LMV641MAX/NOPB [TI]
10MHz、12V 低功率放大器 | D | 8 | -40 to 125;
| 型号： | LMV641MAX/NOPB |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 10MHz、12V 低功率放大器 | D | 8 | -40 to 125 放大器 功率放大器 光电二极管 |
| 文件： | 总38页 (文件大小：2023K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Support &
Community
Product
Folder
Order
Now
Tools &
Software
Technical
Documents
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
LMV641 10MHz，12V，低功耗放大器
1 特性
3 说明
1
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
指定的 2.7V 和 ±5V 性能
LMV641 是一款低功耗、宽带宽运算放大器，其扩展
电源电压范围为 2.7V 到 12V。
低功耗电源电流：138µA
高单位带宽增益积：10MHz
最大输入失调电压：500µV
CMRR：120dB
该器件 的 增益带宽积为 10MHz，且在 138µA 的典型
电源电流下具有单位增益稳定性。其他主要规格如
下：PSRR 为 105dB、CMRR 为 120dB、VOS 为
500µV、输入参考电压噪声为 14nV/√Hz 以及 THD 为
0.002%。此款放大器具有一个轨至轨输出级和一个包
括负电源的共模输入电压。
PSRR：105dB
输入参考电压噪声：14nV/√Hz
1/f 转角频率：4Hz
2kΩ 负载下以电源轨为基准的输出摆幅为 40mV
总谐波失真：1kHz、2kΩ 时为 0.002%
温度范围 -40°C 至 125°C
LMV641 器件可在 −40°C 到 +125°C 的温度范围内运
行，同时提供可节省电路板空间的 5 引脚 SC70、
SOT-23 和 8 引脚 SOIC 封装。
2 应用范围
器件信息(1)
•
•
•
便携式设备
器件型号
封装
SOIC (8)
封装尺寸（标称值）
4.90mm x 3.91mm
2.90mm × 1.60mm
2.00mm × 1.25mm
电池供电系统
传感器和仪表
LMV641
SOT-23 (5)
SC70 (5)
(1) 要了解所有可用封装，请参见产品说明书末尾的可订购产品附
录。
失调电压分布图
开环增益和相位与频率间的关系
20
UNITS TESTED = 12,000
+
-
180
150
120
90
180
150
V
= +5V
18
16
+
-
V
= +6V
V = -5V
V = -6V
V
CM
= 0V
R
C
= 10 kW
14
12
L
L
120
90
60
30
0
T
A
= 25°C
PHASE
= 20 pF
10
GAIN
60
8
6
30
4
0
2
0
-30
-60
-30
-60
-400 -300 -200 -100
0
100 200 300 400
100k
FREQUENCY (Hz)
10M
100
10k
1M
100M
1k
OFFSET VOLTAGE (mV)
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SNOSAW3
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
目录
7.4 器件功能模式........................................................... 14
应用和实现............................................................. 16
8.1 应用信息.................................................................. 16
8.2 典型 应用................................................................. 16
电源相关建议 ......................................................... 22
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1
应用范围................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
引脚配置和功能........................................................ 3
规格.......................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值 ........................................................ 4
6.2 ESD 额定值............................................................... 4
6.3 建议的工作条件......................................................... 4
6.4 热性能信息 ................................................................ 4
6.5 直流电气特性：2.7V ................................................. 5
6.6 直流电气特性：10V................................................... 6
6.7 典型特性.................................................................... 7
详细 说明................................................................ 13
7.1 概述......................................................................... 13
7.2 功能框图.................................................................. 13
7.3 特性 说明................................................................. 13
8
9
10 布局 ....................................................................... 22
10.1 布局准则................................................................ 22
10.2 布局示例................................................................ 22
11 器件和文档支持 ..................................................... 23
11.1 器件支持 ............................................................... 23
11.2 文档支持 ............................................................... 23
11.3 接收文档更新通知 ................................................. 23
11.4 社区资源................................................................ 23
11.5 商标....................................................................... 23
11.6 静电放电警告......................................................... 23
11.7 Glossary................................................................ 23
12 机械、封装和可订购信息....................................... 23
7
4 修订历史记录
注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。
Changes from Revision C (February 2013) to Revision D
Page
•
•
已添加 ESD 额定值表、特性 说明部分、器件功能模式、应用和实施部分、电源相关建议部分、布局部分、器件和文
档支持部分以及机械、封装和可订购信息部分........................................................................................................................ 1
将封装热阻 (RθJA) 行从建议运行条件移动到热性能信息 ......................................................................................................... 4
Changes from Revision B (February 2013) to Revision C
Page
•
已更改 将美国国家半导体产品说明书的布局更改为 TI 格式................................................................................................... 1
2
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
5 引脚配置和功能
DBV 和 DCK 封装
5 引脚 SOT-23 和 SC70
俯视图
D 封装
8 引脚 SOIC
俯视图
1
8
N/C
N/C
2
3
4
7
6
5
-
V+
-
VIN
+
VIN
VOUT
+
V-
N/C
引脚功能
引脚
类型(1)
说明
名称
SOT-23
SC70
SOIC
VIN
+
-
3
4
1
5
2
3
4
1
5
2
3
2
6
7
4
I
同相输入
反相输入
输出
VIN
I
VOUT
V+
V–
O
P
P
正电源输入
负电源输入
(1) I：输入；O：输出；P：电源
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
3
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
6 规格
6.1 绝对最大额定值
自然通风工作温度范围内（除非另有说明）(1)(2)
最小值
最大值
±0.3
单位
V
差分输入 VID
±0.3
电源电压 (VS = V+ - V−)
13.2
V
输入和输出引脚电压
(3)
(V− −0.3)
V+ +0.3
V
结温
150
°C
°C
存储温度，Tstg
-65
150
(1) 绝对最大额定值表示限值，超过这些限值可能对器件造成损坏。运行额定值表示旨在让器件正常工作但无法保证特定性能的条件。有关保
证的各种规范和测试条件，请参阅电气特性 表。
(2) 如果需要军用/航天专用器件，请与德州仪器 (TI) 销售办事处/分销商联系，以了解可用性和技术规格。
(3) 最大功率损耗是 TJ(MAX, RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功率损耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PC
板的封装。
6.2 ESD 额定值
值
单位
(1)
人体放电模型 (HBM)，
机器放电模式 (MM)
±2000
±200
V(ESD)
静电放电
V
(1) 人体放电模型，适用标准。MIL-STD-883，Method 3015.7。
6.3 建议的工作条件
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
-40
标称值
最大值
125
单位
°C
温度(1)
电源电压 (VS = V+ – V−)
2.7
12
V
(1) 最大功率损耗是 TJ(MAX, RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功率损耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PC
板的封装。
6.4 热性能信息
LMV641
热指标(1)
DBV (SOT-23) DCK (SC70)
D (SOIC)
8 引脚
166
单位
5 引脚
325
5 引脚
456
(2)
RθJA
RθJC(top)
RθJB
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
178.1
60.8
121.8
68.9
93.6
90.9
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
57.7
5.3
38.4
ψJB
60.2
68.1
90.4
RθJC(bot)
不适用
不适用
不适用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅应用报告《半导体和 IC 封装热指标》。
(2) 最大功率损耗是 TJ(MAX, RθJA 的函数。任何环境温度下允许的最大功率损耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ RθJA。所有数字均适用于直接焊接到 PC
板的封装。
4
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
6.5 直流电气特性：2.7V
除非另有说明，否则指定的所有限值均是针对以下条件：TA = 25°C、V+ = 2.7V、V− = 0V、VO = VCM = V+/2 以及 RL > 1 MΩ。
最小值
典型值
最大值
参数
测试条件
单位
(1)
(2)
(1)
TA = 25°C
30
500
750
VOS
输入失调电压
输入失调平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
µV
µV/°C
nA
温度极限
TC VOS
IB
0.1
75
(3)
TA = 25°C
95
110
5
温度极限
IOS
0.9
nA
(3)
(3)
(3)
(3)
TA = 25°C
89
84
114
CMRR
0V ≤ VCM ≤ 1.7V
dB
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
2.7V ≤ V+ ≤ 10V，VCM
0.5
=
=
94.5
92.5
94
105
100
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
2.7V ≤ V+ ≤ 12V，VCM
0.5
92
CMRR ≥ 80dB
CMRR ≥ 68dB
0
1.8
1.8
输入共模电压范围
0
0.3V ≤ VO ≤ 2.4V，RL = 2kΩ 且连接至 V+/2
0.4V ≤ VO ≤ 2.3V，RL = 2kΩ 且连接至 V+/2
82
88
98
78
0.3V ≤ VO ≤ 2.4V，RL
10kΩ 且连接至 V+/2
=
(3)
AVOL
大信号电压增益
dB
TA = 25°C
86
82
0.4V ≤ VO ≤ 2.3V，RL
10kΩ 且连接至 V+/2
=
温度极限
(3)
(3)
(3)
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
42
22
38
18
58
68
35
40
48
58
30
35
RL = 2kΩ 且连接至
V+/2，VIN = 100mV
输出摆幅高
输出摆幅低
RL = 10kΩ 且连接至
V+/2，VIN = 100mV
相对于电
源轨的摆
幅 (mV)
VO
RL = 2kΩ 且连接至
V+/2，VIN = 100mV
RL = 10kΩ 且连接至
V+/2，VIN = 100mV
拉电流
灌电流
22
25
VIN_DIFF = 100mV 且连接
IOUT
拉电流输出和灌电流输出
电源电流
mA
µA
(4)
至 VO = V+/2
(3)
TA = 25°C
138
170
220
IS
温度极限
上升（10% 至 90%）
下降（90% 至 10%）
2.3
1.6
SR
压摆率
AV = 1，VO = 1VPP
V/µs
GBW
en
增益带宽积
10
MHz
输入参考电压噪声
输入参考电流噪声
总谐波失真
f=1kHz
14
nV/√Hz
pA/√Hz
in
f = 1kHz
0.15
0.014%
THD
f = 1kHz，AV = 2，RL = 2kΩ
(1) 限值均在 25ºC 下经过 100% 生产检测。使用统计质量控制 (SQC) 方法通过关联指定工作温度范围的限值。
(2) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材
料的典型值未经过测试且未指定。
(3) 正电流相当于流入器件的电流。
(4) 此部件不受短路保护，所以不建议在低电阻负载下运行。典型特性中提供典型的拉电流输出和灌电流输出曲线，在设计重负载之前应参考
此曲线。
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
5
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
6.6 直流电气特性：10V
除非另有说明，否则指定的所有限值均是针对以下条件：TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VO = VCM = V+/2 以及 RL > 1 MΩ。
最小值
典型值
最大值
参数
测试条件
单位
(1)
(2)
(1)
(3)
TA = 25°C
5
500
750
VOS
输入失调电压
输入失调平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
µV
µV/°C
nA
温度极限
TC VOS
IB
0.1
70
(3)
TA = 25°C
90
105
5
(3)
温度极限
IOS
0.7
nA
(3)
(3)
(3)
(3)
(3)
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
94
90
120
CMRR
0V ≤ VCM ≤ 9V
dB
2.7V ≤ V+ ≤ 10V，VCM
0.5V
=
=
94.5
92.5
94
105
100
PSRR
CMVR
电源抑制比
dB
V
2.7V ≤ V+ ≤ 12V，VCM
0.5V
92
CMRR ≥ 80dB
CMRR ≥ 76dB
0
9.1
9.1
输入共模电压范围
0
0.3V ≤ VO ≤ 9.7V，RL = 2kΩ TA = 25°C
且连接至 V+/2
90
99
0.4V ≤ VO ≤ 9.6V，RL = 2kΩ
温度极限
TA = 25°C
温度极限
85
97
92
且连接至 V+/2
AVOL
大信号电压增益
dB
(3)
0.3V ≤ VO ≤ 9.7V，RL
10kΩ 且连接至 V+/10
0.4V ≤ VO ≤ 9.6V，RL
10kΩ 且连接至 V+/2
=
=
104
(3)
(3)
(3)
(3)
RL = 2kΩ 且连接至 V+/2，VIN
= 100mV
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
TA = 25°C
温度极限
拉电流
68
37
65
32
95
125
55
输出摆幅高
输出摆幅低
RL = 10kΩ 且连接至
V+/2，VIN = 100mV
相对于电
源轨的摆
幅 (mV)
65
VO
RL = 2kΩ 且连接至 V+/2，VIN
= 100mV
90
110
42
RL = 10kΩ 且连接至
V+/2，VIN = 100mV
52
26
112
158
VIN_DIFF = 100mV
IOUT
拉电流输出和灌电流输出
电源电流
mA
µA
(4)
且连接至 VO = V+/2
灌电流
(3)
TA = 25°C
190
240
IS
温度极限
上升（10% 至 90%）
下降（90% 至 10%）
2.6
1.6
AV = 1，VO = 2V 且连接至
8VPP
SR
压摆率
V/µs
GBW
en
增益带宽积
10
MHz
输入参考电压噪声
输入参考电流噪声
总谐波失真
f=1kHz
14
nV/√Hz
pA/√Hz
in
f = 1kHz
0.15
0.002%
THD
f = 1kHz，AV = 2，RL = 2kΩ
(1) 限值均在 25ºC 下经过 100% 生产检测。使用统计质量控制 (SQC) 方法通过关联指定工作温度范围的限值。
(2) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材
料的典型值未经过测试且未指定。
(3) 正电流相当于流入器件的电流。
(4) 此部件不受短路保护，所以不建议在低电阻负载下运行。典型特性中提供典型的拉电流输出和灌电流输出曲线，在设计重负载之前应参考
此曲线。
6
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
6.7 典型特性
除非另有说明，否则 TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VCM = VS/2。
220
40
125°C
200
180
160
140
20
0
-40°C
25°C
-20
-40
25°C
120
100
80
-40°C
125°C
-60
-80
60
40
-100
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUPPLY VOLTAGE (V)
图 1. 电源电流与电源电压间的关系
图 2. 失调电压与电源电压间的关系
0
50
+
-
-40°C
V
V
= +5V
= 0V
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
40
30
-40°C
20
10
25°C
0
25°C
-10
-20
125°C
-30
+
-
V
V
= +2.7V
= 0V
-40
-50
125°C
3.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
(V)
3
4
0
0.2 0.4 0.6 0.8
V
1
1.2 1.4 1.6 1.8
V
CM
(V)
CM
图 3. 失调电压与 VCM 间的关系
图 4. 失调电压与 VCM 间的关系
50
40
30
20
10
0
50
40
30
20
+
+
V
V
= +10V
= 0V
V
V
= +12V
= 0V
-
-
-40°C
-40°C
10
0
25°C
25°C
-10
-10
-20
-30
-20
-30
-40
-50
125°C
-40
-50
125°C
6
0
1
3
4
5
7
8
2
9
6
7
8
2
3
4
5
9 11
10
1
0
V
(V)
V
CM
(V)
CM
图 6. 失调电压与 VCM 间的关系
图 5. 失调电压与 VCM 间的关系
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
7
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VCM = VS/2。
20
20
18
16
+
UNITS TESTED = 12,000
UNITS TESTED = 12,000
+
-
V
V
V
= +1.35V
= -1.35V
V
V
V
= +5V
= -5V
18
16
-
= 0V
CM
= 0V
CM
14
12
14
12
T
A
= 25°C
T = 25°C
A
10
10
8
6
8
6
4
4
2
0
2
0
-400 -300 -200 -100
0
100 200 300 400
-400 -300 -200 -100
0
100 200 300 400
OFFSET VOLTAGE (mV)
OFFSET VOLTAGE (mV)
图 7. 失调电压分布图
图 8. 失调电压分布图
160
140
120
100
80
130
110
80
+
+PSRR
V
V
= 5V
+
-
V
V
= +5V
= -5V
= 5V
-
R
= 1 kW
L
-PSRR
+
70
50
V
V
= +5V
-
= -5V
-PSRR
+
V
V
= +1.35V
60
-
= -1.35V
30
40
+PSRR
+
10
V
V
= +1.35V
= -1.35V
20
-
0
-10
10
10
100
1k
100k
1M
10M
10k
1k
10k 100k
1M
10M
100
FREQUENCY (Hz)
FREQUENCY (Hz)
图 9. CMRR 与频率间的关系
图 10. PSRR 与频率间的关系
100
95
90
85
80
75
70
65
60
55
50
100
95
90
85
80
75
70
+
+
V
V
= +2.7V
V
V
= +10V
-
-
= 0V
= 0V
125°C
125°C
25°C
25°C
-40°C
65
60
-40°C
55
50
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
6
0
1
3
4
5
7
8
2
9
V
(V)
CM
V
CM
(V)
图 11. 输入偏置电流与 VCM 间的关系
图 12. 输入偏置电流与 VCM 间的关系
8
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VCM = VS/2。
180
150
120
90
180
180
180
150
150
150
120
90
PHASE
PHASE
120
90
60
30
0
120
90
60
30
0
C
= 20 pF
C = 20 pF
L
L
C
= 100 pF
C = 100 pF
L
L
60
60
GAIN
C
L
= 50 pF
GAIN
C = 50 pF
L
30
30
+
-
0
0
+
-
V
V
= +5V
= -5V
V
V
= +1.35V
= -1.35V
= 2 kW
C
= 100 pF
C
L
= 100 pF
L
-30
-60
-30
-60
-30
-60
-30
-60
C
L
= 50 pF
C = 50 pF
L
R
L
= 2 kW
R
L
100k
10M
100k
FREQUENCY (Hz)
10M
100
1k
10k
1M
100M
100
1k
10k
1M
100M
FREQUENCY (Hz)
图 13. 带容性负载的开环增益和相位
图 14. 带容性负载的开环增益和相位
180
150
120
90
180
150
120
90
180
180
150
150
+
V
V
= +5V
= -5V
PHASE
PHASE
120
120
90
60
30
0
-
R
= 2 kW
L
90
60
30
0
60
60
GAIN
+
GAIN
R
= 10 kW
L
30
30
0
0
V
V
= +6V
R
= 10 kW
+
-
L
-
V
V
= +1.35V
= -1.35V
= -6V
R
= 2 kW
-30
-60
L
L
-30
-60
-30
-60
-30
-60
R
= 2 kW
L
C
= 20 pF
C
= 20 pF
L
100k
FREQUENCY (Hz)
10M
100k
FREQUENCY (Hz)
10M
100
1k
10k
1M
100M
100
1k
10k
1M
100M
图 15. 带电阻负载的开环增益和相位
图 16. 带电源电压的开环增益和相位
1000
100
10
1000
+
-
V
V
A
= +5V
= -5V
= +1
100
10
V
NOISE VOLTAGE
1
0.1
1
0.10
0.01
10k
FREQUENCY (Hz)
1M
10M
100
FREQUENCY (Hz)
10k
10
100
1k
100k
1
10
1k
100k
图 17. 输入参考噪声电压与频率间的关系
图 18. 闭环输出阻抗与频率间的关系
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
9
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VCM = VS/2。
0.1
0.1
0.01
+
-
V
V
V
A
= +5V
= -5V
= 1 V
= +2
IN
V
PP
R
= 2 kW
L
R
L
= 2 kW
0.01
R
L
= 10 kW
+
-
0.001
V
V
V
A
= +1.35V
= -1.35V
R
= 10 kW
L
= 1 V
= +2
IN
V
PP
0.001
0.0001
10
100
1k
10k
FREQUENCY (Hz)
100k
10
100
1k
10k
100k
FREQUENCY (Hz)
图 19. THD+N 与频率间的关系
图 20. THD+N 与频率间的关系
1
1
0.1
0.1
0.01
R
= 100 kW
R
= 2 kW
L
L
R
= 2 kW
+
-
+
-
L
0.01
V
V
V
A
= +1.35V
= -1.35V
V
V
V
A
= +5V
= -5V
= 1 kHz SINE WAVE
= 1 kHz SINE WAVE
= +2
IN
V
IN
V
R
L
= 10 kW
= +2
0.001
0.001
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
V
OUT
(V)
V
OUT
(V)
图 21. THD+N 与 VOUT 间的关系
图 22. THD+N 与 VOUT 间的关系
35
30
25
120
100
+
+
V
= V /2
V
= V /2
OUT
OUT
25°C
80
60
40
-40°C
20
15
-40°C
25°C
125°C
10
5
20
0
125°C
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUPPLY VOLTAGE (V)
图 24. 灌电流与电源电压间的关系
图 23. 拉电流与电源电压间的关系
10
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VCM = VS/2。
45
+
25
+
V
V
= +1.35V
= -1.35V
V
V
= +1.35V
= -1.35V
25°C
40
35
30
25
20
15
10
5
-
-
20
15
10
-40°C
-40°C
25°C
125°C
125°C
5
0
0
1
2
0
0.5
1.5
2.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
FROM RAIL (V)
OUT
V
FROM RAIL (V)
OUT
图 25. 拉电流与 VOUT 间的关系
图 26. 灌电流与 VOUT 间的关系
1.5
35
+
V
V
= +5V
= -5V
-
30
25
20
15
10
5
1
0.5
0
25°C
+
-40°C
V
V
= +5V
= -5V
-
C
= 15 pF, A = +1
V
L
125°C
V
= 2 V , 20 kHz
PP
IN
-0.5
-1
-1.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
20
40
60
80
100
V
FROM RAIL (V)
TIME (ms)
OUT
图 28. 大信号瞬态
图 27. 拉电流与 VOUT 间的关系
30
25
30
25
20
15
10
+
-
+
C
V
= 125 pF, A = +1
V
C
= 15 pF, A = +1
L V
V
V
= +5V
= -5V
L
V
V
= +5V
= -5V
-
= 20 mV , 20 kHz
V
= 20 mV , 20 kHz
IN PP
IN
PP
20
15
10
5
0
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-5
-10
-15
-20
0
20
40
60
80
100
40
TIME (ms)
0
60
70
20
80
TIME (ms)
图 30. 小信号瞬态响应
图 29. 小信号瞬态响应
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
11
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
典型特性 (接下页)
除非另有说明，否则 TA = 25°C、V+ = 10V、V− = 0V、VCM = VS/2。
100
100
90
80
70
60
R
L
= 2 kW
R = 2 kW
L
90
80
70
60
125°C
125°C
25°C
25°C
-40°C
50
40
30
50
40
30
-40°C
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUPPLY VOLTAGE (V)
图 31. 高侧输出摆幅与电源电压间的关系
图 32. 低侧输出摆幅与电源电压间的关系
50
50
R
L
= 10 kW
R = 10 kW
L
45
40
35
30
45
40
35
30
125°C
-40°C
25°C
125°C
-40°C
25°C
25
20
15
25
20
15
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12
SUPPLY VOLTAGE (V)
SUPPLY VOLTAGE (V)
图 33. 高侧输出摆幅与电源电压间的关系
图 34. 输出摆幅低与电源电压间的关系
3
RISING
2.5
2
1.5
1
FALLING
0.5
R
C
= 1 MW
L
L
= 20 pF
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
SUPPLY VOLTAGE (V)
图 35. 压摆率与电源电压间的关系
12
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
7 详细 说明
7.1 概述
LMV641 是一款宽带宽、低功耗运算放大器，其扩展电源电压范围为 2.7V 到 12V。此器件在 10MHz 的增益带宽
积下具有稳定的单位增益。在 138µA 的典型电源电流下运行时，PSRR 为 105dB、CMRR 为 120dB、VOS 为
500µV、输入参考电压噪声为 14nV/√Hz 以及 THD 为 0.002%。此款放大器具有一个轨至轨输出级和一个包括负电
源的共模输入电压。
7.2 功能框图
+
V
œ
œ
IN
IN
OUT
+
+
œ
V
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
7.3 特性 说明
7.3.1 低电压和低功耗操作
在电源电压为 2.7V 和 10V 时，LMV641 的性能能够得到保证。确保可以在 2.7V 和 12V 之间的所有电源电压之间
正常工作。LMV641 消耗的电源电流低至 138µA。LMV641 提供低电压和低功耗放大功能，这对于便携式 应用至
关重要。
7.3.2 宽带宽
尽管消耗了 138µA 的极低电源电流，但 LMV641 可以提供 10MHz 的宽单位带宽增益积。这很容易成为实现的最
佳带宽功率比之一，并允许此运算放大器在使用最小功率量的情况下提供宽带放大功能。这使得 LMV641 非常适合
低功耗信号处理 应用， 如便携式媒体播放器和其他附件。
7.3.3 低输入参考噪声
LMV641 提供的平带输入参考电压噪声密度为 14nV/Hz，这显著优于低功耗运算放大器的预期噪声性能。此款运算
放大器还具有非常低的 1/f 噪声，1/f 噪声转角频率低至 4Hz。因此，LMV641 非常适合低功耗 应用， 这些应用需
要适当的噪声性能，如 PDA 和便携式传感器。
7.3.4 地面感应和轨至轨输出
LMV641 具有一个轨至轨输出级，这可提供尽可能最大的输出动态范围。这对于需要大输出摆幅的 应用 尤其重
要。此部件的输入共模范围包括负电源轨，允许在单电源供电时直接感应地面。
7.3.5 小型尺寸
LMV641 采用小尺寸封装，可以节省印刷电路板空间，从而打造出更小、更紧凑的电子产品设计。信号源和运算放
大器之间的较长迹线使得信号路径易受噪声的影响。通过使用物理上更小的封装，可将这些运算放大器放置在更靠
近信号源的位置，从而降低噪声拾取、增强信号完整性。
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
13
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
7.4 器件功能模式
7.4.1 运算放大器电路的稳定性
如果根据输出端的容性负载 (CL) 绘制 LMV641 的相位裕度，并且 CL 增加到 100pF 以上，则相位裕度会显著减
小。这是因为，运算放大器旨在为低电源电流提供尽可能最大的带宽。要稳定 LMV641 以获得更高的容性负载，将
需要急剧增加电源电流，或需要高容值内部补偿电容，从而将会减少带宽。因此，如果将此器件用于驱动更高的容
性负载，则必须进行外部补偿。
STABLE
ROC œ 20 dB/decade
UNSTABLE
ROC = 40 dB/decade
0
FREQUENCY (Hz)
图 36. 运算放大器的增益与频率间的关系
理想情况下，运算放大器的主极点应接近直流，从而导致其增益相对于频率以 20dB/十倍频的速率衰减。如果此衰
减率（又称为接近率 (ROC)）在运算放大器的单位带宽增益积之前保持不变，则说明此运算放大器是稳定的。但
是，如果将大电容添加至运算放大器的输出端，则它将结合运算放大器的输出抗阻，从而在其单位增益频率之前在
其频率响应中形成另一个极点（图 36）。这样一来，ROC 会提高至 40dB/十倍频，并引起不稳定。
在这种情况下，可以使用一些技术来恢复电路的稳定性。所有这些方案背后的理念都是更改频率响应，以便可将
ROC 恢复到 20dB/十倍频，从而确保稳定性。
7.4.1.1 环路补偿
图 37 阐明了一种补偿技术，又称为环路补偿，此技术在反馈环路中采用 RC 反馈电路来稳定同相放大器配置。低
阻值串联电阻 RS 用于隔离放大器输出和负载电容 CL，将低容值电容 CF 插入反馈电阻器，以在出现较高频率时旁
通 CL。
V
IN
+
R
S
R
OUT
-
CL
R
L
C
F
R
F
R
IN
图 37. 环路补偿
14
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
器件功能模式 (接下页)
通过确保来自 CF 的零与来自 CL 的极点处于同一频率，来确定 RS 和 CF 的值。这可以确保通过零的存在来补偿第
二个极点对传递函数的影响，并且将 ROC 维持在 20dB/十倍频。对于图 37 中显示的电路，RS 和 CF 的值都由公
式 1 给定。维持 CL 不同值的稳定性所需的 RS 和 CF 的值，以及获得的相位裕度都显示在表 1 中。RF 和 RIN 都为
10kΩ，RL 为 2kΩ，而 ROUT 为 680Ω。
RS = ROUTRIN
RF
«
∆
≈
∆
∆
«
RF + 2RIN
∆
CF =
CLROUT
≈
2
RF
(1)
表 1. 环路补偿稳定性
CL (nF)
0.5
RS (Ω)
680
CF (pF)
相位裕度 (°)
17.4
10
20
30
1
680
12.4
1.5
680
10.1
LMV641 能够在不振荡的情况下驱动高达 1nF 的大型容性负载，但如果负载超过 1nF，则建议使用补偿。使用这种
方法将减少任何过度的振铃，并有助于保持稳定的相位裕度。上面列出的补偿网络的值阐明了作为容性负载函数的
相位裕度降级。
尽管此方法可以为任何负载电容提供电路稳定性，但却以带宽为代价。电路的闭环带宽现在受限于 RF 和 CF。
7.4.1.2 外部电阻器补偿
在某些 应用中 ，在不影响带宽的情况下驱动容性负载至关重要。在这种情况下，环路补偿不是可行方案。图 38 中
显示了更简单的补偿方案。将电阻器 RISO 串联在负载电容和输出之间。这在电路传递函数中引入一个零，可以抵
消负载电容形成的极点的影响，并确保稳定性。应根据 CL 的尺寸和需要的性能水平来确定要使用的 RISO 的值。从
5Ω 到 50Ω 的值通常都足以确保稳定性。较大的 RISO 值将导致系统出现较少的振铃和过冲，但也会限制电路的输
出摆幅和短路电流。
R
SO
V
OUT
V
IN
C
L
图 38. 隔离电阻器补偿
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
15
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
8 应用和实现
注
以下 应用 部分的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。客户应负责确定
TI 组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统功能。
8.1 应用信息
LMV641 是一款低功耗、低噪声、宽带宽运算放大器，其扩展电源电压范围为 2.7V 到 12V。LMV641 具有 10MHz
的增益带宽，14nV/√Hz 的输入参考噪声，138μA 的电源电流，非常适合在高增益下放大时 需要 精度的便携式应
用。
8.2 典型 应用
8.2.1 高增益、低功耗反相放大器
C
R
F
R
1
2
C
C1
1 kW
100 kW
+
C
V
C2
IN
-
-
+
+
-
R
B1
V
OUT
+
V
R
B2
R2
-
= -100
AV
=
R1
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
图 39. 高增益反相放大器
8.2.1.1 设计要求
由于具备宽单位增益带宽，因此这些部件可在广泛频率范围内提供较大增益，同时驱动低至 2kΩ 的负载，而失真率
低于 0.003%。
8.2.1.2 详细设计流程
图 39 是反相放大器，具有 100kΩ 的反馈电阻器 R2 和 1kΩ 的输入电阻器 R1，并提供 −100 的增益。借助
LMV641，这些电路可以提供 −100 的增益，具有 120kHz 的 −3dB 带宽，而静态电流低至 116µA。可以添加耦合
电容器 CC1 和 CC2 来隔离电路和直流电压，而 RB1 和 RB2 提供直流偏置。还可以添加反馈电容器 CF 来改善补
偿。
16
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
典型 应用 (接下页)
8.2.1.3 应用曲线
Vout (1V/div)
Vin (10mV/div)
150 200
0
50
100
Time (us)
C001
图 40. 高增益反相放大器结果
8.2.2 各向异性磁阻传感器
BRIDGE TEMPCO COMPENSATION NETWORK
R
A
R
B
STANDOFF DISTANCE
+
580W
1%
+
V
V
+
V
R
TH
24.5 kW
1%
-
U1
B
LMV641
-
V
LMV641
+
OUT
U2
+
TO ADC or
METER
24.5 kW
1%
CIRCUITRY
G = 23.2
BW
568 kW
= 431 kHz
-3 dB
I
(AC or DC)
1%
HONEYWELL
HMC1051Z
or EQUIVALENT
FROM mAs TO 20A
0.1 mF
20 kW
+
9V
ALKALINE
BATTERY
V
CONDUCTOR TO BE
CURRENT MEASURED
20 kW
5 kW
OFFSET TRIM
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
图 41. 使用各向异性磁阻传感器进行非接触式电流感应的电池供电系统
8.2.2.1 设计要求
LMV641 具有低工作电流，是电池供电应用的 理想选择。图 41 显示了采用磁场传感器的便携式应用中的两个
LMV641。LMV641 控制来自各向异性磁阻 (AMR) 传感器的输出。传感器以惠斯通电桥的方式排列。这种类型的传
感器可用于通过测量从电线发出的磁通量密度 B 来精确测量流入电线的电流（无论直流还是交流）。
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
17
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
典型 应用 (接下页)
8.2.2.2 详细设计流程
在此电路中，使用 9V 碱性电池可以将 LMV641 的高电压和低电源电流用于低功耗、便携式电流感应应用。传感器
将敏感方向上的入射磁场（通过磁链）转换为平衡电压输出。LMV641 可用于中等到高电流感应 应用 （从几毫安
到 20A），这些应用使用附近的外部导体将感应到的磁场提供给电桥。电路显示用作电流传感器的 Honeywell
HMC1051。请注意，电路必须基于感应到的导体相对于测量电桥的最终位移进行校准。通常情况下，恰当定向传
感器之后，就会测量相对应的导体，可将导体放置在距离电桥一厘米的位置，导体拥有从几十毫安到 20 安培以上
的合理测量功能。
在图 41 中，将 U1 配置为单个差分输入放大器。其输入阻抗相对较低，但要求在增益计算中考虑传感器的源阻
抗。此外，电桥上的不对称负载将产生小失调电压，此电压可使用图 41 中显示的失调修正电路进行取消。
图 42 显示了典型的磁阻惠斯通电桥和其电阻元件的戴维南等效元件。正如我们将看到的，传感器的戴维南等效模
型对于计算差分放大器所需的增益很有用。
V
EXC
R + DR
R - DR
R - DR
R + DR
SIG -
SIG +
(a)
R/
2
SIG +
SIG -
+
-
R/
2
WITH DR << R,
+
-
ö
THEN R
R/
2
TH
THUS,
V
± V
SIG
EXC
V
=
TH±
2
(b)
图 42. (a) 是各向异性磁阻惠斯通电桥传感器，
(b) 是戴维南等效电路
使用戴维南定理，可将电桥减少到两个具有串联电阻的电压源。与 R 相比，ΔR 通常非常小，因此，可以把戴维南
等效电阻（通常称为源电阻）当作 R。在 VEXC 和接地之间应用偏置电压时，在没有磁场的情况下，所有电阻都被
认为是相等的。Sig+ 和 Sig− 处的电压是半 VEXC，或者 4.5V，而 Sig+ - Sig− = 0。电桥的设计原理如下，处在磁
场中时，电桥中的相反电阻以与磁场强度成比例的量变化 ±ΔR。这将导致电桥的输出差分电压从半 VEXC 值发生变
化。因此，Sig+ - Sig− = Vsig ≠ 0。借助四个有源元件，输出电压如下：
18
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
典型 应用 (接下页)
DR
R
VSIG = VEXC
x
(2)
因为 ΔR 与磁场强度 BS 成比例，所以来自传感器的输出电压量是传感器敏感度 S 的函数。该表达式可以重写为以
下表达式：
VSIG = VEXC · S · BS
其中
•
•
S = 材料常数（通常为 1mV/V/高斯）
BS = 磁通（以高斯为单位）
(3)
图 43 显示了单运算放大器、差分放大器的简单示意图。传感器的戴维南等效电路可用于计算此放大器的增益。
R
4
R
2
SIG -
-
R
R
4
V
O
= [(SIG + ) œ (SIG -)]
2
SIG +
+
R
1
R
3
R
= R = R = R
2 3 4
1
图 43. 差分输入放大器
Honeywell HMC1051Z AMR 传感器具有额定 1kΩ 的元件，敏感度为 1mV/V/高斯，可与 9V 的励磁配合使用，而
满量程磁场范围为 ±6 高斯。在满量程时，电阻器的 ΔR ≈ 12Ω，可以看到从 Sig− 到 Sig+ 为 108mV（参见图
44）。
9V
1012W
988W
988W
SIG + = 4.554V
1012W
V
SIG
= 108 mV
SIG - = 4.446V
图 44. 无负载时的传感器输出
参阅图 43 中的简单示意图，假设放大器输出端所需的满量程为 2.5V，则 UI 需要的增益为 23.2。从图 45 中的戴
维南等效电路了解到，传感器戴维南等效源电阻 RTHEV (500Ω) 将与 LMV641 的反相和同相输入进行串联。因此，
所需的增益如下：
R4
= 23.2
AVCL
=
RTHEV + R2
(4)
19
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
典型 应用 (接下页)
选择 R1 = R2 = 24.5kΩ，然后 R4 大概为 580kΩ。选择的实际值将取决于后续电路满量程需求以及带宽要求。此处
显示的值提供大概为 431kHz 的 −3dB 带宽，如下所示。
GAIN-BANDWIDTH PRODUCT
10 MHz
23.2
= 431 kHz
=
BW
=
-3 dB
A
VCL
580 kW
SENSOR
24.5 kW
24.5 kW
500W
4.446V
4.554V
-
LMV641
V = 2.50V
O
+
500W
580 kW
图 45. 戴维南等效显示所需增益
通过为 R1 和 R2选择输入电阻值（这些值是电桥元件电阻的四到十倍），可以最大程度地减少电桥的负载，并且可
将运算放大器级引起的失调误差降至最小。这些电阻器应具有 1%（或更少）的公差，从而实现出色的噪声抑制和
失调最小化。
再次参阅 图 41，U2 是在反馈环路中具有热敏电阻元件 RTH 的其他增益级。它执行电桥的温度补偿功能，使其可
以在宽范围的工作温度下具有更高的精度。借助磁阻传感器，电桥敏感度的温度漂移为负向且呈线性，就此处使用
的传感器而言，标称为 −3000PP/M。因此，U2 的增益需要根据比例随着温度升高而增加，这表明热敏电阻具有正
温度系数。温度补偿电阻器 RTH 的选择取决于所需的其他增益、所选择的热敏电阻，还取决于热敏电阻的电阻 %/°
C 频移。为了获得出色的运算放大器兼容性，热敏电阻的电阻应大于 1000Ω。此外，RTH 应低于反馈电阻器 RA。
因为 AMR 电桥的温度系数大部分都是线性的，RTH 还需要符合温度的线性方式，所以将 RA 与RTH 并联放置，这
可用于对热敏电阻进行线性化。
8.2.2.2.1 使用模数转换器时应考虑增益误差和带宽
图 41 提供的带宽取决于驱动模数转换器 (ADC) 所需的系统闭环增益和允许的最大增益误差。如果传感器的输出旨
在驱动 ADC，则闭环转角频率的带宽将大大减少。这是因为在计算总的误差预算时应考虑前置放大器级的增益误
差。放大器的增益误差小于或等于（优先选择较小误差，以便允许可能占用可用误差预算的其他系统误差）ADC
的半 LSB。但是，转角频率为 −3dB 时，任何放大器的增益误差均为 29.3%。实际上，在转角频率达到 −3dB 以
前，增益就开始下降。例如，如果放大器驱动 8 位 ADC，则半个 LSB 允许的最小增益误差大概为 0.2%。为了达
到运算放大器的此增益误差，相关最大频率不得高于
1
- 1 x f-3 dB
«
2
≈
∆
∆
≈
1
2n
∆∆1 -
+1
«
其中
•
n 是 ADC 的位分辨率
•
f−3 dB 是闭环转角频率。
(5)
考虑到 LMV641 具有 10MHz 的 GBW，并在 26.3 的闭环增益下工作，其闭环带宽为 380kHZ，所以
20
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
典型 应用 (接下页)
1
- 1 = 0.062 x f-3 dB
MAX FREQ =
«
2
≈
∆
∆
≈
1
2n
∆∆1 -
+1
«
= 0.062 x 380 kHz = 23.56 kHz
(6)
这是可以使用所需精度进行测量的最高频率。
8.2.3 音频带宽滤波器
大部分可识别语音的能量都在 200Hz 和 4kHz 之间的频率带内。因此，有必要设计传输仅通过某些频率的电话信号
的电路，并消除可能干扰通话并将误差引入控制信号的不需要的信号（噪声）。这些电路的通带被定义为通过的频
率范围。电话系统音频 (VF) 通道的通带为 0Hz 到 4kHz。专门用于人声，大部分能量都处在 300Hz 到 3kHz，此
范围内的任何信号都被认为是带内信号。相反，此范围之外但在 VF 通道内的任何信号都被认为是带外信号。
为正确恢复一些应用（如手机、无线电话和声音寻呼机）中的 语音信号， 可以使用 LMV641 运算放大器实现与人
声频谱匹配的低功耗带通滤波器。图 46 显示了增益为 −1 的多反馈、多极点滤波器（二阶响应）。直流阻断电容
器 C1 和电阻器 R1 设置的较低 3dB 截止频率为 60Hz，上限截止频率为 3.5kHz。
总电流消耗仅 138µA。LV641 工作时的增益为 −1，但电路易于修改，可添加增益。运算放大器由单电源供电，因
此需要通过其同相输入将其输出的失调（共模）调整设置为 ½VS。
此滤波器还适用于 电池供电的 发声玩具和游戏应用。
R
3
5.23 kW
C
3
2.2 nF
VOICE IN
V
S
C
R
R
2
1
1
0.5 mF
5.23 kW
12.1 kW
-
V
LMV641
OUT
C
15 nF
2
+
V /2
S
图 46. 低功耗语音带内接收滤波器，用于电池供电的便携式应用
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
21
LMV641
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
www.ti.com.cn
9 电源相关建议
为了正确运行，必须适当地对电源进行去耦。为了对电源线进行去耦，TI 建议将 10nF 电容器尽可能靠近运算放大
器电源引脚放置。对于单电源，应在 V+ 和 V– 电源引线之间放置一个电容器。对于双电源，应在 V+ 和接地之间
放置一个电容器，并在 V– 和接地之间放置一个电容器。
10 布局
10.1 布局准则
为了正确旁通电源电压，需要考虑印刷电路板上的多个位置。应在放大器的电源被引入电路板的位置放置一个
6.8µF 或更大的钽电容器。应在尽可能靠近放大器电源引脚的位置放置另一个 0.1µF 的陶瓷电容器。如果放大器在
单电源供电的情况下工作，则只需要使用 0.1µF 的电容器旁通 V+ 引脚。如果放大器在双电源供电的情况下工作，
则 V+ 和 V− 引脚都需要旁通。最好在印刷电路板上使用接地平面以为所有组件提供低电感接地连接。
10.2 布局示例
Rf
Cf
V+
Cbyp
GND
OUTPUT
GND
INPUT
图 47. LMV641 布局示例
22
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
LMV641
www.ti.com.cn
ZHCSGL6D –SEPTEMBER 2007–REVISED AUGUST 2016
11 器件和文档支持
11.1 器件支持
11.1.1 开发支持
相关开发支持请参阅以下文档：
•
•
•
•
•
LMV641 PSPICE 模型
《基于 SPICE 的 TINA-TI 模拟仿真程序》
DIP 适配器评估模块
TI 通用运算放大器评估模块
TI Filterpro 软件
11.2 文档支持
11.2.1 相关文档
请参阅如下相关文档：
•
•
•
•
•
《焊接的绝对最大额定值》(SNOA549)
AN-29《IC 运算放大器在输入电流下的差频 FET》(SNOA624)
AN-31《运算放大器电路集合》(SNLA140)
AN-71《使用 LM4250 可编程运算放大器的微功耗电路》(SNOA652)
AN-127《LM143 单片高电压运算放大器 应用》》(SNVA516)
11.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至德州仪器 TI.com.cn 上的器件产品文件夹。请单击右上角的通知我 进行注册，即可
收到任意产品信息更改每周摘要。有关更改的详细信息，请查看任意已修订文档中包含的修订历史记录。
11.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
11.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
11.6 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
11.7 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
12 机械、封装和可订购信息
以下页面包括机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。这些数据发生变化时，我们可能不
会另行通知或修订此文档。如欲获取此产品说明书的浏览器版本，请参阅左侧的导航栏。
版权 © 2007–2016, Texas Instruments Incorporated
23
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
10-Dec-2020
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
LMV641MA/NOPB
LMV641MAE/NOPB
LMV641MAX/NOPB
ACTIVE
SOIC
SOIC
SOIC
D
D
D
8
8
8
95
RoHS & Green
RoHS & Green
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
LMV64
1MA
ACTIVE
ACTIVE
250
SN
SN
LMV64
1MA
2500 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
LMV64
1MA
LMV641MF/NOPB
LMV641MFE/NOPB
LMV641MFX/NOPB
LMV641MG/NOPB
LMV641MGE/NOPB
LMV641MGX/NOPB
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SC70
DBV
DBV
DBV
DCK
DCK
DCK
5
5
5
5
5
5
SN
SN
SN
SN
SN
SN
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
AB9A
AB9A
AB9A
A99
250
RoHS & Green
3000 RoHS & Green
1000 RoHS & Green
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
SC70
250
RoHS & Green
A99
SC70
3000 RoHS & Green
A99
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
10-Dec-2020
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
LMV641MAE/NOPB
LMV641MAX/NOPB
LMV641MF/NOPB
LMV641MFE/NOPB
LMV641MFX/NOPB
LMV641MG/NOPB
LMV641MGE/NOPB
LMV641MGX/NOPB
SOIC
SOIC
D
8
8
5
5
5
5
5
5
250
2500
1000
250
178.0
330.0
178.0
178.0
178.0
178.0
178.0
178.0
12.4
12.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
8.4
6.5
6.5
5.4
5.4
2.0
2.0
1.4
1.4
1.4
1.2
1.2
1.2
8.0
8.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
12.0
12.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
Q1
Q1
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
D
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SC70
DBV
DBV
DBV
DCK
DCK
DCK
3.2
3.2
3.2
3.2
3000
1000
250
3.2
3.2
2.25
2.25
2.25
2.45
2.45
2.45
SC70
SC70
3000
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
LMV641MAE/NOPB
LMV641MAX/NOPB
LMV641MF/NOPB
LMV641MFE/NOPB
LMV641MFX/NOPB
LMV641MG/NOPB
LMV641MGE/NOPB
LMV641MGX/NOPB
SOIC
SOIC
D
8
8
5
5
5
5
5
5
250
2500
1000
250
208.0
367.0
208.0
208.0
208.0
208.0
208.0
208.0
191.0
367.0
191.0
191.0
191.0
191.0
191.0
191.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
D
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SC70
DBV
DBV
DBV
DCK
DCK
DCK
3000
1000
250
SC70
SC70
3000
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
5-Jan-2022
TUBE
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
SOIC
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
LMV641MA/NOPB
D
8
95
495
8
4064
3.05
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DCK0005A
SOT - 1.1 max height
S
C
A
L
E
5
.
6
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
2.4
1.8
0.1 C
1.4
1.1
B
1.1 MAX
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
NOTE 4
(0.15)
(0.1)
2X 0.65
1.3
2.15
1.85
1.3
4
3
0.33
5X
0.23
0.1
0.0
(0.9)
TYP
0.1
C A B
0.15
0.22
0.08
GAGE PLANE
TYP
0.46
0.26
8
0
TYP
TYP
SEATING PLANE
4214834/C 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-203.
4. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DCK0005A
SOT - 1.1 max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (0.95)
1
5
5X (0.4)
SYMM
(1.3)
2
3
2X (0.65)
4
(R0.05) TYP
(2.2)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:18X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214834/C 03/2023
NOTES: (continued)
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DCK0005A
SOT - 1.1 max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (0.95)
1
5
5X (0.4)
SYMM
(1.3)
2
3
2X(0.65)
4
(R0.05) TYP
(2.2)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 THICK STENCIL
SCALE:18X
4214834/C 03/2023
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验
证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。
您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成
本、损失和债务，TI 对此概不负责。
TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改
TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。
TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
Copyright © 2023，德州仪器 (TI) 公司
相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明