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LMV654MTX/NOPB [TI]

Quad, 5.5-V, 12-MHz operational amplifier | PW | 14 | -40 to 125;
LMV654MTX/NOPB
型号： LMV654MTX/NOPB
厂家： TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述：

Quad, 5.5-V, 12-MHz operational amplifier | PW | 14 | -40 to 125

放大器 光电二极管
文件： 总38页 (文件大小：1933K)
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LMV651, LMV652, LMV654  
ZHCSI73K –SEPTEMBER 2005–REVISED MAY 2016  
LMV65x 12MHz 低电压低功耗放大器  
1 特性  
3 说明  
1
•
•
•
典型 5V 电源（除非另有说明）  
TI 的 LMV65x 器件是采用 TI 先进的 VIP50 工艺实现  
的高性能、低功耗运算放大器 IC。此系列器件 具有  
12MHz 带宽，并且电流消耗仅为 116μA，其带宽功率  
比是同类运算放大器中较为出色的。LMV65x 器件具有  
单位增益稳定性，可为低电压、低功耗 应用中的一般  
性放大需求提供出色的解决方案。  
在 3V 和 5V 电压下具有额定性能  
低电源电流  
–
–
–
LMV651：116μA  
LMV652：118μA（每个放大器）  
LMV654：122μA（每个放大器）  
•
•
•
•
•
•
•
•
高单位增益带宽：12MHz  
此系列的低电压、低功耗放大器在功耗和空间利用方面  
具有卓越的性能和经济性。这些运算放大器具有  
1.5mV 的最大输入失调电压、轨至轨输出级以及包括  
接地端在内的输入共模电压范围。LMV65x 的 PSRR  
为 95dB，CMRR 为 100dB，在 1kHz 频率和 2kΩ 负  
载下的总谐波失真 (THD) 为 0.003%。  
最大输入失调电压：1.5mV  
CMRR：100dB  
PSRR：95dB  
输入基准电压噪声：17nV/√Hz  
2kΩ 负载下以电源轨为基准的输出摆幅为 120mV  
总谐波失真：1kHz、2kΩ 时为 0.003%  
温度范围：−40°C 至 125°C  
此系列器件的工作电源电压范围为 2.7V 至 5.5V。这  
些运算放大器可在宽温度范围（−40°C 至 125°C）内  
工作，是汽车 应用、传感器 应用和便携式设备 应用的  
理想选择。LMV651 采用超小型 5 引脚 SC70 和 5 引  
脚 SOT-23 封装。LMV652 采用 8 引脚 VSSOP 封  
装。LMV654 采用 14 引脚 TSSOP 封装。  
2 应用范围  
•
•
•
•
便携式设备  
汽车  
电池供电型系统  
传感器和仪表  
器件信息(1)  
器件型号  
LMV651  
封装  
SOT-23 (5)  
封装尺寸（标称值）  
2.90mm × 1.60mm  
2.00mm × 1.25mm  
3.00mm × 3.00mm  
5.00mm × 4.40mm  
SC70 (5)  
LMV652  
LMV654  
VSSOP (8)  
TSSOP (14)  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
高增益宽带宽反相放大器  
开环增益和相位与频率间的关系  
120  
100  
80  
120  
100  
80  
C
F
PHASE  
R
R
1
2
C
C1  
1 kW  
100 kW  
60  
60  
+
C
V
C2  
IN  
-
40  
40  
-
GAIN  
+
+
-
20  
20  
R
B1  
V
OUT  
+
V
0
0
-20  
-40  
-20  
-40  
R
B2  
+
V
= 5V  
1k  
R2  
100k  
FREQUENCY (Hz)  
10M  
100  
10k  
1M  
100M  
-
= -100  
AV =  
R1  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SNOSAI7  
 
 
 
 
LMV651, LMV652, LMV654  
ZHCSI73K –SEPTEMBER 2005–REVISED MAY 2016  
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目录  
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1  
应用范围................................................................... 1  
说明.......................................................................... 1  
修订历史记录 ........................................................... 2  
引脚配置和功能........................................................ 3  
规格.......................................................................... 4  
6.1 绝对最大额定值......................................................... 4  
6.2 ESD 额定值............................................................... 4  
6.3 建议运行条件............................................................. 4  
6.4 热性能信息 ................................................................ 4  
6.5 3V 直流电气特性 ....................................................... 4  
6.6 5V 直流电气特性 ....................................................... 5  
6.7 典型特性.................................................................... 7  
详细 说明................................................................ 13  
7.1 概述......................................................................... 13  
7.2 功能框图.................................................................. 13  
7.3 特性 说明................................................................. 13  
7.4 器件功能模式........................................................... 14  
8
9
以下一些应用中...................................................... 17  
8.1 应用信息.................................................................. 17  
8.2 典型 应用................................................................. 17  
8.3 注意事项 ................................................................. 19  
电源相关建议 ......................................................... 19  
10 布局 ....................................................................... 20  
10.1 布局指南................................................................ 20  
10.2 布局示例................................................................ 20  
11 器件和文档支持 ..................................................... 21  
11.1 器件支持 ............................................................... 21  
11.2 文档支持 ............................................................... 21  
11.3 相关链接................................................................ 21  
11.4 社区资源................................................................ 21  
11.5 商标....................................................................... 21  
11.6 静电放电警告......................................................... 21  
11.7 术语表 ................................................................... 22  
12 机械、封装和可订购信息....................................... 22  
7
4 修订历史记录  
注：之前版本的页码可能与当前版本有所不同。  
Changes from Revision J (March 2013) to Revision K  
Page  
•
添加了 ESD 额定值 表、特性 说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源建议 部分、布局 部分、器件和文档  
支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分。...................................................................................................................... 1  
Changes from Revision I (March 2012) to Revision J  
Page  
•
已更改 将美国国家半导体产品说明书的布局更改成了 TI 格式 ............................................................................................. 19  
2
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LMV651, LMV652, LMV654  
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5 引脚配置和功能  
LMV651 DBV 或 DCK 封装  
5 引脚 SC70 或 SOT-23  
俯视图  
LMV652 DGK 封装  
8 引脚 VSSOP  
俯视图  
LMV654 PW 封装  
14 引脚 TSSOP  
俯视图  
SOT-23 的：LMV651  
引脚  
I/O  
说明  
名称  
–IN  
+IN  
OUT  
V–  
编号  
3
1
4
2
5
I
反相输入  
同相输入  
Output  
I
O
P
P
负电源输入  
正电源输入  
V+  
表 1. 引脚功能：LMV652、LMV654  
引脚  
I/O  
说明  
名称  
VSSOP  
TSSOP  
–IN A  
+IN A  
–IN B  
+IN B  
–IN C  
+IN C  
–IN D  
+IN D  
OUT A  
OUT B  
OUT C  
OUT D  
V–  
2
3
2
3
I
I
反相输入，通道 A  
同相输入，通道 A  
反相输入，通道 B  
同相输入，通道 B  
反相输入，通道 C  
同相输入，通道 C  
反相输入，通道 D  
同相输入，通道 D  
输出，通道 A  
6
6
I
5
5
I
—
—
—
—
1
9
I
10  
13  
12  
1
I
I
I
O
O
O
O
P
P
7
7
输出，通道 B  
—
—
4
8
输出，通道 C  
14  
11  
4
输出，通道 D  
负电源（最低）  
正电源（最高）  
V+  
8
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3
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6 规格  
6.1 绝对最大额定值(1)(2)  
最小值  
最大值  
±0.3  
6
单位  
差分输入 VID  
电源电压 (VS = V+ - V−)  
输入/输出引脚电压  
V− − 0.3  
V+ + 0.3  
V
红外或对流（20 秒）  
235  
焊接信息  
°C  
波焊铅温（10 秒）  
260  
结温(3)  
150  
°C  
°C  
贮存温度，Tstg  
−65  
150  
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在极端额定值下的工作情况，这不表示在这些条件下以及其它  
在超出推荐的操作条件下的任何其它操作时，器件能够功能性运行. 长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。  
(2) 如果需要军用/航天专用器件，请与德州仪器 (TI) 销售办事处/分销商联系以了解供货情况和技术规格。  
(3) 最大功耗是 TJ(MAX)、θJA 和 TA 的函数。任何环境温度下允许的最大功耗为 PD = (TJ(MAX) - TA)/ θJA。所有数字均适用于直接焊接到 PCB  
的封装。  
6.2 ESD 额定值  
值
单位  
人体放电模型 (HBM)(1)  
充电器件模型(2)  
±2000  
±100  
V(ESD)  
静电放电  
V
(1) 人体放电模型，适用标准 MIL-STD-883，Method 3015.7  
(2) 机器放电模型，适用标准。JESD22-A115-A（JEDEC 的ESD MM 标准）电场诱导充电器件模型，适用标准。JESD22-C101-C（JEDEC  
的 ESD FICDM 标准）。  
6.3 建议运行条件  
最小值  
−40  
最大值  
125  
单位  
°C  
温度  
电源电压  
2.7  
5.5  
V
6.4 热性能信息  
LMV651  
LMV652  
LMV653  
DCK  
(SC70)  
DBV  
(SOT-23)  
DGK  
(VSSOP)  
PW  
(TSSOP)  
热指标(1)  
单位  
5 引脚  
303.5  
135.5  
81.1  
5 引脚  
214.2  
173.3  
72.5  
8 引脚  
200.3  
89.1  
14 引脚  
134.9  
60.9  
RθJA  
结至环境热阻  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻  
RθJB  
ψJT  
结至电路板热阻  
120.9  
21.7  
77.3  
结至顶部特征参数  
结至电路板特征参数  
8.4  
56.7  
11.5  
ψJB  
80.4  
71.9  
119.4  
不适用  
76.7  
RθJC(bot) 结至外壳（底部）热阻  
不适用  
不适用  
不适用  
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告，SPRA953。  
6.5 3V 直流电气特性  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 3V，V− = 0V，VO = VCM = V+/2，且 RL > 1MΩ。  
参数  
测试条件  
最小值(1) 典型值(2) 最大值(1)  
单位  
mV  
0.1  
6.6  
±1.5  
2.7  
VOS  
输入失调电压  
在额定温度范围内  
TC VOS  
输入失调平均漂移  
μV/°C  
(1) 限值均在 25°C 下经过 100% 生产检测。使用统计质量控制 (SQC) 方法通过关联指定工作温度范围的限值。  
(2) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材  
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。  
4
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3V 直流电气特性 (接下页)  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TA = 25°C，V+ = 3V，V− = 0V，VO = VCM = V+/2，且 RL > 1MΩ。  
参数  
输入偏置电流(3)  
输入失调电流  
测试条件  
最小值(1) 典型值(2) 最大值(1)  
单位  
nA  
IB  
80  
2.2  
120  
15  
IOS  
nA  
87  
80  
87  
81  
87  
81  
0
100  
CMRR  
PSRR  
CMVR  
共模抑制比  
0 ≤ VCM≤ 2V  
dB  
dB  
V
在额定温度范围内  
在额定温度范围内  
在额定温度范围内  
3V ≤ V+ ≤ 5V，VCM  
0.5V  
=
95  
95  
电源抑制比  
2.7V ≤ V+ ≤ 5.5V，  
VCM = 0.5V  
CMRR ≥ 75dB  
2.1  
2.1  
输入共模电压范围  
CMRR ≥ 60dB，在额定温度范围内  
0
0.3V ≤ VO ≤ 2.7V，RL = 2kΩ（连接至 V+/2）  
80  
76  
86  
83  
85  
93  
0.4V ≤ VO ≤ 2.6V，RL = 2kΩ（连接至 V+/2），在额定温度范围内  
0.3V ≤ VO ≤ 2.7V，RL = 10kΩ（连接至 V+/2）  
AVOL  
大信号电压增益  
输出摆幅高  
dB  
0.4V ≤ VO ≤ 2.6V，RL = 10kΩ（连接至 V+/2），在额定温度范围内  
80  
45  
95  
60  
95  
120  
50  
RL = 2kΩ（连接至 V+/2）  
在额定温度范围内  
RL = 10kΩ（连接至  
V+/2）  
mV（相  
对于电源  
轨）  
在额定温度范围内  
60  
VO  
110  
125  
65  
RL = 2kΩ（连接至 V+/2）  
在额定温度范围内  
输出摆幅低  
RL = 10kΩ（连接至  
V+/2）  
在额定温度范围内  
75  
拉电流(4)  
灌电流(4)  
17  
25  
ISC  
最大连续输出电流  
mA  
115  
140  
175  
140  
175  
140  
175  
LMV651  
在额定温度范围内  
118  
122  
IS  
电源电流（每个放大器）  
LMV652  
μA  
在额定温度范围内  
LMV654  
在额定温度范围内  
SR  
压摆率  
AV = +1，10% 至 90%(5)  
3.0  
12  
V/μs  
GBW  
增益带宽积  
MHz  
f = 100kHz  
17  
en  
输入基准电压噪声  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
f = 1kHz  
17  
f = 100kHz  
0.1  
in  
输入基准电流噪声  
总谐波失真  
f = 1kHz  
0.15  
0.003%  
THD  
f = 1kHz，AV = 2，RL = 2kΩ  
(3) 正电流相当于流入器件的电流。  
(4) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率的平均值。  
(5) 此部件不受短路保护，所以不建议在低电阻负载下运行。典型特性中提供典型的拉电流输出和灌电流输出曲线，在设计重负载之前应参考  
此曲线。  
6.6 5V 直流电气特性  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TJ = 25°C，V+ = 5V，V− = 0V，VO = VCM = V+/2，且 RL > 1MΩ。  
参数  
测试条件  
最小值(1) 典型值(2) 最大值(1)  
单位  
0.1  
±1.5  
2.7  
VOS  
输入失调电压  
mV  
在额定温度范围内  
(1) 限值均在 25°C 下经过 100% 生产检测。使用统计质量控制 (SQC) 方法通过关联指定工作温度范围的限值。  
(2) 典型值表示评定特性时确定的最有可能达到的参数标准。实际典型值可能会随时间推移而变化，而且还取决于应用和配置。已发货生产材  
料未进行这些典型值测试，无法确保符合这些典型值。  
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5V 直流电气特性 (接下页)  
除非另有说明，否则所有限值均基于以下条件：TJ = 25°C，V+ = 5V，V− = 0V，VO = VCM = V+/2，且 RL > 1MΩ。  
参数  
测试条件  
最小值(1) 典型值(2) 最大值(1)  
单位  
μV/°C  
nA  
TC VOS  
IB  
输入失调平均漂移  
输入偏置电流  
输入失调电流  
6.6  
80  
请参阅(3)  
120  
15  
IOS  
2.2  
100  
nA  
90  
83  
87  
81  
87  
81  
0
CMRR  
PSRR  
CMVR  
共模抑制比  
0 ≤ VCM≤ 4V  
dB  
dB  
V
在额定温度范围内  
在额定温度范围内  
在额定温度范围内  
95  
95  
3V ≤ V+ ≤ 5V，VCM = 0.5V  
电源抑制比  
2.7V ≤ V+ ≤ 5.5V，VCM  
0.5V  
=
CMRR ≥ 80dB  
4.1  
4.1  
输入共模电压范围  
CMRR ≥ 68dB，在额定温度范围内  
0
0.3V ≤ VO ≤ 4.7V，RL = 2kΩ（连接至 V+/2）  
79  
76  
87  
84  
84  
94  
0.4V ≤ VO ≤ 4.6V，RL = 2kΩ（连接至 V+/2），在额定温度范围内  
0.3V ≤ VO ≤ 4.7V，RL = 10kΩ（连接至 V+/2）  
AVOL  
大信号电压增益  
输出摆幅高  
dB  
0.4V ≤ VO ≤ 4.6V，RL = 10kΩ（连接至 V+/2），在额定温度范围内  
120  
75  
140  
185  
90  
RL = 2kΩ（连接至 V+/2）  
在额定温度范围内  
RL = 10kΩ（连接至 V+/2）  
mV（相  
对于电源  
轨）  
在额定温度范围内  
120  
130  
150  
80  
VO  
110  
70  
RL = 2kΩ（连接至 V+/2）  
在额定温度范围内  
输出摆幅低  
RL = 10kΩ（连接至 V+/2）  
在额定温度范围内  
95  
拉电流(4)  
灌电流(4)  
18.5  
25  
ISC  
最大连续输出电流  
mA  
116  
140  
175  
140  
175  
140  
175  
LMV651  
在额定温度范围内  
118  
122  
IS  
电源电流（每个放大器）  
LMV652  
μA  
在额定温度范围内  
LMV654  
在额定温度范围内  
SR  
压摆率  
AV = +1，VO = 1VPP，10% 至 90%(5)  
3.0  
12  
V/μs  
GBW  
增益带宽积  
MHz  
f = 100kHz  
17  
en  
输入基准电压噪声  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
f = 1kHz  
17  
f = 100kHz  
0.1  
in  
输入基准电流噪声  
总谐波失真  
f = 1kHz  
0.15  
0.003%  
THD  
f = 1kHz，AV = 2，RL = 2kΩ  
(3) 正电流相当于流入器件的电流。  
(4) 此部件不受短路保护，所以不建议在低电阻负载下运行。典型特性中提供典型的拉电流输出和灌电流输出曲线，在设计重负载之前应参考  
此曲线。  
(5) 压摆率是上升压摆率和下降压摆率的平均值。  
6
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6.7 典型特性  
除非另有说明，否则 TA= 25°C，VS= 5V，V+= 5V，V−= 0V，VCM= VS/2  
180  
180  
160  
125°C  
125°C  
160  
140  
140  
120  
25°C  
25°C  
120  
-40°C  
-40°C  
100  
100  
80  
80  
2.7  
3.2  
3.7  
4.2  
(V)  
4.7  
5.2 5.5  
2.7  
3.2  
3.7  
4.2  
(V)  
4.7  
5.2 5.5  
V
S
V
S
图 1. 电源电流与电源电压间的关系 (LMV651)  
180  
图 2. 每通道电源电流与电源电压间的关系 (LMV652)  
1
0.75  
125°C  
160  
140  
120  
125°C  
0.5  
0.25  
25°C  
0
25°C  
-0.25  
-40°C  
-0.5  
-40°C  
100  
80  
-0.75  
V
= 3V  
0.5  
S
-1  
2.7  
3.2  
3.7  
4.2  
(V)  
4.7  
5.2 5.5  
0
1
1.5  
(V)  
2
2.5  
V
V
S
CM  
图 3. 每通道电源电流与电源电压间的关系 (LMV654)  
图 4. VOS 与 VCM 间的关系  
1
1
0.75  
0.75  
0.5  
125°C  
125°C  
0.5  
0.25  
0.25  
0
0
25°C  
25°C  
-0.25  
-0.25  
-40°C  
-0.5  
-40°C  
-0.5  
-0.75  
-1  
-0.75  
V
= 5V  
1
S
-1  
0
2
3
4
5
3.2  
2.7  
3.7  
4.2  
(V)  
4.7  
5.2  
5.5  
V
CM  
(V)  
V
S
图 5. VOS 与 VCM 间的关系  
图 6. VOS 与电源电压间的关系  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA= 25°C，VS= 5V，V+= 5V，V−= 0V，VCM= VS/2  
100  
100  
90  
125°C  
90  
125°C  
80  
80  
25°C  
70  
70  
60  
50  
-40°C  
25°C  
-40°C  
60  
V
= 3V  
0.5  
S
V
= 5V  
1
S
50  
0
1.5  
(V)  
2
2.5  
1
0
2
3
4
5
V
V
CM  
(V)  
CM  
图 7. IBIAS 与 VCM 间的关系  
图 8. IBIAS 与 VCM 间的关系  
100  
90  
150  
120  
90  
60  
30  
0
125°C  
125°C  
80  
70  
25°C  
25°C  
-40°C  
-40°C  
60  
50  
R
L
= 2 kW  
2.7  
3.2  
3.7  
4.2  
(V)  
4.7  
5.2 5.5  
3
3.4  
3.8  
4.2  
(V)  
4.6  
5
V
S
V
S
图 9. IBIAS 与电源电压间的关系  
图 10. 正输出摆幅与电源电压间的关系  
150  
100  
80  
60  
40  
20  
0
125°C  
125°C  
120  
90  
60  
30  
0
25°C  
-40°C  
25°C  
-40°C  
R
L
= 2 kW  
R
= 10 kW  
L
3
3.4  
3.8  
4.2  
(V)  
4.6  
5
3
3.4  
3.8  
4.2  
(V)  
4.6  
5
V
V
S
S
图 11. 负输出摆幅与电源电压间的关系  
图 12. 正输出摆幅与电源电压间的关系  
8
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA= 25°C，VS= 5V，V+= 5V，V−= 0V，VCM= VS/2  
30  
25  
20  
15  
10  
5
90  
125°C  
V
= 5V  
S
75  
60  
25°C  
-40°C  
25°C  
45  
-40°C  
125°C  
30  
15  
R
L
= 10 kW  
0
0
0
0.25 0.5  
0.75  
1
1.25 1.5  
3
3.4  
3.8  
4.2  
(V)  
4.6  
5
V
FROM RAIL (V)  
OUT  
V
S
图 13. 负输出摆幅与电源电压间的关系  
图 14. 拉电流与输出电压间的关系  
50  
40  
30  
50  
40  
30  
V
= 5V  
S
V
= 5V  
S
-40°C  
25°C  
-40°C  
25°C  
125°C  
125°C  
20  
10  
0
20  
10  
0
0
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4  
FROM RAIL (V)  
0.45  
0
0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4  
FROM RAIL (V)  
V
V
OUT  
OUT  
图 15. 灌电流与输出电压间的关系 (LMV651)  
图 16. 灌电流与输出电压间的关系 (LMV652)  
50  
180  
180  
150  
120  
90  
V
= 5V  
R
= 2 kW  
L
S
-40°C  
25°C  
150  
120  
90  
PHASE  
40  
C
L
= 20 pF  
30  
20  
10  
0
C
= 100 pF  
L
125°C  
60  
60  
C
L
= 50 pF  
GAIN  
30  
30  
0
0
C
= 100 pF  
L
-30  
-60  
-30  
-60  
C
= 50 pF  
L
0
0.1  
0.2  
0.3  
0.4  
0.5  
100k  
10M  
100  
10k  
1M  
100M  
1k  
V
FROM RAIL (V)  
OUT  
FREQUENCY (Hz)  
图 18. 带容性负载的开环增益和相位  
图 17. 灌电流与输出电压间的关系 (LMV654)  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA= 25°C，VS= 5V，V+= 5V，V−= 0V，VCM= VS/2  
180  
150  
120  
90  
60  
50  
180  
150  
120  
90  
C
= 20 pF  
L
R
L
= 2 kW  
PHASE  
R
= 2 kW  
L
40  
30  
20  
R
= 10W  
60  
60  
L
V
S
= 5V  
GAIN  
30  
30  
R
L
= 2 kW  
0
0
V
= 3V  
S
10  
0
-30  
-60  
-30  
-60  
100k  
10M  
100  
10k  
1M  
100M  
1k  
100  
(pF)  
1000  
10  
FREQUENCY (Hz)  
图 19. 开环增益和相位随阻性负载的变化  
100  
C
L
图 20. 相位裕度与容性负载（稳定性）间的关系  
10  
1
0.10  
0.01  
10  
1
1k  
FREQUENCY (Hz)  
100k  
1
10  
100  
10k  
100k  
1
10  
100  
1k  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
图 22. 输入基准电流噪声与频率间的关系  
图 21. 输入基准电压噪声与频率间的关系  
4
3.5  
3
1
0.1  
0.01  
RISING  
R
L
= 2 kW  
2.5  
2
FALLING  
1.5  
R
= 100 kW  
L
1
0.001  
V
V
A
= 3V  
S
SINE WAVE  
= 1 kHz  
IN  
0.5  
0
= +2  
V
0.0001  
3
3.5  
4
4.5  
5
1
10  
0.001  
0.01 0.1  
V
S
(V)  
V
(V)  
OUT  
图 24. THD+N 与 VOUT 间的关系  
图 23. 压摆率与电源电压间的关系  
10  
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除非另有说明，否则 TA= 25°C，VS= 5V，V+= 5V，V−= 0V，VCM= VS/2  
1
1
0.1  
V
V
A
= 3V  
= 1 V  
= +2  
S
IN  
V
PP  
0.1  
R
= 2 kW  
L
R = 2 kW  
L
R
L
= 100 kW  
0.01  
0.01  
V
V
A
= 5V  
S
SINE WAVE  
= 1 kHz  
IN  
V
R
L
= 100 kW  
= +2  
0.001  
0.001  
0.001  
0.1  
1
10  
0.01  
10  
100  
1k  
10k  
100k  
V
OUT  
(V)  
FREQUENCY (Hz)  
图 26. THD+N 与频率间的关系  
图 25. THD+N 与 VOUT 间的关系  
30  
25  
0.1  
V
= 5V  
= 2 V  
= +2  
V
= 5V  
S
S
V
A
C
= 15 pF, A = +1  
IN  
V
PP  
L
V
20  
15  
10  
V
= 20 mV , 20 kHz  
PP  
IN  
R
L
= 2 kW  
0.01  
5
0
R
= 100 kW  
L
0.001  
-5  
-10  
-15  
-20  
0.0001  
0
20  
40  
TIME (ms)  
图 28. 小信号瞬态响应  
60  
80  
100  
10  
100  
1k  
10k  
100k  
FREQUENCY (Hz)  
图 27. THD+N 与频率间的关系  
1.5  
1
30  
25  
20  
15  
10  
0.5  
0
5
0
V
= 5V  
S
C
L
= 15 pF, A = +1  
V
-5  
V
= 2 V , 20 kHz  
PP  
IN  
-0.5  
-10  
-15  
-20  
V
= 5V  
S
-1  
C
= 125 pF, A = +1  
V
L
-25  
-30  
V
= 20 mV , 20 kHz  
PP  
IN  
-1.5  
0
20  
40  
TIME (ms)  
图 30. 大信号瞬态响应  
60  
80  
100  
40  
20  
0
60  
70  
80  
TIME (ms)  
图 29. 小信号瞬态响应  
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典型特性 (接下页)  
除非另有说明，否则 TA= 25°C，VS= 5V，V+= 5V，V−= 0V，VCM= VS/2  
120  
120  
100  
V
S
= 5V, +PSRR  
V
= 3V, +PSRR  
S
100  
V
= 5V, -PSRR  
S
80  
60  
40  
20  
80  
60  
V
= 3V, -PSRR  
S
40  
20  
0
0
10  
100  
1k  
100k  
1M  
10M  
10k  
FREQUENCY (Hz)  
图 32. CMRR 与频率间的关系  
10k  
1k  
100k  
10  
100  
1M  
FREQUENCY (Hz)  
图 31. PSRR 与频率间的关系  
1000  
100  
10  
1
0.1  
0.01  
10  
10M  
100M  
100  
10k 100k 1M  
FREQUENCY (Hz)  
图 33. 闭环输出阻抗与频率间的关系  
1k  
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7 详细 说明  
7.1 概述  
TI 的 LMV65x 器件具有 12MHz 带宽和单位增益稳定性，且仅消耗 116μA 的电流。这些器件还具有 1.5mV 的最大  
输入失调电压、轨至轨输出级以及包括接地端在内的输入共模电压范围。最后，这些运算放大器的 PSRR 为  
95dB，CMRR 为 100dB，在 1kHz 频率和 2kΩ 负载下的总谐波失真 (THD) 为 0.003%。  
7.2 功能框图  
V+  
_
+
IN –  
IN +  
OUT  
V–  
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Texas Instruments Incorporated  
（每个放大器）  
7.3 特性 说明  
7.3.1 低电压和低功耗运行  
在电源电压为 3V 和 5V 时，LMV65x 具有额定性能。这些器件在 2.7V 至 5.5V 之间的所有电源电压下均可正常工  
作。LMV651 消耗 116μA 的低电源电流，LMV652 消耗 118μA/通道的电流，而 LMV654 消耗 122μA/通道的电  
流。此系列运算放大器提供低电压和低功率放大功能，这对于便携式 应用至关重要。  
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特性 说明 (接下页)  
7.3.2 宽带宽  
尽管仅消耗 116µA 的极低电源电流，但 LMV65x 可以提供 12MHz 的宽单位增益带宽。这一数据轻而易举成就了  
有史以来实现的最佳带宽功率比之一，并让这些运算放大器能够在使用最小功率量的情况下提供宽带放大功能。因  
此，此系列器件非常适合低功耗信号处理 应用， 如便携式媒体播放器和其他附件。  
7.3.3 低输入参考噪声  
LMV65x 提供的平带输入基准电压噪声密度为 17nV/√Hz，这显著优于低功耗运算放大器的预期噪声性能。这些运  
算放大器还具有非常低的 1/f 噪声，1/f 噪声转角频率低至 4Hz。因此，这些器件非常适合那些需要良好噪声性能的  
低功耗 应用 ，如 PDA 和便携式传感器。  
7.3.4 接地感应和轨至轨输出  
LMV65x 每个器件均具有一个轨至轨输出级，这可提供尽可能最大的输出动态范围。这对于需要大输出摆幅的 应用  
尤其重要。此系列器件的输入共模范围包括负电源轨，允许在单电源供电时直接感应地面。  
7.3.5 小型尺寸  
LMV65x 采用小尺寸封装，可以节省印刷电路板空间，从而打造出更小、更紧凑的电子产品设计。信号源和运算放  
大器之间的较长迹线使得信号路径易受噪声的影响。通过使用物理上更小的封装，可将这些运算放大器放置在更靠  
近信号源的位置，从而降低噪声拾取、增强信号完整性。  
7.4 器件功能模式  
7.4.1 稳定性和容性负载  
如果根据输出端的容性负载 (CL) 描绘 LMV65x 的相位裕度，并且 CL 增加到 100pF 以上，则可以看到相位裕度会  
显著减小。这是因为，运算放大器旨在为低电源电流提供尽可能最大的带宽。如果要稳定放大器以获得更高的容性  
负载，则需要急剧增加电源电流，或需要高容值内部补偿电容，而这会减少运算放大器带宽。因此，如果要使用这  
些器件来驱动更高的容性负载，必须对其进行外部补偿。  
STABLE  
ROC œ 20 dB/decade  
UNSTABLE  
ROC = 40 dB/decade  
0
FREQUENCY (Hz)  
图 34. 运算放大器的增益与频率间的关系  
理想情况下，运算放大器的主极点应接近直流，从而使其增益相对于频率以 20dB/十倍频的速率衰减。如果此衰减  
率（又称为接近率 (ROC)）在运算放大器的单位增益带宽之前保持不变，则说明此运算放大器是稳定的。但是，如  
果将大电容添加至运算放大器的输出端，则它将结合运算放大器的输出抗阻，从而在其单位增益频率之前在其频率  
响应中形成另一个极点（请参阅图 34）。这样一来，ROC 会提高至 40dB/十倍频，并引起不稳定。  
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器件功能模式 (接下页)  
在这种情况下，可以使用一些技术来恢复电路的稳定性。所有这些方案背后的理念都是更改频率响应，以便可将  
ROC 恢复到 20dB/十倍频，从而确保稳定性。  
7.4.2 环路内补偿  
图 35 展示了一种称为环路内 补偿的补偿技术，此技术在反馈环路中采用 RC 反馈电路来稳定同相放大器配置。一  
个低阻值串联电阻 RS 用于隔离放大器输出和负载电容 CL，同时还有一个低容值电容 CF 插入到反馈电阻器上以便  
在出现较高频率时旁路掉 CL。  
V
IN  
+
R
S
R
OUT  
-
CL  
R
L
C
F
R
F
R
IN  
图 35. 环路内补偿  
确定 RS 和 CF 值的方法是确保影响 CF 的零点与影响 CL 的极点处于同一频率。这可以确保通过零点的存在来补偿  
第二个极点对传递函数的影响，并且将 ROC 维持在 20dB/十倍频。对于图 35 中显示的电路，RS 和 CF 的值都由  
公式 1 给定。维持 CL 不同值的稳定性所需的 RS 和 CF 的值，以及获得的相位裕度都显示在表 2 中。RF 和 RIN  
取
值为 10kΩ，RL 为 2kΩ，而 ROUT 取值为 340Ω。  
RS = ROUTRIN  
RF  
«
∆
≈
∆
∆
«
RF + 2RIN  
∆
CF =  
CLROUT  
≈
2
RF  
(1)  
表 2. 环路补偿值  
CL (pF)  
150  
RS (Ω)  
340  
CF (pF)  
15  
相位裕度 (°)  
39.4  
200  
340  
20  
34.6  
250  
340  
25  
31.1  
尽管此方法可以为任何负载电容提供电路稳定性，但却以带宽为代价。电路的闭环带宽现在受限于 RF 和 CF。  
7.4.3 外部电阻器补偿  
在某些 应用中，在不影响带宽的情况下驱动容性负载至关重要。在这种情况下，环路内补偿不是可行方案。图 36  
中显示了更简单的补偿方案。将电阻器 RISO 串联在负载电容和输出之间。这在电路传递函数中引入一个零点，可  
以抵消负载电容形成的极点的影响，并确保稳定性。确定要使用的 RISO 的值时应依据 CL 的大小和需要的性能水  
平。从 5Ω 到 50Ω 的值通常都足以确保稳定性。较大的 RISO 值会让系统出现较少的振铃和过冲，但也会限制电路  
的输出摆幅和短路电流。  
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图 36. 隔离电阻器补偿  
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8 以下一些应用中  
注
的应用和实现 信息 部分的信息不属于 TI 规格范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客  
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统  
功能。  
8.1 应用信息  
凭借低电源电流、低功耗运行方式和低谐波失真，LMV65x 器件非常适合用于实现宽带宽、高增益放大。  
8.2 典型 应用  
8.2.1 高增益、低功耗反相放大器  
C
R
F
R
1
2
C
C1  
1 kW  
100 kW  
+
C
V
C2  
IN  
-
-
+
+
-
R
B1  
V
OUT  
+
V
R
B2  
R2  
-
= -100  
AV =  
R1  
图 37. 高增益反相放大器  
8.2.1.1 设计要求  
由于具备宽单位增益带宽，因此这些器件可在广泛频率范围内提供较大增益，同时驱动低至 2kΩ 的负载，而失真  
率低于 0.003%。  
8.2.1.2 详细设计流程  
图 37 是反相放大器，具有 100kΩ 的反馈电阻器 R2 和 1kΩ 的输入电阻器 R1，并提供 −100 的增益。借助  
LMV65x，这些电路可以凭借 120kHz 的 −3dB 带宽提供 −100 的增益，且静态电流低至 116μA。可以添加耦合电  
容器 CC1 和 CC2 来隔离电路和直流电压，而 RB1 和 RB2 提供直流偏置。还可以添加反馈电容器 CF 来改善补偿。  
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17  
 
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典型 应用 (接下页)  
8.2.1.3 应用曲线  
Vout (1V/div)  
Vin (10mV/div)  
150 200  
0
50  
100  
Time (us)  
C001  
图 38. 高增益反相放大器结果  
8.2.2 高增益、低功耗同相放大器  
凭借低电源电流、低功耗运行方式和低谐波失真，LMV65x 器件非常适合用于实现宽带宽、高增益放大。由于具备  
宽单位增益带宽，因此这些器件可在广泛频率范围内提供较大增益，同时驱动低至 2kΩ 的负载，而失真率低于  
0.003%。图 39 是增益为 1001 的同相放大器，能够凭借 12kHz 的 −3dB 带宽提供该增益，且具有类似的低静态功  
耗。借助 LMV65x，这些电路可以凭借 120kHz 的 −3dB 带宽提供 −100 的增益，且静态电流低至 116μA。可以添  
加耦合电容器 CC1 和 CC2 来隔离电路和直流电压，而 RB1 和 RB2 提供直流偏置。还可以添加反馈电容器 CF 来改  
善补偿。  
+
V
R
R
B1  
B2  
C
C2  
+
-
+
+
-
V
IN  
V
OUT  
R
-
2
1 MW  
C
F
R
1
1 kW  
R2  
C
C1  
AV = 1 +  
= 1001  
R1  
图 39. 高增益同相放大器  
8.2.3 有源滤波器  
凭借 12MHz 的宽单位增益带宽、低输入参考噪声密度和低电源电流等特性，LMV65x 器件非常适合低功耗滤波 应  
用。有源滤波器拓扑结构（如图 40 中所示的 Sallen-Key 低通滤波器）具有广泛用途，可用于设计各种滤波器（切  
比雪夫、巴特沃斯或贝塞耳）。特别是 Sallen-Key 拓扑结构可用于通过使用正反馈来抑制不需要的频率范围，从  
而获得大范围的 Q。  
18  
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典型 应用 (接下页)  
在图 40 所示的电路中，两个电容器在较低频率下表现为开路，并且信号直接缓冲到输出端。在高频率时，电容器  
表现为短路，并且信号在被放大之前由其中一个电容器分流到接地端。在电容阻抗与 Rg 和 Rf 数量级相同的截止频  
率附近，通过另一个电容器提供的正反馈可以使电路达到所需的 Q 值。两个电阻器的比值 m2 提供了一种旋钮机制  
来控制所获得的 Q 值。  
C
2
m R  
R
V
IN  
+
-
V
OUT  
C
R
1
R
G
图 40. Sallen-Key 低通滤波器  
8.3 注意事项  
应正确旁路掉电源。  
在驱动容性负载（尤其是电缆、多路复用器和 ADC 输入）时，应向输出端添加串联电阻。  
如果输入电压预计会超过电源电压，则应添加串联限流电阻器和外部肖特基钳位二极管。将电流限制为 1mA 或更  
小 (1kΩ/V)。  
9 电源相关建议  
为了正确运行，必须适当地对电源进行去耦。为了对电源线进行去耦，TI 建议将 10nF 电容器尽可能靠近运算放大  
器电源引脚放置。对于单电源，应在 V+ 和 V– 电源引线之间放置一个电容器。对于双电源，应在 V+ 和接地端之间  
放置一个电容器，并在 V– 和接地端之间放置一个电容器。  
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19  
 
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10 布局  
10.1 布局指南  
为了正确旁路掉电源，需要考虑印刷电路板上的多个位置。必须  
在放大器的电源被引入电路板的位置放置一个 6.8µF 或更大的钽电容器。必须在尽可能靠近放大器电源引脚的位置  
放置另一个 0.1µF 的陶瓷电容器。如果放大器在单电源供电的情况下工作，则只需要使用 0.1µF 的电容器旁路掉  
V+ 引脚。如果放大器在双电源供电的情况下工作，则 V+ 和 V– 引脚都必须旁路掉。  
最好在印刷电路板上使用接地平面为所有组件提供低电感接地连接。  
建议在 LMV651-N 应用电路中使用 0805 或更小尺寸的表面贴装组件。设计人员可以利用 VSSOP 微型尺寸来缩小  
电路板布局以便节省空间并减少杂散电容。  
10.2 布局示例  
图 41. LMV65x 布局示例  
20  
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11 器件和文档支持  
11.1 器件支持  
11.1.1 开发支持  
LMV651 PSPICE 模型 http://www.ti.com/lit/zip/snom064  
LMV652 PSPICE 模型 http://www.ti.com/lit/zip/snom065  
LMV654 PSPICE 模型 http://www.ti.com/lit/zip/snom066  
TINA-TI 基于 SPICE 的模拟仿真程序，http://www.ti.com.cn/tool/cn/tina-ti  
DIP 适配器评估模块，http://www.ti.com.cn/tool/cn/dip-adapter-evm  
TI 通用运行放大器评估模块，http://www.ti.com.cn/tool/cn/opampevm  
TI Filterpro 软件，http://www.ti.com.cn/tool/cn/filterpro  
11.2 文档支持  
11.2.1 相关文档  
有关其他 应用，请参阅以下文档：  
《AN-31 运算放大器电路集合》，SNLA140  
11.3 相关链接  
下表列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件以及申请样片或购买产品的快速访问  
链接。  
表 3. 相关链接  
器件  
产品文件夹  
单击此处  
单击此处  
单击此处  
样片与购买  
单击此处  
单击此处  
单击此处  
技术文档  
单击此处  
单击此处  
单击此处  
工具和软件  
单击此处  
单击此处  
单击此处  
支持和社区  
单击此处  
单击此处  
单击此处  
LMV651  
LMV652  
LMV654  
11.4 社区资源  
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，  
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。  
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在  
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。  
设计支持  
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。  
11.5 商标  
E2E is a trademark of Texas Instruments.  
All other trademarks are the property of their respective owners.  
11.6 静电放电警告  
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损  
伤。  
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11.7 术语表  
SLYZ022 — TI 术语表。  
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。  
12 机械、封装和可订购信息  
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，且  
不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请参阅左侧的导航栏。  
22  
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PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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10-Dec-2020  
PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
LMV651MF/NOPB  
LMV651MFX/NOPB  
LMV651MG/NOPB  
LMV651MGX/NOPB  
LMV652MM/NOPB  
LMV652MMX/NOPB  
LMV654MT/NOPB  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
SOT-23  
SOT-23  
SC70  
DBV  
DBV  
DCK  
DCK  
DGK  
DGK  
PW  
5
5
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
1000 RoHS & Green  
3500 RoHS & Green  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
Level-1-260C-UNLIM  
AY2A  
AY2A  
A93  
SN  
SN  
SN  
SN  
SN  
SN  
5
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
SC70  
5
A93  
VSSOP  
VSSOP  
TSSOP  
8
AB3A  
AB3A  
8
14  
94  
RoHS & Green  
LMV65  
4MT  
LMV654MTX/NOPB  
ACTIVE  
TSSOP  
PW  
14  
2500 RoHS & Green  
SN  
Level-1-260C-UNLIM  
-40 to 125  
LMV65  
4MT  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
Addendum-Page 1  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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10-Dec-2020  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
Addendum-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
5-Jan-2022  
TAPE AND REEL INFORMATION  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Package Pins  
Type Drawing  
SPQ  
Reel  
Reel  
A0  
B0  
K0  
P1  
W
Pin1  
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant  
(mm) W1 (mm)  
LMV651MF/NOPB  
LMV651MFX/NOPB  
LMV651MG/NOPB  
LMV651MGX/NOPB  
LMV652MM/NOPB  
LMV652MMX/NOPB  
LMV654MTX/NOPB  
SOT-23  
SOT-23  
SC70  
DBV  
DBV  
DCK  
DCK  
DGK  
DGK  
PW  
5
5
1000  
3000  
1000  
3000  
1000  
3500  
2500  
178.0  
178.0  
178.0  
178.0  
178.0  
330.0  
330.0  
8.4  
8.4  
3.2  
3.2  
3.2  
3.2  
1.4  
1.4  
1.2  
1.2  
1.4  
1.4  
1.6  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
8.0  
Q3  
Q3  
Q3  
Q3  
Q1  
Q1  
Q1  
5
8.4  
2.25  
2.25  
5.3  
2.45  
2.45  
3.4  
8.0  
SC70  
5
8.4  
8.0  
VSSOP  
VSSOP  
TSSOP  
8
12.4  
12.4  
12.4  
12.0  
12.0  
12.0  
8
5.3  
3.4  
14  
6.95  
5.6  
Pack Materials-Page 1  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
5-Jan-2022  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Type Package Drawing Pins  
SPQ  
Length (mm) Width (mm) Height (mm)  
LMV651MF/NOPB  
LMV651MFX/NOPB  
LMV651MG/NOPB  
LMV651MGX/NOPB  
LMV652MM/NOPB  
LMV652MMX/NOPB  
LMV654MTX/NOPB  
SOT-23  
SOT-23  
SC70  
DBV  
DBV  
DCK  
DCK  
DGK  
DGK  
PW  
5
5
1000  
3000  
1000  
3000  
1000  
3500  
2500  
208.0  
208.0  
208.0  
208.0  
208.0  
367.0  
367.0  
191.0  
191.0  
191.0  
191.0  
191.0  
367.0  
367.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
35.0  
5
SC70  
5
VSSOP  
VSSOP  
TSSOP  
8
8
14  
Pack Materials-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
5-Jan-2022  
TUBE  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Name Package Type  
PW TSSOP  
Pins  
SPQ  
L (mm)  
W (mm)  
T (µm)  
B (mm)  
LMV654MT/NOPB  
14  
94  
495  
8
2514.6  
4.06  
Pack Materials-Page 3  
PACKAGE OUTLINE  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
C
3.0  
2.6  
0.1 C  
1.75  
1.45  
1.45  
0.90  
B
A
PIN 1  
INDEX AREA  
1
2
5
(0.1)  
2X 0.95  
1.9  
3.05  
2.75  
1.9  
(0.15)  
4
3
0.5  
5X  
0.3  
0.15  
0.00  
(1.1)  
TYP  
0.2  
C A B  
NOTE 5  
0.25  
GAGE PLANE  
0.22  
0.08  
TYP  
8
0
TYP  
0.6  
0.3  
TYP  
SEATING PLANE  
4214839/G 03/2023  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. Refernce JEDEC MO-178.  
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not  
exceed 0.25 mm per side.  
5. Support pin may differ or may not be present.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (1.1)  
1
5
5X (0.6)  
SYMM  
(1.9)  
2
3
2X (0.95)  
4
(R0.05) TYP  
(2.6)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:15X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
EXPOSED METAL  
EXPOSED METAL  
0.07 MIN  
ARROUND  
0.07 MAX  
ARROUND  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4214839/G 03/2023  
NOTES: (continued)  
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
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EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (1.1)  
1
5
5X (0.6)  
SYMM  
(1.9)  
2
3
2X(0.95)  
4
(R0.05) TYP  
(2.6)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL  
SCALE:15X  
4214839/G 03/2023  
NOTES: (continued)  
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
www.ti.com  
PACKAGE OUTLINE  
DCK0005A  
SOT - 1.1 max height  
S
C
A
L
E
5
.
6
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
C
2.4  
1.8  
0.1 C  
1.4  
1.1  
B
1.1 MAX  
A
PIN 1  
INDEX AREA  
1
2
5
NOTE 4  
(0.15)  
(0.1)  
2X 0.65  
1.3  
2.15  
1.85  
1.3  
4
3
0.33  
5X  
0.23  
0.1  
0.0  
(0.9)  
TYP  
0.1  
C A B  
0.15  
0.22  
0.08  
GAGE PLANE  
TYP  
0.46  
0.26  
8
0
TYP  
TYP  
SEATING PLANE  
4214834/C 03/2023  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. Refernce JEDEC MO-203.  
4. Support pin may differ or may not be present.  
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EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DCK0005A  
SOT - 1.1 max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (0.95)  
1
5
5X (0.4)  
SYMM  
(1.3)  
2
3
2X (0.65)  
4
(R0.05) TYP  
(2.2)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:18X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
EXPOSED METAL  
EXPOSED METAL  
0.07 MIN  
ARROUND  
0.07 MAX  
ARROUND  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4214834/C 03/2023  
NOTES: (continued)  
4. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
5. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
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EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DCK0005A  
SOT - 1.1 max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (0.95)  
1
5
5X (0.4)  
SYMM  
(1.3)  
2
3
2X(0.65)  
4
(R0.05) TYP  
(2.2)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 THICK STENCIL  
SCALE:18X  
4214834/C 03/2023  
NOTES: (continued)  
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
7. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
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重要声明和免责声明  
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，  
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相关型号：

SI9130DB

 5- and 3.3-V Step-Down Synchronous Converters

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SI9135LG-T1

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9135LG-T1-E3

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9135_11

 SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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VISHAY

SI9136_11

 Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9130CG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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SI9130LG-T1-E3

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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SI9130_11

 Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCs

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SI9137

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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SI9137DB

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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SI9137LG

 Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile Applications

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SI9122E

 500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification Drivers

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