V
2.8  
2.7  
3
共模电压范围（最大值） CMRR > 50dB  
0.5V ≤ VO ≤ 2.2V  
TA = –40°C 至  
+125°C  
65  
62  
59  
72  
66  
RL = 10kΩ（连接至 1.35V）  
TA = -40°C 至 +125°C  
AVOL  
开环电压增益  
dB  
0.5V ≤ VO ≤ 2.2V  
RL = 2kΩ（连接至 1.35V）  
TA = –40°C 至  
+125°C  
55  
50  
100  
20  
150  
160  
250  
280  
120  
150  
120  
150  
RL = 10kΩ（连接至 1.35V）  
VID = 100mV  
TA = –40°C 至  
+125°C  
输出电压摆幅  
高位  
RL = 2kΩ（连接至 1.35V）  
VID = 100mV  
TA = –40°C 至  
+125°C  
mV（相  
对于任一  
电源轨）  
VOUT  
RL = 10kΩ（连接至 1.35V）  
VID = −100mV  
TA = –40°C 至  
+125°C  
输出电压摆幅  
低位  
40  
RL = 2kΩ（连接至 1.35V）  
VID = −100mV  
TA = –40°C 至  
+125°C  
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。  
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材  
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。  
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。  
(5) 正电流相当于流入器件的电流。  
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5
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2.7V 电气特性 (接下页)  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 2.7V，V− = 0V，VCM = 0.5V，VOUT = 1.35V，且 RL > 1MΩ  
（连接至 1.35V）。(1)  
参数  
测试条件  
最小值(2) 典型值(3) 最大值(2)  
单位  
30  
20  
40  
48  
65  
拉电流  
VID = 200mV，VOUT = 0V(6)  
TA = -40°C 至 +125°C  
IOUT  
输出电流  
mA  
灌电流  
VID = −200mV，VOUT  
=
TA = –40°C 至  
+125°C  
2.7V(6)  
30  
0.95  
2
1.3  
1.9  
2.5  
LM7321  
LM7322  
TA = -40°C 至 +125°C  
IS  
电源电流  
mA  
TA = –40°C 至  
+125°C  
3.8  
SR  
fu  
压摆率(7)  
AV = +1，VI = 2V 阶跃  
RL= 2kΩ，CL= 20pF  
f = 50kHz  
8.5  
7.5  
V/µs  
MHz  
单位增益频率  
GBW  
en  
增益带宽  
16  
MHz  
输入基准电压噪声密度  
输入基准电流噪声密度  
f = 2kHz  
11.9  
0.5  
nV/√H  
pA/√H  
in  
f = 2kHz  
V+ = 1.9V，V− = −0.8V  
f = 1kHz，RL = 100kΩ，AV = +2  
VOUT = 210mVPP  
THD+N  
总谐波失真 + 噪声  
−77  
dB  
dB  
CT 抑制  
串扰抑制  
f = 100kHz，驱动器 RL = 10kΩ  
60  
(6) 同时适用于单电源供电和双电源供电。在环境温度升高的情况下，持续短路运行可能会导致超过允许的最大结温 (150°C)。短路测试是瞬  
时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为 1.5ms。  
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。  
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7.6 ±5V 电气特性  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 5V，V− = −5V，VCM = 0V，VOUT = 0V，且 RL > 1MΩ（连接  
至 0V）。(1)  
最小值 典型值 最大值  
参数  
测试条件  
单位  
(2)  
(3)  
(2)  
−5  
−6  
±0.7  
+5  
+6  
VCM = −4.5V 以及 VCM  
4.5V  
=
VOS  
输入失调电压  
mV  
TA=-40°C 至 +125°C  
TC VOS 输入失调电压温漂  
VCM = −4.5V 以及 VCM = 4.5V(4)  
VCM = −4.5V(5)  
±2  
µV/°C  
−2.0  
−2.5  
−1.2  
TA = –40°C 至 +125°C  
IB  
输入偏置电流  
输入失调电流  
µA  
nA  
dB  
dB  
V
VCM = 4.5V(5)  
0.45  
20  
1
1.5  
TA = -40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = -40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = -40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = -40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
200  
300  
VCM = −4.5V 以及 VCM  
4.5V  
=
IOS  
80  
70  
65  
62  
78  
74  
100  
80  
−5V ≤ VCM ≤ 3V  
−5V ≤ VCM ≤ 5V  
CMRR 共模抑制比  
104  
−5.3  
5.3  
80  
2.7V ≤ VS ≤ 30V，  
VCM = −4.5V  
PSRR  
CMVR  
电源抑制比  
−5.1  
−5  
共模电压范围（最小值） CMRR > 50dB  
5.1  
5
共模电压范围（最大值） CMRR > 50dB  
−4V ≤ VO ≤ 4V  
74  
70  
68  
65  
RL = 10kΩ（连接至 0V）  
AVOL  
开环电压增益  
dB  
74  
−4V ≤ VO ≤ 4V  
RL = 2kΩ（连接至 0V）  
100  
160  
35  
250  
280  
350  
450  
200  
250  
200  
250  
RL = 10kΩ（连接至 0V）  
VID = 100mV  
输出电压摆幅  
高位  
RL = 2kΩ（连接至 0V）  
VID = 100mV  
mV（相  
对于任  
一电源  
轨）  
VOUT  
RL = 10kΩ（连接至 0V）  
VID = −100mV  
输出电压摆幅  
低位  
80  
RL = 2kΩ（连接至 0V）  
VID = −100mV  
拉电流  
VID = 200mV，VOUT  
35  
20  
50  
30  
70  
=
−5V(6)  
TA = -40°C 至 +125°C  
TA = –40°C 至 +125°C  
IOUT  
输出电流  
mA  
灌电流  
VID = −200mV，VOUT  
85  
=
5V(6)  
(1) 电气表的值仅适用于指示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条件  
下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。  
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。  
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材  
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。  
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。  
(5) 正电流相当于流入器件的电流。  
(6) 同时适用于单电源供电和双电源供电。在环境温度升高的情况下，持续短路运行可能会导致超过允许的最大结温 (150°C)。短路测试是瞬  
时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为 1.5ms。  
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±5V 电气特性 (接下页)  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 5V，V− = −5V，VCM = 0V，VOUT = 0V，且 RL > 1MΩ（连接  
至 0V）。(1)  
最小值 典型值 最大值  
参数  
测试条件  
单位  
(2)  
(3)  
(2)  
1.0  
1.3  
LM7321  
TA = -40°C 至  
+125°C  
2
2.8  
3.8  
IS  
电源电流  
VCM = −4.5V  
mA  
2.3  
LM7322  
TA = –40°C 至  
+125°C  
SR  
fu  
压摆率(7)  
AV = +1，VI = 8V 阶跃  
RL= 2kΩ，CL= 20pF  
f = 50kHz  
12.3  
9
V/µs  
MHz  
单位增益频率  
GBW  
en  
增益带宽  
16  
MHz  
输入基准电压噪声密度  
输入基准电流噪声密度  
f = 2kHz  
14.3  
1.35  
nV/√H  
pA/√H  
in  
f = 2kHz  
f = 1kHz，RL = 100kΩ，AV = +2  
VOUT = 8VPP  
THD+N 总谐波失真 + 噪声  
−79  
dB  
dB  
CT 抑  
串扰抑制  
制
f = 100kHz，驱动器 RL = 10kΩ  
60  
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。  
7.7 ±15V 电气特性  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 15V，V− = −15V，VCM = 0V，VOUT = 0V，且 RL > 1MΩ（连  
接至 15V）。(1)  
最小值 典型值 最大值  
参数  
测试条件  
单位  
(2)  
(3)  
(2)  
−6  
−8  
±0.7  
+6  
+8  
VCM = −14.5V 以及  
VCM = 14.5V  
VOS  
输入失调电压  
mV  
–40°C 至 125°C  
TC VOS 输入失调电压温漂  
VCM = −14.5V 以及 VCM = 14.5V(4)  
±2  
µV/°C  
−2  
−1.1  
VCM = −14.5V(5)  
–40°C 至 125°C  
−2.5  
IB  
输入偏置电流  
输入失调电流  
µA  
nA  
dB  
dB  
V
0.45  
30  
1
1.5  
VCM = 14.5V(5)  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
300  
500  
VCM = −14.5V 以及  
VCM = 14.5V  
IOS  
80  
75  
72  
70  
78  
74  
100  
80  
−15V ≤ VCM ≤ 12V  
−15V ≤ VCM ≤ 15V  
CMRR 共模抑制比  
100  
−15.3  
15.3  
2.7V ≤ VS ≤ 30V，VCM  
= −14.5V  
PSRR  
CMVR  
电源抑制比  
−15.1  
−15  
共模电压范围（最小值） CMRR > 50dB  
共模电压范围（最大值） CMRR > 50dB  
15.1  
15  
(1) 电气表的值仅适用于指示温度下的工厂测试条件。工厂测试条件会使器件的自发热大受限制，使得 TJ = TA。在 TJ > TA 的内部自发热条件  
下，某些参数性能规格（如电气表中所示）无法得到保证。  
(2) 所有限值均根据测试或统计分析确定。  
(3) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材  
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。  
(4) 失调电压温漂等于极端温度下的 VOS 变化除以总温度变化值。  
(5) 正电流相当于流入器件的电流。  
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±15V 电气特性 (接下页)  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 15V，V− = −15V，VCM = 0V，VOUT = 0V，且 RL > 1MΩ（连  
接至 15V）。(1)  
最小值 典型值 最大值  
参数  
测试条件  
单位  
(2)  
75  
70  
70  
65  
(3)  
(2)  
−13V ≤ VO ≤ 13V  
RL = 10kΩ（连接至  
0V）  
85  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
AVOL  
开环电压增益  
dB  
−13V ≤ VO ≤ 13V  
RL = 2kΩ（连接至  
0V）  
78  
150  
250  
60  
RL = 10kΩ（连接至  
0V）  
VID = 100mV  
300  
350  
550  
650  
200  
250  
300  
400  
输出电压摆幅  
高位  
RL = 2kΩ（连接至  
0V）  
VID = 100mV  
mV（相  
对于任  
一电源  
轨）  
VOUT  
RL = 10kΩ（连接至  
0V）  
VID = −100mV  
输出电压摆幅  
低位  
RL = 2kΩ（连接至  
0V）  
VID = −100mV  
130  
拉电流  
VID = 200mV，VOUT = −15V(6)  
40  
60  
65  
IOUT  
输出电流  
电源电流  
mA  
mA  
灌电流  
VID = −200mV，VOUT = 15V(6)  
100  
1.1  
1.7  
2.4  
4
LM7321  
–40°C 至 125°C  
–40°C 至 125°C  
IS  
VCM = −14.5V  
2.5  
LM7322  
5.6  
SR  
fu  
压摆率(7)  
AV = +1，VI = 20V 阶跃  
RL= 2kΩ，CL= 20pF  
f = 50kHz  
18  
11.3  
20  
V/µs  
MHz  
单位增益频率  
GBW  
en  
增益带宽  
MHz  
输入基准电压噪声密度  
输入基准电流噪声密度  
f = 2kHz  
15  
nV/√H  
pA/√H  
in  
f = 2kHz  
1.3  
f = 1kHz，RL 100kΩ，  
AV = +2，VOUT = 23VPP  
THD+N 总谐波失真 + 噪声  
−86  
dB  
dB  
CT 抑  
串扰抑制  
制
f = 100kHz，驱动器 RL = 10kΩ  
60  
(6) 同时适用于单电源供电和双电源供电。在环境温度升高的情况下，持续短路运行可能会导致超过允许的最大结温 (150°C)。短路测试是瞬  
时测试。在室温及低于室温的情况下，当 VS ≤ 6V 时，输出短路持续时间是无限的。VS > 6V 时，允许的短路持续时间为 1.5ms。  
(7) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率中的较慢者。作为电压跟随器连接。  
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7.8 典型特性  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
10  
10  
1
V
S
= 2.7V  
V
S
= 2.7V  
1
0.1  
125°C  
125°C  
85°C  
85°C  
0.1  
25°C  
25°C  
10  
-40°C  
-40°C  
0.01  
0.01  
0.1  
1
I
10  
(mA)  
100  
100  
100  
0.1  
1
100  
100  
100  
I
(mA)  
SOURCE  
SINK  
图 1. 输出摆幅与拉电流间的关系  
= ±5V  
图 2. 输出摆幅与灌电流间的关系  
= ±5V  
10  
1
10  
1
V
S
V
S
125°C  
125°C  
-40°C  
85°C  
0.1  
0.1  
85°C  
25°C  
25°C  
10  
-40°C  
0.01  
0.01  
0.1  
1
I
10  
(mA)  
0.1  
1
I
(mA)  
SOURCE  
SINK  
图 3. 输出摆幅与拉电流间的关系  
= ±15V  
图 4. 输出摆幅与灌电流间的关系  
V = ±15V  
S
10  
1
10  
1
V
S
125°C  
125°C  
-40°C  
85°C  
0.1  
0.1  
25°C  
85°C  
-40°C  
25°C  
10  
0.01  
0.01  
0.1  
1
I
10  
(mA)  
0.1  
1
I
(mA)  
SOURCE  
SINK  
图 5. 输出摆幅与拉电流间的关系  
图 6. 输出摆幅与灌电流间的关系  
10  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
12  
-0.5  
-0.7  
-0.9  
-1.1  
-1.3  
-1.5  
-1.7  
-1.9  
-2.1  
-2.3  
-2.5  
V
= 2.7V  
S
V
= ±5V  
S
10  
8
-40°C  
6
25°C  
85°C  
4
2
125°C  
0
-1  
0
1
2
3
4
4
6
-3  
-2  
-1  
0
1
2
3
V
(mV)  
V
(V)  
OS  
CM  
图 7. VOS 分布  
图 8. VOS 与VCM 间的关系（单位 1）  
0
-0.5  
-0.7  
-0.9  
-1.1  
-1.3  
-1.5  
-1.7  
-1.9  
-2.1  
-2.3  
-2.5  
V
= 2.7V  
S
V
= 2.7V  
S
-0.1  
-0.2  
-40°C  
-0.3  
-0.4  
-0.5  
25°C  
85°C  
85°C  
-40°C  
125°C  
-0.6  
25°C  
125°C  
125°C  
-0.7  
-0.8  
-40°C  
-1  
0
1
2
3
4
-1  
0
1
2
3
V
(V)  
CM  
V
(V)  
CM  
图 9. VOS 与VCM 间的关系（单位 2）  
图 10. VOS 与VCM 间的关系（单位 3）  
-1  
-0.3  
-0.4  
-0.5  
-0.6  
-0.7  
-0.8  
V
= ±5V  
S
V
= ±5V  
S
-1.25  
-1.5  
-1.75  
-2  
-40°C  
85°C  
25°C  
-40°C  
25°C  
85°C  
125°C  
125°C  
-2.25  
-2.5  
-6  
-4  
-2  
2
4
6
0
-6  
-4  
-2  
0
0
4
V
CM  
(V)  
V
(V)  
CM  
图 11. VOS 与VCM 间的关系（单位 1）  
图 12. VOS 与VCM 间的关系（单位 2）  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
-0.5  
-1  
-1.25  
-1.5  
V
= ±15V  
-40°C  
V
= ±5V  
S
S
-0.75  
-1  
-40°C  
-1.25  
-1.5  
-1.75  
-2  
25°C  
25°C  
-1.75  
-2  
85°C  
85°C  
125°C  
125°C  
-2.25  
-2.5  
-2.25  
-6  
-4  
-2  
2
4
6
0
-20 -15 -10 -5  
0
5
10 15 20  
VCM (V)  
V
CM  
(V)  
图 14. VOS 与VCM 间的关系（单位 1）  
图 13. VOS 与VCM 间的关系（单位 2）  
0
-0.1  
-0.2  
-0.5  
-0.7  
-0.9  
V
= ±15V  
V = ±15V  
S
S
-40°C  
125°C  
85°C  
-0.3  
-0.4  
-1.1  
-1.3  
25°C  
25°C  
-0.5  
-1.5  
-40°C  
-0.6  
-0.7  
-1.7  
-1.9  
85°C  
125°C  
-0.8  
-2.1  
-0.9  
-1  
-2.3  
-2.5  
-20 -15 -10 -5  
0
5
10 15 20  
-20 -15 -10 -5  
0
5
10 15 20  
V
CM  
(V)  
V
CM  
(V)  
图 15. VOS 与VCM 间的关系（单位 2）  
图 16. VOS 与VCM 间的关系（单位 3）  
-1.1  
-1.3  
-1.5  
0
-
-
V
= V +0.5V  
CM  
V
= V +0.5V  
CM  
-40°C  
-0.1  
-0.2  
25°C  
-1.7  
-1.9  
-2.1  
-0.3  
-0.4  
-0.5  
-0.6  
-0.7  
85°C  
85°C  
125°C  
30  
25°C  
-40°C  
-2.3  
-2.5  
125°C  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
0
10  
20  
(V)  
40  
V
V
S
S
图 18. VOS 与VS 间的关系（单位 2）  
图 17. VOS 与VS 间的关系（单位 1）  
12  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
-1  
-1.2  
-1.4  
0
-
= V +0.5V  
+
V
V
= V -0.5V  
CM  
CM  
-0.5  
-1  
-40°C  
-40°C  
25°C  
-1.5  
-2  
-1.6  
-1.8  
25°C  
85°C  
85°C  
125°C  
125°C  
-2.5  
-2  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
V
S
V
S
图 20. VOS 与VS 间的关系（单位 1）  
图 19. VOS 与VS 间的关系（单位 3）  
-1  
0
-0.1  
-0.2  
+
V
= V -0.5V  
V
= V+ -0.5V  
-40°C  
CM  
CM  
-1.2  
-0.3  
-0.4  
-1.4  
-1.6  
-1.8  
85°C  
-0.5  
25°C  
125°C  
-0.6  
-0.7  
25°C  
-0.8  
85°C  
-2  
-40°C  
-0.9  
-1  
125°C  
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
-2.2  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
0
5
V
V
S
S
图 21. VOS 与VS 间的关系（单位 2）  
图 22. VOS 与VS 间的关系（单位 3）  
1
1
V
S
= 2.7V  
V
S
= ±5V  
-40°C  
25°C  
0.5  
0.5  
85°C  
125°C  
0
-0.5  
-1  
0
-0.5  
-1  
125°C  
85°C  
25°C  
-40°C  
-1.5  
-1.5  
0
0.5  
1
1.5  
(V)  
2
2.5  
3
-5  
-3  
-1  
1
3
5
V
V
(V)  
CM  
CM  
图 23. IBIAS 与VCM 间的关系  
图 24. IBIAS 与VCM 间的关系  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
-1  
1
-
V
= ±15V  
V
= V +0.5V  
S
CM  
-1.1  
0.5  
85°C  
125°C  
25°C  
-1.2  
-1.3  
-1.4  
0
-0.5  
-1  
-40°C  
85°C  
125°C  
-1.5  
-1.6  
-40°C  
25°C  
V
-1.5  
-15  
-10  
-5  
0
5
10  
15  
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
V
S
(V)  
CM  
图 26. IBIAS 与VS 间的关系  
图 25. IBIAS 与VCM 间的关系  
0.7  
0.65  
0.6  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
+
V
= 2.7V  
125°C  
V
= V -0.5V  
S
CM  
85°C  
25°C  
-40°C  
0.55  
0.5  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
25°C  
-40°C  
85°C  
0.45  
125°C  
30  
0.4  
0.35  
0.3  
-1  
0
1
2
3
4
0
10  
20  
(V)  
40  
V
S
V
(V)  
CM  
图 27. IBIAS 与VS 间的关系  
图 28. IS 与VCM 间的关系 (LM7321)  
3.5  
3
2
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
V
= ±5V  
125°C  
S
85°C  
25°C  
2.5  
2
125°C  
85°C  
-40°C  
1.5  
1
25°C  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
-40°C  
0.5  
0
V
= 2.7V  
0
S
-1  
1
2
3
4
-6  
-4  
-2  
0
2
4
6
V
(V)  
CM  
V
CM  
(V)  
图 29. IS 与VCM 间的关系 (LM7322)  
图 30. IS 与VCM 间的关系 (LM7321)  
14  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
4
2.5  
2
V
= ±5V  
S
V
= ±15V  
125°C  
S
3.5  
3
2.5  
2
125°C  
1.5  
85°C  
85°C  
25°C  
1
1.5  
1
25°C  
-40°C  
-40°C  
0.5  
0.5  
0
0
-6  
-4  
-2  
2
4
6
0
-20 -15 -10 -5  
0
5
10 15 20  
V
(V)  
CM  
V
CM  
(V)  
图 31. IS 与VCM 间的关系 (LM7322)  
图 32. IS 与VCM 间的关系 (LM7321)  
4.5  
4
1.6  
1.4  
1.2  
-
V
= ±15V  
S
V
= V +0.5V  
CM  
125°C  
3.5  
3
85°C  
1
0.8  
0.6  
25°C  
2.5  
25°C  
85°C  
-40°C  
2
25°C  
1.5  
-40°C  
0.4  
1
0.5  
0
0.2  
0
-20 -15 -10 -5  
0
5
10 15 20  
5
15  
25  
30  
0
10  
20  
(V)  
30  
40  
V
CM  
(V)  
V
S
图 33. IS 与VCM 间的关系 (LM7322)  
图 34. IS 与VS 间的关系 (LM7321)  
2.5  
2
4.5  
4
+
V
= V -0.5V  
CM  
125°C  
85°C  
3.5  
125°C  
3
85°C  
1.5  
1
25°C  
2.5  
25°C  
-40°C  
2
-40°C  
1.5  
1
0.5  
0
0.5  
0
+
V
= V -0.5V  
CM  
5
0
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
5
15  
25  
35  
0
10  
20  
(V)  
30  
40  
V
S
V
S
图 36. IS 与VS 间的关系 (LM7321)  
图 35. IS 与VS 间的关系 (LM7322)  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
3
0.3  
0.25  
0.2  
85°C  
R
L
= 2 kW  
125°C  
125°C  
2.5  
85°C  
25°C  
2
1.5  
1
25°C  
-40°C  
0.15  
0.1  
-40°C  
0.05  
0.5  
0
-
= V +0.5V  
V
CM  
5
0
0
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
0
10  
20  
(V)  
30  
40  
V
S
V
S
图 37. IS 与VS 间的关系 (LM7322)  
图 38. 正输出摆幅与电源电压间的关系  
0.16  
0.14  
0.12  
0.1  
0.16  
125°C  
R
= 2 kW  
R
= 10 kW  
125°C  
-40°C  
L
L
0.14  
0.12  
85°C  
25°C  
85°C  
0.1  
0.08  
0.06  
25°C  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0
-40°C  
0.04  
0.02  
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40  
(V)  
0
10  
20  
30  
40  
V
S
V
(V)  
S
图 39. 正输出摆幅与电源电压间的关系  
图 40. 负输出摆幅与电源电压间的关系  
0.07  
0.06  
0.05  
140  
120  
100  
80  
158  
135  
113  
90  
V
R
= ê15V  
= 10 MW  
S
R
= 10 kW  
L
L
125°C  
25°C  
1000 pF  
500 pF  
200 pF  
PHASE  
85°C  
100 pF  
50 pF  
0.04  
0.03  
0.02  
60  
68  
GAIN  
-40°C  
20 pF  
40  
45  
50 pF  
100 pF  
200 pF  
500 pF  
1000 pF  
20  
23  
0.01  
0
0
0
-20  
-23  
100M  
0
10  
20  
(V)  
30  
40  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
V
S
FREQUENCY (Hz)  
图 42. 各种容性负载下的开环频率响应  
图 41. 负输出摆幅与电源电压间的关系  
16  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
140  
140  
120  
100  
80  
158  
135  
113  
90  
158  
V
C
= ê15V  
= 20 pF  
R
C
= 2 kW  
= 20 pF  
PHASE  
S
L
120  
135  
113  
90  
68  
45  
23  
0
L
L
PHASE  
600W  
100  
80  
60  
40  
20  
0
V
= 30V  
S
2 kW  
GAIN  
V
= 10V  
S
V
= 2.7V  
10 kW  
S
60  
68  
V
= 30V  
GAIN  
S
100 kW  
40  
45  
V
= 2.7V  
S
2 kW  
10 MW  
600W  
20  
23  
0
0
V
= 10V  
1M  
S
-20  
-23  
100M  
-20  
-23  
100M  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
1k  
10k  
100k  
10M  
FREQUENCY (Hz)  
图 43. 各种阻性负载下的开环频率响应  
FREQUENCY (Hz)  
图 44. 各种电源电压下的开环频率响应  
70  
60  
50  
40  
100  
90  
V
S
= ±15V  
R
= 600W  
L
80  
70  
R
L
= 2 kW  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
30  
20  
10  
R
= 10 MW, 10 kW, 100 kW  
L
V
= ±15V  
S
0
10  
0
100  
1k  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
图 46. CMRR 与频率间的关系  
100k  
1M  
10  
1000  
100  
CAPACITIVE LOAD (pF)  
图 45. 相位裕度与容性负载间的关系  
120  
100  
100  
90  
V
V
= 2.7V  
V
V
= 30V  
S
S
= 0.7V  
= 2V  
CM  
CM  
80  
70  
V
V
= 10V  
S
V
V
= 10V  
S
= 8V  
CM  
80  
60  
= 2V  
V
V
= 2.7V  
CM  
S
60  
50  
V
V
= 30V  
S
= 2V  
CM  
= 28V  
CM  
40  
30  
40  
20  
20  
10  
0
0
10  
10k  
1k  
FREQUENCY (Hz)  
图 48. −PSRR 与频率间的关系  
100k  
1M  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
图 47. +PSRR 与频率间的关系  
10  
100  
100  
1k  
100k  
1M  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
12,200 pF  
8,600 pF  
V
A
= ±5V  
= +1  
S
V
1000 pF  
750 pF  
500 pF  
V
= ±15V, A = +1  
V
S
2,200 pF  
330 pF  
100 pF  
10 pF  
10 pF  
INPUT  
INPUT  
200 ns/DIV  
5 ms/DIV  
图 49. 小信号阶跃响应  
图 50. 大信号阶跃响应  
1000  
100  
10  
100  
10  
1
1000  
100  
10  
100  
10  
1
V
= ±5V  
V
= 2.7V  
S
S
CURRENT  
VOLTAGE  
VOLTAGE  
CURRENT  
0.1  
100k  
0.1  
100k  
1
1
1
10  
100  
1k  
10k  
1
10  
100  
1k  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
FREQUENCY (Hz)  
图 51. 输入基准电压噪声密度与频率间的关系  
图 52. 输入基准电压噪声密度与频率间的关系  
1000  
100  
10  
100  
0
A
V
= +2  
V
V
= ±15V  
S
-10  
= 520 mV  
IN  
PP  
R
= 100 kW  
L
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
-80  
10  
1
CURRENT  
VOLTAGE  
V
= 2.7V, V = 0.8V  
CM  
S
V
= ±5V  
S
V
S
= ±15V  
10k  
0.1  
1
1
10  
100  
FREQUENCY (Hz)  
图 53. 输入基准电压噪声密度与频率间的关系  
1k  
10k  
100k  
1k  
100k  
1M  
10  
100  
FREQUENCY (Hz)  
图 54. THD+N 与频率间的关系  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA = 25°C。  
0
0
-10  
-20  
V
V
= 2.7V  
S
V = ±5V  
S
f = 1 kHz  
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
-80  
-90  
= 0.8V  
CM  
f = 1 kHz  
R
A
= 100 kW  
L
R
= 100 kW  
= +2  
L
V
-30  
-40  
-50  
A
= +2  
V
-60  
-70  
-80  
-90  
1
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
0.1  
10  
100  
0.001 0.01  
OUTPUT AMPLITUDE (V  
)
OUTPUT AMPLITUDE (V  
)
PP  
PP  
图 56. THD+N 与输出幅度间的关系  
图 55. THD+N 与输出幅度间的关系  
0
V
= ±15V  
S
-10  
-20  
f = 1 kHz  
R
= 100 kW  
L
A
= +2  
V
-30  
-40  
-50  
-60  
-70  
-80  
-90  
1
0.001 0.01  
0.1  
10  
100  
OUTPUT AMPLITUDE (V  
)
PP  
图 57. THD+N 与输出幅度间的关系  
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8 详细 说明  
8.1 概述  
LM732xx 器件是具有宽工作电压范围和高输出电流的轨至轨输入和输出放大器。LM732xx 系列非常高效，能实现  
18V/μs 的压摆率和 20MHz 的单位增益带宽，同时每个运算放大器只需 1mA 的电源电流。LM732xx 器件的性能在  
2.7V、±5V 和 ±15V 的条件下完全符合运行规格。  
LM732xx 器件设计用于驱动无限容性负载而不产生振荡。所有 LM7321x 和 LM7322x 器件均在 −40°C、125°C 和  
25°C 的条件下以现代化的自动测试设备经过测试。−40°C 至 125°C 范围内的高性能、详细的规格和广泛的测试使  
这些器件适用于工业、汽车和通信 应用。  
较大的轨至轨输入共模电压范围以及此宽电压范围内的 50dB 共模抑制能力，让这些器件可实现高侧和低侧感应。  
大多数器件参数对电源电压不敏感，因此这些器件更便于用在电源电压可能出现变化的场合，例如汽车电气系统和  
电池供电型设备。这些放大器具有真正的轨至轨输出，能够在低失真（0.05% THD+噪声）的情况下以超越任一电  
源轨的最小余量电压 (300mV) 提供可观的电流量 (15mA)。  
8.2 功能框图  
V+  
-IN  
OUT  
+IN  
+
V-  
8.3 特性 说明  
8.3.1 输出短路电流和功耗问题  
LM732xx 输出级根据设计可提供最大输出电流能力。即使瞬时输出对地短路并且在所有工作电压下都能容忍任意电  
源，但持续时间较长的短路状态可能会导致结温上升到超过器件的绝对最大额定值，特别是在电源电压较高的条件  
下。低于 6V 的电源电压时，可以无限期容忍输出短路状态。  
运算放大器与负载连接时，该器件的功耗包括由于电源电流流入器件而产生的静态功耗以及由负载电流引起的功  
耗。负载功耗本身可包括一个平均值（由直流负载电流引起）和一个交流分量。如果存在输出电压偏移或输出交流  
平均电流不为零，或如果运算放大器工作在单电源应用中，而此情况下的输出保持在线性工作范围内的某处，那么  
直流负载电流将会流动起来。  
因此，  
PTOTAL = PQ + PDC + PAC  
(1)  
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特性 说明 (接下页)  
运算放大器静态功耗计算公式如下：  
PQ = IS × VS  
其中  
•
•
IS：电源电流  
VS：总电源电压 (V+ − V−)  
(2)  
(3)  
直流负载功耗的计算公式如下：  
PDC = IO × (Vr - Vo)  
其中  
•
•
VO：平均输出电压  
Vr：拉电流对应的是 V+，而灌电流对应的是 V−  
交流负载功耗的计算公式为 PAC = 参阅表 1。  
表 1 显示了运算放大器在标准正弦波、三角波和方波波形条件下的负载功耗的最大交流分量：  
表 1. 标准波形条件下输出级中的标准化交流功耗  
PAC (W.Ω/V2)  
正弦波  
50.7 × 10−3  
三角波  
46.9 × 10−3  
方波  
62.5 × 10−3  
2
2
表格条目标准化为 VS /RL。要计算功耗的交流负载电流分量，只需将对应于输出波形的表格条目乘以系数 VS /RL  
即可。例如，在 ±12V 电源、600Ω 负载和三角波波形的条件下，输出级中的功耗计算如下：  
PAC = (46.9 × 10−3) × (242/600) = 45.0mW  
(4)  
特定温度下允许的最大功耗是允许的最高管芯结温 (TJ(MAX))、环境温度 TA 和结至环境的封装热阻 θJA 的函数。  
TJ(MAX) - TA  
PD(MAX)  
=
qJA  
(5)  
对于 LM732xx，允许的最高结温为 150°C，在此温度下不允许有功耗。25℃ 下的功率容量计算如下：  
对于 VSSOP 封装：  
150°C œ 25°C  
= 0.53 W  
PD(MAX)  
=
235°C/W  
(6)  
(7)  
对于 SOIC 封装：  
150°C œ 25°C  
PD(MAX)  
=
= 0.76 W  
165°C/W  
同样，125℃ 下的功率容量如下：  
对于 VSSOP 封装：  
150°C œ 125°C  
PD(MAX)  
=
= 0.11 W  
235°C/W  
(8)  
(9)  
对于 SOIC 封装：  
150°C œ 125°C  
PD(MAX)  
=
= 0.15 W  
165°C/W  
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图 58 显示了采用 VSSOP 和 SOIC 封装时的功率容量与温度间的关系。最大热性能线下面的区域是器件的工作区  
域。当器件在 PTOTAL 小于 PD(MAX) 的工作区域内工作时，器件结温将保持在 150°C 以下。如果环境温度与封装功  
率的交汇点高于最大热性能线，则结温将超过 150°C，应严格禁止这种情况。  
1.4  
1.2  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
Operating area  
0
-40 -20  
0
20 40 60 80 100 120 140 160  
TEMPERATURE (°C)  
图 58. 功率容量与温度间的关系  
当需要高功率而又不能降低环境温度时，提供气流是降低热阻进而提高功率容量的有效方法。  
8.3.2 估算输出电压摆幅  
请务必注意，稳态输出电流将小于输入过驱时提供的电流。在稳态条件下，可使用输出电压与输出电流关系图（典  
型特性 部分）来预测输出摆幅。图 59 和图 60 显示了此性能以及与输出端和接地端之间连接的负载相对应的多条  
负载线。在每种情况下，器件在相应温度下的曲线与负载线的交汇点将是该负载可能的典型输出摆幅。例如，一个  
1kΩ 的负载可让输出摆幅处于 V− 的 250mV 范围内以及 V+ 的 330mV 范围内 (VS = ±15V)，对应于典型值为  
29.3VPP 的未削波摆幅。  
图 59. 输出拉电流特性以及负载线  
图 60. 输出灌电流特性以及负载线  
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8.4 器件功能模式  
8.4.1 驱动容性负载  
LM732xx 专门设计用于驱动无限容性负载而不产生振荡，如图 61 所示。  
图 61. ±5% 建立时间与容性负载间的关系  
此外，该系列器件具有优秀的输出电流处理能力，因此即使在较大的容性负载条件下也能提供良好的压摆率特性，  
如图 62 和图 63 所示。  
图 62. +SR 与容性负载间的关系  
图 63. −SR 与容性负载间的关系  
这些 特性 相结合使得此系列器件非常适合 TFT 平板缓冲器、模数转换器输入放大器等 应用 。  
但是，与大多数运算放大器一样，在此系列运算放大器和容性负载之间增加一个串联隔离电阻器可提高趋稳和过冲  
性能。  
输出电流驱动是驱动容性负载时的重要参数。该参数将决定输出电压的变化速度。参考压摆率与容性负载关系图  
（典型特性 部分），可以发现两个不同的区域。负载低于大约 10,000pF 时，输出压摆率仅由运算放大器的补偿电  
容值和流入该电容器的电流决定。负载超出 10nF 时，压摆率取决于运算放大器提供的输出电流。  
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23  
 
 
LM7321, LM7322  
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器件功能模式 (接下页)  
注
由于输出拉电流与灌电流相比较低，因此大型容性负载下的压摆率限值由正跳变决定。  
负载大于 100nF 的情况下，可通过将短路电流值除以电容值来估算正负压摆率。  
对于 LM732xx，提供的输出电流随着输入过驱而增大。参考图 64 和图 65 可以看出，随着输入过驱增强，短路拉  
电流和灌电流都增大。在闭环放大器配置中的瞬态条件下，当反馈输出还没有完全赶上输入时，将会在输入端施加  
过驱，使输出电流高于通常在稳态条件下可提供的电流。得益于这一特性，运算放大器的输出级静态电流可以保持  
在最低水平，从而降低功耗，同时使器件在需要时（例如瞬态条件下）输出大电流。  
图 64. 输出短路拉电流与输入过驱间的关系  
图 65. 输出短路灌电流与输入过驱间的关系  
图 66 显示了器件在 AV = +1、输入关联到 1VPP 阶跃函数并且驱动一个 47nF 电容器时的输出电压、输出电流以及  
产生的输入过驱。我们可以看出，在输出跳变期间，输入过驱达到 1V 峰值，足以导致输出电流增加到其最大值  
（请参阅图 64 和图 65 的关系图）。  
注
由于输出灌电流与拉电流相比较大，因此输出负跳变快于正跳变。  
图 66. 缓冲放大器示波器图  
24  
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LM7321, LM7322  
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9 以下一些应用中  
注
的应用和实现 信息 部分的信息不属于 TI 规格范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客  
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统  
功能。  
9.1 应用信息  
9.1.1 类似的高输出器件  
LM7332 是一款双通道轨至轨放大器，具有稍低的 GBW，支持 100mA 的灌电流和拉电流。此器件采用 SOIC 和  
VSSOP 封装。  
LM4562 是具有极低噪声和 0.7mV 失调电压的双通道运算放大器。  
LME49870 和 LME49860 是由 ±22V 电源供电的单通道和双通道低噪声放大器。  
9.1.2 其他高性能 SOT-23 放大器  
LM7341 是一款 4MHz 轨至轨输入和输出器件，仅需要 0.6mA 的电流即可运行，并可驱动无限容性负载。此器件  
的电压增益为 97dB，CMRR 为 93dB，PSRR 为 104dB。  
LM6211 是一款具有 CMOS 输入的 20MHz 器件，采用 ±12V 或 24V 单电源供电。此器件具有轨至轨输出和低噪  
声。  
LM7121 的增益带宽为 235MHz。  
有关这些器件的详细信息，请访问 www.ti.com.cn。  
9.2 典型应用  
图 67 显示了一种将 LM732xx 用作 TFT LCD 平板中的 VCOM 信号缓冲放大器的典型应用：  
图 67. VCOM 驱动器应用原理图  
9.2.1 设计要求  
对于该示例应用，电源电压为 +5V，并且需要同相增益。  
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25  
 
LM7321, LM7322  
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典型应用 (接下页)  
9.2.2 详细设计流程  
图 68 显示了用作 VCOM 缓冲器/驱动器的放大器的时域响应（其中的 VREF 接地）。在此应用中，尽管电流会注入  
到 TFT 模拟负载中，运算放大器环路仍会尝试根据其同相输入端的电压 (VREF) 来保持其输出电压。只要该负载电  
流在 LM732xx 所容许的范围内（采用 ±5V 电源时的拉电流为 45mA，灌电流为 65mA），输出就会在小于 2μs 的  
时间内稳定到其最终值。  
图 68. VCOM 驱动器性能示波器图  
9.2.3 应用曲线  
90  
80  
70  
V
= ±15V  
S
60  
50  
40  
30  
V
= ±5V  
+
S
V
V
= 1.8V  
= 0.9V  
CM  
20  
10  
0
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
100M  
FREQUENCY (Hz)  
图 69. 串扰抑制与频率间的关系  
26  
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LM7321, LM7322  
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10 电源建议  
在大多数 应用中强制要求使用电源去耦。与大多数相对高速或高输出电流的运算放大器一样，用两个电容器对每条  
电源线去耦可以获得最佳效果：一个电容值很小的陶瓷电容器（大约 0.01μF）放置在非常靠近电源引线的位置，还  
有一个大电容值的钽或铝电容器 (> 4.7μF)。必要时，大电容器可由多个器件共享。小型陶瓷电容器在高频时保持低  
电源阻抗，而大电容器将充当运算放大器输出端产生的快速负载电流尖峰的电荷桶。这两个电容器的结合使用将提  
供电源去耦功能，并有助于保持运算放大器在任何负载下均无振荡。  
11 布局  
11.1 布局指南  
请注意，应最大限度减小由电源引脚和接地端之间的旁路电容器连接形成的环路区域。建议在器件下方使用接地平  
面；任何接地的旁路组件都应具有通向接地平面的通孔。旁路电容器位置应尽可能靠近相应的电源引脚。在旁路电  
容器和相应的电源引脚之间使用较粗的迹线可降低电源电感并提供更稳定的电源。  
应将反馈组件放置在尽可能靠近器件的位置，以最大程度地降低杂散寄生效应。  
11.2 布局示例  
图 70. LM732xx 布局示例  
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27  
LM7321, LM7322  
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12 器件和文档支持  
12.1 相关链接  
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件以及申请样片或购买产品的快速访问  
链接。  
表 2. 相关链接  
器件  
产品文件夹  
单击此处  
单击此处  
样片与购买  
单击此处  
单击此处  
技术文档  
单击此处  
单击此处  
工具和软件  
单击此处  
单击此处  
支持和社区  
单击此处  
单击此处  
LM7321  
LM7322  
12.2 社区资源  
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，  
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。  
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在  
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。  
设计支持  
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。  
12.3 商标  
E2E is a trademark of Texas Instruments.  
All other trademarks are the property of their respective owners.  
12.4 静电放电警告  
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损  
伤。  
12.5 术语表  
SLYZ022 — TI 术语表。  
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。  
13 机械、封装和可订购信息  
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，且  
不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请参阅左侧的导航栏。  
28  
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PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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20-Jun-2023  
PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
LM7321MA/NOPB  
LM7321MAX/NOPB  
LIFEBUY  
SOIC  
SOIC  
D
D
8
8
95  
RoHS & Green  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
LM732  
1MA  
ACTIVE  
2500 RoHS & Green  
SN  
LM732  
1MA  
Samples  
LM7321MF/NOPB  
LM7321MFE/NOPB  
LM7321MFX/NOPB  
LIFEBUY  
LIFEBUY  
ACTIVE  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
DBV  
DBV  
DBV  
5
5
5
1000 RoHS & Green  
SN  
SN  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
AU4A  
AU4A  
AU4A  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
Samples  
Samples  
LM7321QMF/NOPB  
LM7321QMFE/NOPB  
LM7321QMFX/NOPB  
LIFEBUY  
LIFEBUY  
ACTIVE  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
DBV  
DBV  
DBV  
5
5
5
1000 RoHS & Green  
SN  
SN  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
AR8A  
AR8A  
AR8A  
250  
RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
LM7322MA/NOPB  
LM7322MAX/NOPB  
LM7322MM/NOPB  
LIFEBUY  
ACTIVE  
ACTIVE  
SOIC  
SOIC  
D
D
8
8
8
95  
RoHS & Green  
SN  
SN  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
LM732  
2MA  
2500 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
LM732  
2MA  
Samples  
Samples  
VSSOP  
DGK  
AZ4A  
LM7322MME/NOPB  
LM7322QMA/NOPB  
LIFEBUY  
LIFEBUY  
VSSOP  
SOIC  
DGK  
D
8
8
250  
95  
RoHS & Green  
RoHS & Green  
SN  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
-40 to 125  
AZ4A  
LM732  
2QMA  
LM7322QMAX/NOPB  
ACTIVE  
SOIC  
D
8
2500 RoHS & Green  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
LM732  
2QMA  
Samples  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Addendum-Page 1  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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20-Jun-2023  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF LM7321, LM7321-Q1, LM7322, LM7322-Q1 :  
Catalog : LM7321, LM7322  
•
Automotive : LM7321-Q1, LM7322-Q1  
•
NOTE: Qualified Version Definitions:  
Catalog - TI's standard catalog product  
•
Automotive - Q100 devices qualified for high-reliability automotive applications targeting zero defects  
•
Addendum-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
5-Jan-2022  
TAPE AND REEL INFORMATION  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Package Pins  
Type Drawing  
SPQ  
Reel  
Reel  
A0  
B0  
K0  
P1  
W
Pin1  
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant  
(mm) W1 (mm)  
LM7321MAX/NOPB  
LM7321MF/NOPB  
SOIC  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOIC  
D
8
5
5
5
5
5
5
8
8
8
8
2500  
1000  
250  
330.0  
178.0  
178.0  
178.0  
178.0  
178.0  
178.0  
330.0  
178.0  
178.0  
330.0  
12.4  
8.4  
6.5  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
6.5  
5.3  
5.3  
6.5  
5.4  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
5.4  
3.4  
3.4  
5.4  
2.0  
1.4  
1.4  
1.4  
1.4  
1.4  
1.4  
2.0  
1.4  
1.4  
2.0  
8.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
12.0  
8.0  
Q1  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q1  
Q1  
Q1  
Q1  
DBV  
DBV  
DBV  
DBV  
DBV  
DBV  
D
LM7321MFE/NOPB  
LM7321MFX/NOPB  
LM7321QMF/NOPB  
LM7321QMFE/NOPB  
LM7321QMFX/NOPB  
LM7322MAX/NOPB  
LM7322MM/NOPB  
LM7322MME/NOPB  
LM7322QMAX/NOPB  
8.4  
8.0  
3000  
1000  
250  
8.4  
8.0  
8.4  
8.0  
8.4  
8.0  
3000  
2500  
1000  
250  
8.4  
8.0  
12.4  
12.4  
12.4  
12.4  
12.0  
12.0  
12.0  
12.0  
VSSOP  
VSSOP  
SOIC  
DGK  
DGK  
D
2500  
Pack Materials-Page 1  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
5-Jan-2022  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Type Package Drawing Pins  
SPQ  
Length (mm) Width (mm) Height (mm)  
LM7321MAX/NOPB  
LM7321MF/NOPB  
SOIC  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOT-23  
SOIC  
D
8
5
5
5
5
5
5
8
8
8
8
2500  
1000  
250  
367.0  
208.0  
208.0  
208.0  
208.0  
208.0  
208.0  
367.0  
208.0  
208.0  
367.0  
367.0  
191.0  
191.0  
191.0  
191.0  
191.0  
191.0  
367.0  
191.0  
191.0  
367.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
DBV  
DBV  
DBV  
DBV  
DBV  
DBV  
D
LM7321MFE/NOPB  
LM7321MFX/NOPB  
LM7321QMF/NOPB  
LM7321QMFE/NOPB  
LM7321QMFX/NOPB  
LM7322MAX/NOPB  
LM7322MM/NOPB  
LM7322MME/NOPB  
LM7322QMAX/NOPB  
3000  
1000  
250  
3000  
2500  
1000  
250  
VSSOP  
VSSOP  
SOIC  
DGK  
DGK  
D
2500  
Pack Materials-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
5-Jan-2022  
TUBE  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Name Package Type  
Pins  
SPQ  
L (mm)  
W (mm)  
T (µm)  
B (mm)  
LM7321MA/NOPB  
LM7322MA/NOPB  
LM7322QMA/NOPB  
D
D
D
SOIC  
SOIC  
SOIC  
8
8
8
95  
95  
95  
495  
495  
495  
8
8
8
4064  
4064  
4064  
3.05  
3.05  
3.05  
Pack Materials-Page 3  
PACKAGE OUTLINE  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
C
3.0  
2.6  
0.1 C  
1.75  
1.45  
1.45  
0.90  
B
A
PIN 1  
INDEX AREA  
1
2
5
(0.1)  
2X 0.95  
1.9  
3.05  
2.75  
1.9  
(0.15)  
4
3
0.5  
5X  
0.3  
0.15  
0.00  
(1.1)  
TYP  
0.2  
C A B  
NOTE 5  
0.25  
GAGE PLANE  
0.22  
0.08  
TYP  
8
0
TYP  
0.6  
0.3  
TYP  
SEATING PLANE  
4214839/G 03/2023  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. Refernce JEDEC MO-178.  
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not  
exceed 0.25 mm per side.  
5. Support pin may differ or may not be present.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (1.1)  
1
5
5X (0.6)  
SYMM  
(1.9)  
2
3
2X (0.95)  
4
(R0.05) TYP  
(2.6)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:15X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
EXPOSED METAL  
EXPOSED METAL  
0.07 MIN  
ARROUND  
0.07 MAX  
ARROUND  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4214839/G 03/2023  
NOTES: (continued)  
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (1.1)  
1
5
5X (0.6)  
SYMM  
(1.9)  
2
3
2X(0.95)  
4
(R0.05) TYP  
(2.6)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL  
SCALE:15X  
4214839/G 03/2023  
NOTES: (continued)  
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
www.ti.com  
PACKAGE OUTLINE  
D0008A  
SOIC - 1.75 mm max height  
SCALE 2.800  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
C
SEATING PLANE  
.228-.244 TYP  
[5.80-6.19]  
.004 [0.1] C  
A
PIN 1 ID AREA  
6X .050  
[1.27]  
8
1
2X  
.189-.197  
[4.81-5.00]  
NOTE 3  
.150  
[3.81]  
4X (0 -15 )  
4
5
8X .012-.020  
[0.31-0.51]  
B
.150-.157  
[3.81-3.98]  
NOTE 4  
.069 MAX  
[1.75]  
.010 [0.25]  
C A B  
.005-.010 TYP  
[0.13-0.25]  
4X (0 -15 )  
SEE DETAIL A  
.010  
[0.25]  
.004-.010  
[0.11-0.25]  
0 - 8  
.016-.050  
[0.41-1.27]  
DETAIL A  
TYPICAL  
(.041)  
[1.04]  
4214825/C 02/2019  
NOTES:  
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.  
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not  
exceed .006 [0.15] per side.  
4. This dimension does not include interlead flash.  
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
D0008A  
SOIC - 1.75 mm max height  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
8X (.061 )  
[1.55]  
SYMM  
SEE  
DETAILS  
1
8
8X (.024)  
[0.6]  
SYMM  
(R.002 ) TYP  
[0.05]  
5
4
6X (.050 )  
[1.27]  
(.213)  
[5.4]  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:8X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
EXPOSED  
METAL  
EXPOSED  
METAL  
.0028 MAX  
[0.07]  
.0028 MIN  
[0.07]  
ALL AROUND  
ALL AROUND  
SOLDER MASK  
DEFINED  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK DETAILS  
4214825/C 02/2019  
NOTES: (continued)  
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
D0008A  
SOIC - 1.75 mm max height  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
8X (.061 )  
[1.55]  
SYMM  
1
8
8X (.024)  
[0.6]  
SYMM  
(R.002 ) TYP  
[0.05]  
5
4
6X (.050 )  
[1.27]  
(.213)  
[5.4]  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL  
SCALE:8X  
4214825/C 02/2019  
NOTES: (continued)  
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
www.ti.com  
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