MCT8329A_技术文档

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

MCT8329A 高速无传感器梯形控制三相BLDC 栅极驱动器

1 特性

3 说明

• 采用集成无传感器电机控制算法的三相BLDC 栅极

驱动器

MCT8329A 为需要三相无刷直流电机高速运行或极快

启动的应用提供了一个单芯片无代码无传感器梯形解决

方案。该器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都

能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。该器件使

用内部电荷泵生成合适的栅极驱动电压，使用自举电路

增强高侧 MOSFET。具有涓流电荷泵，支持 100% 占

空比。此栅极驱动架构支持高达 1A 的栅极驱动峰值拉

电流和 2A 的栅极驱动峰值灌电流。MCT8329A 由单

一电源供电，支持 4.5V 至 60V 的宽输入电源电压范

围。

– 无代码高速梯形控制

– 支持高达3kHz（电气频率）

– 非常短的启动时间（< 50ms）

– 快速减速(< 150ms)

– 支持120° 或150° 调制，以改善声学性能

– 正向和反向转动支持

– 模拟，PWM，频率或基于I²C 的控制输入

– 可配置的电机启动和停止选项

– 可选闭环速度或功率控制，开环电压控制

– 5 点可配置参考配置文件支持

– 抗电压浪涌可防止过压

无传感器梯形控制可通过非易失性 EEPROM

(MCT8329A1I) 中的寄存器设置实现高度可配置，范围

从电机启动行为到闭环运行，可支持器件在配置完毕后

独立运行。可使用支持单个外部电流采样电阻的集成电

流检测放大器来检测电机电流。该器件通过 PWM 输

入、模拟电压、可变频率方波或 I²C 命令接收速度命

令。MCT8329A 集成了多种保护特性，可在出现故障

事件时保护该器件、电机和系统。

– 通过DACOUT 进行变量监控

• 65V 三相半桥栅极驱动器

– 可驱动工作电压为4.5V 至60V 的3 个高侧和3

个低侧N 沟道MOSFET

– 支持100% PWM 占空比

– 基于自举的栅极驱动器架构

– 1A/2A 最大峰值拉电流/灌电流

• 集成电流检测放大器

器件信息⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

器件型号

封装

MCT8329A1IREER VQFN (36)

5.00mm × 4.00mm

– 可调增益（5、10、20、40 V/V）

• 低功耗睡眠模式

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

– V_PVDD= 24V、T_A= 25°C 时为5µA（最大值）

• 速度环路精度：使用内部时钟时小于3%

• 支持高达100kHz 的PWM 频率

• 在AVDD 连接到VREG 的情况下，提供精确LDO

(AVDD) 3.3V±3%、50mA 支持

• 独立驱动器关断路径(DRVOFF)

• 通过展频，实现更低的EMI

• 整套集成保护特性

4.5 to 60-V

LDO out

3.3-V, up to 80-mA

SPEED

PWM, analog, frequency

MCT8329A

or commanded over I²C

A

DIRECTION

Sensorless

Trap

BRAKE

Gate

Drive

A

FG

Speed feecback

B

C

EEPROM

nFAULT

I²C

LDO Regulator

Charge pump

Current

sense

Op onal during

opera on; I²C speed,

diagnos cs, or on-

the- y con gura on

– 电源欠压锁定(UVLO)

– 电机锁定检测（3 种不同类型）

– 过流保护（OCP）

Bootstrap Architecture

Integrated Current

Sense Ampli er

DACOUTx

Real- me variable

monitoring, 12-bit DAC

– 热关断（TSD）

简化原理图

– 故障条件指示引脚(nFAULT)

– 可选择通过I²C 接口进行故障诊断

2 应用

• 无刷直流(BLDC) 电机模块

• 无线真空吸尘器

• HVAC 风机和通风设备

• 电器风扇和泵

• 无线园艺和电动工具、割草机

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

内容

1 特性................................................................................... 1

2 应用................................................................................... 1

3 说明................................................................................... 1

4 修订历史记录.....................................................................2

5 引脚配置和功能................................................................. 3

6 规格................................................................................... 6

6.1 绝对最大额定值...........................................................6

6.2 ESD 等级- 通信..........................................................7

6.3 建议运行条件.............................................................. 8

6.4 热性能信息1pkg......................................................... 8

6.5 电气特性......................................................................9

6.6 标准和快速模式下SDA 和SCL 总线的特征............. 16

6.7 典型特性....................................................................18

7 详细说明.......................................................................... 19

7.1 概述...........................................................................19

7.2 功能方框图................................................................20

7.3 特性说明....................................................................21

7.4 器件功能模式............................................................ 64

7.5 外部接口....................................................................65

7.6 EEPROM 访问和I²C 接口........................................ 68

7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射...........................74

7.8 RAM（易失性）寄存器映射....................................125

8 应用和实施.....................................................................143

8.1 应用信息..................................................................143

8.2 典型应用..................................................................143

9 电源相关建议.................................................................154

9.1 大容量电容..............................................................154

10 布局............................................................................. 155

10.1 布局指南................................................................155

10.2 布局示例................................................................156

10.3 散热注意事项........................................................ 157

11 器件和文档支持............................................................158

11.1 文档支持................................................................158

11.2 支持资源................................................................158

11.3 商标.......................................................................158

11.4 静电放电警告.........................................................158

11.5 术语表................................................................... 158

12 机械、封装和可订购信息.............................................158

4 修订历史记录

注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同

日期

修订版本

说明

January 2023

*

初始发行版

2

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

5 引脚配置和功能

1

28

27

26

25

24

23

22

DGND

VREG

FG

2

SPEED/WAKE

AVDD

3

GCTRL

GND

PVDD

CPL

4

5

6

7

8

9

AGND

DRVOFF

SN

CPH

SP

GVDD

BSTA

LSS

21

20

Thermal pad

GLC

19

SHA 10

GHC

图5-1. MCT8329A1I 36 引脚VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图

表5-1. 引脚功能

36 引脚封装

引脚

名称

类型⁽¹⁾

说明

MCT8329A1I

AGND

25

26

GND

PWR

器件模拟接地

3.3V 稳压器输出。在AVDD 和AGND 引脚之间连接一个X5R 或X7R、1μF、6.3V

陶瓷电容器。该稳压器可以提供高达50mA 的外部电流（如果AVDD 短接至

VREG）。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。

AVDD

高电平→制动电机

低电平→正常运行

BRAKE

34

I

如果未使用，则通过10kΩ 电阻器连接到GND

自举输出引脚。在BSTA 和SHA 之间连接一个X5R 或X7R、1µF、25V 的陶瓷电容

器。

BSTA

BSTB

BSTC

9

O

自举输出引脚。在BSTB 和SHB 之间连接一个X5R 或X7R、1µF、25V 的陶瓷电容

器。

13

17

自举输出引脚。在BSTC 和SHC 之间连接一个X5R 或X7R、1µF、25V 的陶瓷电容

器。

CPH

CPL

7

6

PWR

电荷泵开关节点。在CPH 引脚和CPL 引脚之间连接一个X5R 或X7R、额定电压为

PVDD 的陶瓷电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。

Submit Document Feedback

3

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表5-1. 引脚功能(continued)

36 引脚封装

引脚

名称

类型⁽¹⁾

说明

MCT8329A1I

DACOUT/S

Ox/

SPEED_AN

A

通用引脚。可配置为DAC 输出、电流检测放大器输出或模拟基准（速度或功率或电

压）输入。

33

1

I/O

DGND

GND

器件数字接地

电机旋转方向；

当为低电平时，相位驱动序列为OUT A →OUT B →OUT C

当为高电平时，相位驱动序列为OUT A →OUT C →OUT B

如果未使用，则通过10kΩ 电阻器连接到GND

DIR

31

24

I

独立驱动器关断路径。通过将栅极驱动器置于下拉状态，将DRVOFF 拉高可关断所

有外部MOSFET。该信号绕过并覆盖数字和控制内核。

DRVOFF

1.5V 内部稳压器输出。在DVDD 和DGND 引脚之间连接一个X5R 或X7R、1µF、

6.3V 陶瓷电容器。

DVDD

EXT_CLK

FG

36

32

28

PWR

I

外部时钟基准模式下的外部时钟基准输入。

电机速度指示器输出。开漏输出需要一个连接到1.8 至5V 电压的外部上拉电阻器。

即使不使用引脚功能，也需要连接外部上拉电阻器。

O

外部MOSFET 的栅极控制用作稳压器，通过VREG 引脚为数字子系统提供电流。该

功能有助于降低器件内部的功耗。

GCTRL

3

O

GHA

GHB

GHC

GLA

GLB

GLC

GND

11

15

19

12

16

20

4

O

高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率MOSFET 的栅极

低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率MOSFET 的栅极

器件电源接地

O

GND

栅极驱动器电源输出。在GVDD 和GND 引脚之间连接一个X5R 或X7R、额定电压

为30V、容值≥10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议使用>10x C_BSTx的电容值和至少

两倍于引脚正常工作电压的额定电压。

GVDD

8

PWR

低侧源极引脚，连接此处外部低侧MOSFET 的所有源极。该引脚是低侧栅极驱动器

的灌电流路径，并用作监测低侧MOSFET VDS 电压和VSEN_OCP 电压的输入。

LSS

21

35

PWR

O

故障指示器。该引脚在故障条件下被拉至逻辑低电平。开漏输出需要一个连接到1.8

至5V 电压的外部上拉电阻器。即使不使用引脚功能，也需要连接外部上拉电阻器。

nFAULT

栅极驱动器电源输入。连接到电桥电源。在PVDD 和GND 引脚之间连接一个X5R

或X7R、0.1µF、额定电压>2x PVDD、容值>10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议电容

器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。

PVDD

5

PWR

I²C 时钟输入

I²C 数据线

SCL

SDA

30

29

I

I/O

高侧源极引脚。连接到高侧功率MOSFET 源极。该引脚是VDS 监视器的输入和高侧

栅极驱动器灌电流的输出。

SHA

SHB

SHC

10

14

18

I/O

高侧源极引脚。连接到高侧功率MOSFET 源极。该引脚是VDS 监视器的输入和高侧

栅极驱动器灌电流的输出。

高侧源极引脚。连接到高侧功率MOSFET 源极。该引脚是VDS 监视器的输入和高侧

栅极驱动器灌电流的输出。

SN

SP

23

22

I

电流检测放大器输入。连接到电流分流电阻的低侧。

低侧分流放大器输入。连接到低侧功率MOSFET 源极和电流分流电阻器的高侧。

多功能输入。

器件睡眠/唤醒输入。

器件速度输入；支持基于模拟、PWM 或频率的基准（速度或功率或电压）输入。

SPEED/

WAKE

27

I

4

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表5-1. 引脚功能(continued)

36 引脚封装

引脚

名称

类型⁽¹⁾

说明

MCT8329A1I

内部DVDD LDO 的稳压器输入电源。连接到AVDD 或外部3-5.5V 电压。在VREG

和DGND 引脚之间连接一个X5R 或X7R、1μF、6.3V 陶瓷电容器。

VREG

2

-

PWR

散热焊盘

必须接地

(1) I = 输入，O = 输出，GND = 接地引脚，PWR = 电源，NC = 无连接

Submit Document Feedback

5

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

6 规格

6.1 绝对最大额定值

在工作温度范围内（除非另有说明）⁽¹⁾

最小值

-0.3

最大值

单位

V

PVDD

65

80

电源引脚电压

BSTx

-0.3

V

自动加载引脚电压

-0.3

20

V

BSTx，以SHx 为基准

BSTx，以GHx 为基准

CPL、CPH

GND、DGND、AGND

VREG

自动加载引脚电压

20

自动加载引脚电压

V_GVDD

0.3

6

电荷泵引脚电压

接地引脚之间的电压差

稳压器引脚电压(VREG)

栅极控制引脚电压(GCTRL)

栅极驱动器稳压器引脚电压

数字稳压器引脚电压

模拟稳压器引脚电压

GCTRL

7

GVDD

20

DVDD

1.7

4

AVDD

BRAKE、DRVOFF、DIR、EXT_CLK、

SCL、SDA、SPEED/WAKE、

DACOUT/SOx/SPEED_ANA

-0.3

6

V

逻辑引脚电压

-0.3

-8

6

80

20

70

72

20

0.3

1

V

nFAULT、FG

GHx

开漏引脚输出电压

高侧栅极驱动引脚电压

GHx

-10

-0.3

-8

V

高侧栅极驱动引脚500ns 瞬态电压

V

GHx，以SHx 为基准

高侧栅极驱动引脚电压

高侧源极引脚电压

SHx

V

-10

-0.3

-1

V

高侧源极引脚500ns 瞬态电压

V

GLx，以LSS 为基准

GLx，以GVDD 为基准

LSS

低侧栅极驱动引脚电压

低侧栅极驱动引脚500ns 瞬态电压⁽⁽²⁾⁾

V

低侧栅极驱动引脚电压

V

低侧栅极驱动引脚500ns 瞬态电压

低侧源极检测引脚电压

-1

1

V

LSS

-10

8

V

低侧源极检测引脚500ns 瞬态电压

A

GHx、GLx

SN、SP

栅极驱动电流

受内部限制

-1

-10

-40

-65

1

8

V

采样电阻放大器输入引脚电压

采样电阻放大器输入引脚500ns 瞬态电压

环境温度，T_A

V

125

150

°C

结温，T_J

贮存温度，T_stg

(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条

件下能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、

功能和性能，并缩短器件寿命

(2) 当GLx-LSS 为负时，支持高达5A、持续时间为500nS 的电流

English Data Sheet: SLLSFQ3

6

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

6.2 ESD 等级- 通信

值

单位

人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准⁽¹⁾

充电器件模式（CDM），符合JEDEC 规范JESD22-C101⁽²⁾

±2000

V_(ESD)

V

静电放电

±750

(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 时能够在标准ESD 控制流程下安全生产。

(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。

Submit Document Feedback

7

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

6.3 建议运行条件

在工作温度范围内（除非另有说明）

最小值

标称值

最大值

单位

V

V_PVDD

PVDD

4.5

60

30

20

电源电压

V_{PVDD_RAMP}

PVDD

V/us

上电时的电源电压斜升速率

以SHx 为基准的自动加载引脚电压

V_BST

4

V

SPEED/WAKE = 高，输出正在切换

稳压器外部负载电流（AVDD 连接到

VREG）

(1)

I_AVDD

AVDD

50

mA

I_TRICKLE

V_VREG

BSTx

2

µA

V

涓流电荷泵外部负载电流

VREG

2.2

0

5.5

VREG 引脚电压

BRAKE、DRVOFF、DIR、EXT_CLK、

SPEED/WAKE、SDA、SCL

V_IN

5.5

V

逻辑输入电压

f_PWM

V_OD

I_OD

0

100

5.5

-10

kHz

V

PWM 频率

FG，nFAULT

开漏上拉电压

开漏输出电流

nFAULT

mA

总平均栅极驱动电流（低侧和高侧相结

合）

(1)

I_GS

30

mA

I

_GHx、I_GLx

V_SHSL

C_BOOT

C_GVDD

T_A

4

4.7 ⁽⁽²⁾⁾

130

V/ns

µF

SHx 引脚上的压摆率

BSTx 和SHx 之间的电容器

GVDD 和GND 之间的电容器

工作环境温度

µF

-40

125

°C

T_J

150

°C

工作结温

(1) 必须遵循功率损耗和热限值

(2) 当C_BSTx大于4.7µF 时，需要限制流经自举二极管(DBOOT) 的电流。

6.4 热性能信息1pkg

MCT8329A

REE (VQFN)

36

热指标⁽¹⁾

单位

R_θJA

37.7

°C/W

结至环境热阻

R_θJC(top)

R_θJB

23.3

16

3.8

16

5

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板热阻

Ψ_JT

结至顶部特征参数

结至电路板特征参数

结至外壳（底部）热阻

Ψ_JB

R_θJC(bot)

(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。

English Data Sheet: SLLSFQ3

8

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

6.5 电气特性

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

电源（PVDD、GVDD、AVDD、DVDD、VREG、GCTRL）

V_PVDD= 24V，V_SPEED/WAKE= 0，T_A=

25°C，AVDD 连接到VREG

3

5

6

µA

I_PVDDQ

PVDD 睡眠模式电流

PVDD 待机模式电流

V_SPEED/WAKE= 0，T_A= 125°C，AVDD

连接到VREG

3.5

V_PVDD= 24V，V_SPEED/WAKE< V_{EN_SB}

DRVOFF = 低电平，T_A= 25°C，AVDD

连接到VREG

，

25

28

mA

I_PVDDS

V_SPEED/WAKE< V_{EN_SB ，}DRVOFF = 低电

平，AVDD 连接到VREG

V_PVDD= 24V，V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}

，

PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz)，

T_J= 25°C，未连接FET 和电机，AVDD

连接到VREG

28

30

mA

V_PVDD= 24V，V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}

，

PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz)，

未连接FET 和电机，AVDD 连接到

VREG

I_PVDD

PVDD 运行模式电流

V_PVDD= 8V，V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}

，

PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz)，

T_J= 25°C，未连接FET 和电机，AVDD

未连接到VREG，VREG = 外部3.3V

8.5

14.1

11.1

V_PVDD= 24V，V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}

，

PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz)，

未连接FET 和电机，AVDD 未连接到

VREG，VREG = 外部3.3V

V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}

，

PWM_FREQ_OUT = 10000b (25kHz)，

VREG 连接到AVDD

I_VREG

25

16

mA

µA

VREG 引脚运行模式电流

V_BSTx= V_SHx= 60V，V_GVDD= 0V，

V_SPEED/WAKE= 低电平

IL_BSx

5

10

自动加载引脚漏电流

GLx = GHx = 开关频率为20kHz，未连

接FET

IL_{BS_TRAN}

60

11.8

115

13

300

15

µA

V

自动加载引脚运行模式瞬态漏电流

V

_PVDD≥40V，I_GS= 10mA，T_J= 25°C

22V ≤V_PVDD≤40V，I_GS= 30mA，T_J

= 25°C

13

15

V

8V ≤V_PVDD≤22V，I_GS= 30mA，T_J=

11.8

13

15

14.5

13.5

V

V_{GVDD_RT}

GVDD 栅极驱动器稳压器电压（室温）

25°C

6.75V ≤V_PVDD≤8V，I_GS= 10mA，T_J

= 25°C

2*V_PVDD

- 1

4.5V ≤V_PVDD≤6.75V，I_GS= 10mA，

T_J= 25°C

11.5

15.5

14.5

V

_PVDD≥40V，I_GS= 10mA

22V ≤V_PVDD≤40V，I_GS= 30mA

8V ≤V_PVDD≤22V，I_GS= 30mA

6.75V ≤V_PVDD≤8V，I_GS= 10mA

V_GVDD

GVDD 栅极驱动器稳压器电压

2*V_PVDD

- 1.4

13.5

V

4.5V ≤V_PVDD≤6.75V，I_GS= 10mA

Submit Document Feedback

9

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

V

_PVDD≥6V，0mA ≤I_AVDD≤30mA，

3.26

3.3

3.33

3.4

V

T_J= 25°C

V

_PVDD≥6V，30mA ≤I_AVDD≤80mA，

V_{AVDD_RT}

3.2

3.3

V

AVDD 模拟稳压器电压（室温）

T_J= 25°C

V

_PVDD≤6V，0mA ≤I_AVDD≤50mA，

3.13

3.46

T_J= 25°C

V_DVDD

V_AVDD

V_GCTRL

VREG = 3.3V

1.4

3.2

1.55

3.3

5.7

1.65

3.4

3.5

6.5

V

数字稳压器电压

AVDD 模拟稳压器电压

栅极控制电压

V

_PVDD≥6V，0mA ≤I_AVDD≤80mA

_PVDD≤6V，0mA ≤I_AVDD≤50mA

3.125

4.9

V_PVDD> 4.5V

栅极驱动器（GHx、GLx、SHx、SLx）

I_GHx= -100mA，V_GVDD= 12V，未连接

V_{GSHx_LO}

V_{GSHx_HI}

V_{GSLx_LO}

V_{GSLx_HI}

0.05

0.28

0.05

0.28

2.7

0.11

0.44

0.11

0.44

4.5

0.24

0.82

0.27

0.82

8.4

V

高侧栅极驱动低电平电压

FET

I_GHx= 100mA，V_GVDD= 12V，未连接

FET

高侧栅极驱动高电平电压(V_BSTx- V_GHx

低侧栅极驱动低电平电压

)

I_GLx= -100mA，V_GVDD= 12V，未连接

FET

I_GLx= 100mA，V_GVDD= 12V，未连接

FET

低侧栅极驱动高电平电压(V_GVDD- V_GLx

高侧上拉开关电阻

)

R_{DS(ON)_PU_}

I_GHx= 100mA，V_GVDD= 12V

I_GLx= 100mA，V_GVDD= 12V

Ω

HS

R_{DS(ON)_PD_}

0.5

1.1

2.4

高侧下拉开关电阻

HS

R_{DS(ON)_PU_}

2.7

4.5

8.3

低侧上拉开关电阻

LS

R_{DS(ON)_PD_}

0.5

1.1

2.8

低侧下拉开关电阻

LS

I_{DRIVEP_HS}

I_{DRIVEN_HS}

I_{DRIVEP_LS}

I_{DRIVEN_LS}

R_{PD_LS}

V_GSHx= 12V

550

1150

550

1150

80

1000

2000

1000

2000

100

1575

2675

1575

2675

120

mA

kΩ

高侧峰值栅极拉电流

高侧峰值栅极灌电流

低侧峰值栅极拉电流

低侧峰值栅极灌电流

低侧无源下拉电阻

V_GSHx= 0V

V_GSLx= 12V

V_GSLx= 0V

GLx 至LSS

R_{PDSA_HS}

8

10

12.5

GHx 至SHx，V_GSHx= 2V

kΩ

高侧半有源下拉电阻

自举二极管

I_BOOT= 100µA

0.8

1.6

9

V

V_BOOTD

自举二极管正向电压

I_BOOT= 100mA

R_BOOTD

4.5

5.5

自举动态电阻(ΔV_BOOTD/ΔI_BOOT

)

I_BOOT= 100mA 和50mA

Ω

逻辑电平输入（BRAKE、DIR、EXT_CLK、SCL、SDA、SPEED/WAKE）

0.25*AV

DD

V_IL

V_IH

V

AVDD = 3 至3.6V

输入逻辑低电平电压

输入逻辑高电平电压

0.65*AV

DD

V_HYS

50

-0.15

-0.3

500

1

800

0.15

0.1

mV

µA

输入滞后

I_IL

AVDD = 3 至3.6V

输入逻辑低电平电流

输入逻辑高电流

输入下拉电阻

I_IH

µA

AVDD = 3 至3.6V

R_{PD_SPEED}

0.6

1.4

SPEED/WAKE 引脚至GND

MΩ

逻辑电平输入(DRVOFF)

V_IL

0.8

V

输入逻辑低电平电压

English Data Sheet: SLLSFQ3

10

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

输入逻辑高电平电压

输入滞后

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

V

V_IH

2.2

V_HYS

200

400

0

650

1

mV

I_IL

-1

7

µA

引脚电压= 0V；

输入逻辑低电平电流

输入逻辑高电流

输入下拉电阻

I_IH

20

35

引脚电压= 5V；

DRVOFF 至GND

R_{PD_DRVOFF}

100

200

300

kΩ

开漏输出（nFAULT、FG）

V_OL

I_OZ

I_OD= -5mA

V_OD= 3.3 V

0.4

0.5

V

输出逻辑低电压

输出逻辑高电流

0

µA

速度输入- 模拟模式

V_{ANA_FS}

2.95

3

3.05

V

模拟全速电压

V_{ANA_RES}

732

μV

模拟电压分辨率

Submit Document Feedback

11

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

速度输入- PWM 模式

0.01

11

12

11

13

12

11

10

8

95

13

14

12

14

13

12

11

10

kHz

位

ƒ_PWM

PWM 输入频率

12

13

f_PWM= 0.01 至0.35kHz

f_PWM= 0.35 至2kHz

f_PWM= 2 至3.5kHz

f_PWM= 3.5 至7kHz

f_PWM= 7 至14kHz

11.5

13.5

12.5

11.5

10.5

9

Res_PWM

PWM 输入分辨率

f_PWM= 14 至29.2kHz

f_PWM= 29.3 至60kHz

f_PWM= 60 至95kHz

速度输入- 频率模式

ƒ_{PWM_FREQ}PWM 输入频率范围

睡眠模式

3

32767

40

Hz

占空比= 50%

V_{EN_SL}

mV

V

SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟模式）

进入睡眠模式的模拟电压

V_{EX_SL}

2.6

0.5

退出睡眠模式的模拟电压

SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟模

式），V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}

检测SPEED/WAKE 引脚上的唤醒信号所

需的时间

t_{DET_ANA}

1

3

1.5

5

μs

ms

μs

V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}以使DVDD 电压

可用，SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟

模式）

t_WAKE

从睡眠模式唤醒的时间

t_{EX_SL_DR_A}

SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟模式）

V_SPEED/WAKE> V_{EX_SL}，禁用ISD 检测

30

1.5

退出睡眠模式后驱动电机所需的时间

NA

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）11b（频率模式），

V_SPEED/WAKE> V_IH

检测SPEED 引脚上的唤醒信号所需的时

间

t_{DET_PWM}

0.5

1

3

V_SPEED/WAKE> V_IH以使DVDD 电压可用

并释放nFault，SPD_CTRL_MODE =

01b（PWM 模式）或11b（频率模式）

t_{WAKE_PWM}

5

30

2

ms

从睡眠模式唤醒的时间

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）

V_SPEED/WAKE> V_IH，禁用ISD 检测

t_{EX_SL_DR_P}

从睡眠状态唤醒后驱动电机所需的时间

检测睡眠命令所需的时间

WM

SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟模式）

V_SPEED/WAKE< V_{EN_SL，}SLEEP_TIME =

00b 或01b

t_{DET_SL_ANA}

0.5

1

English Data Sheet: SLLSFQ3

12

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）或11b（频率模式），V_SPEED/WAKE

< V_IL（PWM 模式和频率模式），

SLEEP_TIME = 00b

0.035

0.05

0.065

ms

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）或11b（频率模式），V_SPEED/WAKE

< V_IL（PWM 模式和频率模式），

SLEEP_TIME = 01b

0.14

14

0.2

20

0.26

26

ms

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）、11b（频率模式）或00b（模拟模

式），V_SPEED/WAKE< V_IL（PWM 模式和

频率模式），V_SPEED/WAKE< V_{EN_SL}（模

拟模式），SLEEP_TIME = 10b

t_{DET_SL_PWM}

检测睡眠命令所需的时间

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）、11b（频率模式）或00b（模拟模

式），V_SPEED/WAKE< V_IL（PWM 模式和

频率模式），V_SPEED/WAKE< V_{EN_SL}（模

拟模式），SLEEP_TIME = 11b

140

200

1

260

2

ms

V_SPEED/WAKE< V_{EN_SL}（模拟模式）或

V_SPEED/WAKE< V_IL（PWM 和频率模式）

检测到睡眠命令后停止驱动电机所需的时

间

t_{EN_SL}

Submit Document Feedback

13

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

待机模式

t_{EX_SB_DR_A}

SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟模式）

V_SPEED> V_{EN_SB}，禁用ISD 检测

6

ms

退出待机模式后驱动电机所需的时间

检测待机模式所需的时间

NA

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）

V_SPEED> V_IH，禁用ISD 检测

t_{EX_SB_DR_P}

WM

SPD_CTRL_MODE = 00b（模拟模式）

V_SPEED< V_{EN_SB}

t_{DET_SB_ANA}

0.5

1

2

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）或11b（频率模式），

V_SPEED< V_IL，SLEEP_TIME = 00b

0.035

0.05

0.065

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）或11b（频率模式），

0.14

14

0.2

20

0.26

26

ms

V_SPEED< V_IL，SLEEP_TIME = 01b

t_{EN_SB_PWM}

检测待机命令所需的时间

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）或11b（频率模式），

V_SPEED< V_IL，SLEEP_TIME = 10b

SPD_CTRL_MODE = 01b（PWM 模

式）或11b（频率模式），

140

200

1

260

2

ms

V_SPEED< V_IL，SLEEP_TIME = 11b

SPD_CTRL_MODE = 10b（I2C 模

式），SPEED_CMD = 0

t_{EN_SB_DIG}

检测待机模式所需的时间

V_SPEED< V_{EN_SL}（模拟模式）或V_SPEED

< V_IL（PWM 模式）或速度命令= 0（I2C

模式）

检测到待机命令后停止驱动电机所需的时

间

t_{EN_SB}

1

2

振荡器

T_J= -25 至125 ^oC。

SL_ACC

-2.25

2.25

%

速度环路精度

EXT_CLK_CONFIG = 000b

EXT_CLK_CONFIG = 001b

EXT_CLK_CONFIG = 010b

EXT_CLK_CONFIG = 011b

EXT_CLK_CONFIG = 100b

EXT_CLK_CONFIG = 101b

EXT_CLK_CONFIG = 110b

EXT_CLK_CONFIG = 111b

8

16

kHz

32

64

f_OSCREF

外部时钟基准

128

256

512

1024

保护电路

1.8

1.7

1.9

1.8

2

V

电源上升

电源下降

V_{VREG_UVLO}

稳压器输入欠压锁定(VREG-UVLO)

1.9

V_{VREG_UVLO}

30

100

5

160

mV

µs

稳压器UVLO 迟滞

上升至下降阈值

_HYS

t_{VREG_UVLO_}

稳压器UVLO 抗尖峰脉冲时间

DEG

V_{DVDD_UVLO}

1.2

1.25

4.3

4

1.25

1.35

4.4

1.32

1.45

4.5

V

数字稳压器欠压锁定(DVDD-UVLO)

电源电压上升

电源电压下降

V_{DVDD_UVLO}

V

_PVDD上升

_PVDD下降

V_{PVDD_UV}

V

PVDD 欠压锁定阈值

4.1

4.25

V_{PVDD_UV_H}

225

10

265

20

325

30

mV

µs

PVDD 欠压锁定迟滞

上升至下降阈值

YS

t_{PVDD_UV_DG}

PVDD 欠压抗尖峰脉冲时间

English Data Sheet: SLLSFQ3

14

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

2.7

2.85

3.0

AVDD 上升

AVDD 下降

V_{AVDD_POR}

V

AVDD 电源POR 阈值

2.5

2.65

200

2.8

V_{AVDD_POR_}

170

250

mV

µs

AVDD POR 迟滞

上升至下降阈值

HYS

t_{AVDD_POR_D}

7

12

22

AVDD POR 抗尖峰脉冲时间

G

7.3

6.4

7.5

6.7

7.8

6.9

V

_GVDD上升

_GVDD下降

V_{GVDD_UV}

GVDD 欠压阈值

V_{GVDD_UV_H}

800

900

1000

mV

GVDD 欠压迟滞

上升至下降阈值

YS

t_{GVDD_UV_DG}

5

3.9

3.7

150

2

10

4.45

4.2

220

4

15

5

µs

V

GVDD 欠压抗尖峰脉冲时间

V_BSTx- V_SHx，V_BSTx上升

V_BSTx- V_SHx，V_BSTx下降

上升至下降阈值

V_{BST_UV}

V_{BST_UV_HYS}

自举欠压阈值

4.8

285

6

V

mV

µs

V

自举欠压迟滞

t_{BST_UV_DG}

自举欠压抗尖峰脉冲时间

SEL_VDS_LVL = 0000

SEL_VDS_LVL = 0001

SEL_VDS_LVL = 0010

SEL_VDS_LVL = 0011

SEL_VDS_LVL = 0100

SEL_VDS_LVL = 0101

SEL_VDS_LVL = 0110

SEL_VDS_LVL = 0111

SEL_VDS_LVL = 1000

SEL_VDS_LVL = 1001

SEL_VDS_LVL = 1010

SEL_VDS_LVL = 1011

SEL_VDS_LVL = 1100

SEL_VDS_LVL = 1101

SEL_VDS_LVL = 1110

SEL_VDS_LVL = 1111

LSS 至GND 引脚= 0.5V

0.04

0.09

0.14

0.19

0.23

0.3

0.35

0.4

0.5

0.65

0.85

1

0.06

0.12

0.18

0.24

0.3

0.36

0.42

0.48

0.6

0.8

1

0.08

0.15

0.23

0.29

0.37

0.43

0.5

0.56

0.7

0.9

1.15

1.34

1.58

1.78

2

V

V_{DS_LVL}

V_DS过流保护阈值基准

V

1.2

1.4

1.6

1.8

2

V

1.2

1.4

1.6

1.7

0.48

0.5

1.5

3

V

2.2

0.52

2.7

5

V

V_{SENSE_LVL}

t_{DS_BLK}

t_{DS_DG}

0.5

1

V

_SENSE过流保护阈值

µs

°C

V_DS过流保护消隐时间

V_DS和V_SENSE过流保护抗尖峰脉冲时间

DRVOFF 峰值灌电流持续时间

DRVOFF 数字关断延迟

DRVOFF 模拟关断延迟

热关断温度

3

t_{SD_SINK_DIG}

t_{SD_DIG}

5

7

0.5

7

1.5

14

2.2

21

t_SD

T_OTSD

160

16

170

20

187

23

T_J上升，

T_HYS

热关断迟滞

I²C 串行接口

0.3*AVD

D

V_{I2C_L}

-0.5

V

低电平输入电压

高电平输入电压

迟滞

0.7*AVD

D

V_{I2C_H}

5.5

0.05*AV

DD

V_{I2C_HYS}

Submit Document Feedback

15

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

4.5V ≤V_PVDD≤60V，–40°C ≤T_J≤150°C（除非另有说明）。典型限值适用于T_A= 25°C、V_PVDD= 24V。

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位

V

V_{I2C_OL}

I_{I2C_OL}

I_{I2C_IL}

C_i

0

0.4

6

2mA 灌电流漏极开路

低电平输出电压

V_{I2C_OL}= 0.6V

mA

µA

低电平输出电流

-10⁽¹⁾

10⁽¹⁾

SDA 和SCL 上的输入电流

SDA 和SCL 的电容

10

pF

ns

250⁽²⁾

标准模式

快速模式

从V_{I2C_H}（最小值）到V_{I2C_L}（最大值）

的输出下降时间

t_of

必须由输入滤波器进行抑制的尖峰脉冲宽

度

t_SP

0

50⁽³⁾

ns

快速模式

EEPROM

EE_Prog

1.35

1.5

1.65

V

年

编程电压

保持

100

T_A= 25℃

EE_RET

EE_END

10

1000

T_J= -40 至150℃

T_J= -40 至85℃

年

周期数

周期

耐久性

20000

(1) 如果AVDD 关闭，则I/O 引脚不得妨碍SDA 和SCL 线。

(2) SDA 和SCL 总线的最大tf (300ns) 长于输出级的额定最大tof (250ns)。这允许在SDA/SCL 引脚以及SDA/SCL 总线之间连接串联保护

电阻器(Rs)，而不超过最大tf 额定值。

(3) SDA 和SCL 输入端的输入滤波器可抑制小于50ns 的噪声尖峰。

6.6 标准和快速模式下SDA 和SCL 总线的特征

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数

测试条件

最小值

标称值

最大值

单位

标准模式

f_SCL

0

4

100

kHz

µs

ns

µs

pF

µs

SCL 时钟频率

t_{HD_STA}

t_LOW

（重复）START 条件后的保持时间

SCL 时钟的低电平周期

在这段时间后，第一个时钟脉冲被生成。

4.7

4

t_HIGH

t_{SU_STA}

t_{HD_DAT}

t_{SU_DAT}

t_r

SCL 时钟的高电平周期

4.7

0 ⁽²⁾

250

重复START 条件的建立时间

数据保持时间⁽¹⁾

(3)

I2C 总线器件

数据建立时间

1000

300

SDA 和SCL 信号的上升时间

SDA 和SCL 信号的下降时间^{(2) (5) (6) (7)}

STOP 条件的建立时间

t_f

t_{SU_STO}

t_BUF

4

4.7

停止条件和启动条件之间的总线空闲时间

每个总线的容性负载⁽⁸⁾

C_b

400

3.45 ⁽³⁾

数据有效时间⁽⁹⁾

t_{VD_DAT}

t_{VD_ACK}

数据有效确认时间⁽¹⁰⁾

0.1*AVD

D

V_nL

V_nh

V

对于每个连接的器件（包括迟滞）

低电平的噪声容限

高电平的噪声容限

0.2*AVD

D

快速模式

f_SCL

0

0.6

1.3

400

KHz

µs

SCL 时钟频率

t_{HD_STA}

t_LOW

（重复）START 条件后的保持时间

SCL 时钟的低电平周期

在这段时间后，第一个时钟脉冲被生成。

µs

English Data Sheet: SLLSFQ3

16

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数

测试条件

最小值

标称值

最大值

单位

t_HIGH

0.6

µs

SCL 时钟的高电平周期

重复START 条件的建立时间

数据保持时间⁽¹⁾

t_{SU_STA}

t_{HD_DAT}

t_{SU_DAT}

t_r

0.6

0 ⁽²⁾

µs

ns

(3)

100 ⁽⁴⁾

20

数据建立时间

300

SDA 和SCL 信号的上升时间

20 x

(AVDD/

5.5V)

SDA 和SCL 信号的下降时间^{(2) (5) (6) (7)}

t_f

ns

t_{SU_STO}

t_BUF

0.6

1.3

µs

pF

µs

STOP 条件的建立时间

停止条件和启动条件之间的总线空闲时间

每个总线的容性负载⁽⁸⁾

数据有效时间⁽⁹⁾

C_b

400

0.9 ⁽³⁾

t_{VD_DAT}

t_{VD_ACK}

数据有效确认时间⁽¹⁰⁾

0.1*AVD

D

V_nL

V_nh

V

对于每个连接的器件（包括迟滞）

低电平的噪声容限

高电平的噪声容限

0.2*AVD

D

(1)

t_{HD_DAT}是从SCL 下降沿开始测量的数据保持时间，适用于传输和确认中的数据。

(2) 器件必须在内部为SDA 信号提供至少300ns 的保持时间（相对于SCL 信号的V_IH(min)）以桥接未定义的SCL 下降沿区域。

(3) 对于标准模式和快速模式，最大t_{HD_DAT}可以为3.45µs 和0.9µs，但必须比t_{VD_DAT}或t_{VD_ACK}的最大值小一个转换时间。仅当器件不

延长SCL 信号的低电平周期(t_LOW) 时才必须满足该最大值。如果时钟延长了SCL，则数据必须在其释放时钟之前的设置时间内有效。

(4) 快速模式I2C 总线器件可用于标准模式I2C 总线系统，但必须满足t_{SU_DAT}250ns 的要求。如果该器件不延长SCL 信号的低电平周期，

将自动成为该情况。如果此类器件确实延长了SCL 信号的低电平周期，则此类器件必须在释放SCL 线之前的t_r(max)+ t_{SU_DAT}= 1000 +

250 = 1250ns 内（根据标准模式I2C 总线规范）将下一个数据位输出到SDA 线。确认时序也必须满足该建立时间。

(5) 如果与HS 模式器件混合使用，则根据表10 允许更短的下降时间。

(6) SDA 和SCL 总线的最大t_f额定值为300ns。SDA 输出级的最大下降时间t_f额定值为250ns。这允许在SDA 和SCL 引脚以及

SDA/SCL 总线之间连接串联保护电阻器，而不超过最大t_f额定值。

(7) 在超快速模式下，输出级和总线时序的下降时间具有相同的额定值。如果使用串联电阻器，则设计人员在考虑总线时序时应确保实现这

一点。

(8) 允许的最大总线电容可能会有所不同，具体取决于应用的实际工作电压和频率。

(9) t_{VD_DAT}= 数据信号从SCL 低电平到SDA 输出（高电平或低电平，取决于哪个更差）的时间。

(10) t_{VD_ACK}= 确认信号从SCL 低电平到SDA 输出（高电平或低电平，取决于哪个更差）的时间。

Submit Document Feedback

17

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

6.7 典型特性

14

13.5

13

2500

2250

2000

1750

1500

1250

1000

750

High Side Source

High Side Sink

Low Side Source

Low Side Sink

12.5

12

11.5

11

10.5

10

9.5

9

-40 C

25 C

8.5

8

150 C

0

5

10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60

PVDD Voltage (V)

-40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140

Junction Temperature (C)

图6-1. GVDD 电压与PVDD 电压之间的关系

图6-2. 驱动器峰值电流与结温之间的关系

9

8.75

8.5

8.25

8

7.75

7.5

7.25

7

0.65

0.625

0.6

0.575

0.55

0.525

0.5

6.75

6.5

6.25

6

5.75

5.5

0.475

0.45

0.425

0.4

-40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140

-40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140

Junction Temperature (C)

Junction Temperature ()

图6-4. 自举二极管正向压降与结温之间的关系

图6-3. 自举二极管电阻与结温中间的关系

18

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7 详细说明

7.1 概述

MCT8329A 通过集成式三相栅极驱动器提供无代码无传感器梯形控制解决方案，适用于需要无刷直流电机高速运

行（电气速度高达3kHz）或启动时间非常短(< 50ms) 的应用。

这类器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N 沟道功率MOSFET。可以使用集成式电

流检测放大器来检测电机电流，此时需要采用外部低侧检测电阻。该器件集成了一个 LDO，可为器件生成必要的

电压轨，并可用于为外部电路供电。

从电机启动行为到闭环运行，无传感器梯形控制可通过寄存器设置进行高度配置。寄存器设置可存储在非易失性

EEPROM 中(MCT8329A1I)，从而允许器件在配置后独立运行。MCT8329A1I 允许进行高级监测；可以通过一个

12 位 DAC 作为模拟输出来显示和观察算法中的任何变量。该功能提供了一种有效的方法来调整速度环路和电机

加速。该器件通过PWM 输入、模拟电压、频率输入或I²C 命令接收速度命令。

内置保护功能包括电源欠压锁定(PVDD_UVLO)、稳压器欠压锁定(GVDD_UV)、自举电压欠压锁定(BST_UV)、

VDS 过流保护 (OCP)、检测电阻器过流保护 (SEN_OCP)、电机锁定检测和过热关机 (OTSD)。故障事件由

nFAULT 引脚指示，可从状态寄存器获取详细故障信息。

标准的I²C 为通过外部控制器配置各种器件设置和读取故障诊断信息提供了一种简单的方法。

The MCT8329A 器件采用0.4mm 引脚间距、VQFN 表面贴装封装。VQFN 封装尺寸为5mm × 4mm。

Submit Document Feedback

19

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.2 功能方框图

C_CP470nF

C_GVDD

10

F

PVDD

GVDD

CPL

CPH

AVDD Out

AVDD

PVDD

C_AVDD

AVDD LDO

Regulator

VCP Charge

Pump

C_PVDD1+ C_PVDD2

1uF

AGND

0.1µF

Bulk

AVDD

GCTRL

DRVOFF

or

3 V to 5.5 V external

VREG

GVDD

PVDD

Trickle CP

HS

C_VREG

1uF

BSTA

EEPROM

DVDD

GND

C_BSTA

GHA

R_GHA

DVDD

LDO

Regulator

HS

C_DVDD

1uF

Sensorless Trap

Engine

SHA

GLA

GVDD

LS

R_GLA

LS

SPEED/WAKE

BRAKE

PWM, Freq or

Analog Input

Protection

LSS

A

GVDD

AVDD

R_FG

DIR

Trickle CP

HS

PVDD

BSTB

IO Interafce

C_BSTB

GHB

R_GHB

R_nFAULT

HS

FG

SHB

GLB

Speed / power loop

GVDD

LS

R_GLB

nFAULT

AVDD

LS

Speed / power

profiles

Protection

GVDD

LSS

SCL

AVDD

Fast accel & decel

I²C

Trickle CP

HS

PVDD

BSTC

C_BSTC

SDA

2

120° & 150° capable

R_GHC

GHC

HS

SHC

Optional external

clock reference

Built-in 60-MHz

Oscillator

LSS

0.5

GVDD

LS

+

-

R_GLC

EXT_CLK

GLC

LS

12-bit

DAC

12-bit

ADC

VSENSE OCP

Op onal external

clock reference

Protection

LSS

3x LS, 3x HS

LSS

SP

VDS

+

-

Variable

monitoring on

DACOUT pin,

SOx output,

Analog speed

input op on

VDSLVL

VDS OCP

AVDD

PVDD

DACOUT/SOx/SPEED_ANA

OUTA

OUTB

OUTC

R_SENSE

-

+

ISEN

-

SN

+

-

+

ISEN

CSA

GND

图7-1. MCT8329A 功能方框图

English Data Sheet: SLLSFQ3

20

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3 特性说明

表7-1 列出了驱动器的外部元件的建议值。

表7-1. MCT8329A 外部元件

引脚1

引脚2

元件

推荐

X5R 或X7R、0.1µF、额定电压大于2 倍PVDD 的电

容器

C_PVDD1

PVDD

PGND

C_PVDD2

C_CP

C_AVDD

C_GVDD

PVDD

CPH

PGND

CPL

≥10µF、额定电压大于2 倍PVDD 的大容量电容器

X5R 或X7R、470nF、PVDD 电容器

AVDD

GVDD

AGND

GND

X5R 或X7R、≥1µF、6.3V 电容器

X5R 或X7R、≥10uF、额定电压为30V 的电容器

X5R 或X7R、1µF、≥4V。为了让DVDD 准确调节输

出电压，电容器应在工作温度范围内在1.5V 下具有

0.6µF 至1.3µF 的有效电容。

C_DVDD

DVDD

GND

C_VREG

C_BSTx

R_nFAULT

R_FG

VREG

BSTx

GND

SHx

X5R 或X7R、≥1μF、10V 电容器

X5R 或X7R、1µF（典型值）、25V 电容器

5.1kΩ上拉电阻器

nFAULT

FG

1.8 至5V 电源电压

BRAKE

5.1kΩ上拉电阻器

R_SDA

SDA

5.1kΩ上拉电阻器

R_SCL

SCL

5.1kΩ上拉电阻器

R_BRAKE

GND

如果使用BRAKE 引脚，则可选的<100kΩ电阻器可实

现更好的抗噪性

R_DIR

DIR

GND

如果使用DIR 引脚，则可选的<100kΩ电阻器可实现

更好的抗噪性

备注

对于FG 和nFAULT 引脚，即使不使用引脚功能，也需要连接外部上拉电阻器。如果使用了外部电源进

行上拉，则需要将FG 和nFAULT 引脚拉高，然后器件才能进入工作状态。

7.3.1 三相BLDC 栅极驱动器

MCT8329A 器件集成了三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。电荷泵

用于生成 GVDD，以便在宽工作电压范围内提供正确的栅极偏置电压。低侧栅极输出由 GVDD 直接驱动，而高侧

栅极输出使用带有集成二极管的自举电路驱动，内部涓流电荷泵支持100% 占空比运行。

7.3.2 栅极驱动架构

栅极驱动器器件采用适用于高侧和低侧驱动器的互补推挽拓扑。该拓扑允许对外部 MOSFET 栅极进行强上拉和强

下拉。低侧栅极驱动器由 GVDD 稳压器电源直接供电。对于高侧栅极驱动器，自举二极管和电容器用于生成浮动

高侧栅极电压电源。集成了自举二极管，并在 BSTx 引脚上使用了一个外部自举电容器。为支持 100% 占空比控

制，器件中集成了一个涓流电荷泵。涓流电荷泵连接到 BSTx 节点，以防止由于驱动器和外部 MOSFET 的漏电流

而导致电压降。

高侧栅极驱动器具有半有源下拉功能，而低侧栅极驱动器具有无源下拉功能，有助于防止外部 MOSFET 在睡眠状

态或电源断开时导通。

Submit Document Feedback

21

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

C_GVDD

GVDD

PVDD

C_PVDD1

Trickle

Charge

Pump

C_PVDD2

CPH

CPL

Charge

Pump

D_BSTx

PVDD

C_CP

BSTx

C_BSTx

GHx

Level

Shifters

SHx

GLx

Digital

Core

GVDD

Level

Shifters

LSS

R_SENSE

GND

图7-2. 栅极驱动器方框图

7.3.2.1 死区时间和跨导预防

MCT8329A 在高侧和低侧PWM 信号之间提供了数字死区时间插入，以防止每个半桥的两个外部MOSFET 同时

导通。可以通过配置EEPROM 寄存器DIG_DEAD_TIME 在50ns 和1000ns 之间调整数字死区时间。

7.3.3 AVDD 线性稳压器

MCT8329A 中集成了一个 3.3V、80mA 线性稳压器，可供外部电路使用。如果 VREG 连接到 AVDD，则只有

50mA 电流可供外部电路使用。LDO 的输出固定为 3.3V。该稳压器可为低功耗 MCU 或其他具有低电源电流需求

的电路提供电源电压。AVDD 稳压器的输出应在 DVDD 引脚附近旁路，通过一个 X5R 或 X7R、1µF、6.3V 陶瓷

电容器返回至AGND 引脚。

English Data Sheet: SLLSFQ3

22

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

PVDD

REF

+

œ

AVDD

AGND

3.3-V, 80 mA

1 …F

图7-3. AVDD 线性稳压器方框图

可以使用方程式1 来计算器件中AVDD 线性稳压器耗散的功率：

P = V

− V

× I

AVDD

(1)

(2)

PVDD

AVDD

例如，当V_PVDD为24V 时，从AVDD 汲取20mA 的电流会导致方程式2 所示的功率耗散。

P = 24 V - 3.3 V ì 20 mA = 414 mW

(

)

7.3.4 DVDD 稳压器

VREG 引脚用作集成 DVDD 稳压器的电源电压输入。有多种选项可用于为 VREG 引脚提供电源电压，可以使用

3V 至 5.5V 的外部电源（30mA 电源），或者可以将 AVDD 连接到 VREG，或者可以使用由 GCTRL 引脚控制的

外部MOSFET。

7.3.4.1 AVDD 供电的VREG

当既不使用外部 MOSFET 稳压器也不使用外部电源时，请将 AVDD 连接至 VREG 引脚（请参阅图 7-4）。在该

模式下，连接到DVDD 的数字电路将使用AVDD 供电。在该模式下，AVDD 支持外部负载的能力将降至50mA。

3.3 V

External Load

AVDD

Charge

pump

GCTRL

VREG

Connect AVDD

to VREG if

external FET or

supply is not

used

AGND

DVDD

LDO

1 µF

图7-4. AVDD 为VREG 供电

7.3.4.2 用于VREG 的外部电源

MCT8329A 提供了用于将外部电源电压连接至 VREG 引脚的配置（请参阅图 7-5）。在该模式下，GCTRL 引脚

应悬空，外部稳压器连接到 VREG 引脚。当使用外部 MOSFET 或外部电源为 DVDD 供电时，AVDD 支持的最大

外部负载为80mA

Submit Document Feedback

23

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

3.3 V

External Load

AVDD

Charge

pump

GCTRL

AGND

DVDD

LDO

VREG

External supply

(3 to 5.5 V)

1 µF

图7-5. 用于VREG 的外部电源

7.3.4.3 用于VREG 电源的外部MOSFET

MCT8329A 提供驱动外部 MOSFET 的选项，该外部 MOSFET 可用作稳压器，并可用于通过 VREG 引脚为内部

数字电路供电（请参阅节 7.3.4.3）。在这种情况下，VREG 不得连接到 AVDD 或外部 3.3V/5V 电源。连接外部

MOSFET 的选项可用于降低 MCT8329A 中的功率耗散，并将功率损耗转移到外部 MOSFET，适用于面临散热挑

战的用例。

必须选择外部 MOSFET 的V_GS(th)，以确保 VREG 电压在整个工作条件下处于 2.2V 和5.5V 之间。有关应用示例

设计就散，请参阅节8.2.1。外部 MOSFET 的输入电容需要小于2nF 以满足启动时间 _{EX_SL_DR_ANA}（模拟输入）

或t_{EX_SL_DR_PWM}（PWM 输入）。

备注

GCTRL 引脚是一个高阻抗节点(> 1MΩ)，除外部MOSFET 栅极和C_GCTRL之外，不应从外部为该引脚

施加负载。GCTRL 引脚上的外部负载（连接至GND）会降低GCTRL 引脚和VREG 引脚上的电压。

3.3 V

External Load

AVDD

VPVDD

AVDD

Charge

pump

GCTRL

C_GCTRL

2 nF

AGND

DVDD

LDO

VREG

0.1 µF

10 µF

图7-6. 用于VREG 的外部MOSFET 稳压器

7.3.5 低侧电流检测放大器

MCT8329A 集成了一个高性能低侧电流检测放大器，用于使用低侧采样电阻进行电流测量。低侧电流测量用于

MCT8329A 中的多种控制功能和保护。电流检测放大器具有可通过 EEPROM 设置配置的增益（5V/V、10V/V、

20V/V 和 40V/V）。通过配置 EEPROM 位 VREF_SEL，电流检测放大器支持通过低侧采样电阻检测双向或单向

电流。

English Data Sheet: SLLSFQ3

24

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

在双向电流检测模式下，MCT8329A 在内部生成 V_REF/2 的共模电压，从而为测量双向电流实现最大分辨率。

_REF是在内部生成的基准电压，其典型值为3V。

V

可以使用方程式 3 在双向电流检测模式下设计连接在 SP 和 SN 之间采样电阻 (R_SENSE) 的阻值，流经低侧单个采

样电阻的电流(I) 范围和所选电流检测放电器的增益由EEPROM 位CSA_GAIN 配置。

V

REF

2

V

−

SO

R

=

(3)

SENSE

CSA_GAIN × I

在单向电流检测模式下，MCT8329A 在内部生成V_REF/8 的共模电压，从而为SP 至SN 电流方向的电流测量实现

最大分辨率。

可以使用方程式4 来计算在单向电流检测模式下流经连接在SP 和SN 之间采样电阻(R_SENSE) 的电流。

V

REF

8

V

−

SO

R

=

(4)

SENSE

CSA_GAIN × I

备注

在单向和双向电流检测模式下，TI 建议使设计的采样电阻 R_SENSE值限制电流检测放大器输出电压

(V_SO)，使其在选定的CSA_GAIN 增益和在整个低侧单采样电阻电流(I) 的工作范围内介于0.25V 和3V

之间。根据I²R_SENSE损耗适当设置采样电阻的功率等级，并留有足够的裕度。

7.3.6 器件接口模式

MCT8329A 系列器件支持 I²C 接口，以提供既灵活又简单的终端应用设计。除 I²C 接口之外，该器件还支持

FG、nFAULT、DIR、BRAKE、SPEED/WAKE、DACOUT/SOx/SPEED_ANA、EXT_CLK、DRVOFF 等 I/O 引

脚。

7.3.6.1 接口- 控制和监控

电机控制和I/O 信号

• BRAKE：当BRAKE 引脚被驱动为“高电平”时，MCT8329A 进入制动状态。在该制动状态期间会实现低侧

制动（请参阅低侧制动）。在进入制动状态之前，MCT8329A 会将输出速度降低至由

BRAKE_DUTY_THRESHOLD 定义的值。只要BRAKE 被驱动为“高电平”，MCT8329A 就会保持在制动状

态。可以通过使用I²C 接口配置BRAKE_INPUT 来覆盖制动引脚输入。

• DIR：DIR 引脚决定电机旋转的方向；在被驱动为“高电平”时，序列为OUTA →OUTC →OUTB，在被驱动

为“低电平”时，序列为OUTA →OUTB →OUTC。可以通过使用I²C 接口配置DIR_INPUT 来覆盖DIR 引

脚输入。

• DRVOFF：当DRVOFF 引脚被驱动为“高电平”时，MCT8329A 会将栅极驱动器置于下拉状态，从而关断所

有外部MOSFET。当DRVOFF 被驱动为“低电平”时，MCT8329A 会返回至正常运行状态，就像重新启动电

机一样。DRVOFF 不会使器件进入睡眠或待机模式；数字内核仍在运行。进入和退出睡眠或待机状态由

SPEED/WAKE 引脚进行控制。

• SPEED/WAKE：SPEED/WAKE 引脚用于控制电机速度（或者功率或电压）和从睡眠模式唤醒MCT8329A。

SPEED/WAKE 引脚可配置为接受PWM、频率或模拟控制输入信号。该引脚用于进入和退出睡眠和待机模式

（请参阅表7-3）。

• DACOUT/SOx/SPEED_ANA：DACOUT/SOx/SPEED_ANA 引脚提供多路复用功能，该引脚可配置为

DACOUT 输出引脚、电流检测放大器输出引脚或速度（或者功率或开环电压）控制模拟输入引脚。在引脚

DACOUT/SOx/SPEED_ANA 配置为DACOUT 的情况下，器件允许监视算法变量、速度等（请参阅节

7.5.2）。在引脚DACOUT/SOx/SPEED_ANA 配置为SOx 的情况下，器件允许监视集成电流检测放大器输出

(V_SOx)。在引脚DACOUT/SOx/SPEED_ANA 配置为SPEED_ANA 的情况下，用户可以通过DACOUT/SOx/

SPEED_ANA 引脚为速度或功率或电压提供模拟控制输入，在这种情况下，SPEED/WAKE 引脚可用作独立的

速度或待机控制输入引脚。可以通过EEPROM 寄存器位DAC_SOX_ANA_CONFIG 来配置引脚功能。

• EXT_CLK：EXT_CLK 引脚可用于提供外部时钟基准，在这种情况下，内部时钟使用外部时钟进行校准。

Submit Document Feedback

25

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

• FG：FG 引脚提供与电机速度成正比的脉冲（请参阅节7.3.19）。

• nFAULT：nFAULT 引脚提供器件或电机运行中的故障状态。

7.3.6.2 I²C 接口

MCT8329A 支持 I²C 串行通信接口，允许外部控制器发送和接收数据。该 I²C 接口支持外部控制器配置

EEPROM 并读取详细的故障和电机状态信息。I²C 总线是一个使用 SCL 和 SDA 引脚的两线制接口，下面对此进

行了说明：

• SCL 引脚是时钟信号输入。

• SDA 引脚是数据输入和输出。

English Data Sheet: SLLSFQ3

26

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.7 电机控制输入选项

MCT8329A 提供三种电机控制方法：

1. 速度控制：在速度控制模式下，使用闭环PI 控制根据输入基准来控制电机的速度。

2. 功率控制：在功率控制模式下，使用闭环PI 控制根据输入基准来控制逆变器功率级的直流输入功率。

3. 电压控制：在电压控制模式下，根据输入基准来控制施加到电机的电压。

MCT8329A 提供四种直接控制电机基准输入的方法。基准控制方法由SPD_CTRL_MODE 进行配置。

可以通过以下四种方法之一来控制基准（速度或功率或电压）输入命令。

• SPEED/WAKE 引脚上的PWM 输入，改变输入信号的占空比

• SPEED/WAKE 引脚上的频率输入，通过改变输入信号的频率

• SPEED/WAKE 引脚或DACOUT/SOx/SPEED_ANA 引脚上的模拟输入，通过改变输入信号的振幅

• 使用I²C，通过配置SPEED_CTRL

Freq based

Freq

SPEED REF

Duty

REF Pin

Digital

REF_PROFILE

_CONFIG != 0b

Linear / Stair

case / Forw-

Rev Profiles

PWM In

Analog

I²C

PWM Duty

POWER REF

REF Pin

Analog

DUTY CMD

ADC

VOLTAGE REF

REF_PROFILE_

CONFIG = 0b

图7-7. 多路复用基准输入命令

从 REF（SPEED/WAKE 或 DACOUT/SOx/SPEED_ANA）引脚输入（或基于 I²C 的输入）到输出基准的信号路

径如图 7-7 所示。用户可以选择使用 REF 引脚全分辨率值作为 DUTY CMD 来到处速度、功率或电压基准。在导

出速度或功率或电压基准之前，用户还可以选择插入不同的曲线（线性、阶梯或双向）。可以通过配置

REF_PROFILE_CONFIG 来进行选择。

7.3.7.1 模拟模式电机控制

可以通过将 SPD_CTRL_MODE 设置为 00b 来配置基于模拟输入的电机控制。在该模式下，占空比命令 (DUTY

CMD) 因 SPEED/WAKE 引脚上的模拟电压输入 (V_SPEED) 或 DACOUT/SOx/SPEED_ANA 引脚（可通过

DAC_SOX_ANA_CONFIG 进行配置）上的模拟电压输入 (V_SPEED) 而异。当 0 < V_SPEED< V_{EN_SB}时，DUTY

CMD 被设置为零，电机停止。当V_{EN_SB}< V_SPEED< V_{ANA_FS}时，DUTY CMD 随V_SPEED以线性方式变化，如图

7-8 所示。当V_SPEED> V_{ANA_FS}时，DUTY CMD 被钳位至100%。

DACOUT/SOx/SPEED_ANA 引脚用作模拟控制输入时，SLEEP/WAKE 引脚可独立用于控制睡眠或待机进入和退

出，如表7-3 所述。

Submit Document Feedback

27

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

DUTY CMD

100%

Analog Speed Input

V_{EN_SB}

V_{ANA_FS}

V_{EX_SB}

图7-8. 模拟模式速度控制

7.3.7.2 PWM 模式电机控制

可以通过将 SPD_CTRL_MODE 设置为 01b 来配置基于 PWM 的速度控制。在该模式下，应用于 SPEED/WAKE

引脚的PWM 占空比可在 0% 和100% 之间变化，占空比命令 (DUTY CMD) 随应用的 PWM 占空比线性变化。当

SPEED 引脚上的 PWM 信号保持小于 V_IL的持续时间大于 t_{EN_SB_PWM}时，DUTY CMD 被设置为零，电机停止。

施加到 SPEED 引脚的 PWM 输入信号的频率被定义为 f_PWM，该频率的范围可通过

SPD_PWM_RANGE_SELECT 进行配置。

备注

f_PWM是器件可以在 SPEED/WAKE 引脚上接受的用于控制电机速度的 PWM 信号频率。它与应用于电

机相位的 PWM 输出频率不对应。可以通过 PWM_FREQ_OUT 来配置 PWM 输出频率（请参阅节

7.3.14）。

DUTY CMD

100%

PWM Duty Input

100%

0

图7-9. PWM 模式速度控制

English Data Sheet: SLLSFQ3

28

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.7.3 频率模式电机控制

可以通过将 SPD_CTRL_MODE 设置为 11b 来配置基于频率的速度控制。在该模式下，占空比命令作为 SPEED/

WAKE 引脚方波输入的函数呈线性变化，如方程式 5 所示。大于 INPUT_MAX_FREQUENCY 的输入频率会将占

空比命令钳制为 100%。当 SPEED 引脚上的频率信号保持小于 V_IL的持续时间长于 t_{EN_SB_FREQ}时，占空比命令

被设置为零，电机停止。

占空比命令= SPEED 引脚上的频率/INPUT_MAX_FREQUENCY * 100

7.3.7.4 基于I²C 的电机控制

(5)

通过将 SPD_CTRL_MODE 设置为 10b，可以使用基于 I²C 的串行接口来实现速度控制。在该模式下，可以将占

空比命令直接写入SPEED_CTRL。可以通过SLEEP/WAKE 来控制睡眠进入和退出，如表7-3 中所述。

7.3.7.5 输入控制信号曲线

MCT8329A 支持三种不同的曲线（线性、阶跃、正向/反相）来输入控制基准信号，从而支持各种最终用户应用。

输入控制基准信号可以是电机转速、直流输入功率或电机电压（电机 PWM 占空比），由

CLOSED_LOOP_MODE 和 CONST_POWER_MODE 进行配置。可以通过 REF_PROFILE_CONFIG 来配置不

同的曲线。当REF_PROFILE_CONFIG 被设置为 00b 时，不应用分析器，输入基准与节7.3.7.6 中所述的占空比

命令相同。

在速度控制模式下，分析器输出 REF_X 对应于占最大速度（由 MAX_SPEED 配置）的百分比，如方程式 6 所

示。在功率控制模式下，分析器输出 REF_X 对应于占最大功率（由MAX_POWER 配置）的百分比，如方程式7

所示。在电压控制模式下，REF_X 对应于施加到电机的电压的PWM 占空比百分比。

REF_X

255

SPEED REF Hz =

POWER REF W =

× Maximum Speed Hz

× Maximum PoWer W

(6)

(7)

REF_X

255

7.3.7.5.1 线性控制曲线

备注

对于所有类型的控制曲线，无论基准曲线寄存器设置如何，占空比命令= 0 都会使电机停止。

Submit Document Feedback

29

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

REF

REF_CLAMP2

REF_E

REF_D

REF_C

REF_B

REF_A

REF_CLAMP1

REF_OFF2

REF_OFF1

DUTY_CMD

DUTY_A

DUTY_E DUTY_CLAMP2 DUTY_ON2

DUTY_OFF1 DUTY_ON1 DUTY_CLAMP1

DUTY_B

DUTY_C DUTY_D

DUTY_OFF2

图7-10. 线性控制曲线

可以通过将 REF_PROFILE_CONFIG 设置为 01b 来配置线性控制曲线。线性曲线具有输入控制基准，这些基准

在 REF_CLAMP1 和 REF_CLAMP2 之间线性变化，具有不同的斜率，可以通过配置 DUTY_x 和 REF_x 组合来

设置这些斜率。

• DUTY_OFF1 配置基准为REF_OFF1 的占空比命令下限阈值。

• Duty_OFF1 和Duty_ON1 配置基准控制输入REF_CLAMP1 和REF_OFF1 周围的迟滞，如图7-10 所示。

• DUTY_CLAMP1 配置占空比命令，直到基准为恒定的REF_CLAMP1。DUTY_CLAMP1 可以为DUTY_OFF1

和DUTY_A 之间的任何值。

• DUTY_A 配置基准REF_A 的占空比命令。基准在DUTY_CLAMP1 和DUTY_A 之间从REF_CLAMP1 到

REF_A 线性变化。DUTY_A 到DUTY_E 的顺序必须与图7-10 中所示的顺序相同。

• DUTY_B 配置基准REF_B 的占空比命令。基准在DUTY_A 和DUTY_B 之间呈线性变化。

• DUTY_C 配置基准REF_C 的占空比命令。基准在DUTY_B 和DUTY_C 之间呈线性变化。

• DUTY_D 配置基准REF_D 的占空比命令。基准在DUTY_C 和DUTY_D 之间呈线性变化。

• DUTY_E 配置基准REF_E 的占空比命令。基准在DUTY_D 和DUTY_E 之间呈线性变化。

• DUTY_CLAMP2 配置基准将保持恒定的REF_CLAMP2 的占空比命令上限阈值。REF_CLAMP2 在

DUTY_CLAMP2 和DUTY_OFF2 之间配置该恒定基准。基准在DUTY_E 和DUTY_CLAMP2 之间呈线性变

化。DUTY_CLAMP2 可以为DUTY_E 和DUTY_OFF2 之间的任何值。

• DUTY_OFF2 和DUTY_ON2 配置基准控制输入REF_CLAMP2 和REF_OFF2 周围的迟滞，如图7-10 所示。

• DUTY_OFF2 配置基准从REF_CLAMP2 更改为REF_OFF2 的占空比命令上限阈值。

English Data Sheet: SLLSFQ3

30

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.7.5.2 阶梯控制曲线

REF

REF_CLAMP2

REF_E

REF_D

REF_C

REF_B

REF_A

REF_CLAMP1

DUTY_HYS

REF_OFF2

DUTY_CMD

REF_OFF1

DUTY_E

DUTY_CLAMP2 DUTY_ON2 DUTY_OFF2

DUTY_OFF1 DUTY_ON1 DUTY_CLAMP1

DUTY_A DUTY_B DUTY_C DUTY_D

图7-11. 阶梯控制曲线

可以通过将REF_PROFILE_CONFIG 设置为10b 来配置阶梯控制曲线。通过配置DUTY_x 和REF_x，楼梯曲线

能够以介于REF_CLAMP1 和REF_CLAMP2 之间的阶跃改变输入控制基准。

• DUTY_OFF1 配置基准为REF_OFF1 的占空比命令下限阈值。

• DUTY_OFF1 和DUTY_ON1 配置基准控制输入REF_CLAMP1 和REF_OFF1 周围的迟滞，如图7-11 所示。

• DUTY_CLAMP1 配置基准保持恒定的占空比命令阈值。REF_CLAMP1 在DUTY_OFF1 和DUTY_CLAMP1

之间配置该恒定基准。DUTY_CLAMP1 可以为DUTY_OFF1 和DUTY_A 之间的任何值。

• DUTY_A 配置基准REF_A 的占空比命令。基准在DUTY_CLAMP1 处具有范围为REF_CLAMP1 至REF_A

的阶跃变化。DUTY_A 到DUTY_E 的顺序必须与图7-11 中所示的顺序相同。

• DUTY_B 配置基准REF_B 的占空比命令。基准在DUTY_A 处具有范围为REF_A 至REF_B 的阶跃变化。

• DUTY_C 配置基准REF_C 的占空比命令。基准在DUTY_B 处具有范围为REF_B 至REF_C 的阶跃变化。

• DUTY_D 配置基准REF_D 的占空比命令。基准在DUTY_C 处具有范围为REF_C 至REF_D 的阶跃变化。

• DUTY_E 配置基准REF_E 的占空比命令。基准在DUTY_D 处具有范围为REF_D 至REF_E 的阶跃变化。

• DUTY_CLAMP2 配置基准将保持恒定的REF_CLAMP2 的占空比命令上限阈值。REF_CLAMP2 在

DUTY_CLAMP2 和DUTY_OFF2 之间配置该恒定基准。基准在DUTY_E 处具有范围为REF_E 至

REF_CLAMP2 的阶跃变化。DUTY_CLAMP2 可以为DUTY_E 和DUTY_OFF2 之间的任何值。

• DUTY_OFF2 和DUTY_ON2 配置基准控制输入REF_CLAMP2 和REF_OFF2 周围的迟滞，如图7-11 所示。

• DUTY_OFF2 配置基准从REF_CLAMP2 更改为REF_OFF2 的占空比命令上限阈值。

• DUTY_HYS 配置在DUTY_CLAMP1、DUTY_A 到DUTY_E 的每一个阶跃变化期间的迟滞。

Submit Document Feedback

31

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.7.5.3 正向/反向曲线

REF

Forward Direction

Reverse Direction

OUT A

OUT B

OUT C

OUT A

OUT C

OUT B

REF_CLAMP2

REF_CLAMP1

REF_D

REF_A

REF_OFF2

REF_OFF1

DUTY_CMD

DUTY_OFF1 DUTY_ON1

DUTY_CLAMP2 DUTY_ON2 DUTY_OFF2

DUTY_A

DUTY_B

DUTY_C

DUTY_E

DUTY_CLAMP1

DUTY_D

DUTY_HYS

图7-12. 正向反向控制曲线

可以通过将 REF_PROFILE_CONFIG 设置为 11b 来配置正向/反向控制曲线。正向/反向曲线通过调整占空比命令

来改变方向。DUTY_C 配置可改变方向的占空比命令。正向/反向速度曲线可用于消除用于控制电机方向的单独信

号。

备注

在正向反向曲线模式下，通过DIR 引脚和DIR_INPUT 位改变方向的功能被禁用。

• DUTY_OFF1 配置基准为REF_OFF1 的占空比命令下限阈值。

• DUTY_OFF1 和DUTY_ON1 配置基准控制输入REF_CLAMP1 和REF_OFF1 有关的迟滞，如图7-12 所示。

• DUTY_CLAMP1 配置基准保持恒定的占空比命令阈值。REF_CLAMP1 在DUTY_OFF1 和DUTY_CLAMP1

之间配置该恒定基准。DUTY_CLAMP1 可以为DUTY_OFF1 和DUTY_A 之间的任何值。

• DUTY_A 配置基准REF_A 的占空比命令。基准在DUTY_CLAMP1 和DUTY_A 之间呈线性变化。DUTY_A

到DUTY_E 的顺序必须与图7-12 中所示的顺序相同。

• DUTY_B 配置MCT8329A 处于关断状态的占空比命令上限阈值。基准在DUTY_A 和DUTY_B 之间保持恒定

的REF_A。

• DUTY_C 配置可改变方向的占空比命令

English Data Sheet: SLLSFQ3

32

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

• DUTY_D 配置MCT8329A 处于反向运行状态的占空比命令上限阈值。REF_D 配置DUTY_D 和DUTY_E 之

间的恒定基准。

• DUTY_E 配置基准在DUTY_E 和DUTY_CLAMP2 之间呈线性变化的占空比命令上限阈值。

• DUTY_CLAMP2 配置基准将保持恒定的REF_CLAMP2 的占空比命令上限阈值。REF_CLAMP2 在

DUTY_CLAMP2 和DUTY_OFF2 之间配置该恒定基准。DUTY_CLAMP2 可以为DUTY_E 和DUTY_OFF2 之

间的任何值。

• DUTY_OFF2 和DUTY_ON2 配置基准控制输入REF_CLAMP2 和REF_OFF2 有关的迟滞，如图7-12 所示。

• DUTY_OFF2 配置基准从REF_CLAMP2 到REF_OFF2 反向变化的占空比命令上限阈值。

• DUTY_HYS 配置DUTY_B 和DUTY_D 阶跃变化期间的迟滞。

7.3.7.6 在不使用分析器的情况下控制输入传递函数

输入控制信号可以是电机转速、直流输入功率或电机电压（电机 PWM 占空比），由 CLOSED_LOOP_MODE 和

CONST_POWER_MODE 位进行配置。

速度输入传递函数

SPEED REF

MAX_SPEED

MAX_SPEED x MIN_DUTY/100

DUTY CMD

100%

MIN_DUTY

图7-13. 速度输入传递函数

图 7-13 显示了 DUTY CMD 和 SPEED REF 之间的关系。启用速度环路后，DUTY CMD 以 Hz 为单位设置

SPEED REF。MAX_SPEED 设置与 100% 的 DUTY CMD 对应的 SPEED REF。MIN_DUTY 设置最小 SPEED

REF (MIN_DUTY x MAX_SPEED)。如果 MAX_SPEED 被设置为 0，则 SPEED REF 被钳制为零（与 DUTY

CMD 无关），电机处于停止状态。

功率输入传递函数

POWER REF

MAX_POWER

MAX_POWER x MIN_DUTY/100

DUTY CMD

100%

MIN_DUTY

图7-14. 功率输入传递函数

Submit Document Feedback

33

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

图 7-14 显示了 DUTY CMD 和 POWER REF 之间的关系。启用电源环路后，DUTY CMD 以瓦特为单位设置

POWER REF。MAX_POWER 设置与 100% 的 DUTY CMD 对应的 POWER REF。MIN_DUTY 设置最小

POWER REF (MIN_DUTY x MAX_POWER)。如果 MAX_POWER 被设置为 0，则 POWER REF 被钳制为零

（与DUTY CMD 无关），电机处于停止状态。

电压输入传递函数

在电压控制模式下，施加到电机的相电压与DUTY CMD 成正比（向电机施加 MIN_DUTY 至100% 的PWM 占空

比）。对于小于MIN_DUTY 的DUTY CMD，可以通过使占空比为零来将施加到电机的电压钳制为零。

7.3.8 在不同初始条件下启动电机

当MCT8329A 开始启动过程时，电机可能处于三种状态之一。电机可能静止、正向旋转或反向旋转。MCT8329A

包含大量的功能，用于确保在所有这些条件下实现可靠的电机启动。图 7-15 展示了这三种初始电机状态中每种状

态的电机启动流程。

Brake

Align

Double Align

Sta onary

IPD

Slow rst cycle

Spinning in forward

direc on

Closed Loop

Coast (Hi-Z)

Brake

Spinning in reverse

direc on

Reverse Drive

图7-15. 在不同初始条件下启动电机

备注

“正向”表示“以与命令方向相同的方向旋转”，“反向”表示“以与命令方向相反的方向旋转”。

7.3.8.1 案例1 –电机静止

如果电机静止，则换向必须初始化为与电机的位置同相。MCT8329A 提供各种选项来将换向逻辑初始化为电机位

置并可靠地启动电机。

• 对齐和双对齐技术通过在特定电机相位上施加电压来迫使电机与该相位对齐旋转，从而强制电机对齐。

• 初始位置检测(IPD) 根据确定性电感变化来确定电机的位置，这通常出现在BLDC 电机中。

• 慢速首循环方法通过应用低频周期来启动电机，以在一次电气旋转结束时将转子位置与应用的换向对齐。

MCT8329A 还提供可配置的制动选项，以确保电机在启动上述启动方法之一之前处于静止状态。器件执行配置的

启动方法后进入开环加速。

English Data Sheet: SLLSFQ3

34

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.8.2 案例2 –电机正向旋转

如果电机以足够大的速度(BEMF) 正向旋转（与命令的方向相同），则MCT8329A 与正在旋转的电机重新同步并

通过直接进入闭环运行继续换向。通过与正在旋转的电机重新同步，用户可以在该初始条件下实现尽可能短的启

动时间。可以通过 RESYNC_EN 启用或禁用该重新同步功能。如果重新同步被禁用，则 MCT8329A 可以配置为

等待电机滑行停止和/或施加制动。电机停止旋转后，考虑到电机处于静止状态，电机启动顺序与情况1 相同。

7.3.8.3 案例3 –电机反向旋转

如果电机正在反向旋转（与命令的方向相反），则MCT8329A 提供了几种方法来改变方向并将电机驱动至命令方

向上的目标速度基准。

反向驱动方法允许对电机进行相应的驱动，从而使其减速至零速，然后反向加速。电机在反向旋转时可实现最短

的启动时间。

如果未启用反向驱动，则 MCT8329A 可配置为等待电机滑行停止和/或施加制动。电机停止旋转后，考虑到电机

处于静止状态，电机启动顺序与情况1 相同。

备注

使用反向驱动或制动功能时要小心，以确保电流限值在可接受的水平，并且电源电压不会因能量返回至

电源而产生浪涌。

Submit Document Feedback

35

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.9 电机启动顺序(MSS)

图7-16 展示了MCT8329A 器件中实现的电机启动序列。

Power On

DIR Change

N

ISD_EN

Y

Is motor

Y

sta onary

N

Reverse

Forward

N

Direc on of

Spin

N

RVS_DR_EN

Y

RESYNC_EN

Y

HIZ_EN

N

BEMF >

RESYNC_MIN_THRES

HOLD

N

Y

Hi-Z

Speed > Open to

N

Y

Brake_Rou ne

Closed Loop Hando

STAT_BRK_EN

N

Time >

HIZ_TIME

Y

Brake

Y

Brake

Y

N

Reverse Closed

Loop Decelera on

Time >

BRK_TIME

N

BRAKE_EN

Reverse

Open Loop

Decelera on

Time >

STARTUP_

BRK_TIME

Y

Brake_Rou ne

Brake_Rou ne_End

Y

Direc on Reversal :

Zero Speed Crossover

Motor Start-up

Open loop

Closed Loop

图7-16. 电机启动流程

上电状态

这是电机启动序列(MSS) 的初始状态。MSS 在初始上电时或MCT8329A 器

件退出待机或睡眠模式时以该状态启动。

DIR 更改判断

在MCT8329A 中，如果在MSS 启动时检测到方向更改命令，则假定ISD 中

检测到的电机方向与命令方向相反，如果RVS_DR_EN 被设置为1b，则执

行反向驱动。

36

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

ISD_EN 判断

上电后，MCT8329A MSS 进入ISD_EN 判断，已确定是否启用了初始速度

检测(ISD) 功能(ISD_EN = 1b)。如果禁用了ISD，则MSS 直接进行

BRAKE_EN 判断。如果启用了ISD，则MSS 会前进到ISD（电机静止）状

态。

ISD 状态

MSS 确定电机的初始状态（速度、旋转方向）（请参阅初始速度检测

(ISD)）。如果电机被认为是静止的（电机BEMF <

STAT_DETECT_THR），则MSS 继续进行STAT_BRK_EN 判断。如果电机

不是静止的，则MSS 会继续验证旋转方向。

STAT_BRK_EN 判断

MSS 检查是否启用了静止制动功能(STAT_BRK_EN =1b)。如果启用了静止

制动功能，则MSS 前进到静止制动例程。如果禁用了静止制动功能，则

MSS 前进到电机启动状态（请参阅节7.3.9.4）。

静止制动例程

旋转方向判断

静止制动例程可用于确保电机在尝试启动电机之前完全静止。可以通过在

STARTUP_BRK_TIME 配置的时间内导通全部三个低侧驱动器MOSFET 来

应用静止制动。

MSS 确定电机是正向旋转还是反向旋转。如果电机正向旋转，则MCT8329A

继续进行RESYNC_EN 判断。如果电机反向旋转，则MSS 继续进行

RVS_DR_EN 判断。

RESYNC_EN 判断

如果RESYNC_EN 被设置为1b，则MCT8329A 继续进行BEMF >

RESYNC_MIN_THRESHOLD 判断。如果RESYNC_EN 被设置为0b，则

MSS 继续进行HIZ_EN 判断。

BEMF >

RESYNC_MIN_THRESHOLD 判

断

如果电机速度使BEMF > RESYNC_MIN_THRESHOLD，则MCT8329A 使

用来自ISD 状态的速度和位置信息直接转换至闭环状态（请参阅电机重新同

步）。如果BEMF < RESYNC_MIN_THRESHOLD，则MCT8329A 继续进

行STAT_BRK_EN 判断。

RVS_DR_EN 判断

MSS 检查是否启用了反向驱动功能(RVS_DR_EN = 1)。如果启用了该功

能，则MSS 将转换为反向检查电机速度。如果未启用反向驱动功能，则

MSS 会前进到HIZ_EN 判断。

速度> 开闭环切换判断

反向闭环、开环减速和零速越过

MSS 检查反向速度是否足够高，以便MCT8329A 能够在闭环中减速。当速

度（反向）足够高时，MSS 保持反向闭环减速。如果速度过低，则MSS 转

换至反向开环减速。

MCT8329A 反向重新同步，在闭环中使电机减速，直到电机速度低于切换阈

值。（请参阅反向驱动）当电机反向速度过低时，MCT8329A 切换至开环，

使电机在开环中减速，越过零速，在开环中正向加速，然后在电机速度足够

高之后进入闭环运行。

HIZ_EN 判断

MSS 进行检查以确定是否启用了滑行（高阻态）功能(HIZ_EN =1)。如果启

用了滑行功能，则MSS 会前进到滑行例程。如果禁用了滑行功能，则MSS

前进到BRAKE_EN 判断。

滑行（高阻态）例程

BRAKE_EN 判断

器件通过将全部六个MOSFET 关断一段由HIZ_TIME 配置的特定时间来使电

机滑行。

MSS 进行检查以确定是否启用了制动功能(BRAKE_EN =1)。如果启用了制

动功能，则MSS 前进到制动例程。如果禁用了制动功能，则MSS 前进到电

机启动状态（请参阅节7.3.9.4）。

制动例程

闭环状态

根据BRK_MODE 配置使用高侧或低侧MOSFET 来施加制动。

在该状态下，MCT8329A 使用梯形控制驱动电机。

Submit Document Feedback

37

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.9.1 初始速度检测(ISD)

ISD 功能用于标识电机的初始状态，可以通过将 ISD_EN 设置为 1b 来启用。初始速度、位置和方向通过由内部

ADC 对相电压进行采样来决定。可以通过将 ISD_EN 设置为 0b 来禁用 ISD。如果禁用该功能被（ISD_EN 被设

置为0b），则MCT8329A 不执行初始速度检测功能并继续检查制动例程(BRAKE_EN) 是否启用。

7.3.9.2 电机重新同步

当同时启用 ISD 和重新同步功能并且器件判断电机初始状态为正向旋转（与命令方向相同）时，电机重新同步功

能起作用。ISD 期间测量的速度和位置信息用于初始化MCT8329A 的驱动状态，该驱动状态可以直接转换至闭环

状态，无需停止电机。在MCT8329A 中，可以通过 RESYNC_EN 位启用/禁用电机重新同步。如果电机重新同步

被禁用，那么器件将继续检查是否启用了电机滑行（高阻态）例程。

7.3.9.3 反向驱动

当 ISD_EN 和 RVS_DR_EN 都设置为 1b 并且 ISD 确定电机旋转方向与命令方向相反时，MCT8329A 使用反向

驱动功能来改变电机的旋转方向。反向驱动包括在相反的方向与电机速度同步，对电机进行反向减速至越过零

速，改变方向，以及在正向（或命令的方向）在开环中加速，直到器件在正向转变为闭环（请参阅图 7-17）。对

于开闭环切换阈值 (OPN_CL_HANDOFF_THR)、开环加速率（OL_ACC_A1、OL_ACC_A2）和开环电流限制

(OL_ILIMIT)，MCT8329A 在反向和正向均使用相同的参数值。

Speed

Close loop

Handoff to close loop

Open loop

Time

Handoff to open loop

Open Loop

Reverse Deceleration

图7-17. 反向驱动功能

7.3.9.4 电机启动

有不同的选项可用于从静止位置启动电机，可以通过MTR_STARTUP 来配置这些选项。在对齐和双对齐模式下，

电机通过注入直流电流对齐到已知位置。在 IPD 模式下，通过施加 6 个不同的高频脉冲来估算转子位置。在慢速

首循环模式下，通过施加一个低频周期来启动电机。

7.3.9.4.1 对齐

可以通过将 MTR_STARTUP 配置为 00b 来启用对齐。MCT8329A 通过使用特定相位模式（C 相高侧 FET 和 B

相低侧FET 导通）注入直流电流来对齐电机- 电流的特定持续时间由ALIGN_TIME 进行配置。

对齐期间的占空比由 ALIGN_DUTY 定义。在 MCT8329A 中，对齐期间的电流限值通过 ALIGN_CURR_THR 和

CBC_ILIMIT 配置。

English Data Sheet: SLLSFQ3

38

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

对齐期间相电流的快速变化可能导致驱动扭矩突然变化，从而产生可闻噪声。为避免这种情况，MCT8329A 以

ALIGN_RAMP_RATE 设置的可配置速率将占空比从 0 增加到 ALIGN_DUTY。在对齐例程结束时，电机将在已知

位置对齐。

7.3.9.4.2 双对齐

可以通过将MTR_STARTUP 配置为01b 来启用双对齐。当转子的初始位置相对于应用的相位模式具有180^o的相

位差时，单对齐不可靠。在这种情况下，使用单对齐可能会产生启动故障。为了提高基于对齐的启动的可靠性，

MCT8329A 提供了双对齐启动选项。在双对齐启动中，MCT8329A 针对第二个对齐使用的相位模式在命令的方向

上相对于第一个对齐相位模式具有 60^o的相位差。在双对齐中，对齐时间、电流限值、升降速率等相关参数与单

对齐的情况相同 - 连续应用两个具有相同参数的不同相位模式，以确保无论初始转子位置如何，电机都会对齐到

已知位置。

7.3.9.4.3 初始位置检测(IPD)

可以通过将 MTR_STARTUP 配置为 10b 来启用初始位置检测 (IPD)。在 IPD 中，使用电感检测方法来利用电机

电感的空间变化来确定电机的初始位置。

对齐或双对齐可能会使电机在开始开环加速之前反向旋转。IPD 可用于不允许电机反转的应用。IPD 不会等待电

机与换向对齐，因此可以实现更快的电机启动序列。当电机的电感作为位置的函数变化时，IPD 效果很好。IPD

通过将脉冲电流输入电机进行工作，因此会产生噪声，在确定特定应用的最佳启动方法时必须考虑这一点。

7.3.9.4.3.1 IPD 操作

IPD 通过根据以下序列依次应用六种不同的相位模式来运行：BC -> CB -> AB -> BA -> CA -> AC（请参阅图

7-18）。当电流达到 IPD_CURR_THR 配置的阈值时，MCT8329A 停止驱动特定相位模式并测量从应用特定相位

模式到达到当前阈值所花费的时间。因此，针对全部六种相位模式测量达到 IPD_CURR_THR 所花费的时间 - 该

时间随电机绕组中电感的变化而变化。时间最短的状态代表电感最小的状态。最小电感产生的原因是电机的北极

与这种特定的驱动状态对齐。

A

B

IPD_CLK

Clock

Drive

C

B C

C B

A B

B A

C A

A C

IPD_CURR_THR

Current

Search the Minimum Time

Minimum

Time

Smallest

Inductance

Saturation Position of

the Magnetic Field

Permanent

Magnet Position

图7-18. IPD 功能

Submit Document Feedback

39

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.9.4.3.2 IPD 释放

IPD 释放使用高阻态模式，高侧(HSA) 和低侧(LSC) MOSFET 均关断，电流通过体二极管再循环回到电源中（请

参阅图7-19）。

IPD 释放期间的高阻态模式会使电机直流电源电压VM (V_PVDD) 上的电压升高。用于必须通过选择适当的钳位电路

或通过在V_PVDD和GND 之间提供足够的电容以吸收能量来解决该问题。

HSB

HSC

LSC

HSA

VM

LSA

HSB

HSC

LSC

HSA

VM

LSA

M

LSB

Driving

Hi-Z (Tri-State)

图7-19. IPD 释放高阻态模式

7.3.9.4.3.3 IPD 超前角度

检测到初始位置后，MCT8329A 开始以IPD_ADV_ANGLE 指定的角度以开环方式驱动电机。

将驱动角度提前介于 0° 和 180° 之间的任何值可产生负扭矩。将驱动角提前 90° 可产生最大初始扭矩。施加最大

初始扭矩可能会导致转子加速不稳定。选择IPD_ADV_ANGLE 以在应用中实现平滑加速（请参阅图7-20）。

Motor spinning direction

A

B

C

B

A

B

A

B

A

B

C

30 advance

90 advance

120 advance

60 advance

图7-20. IPD 超前角度

7.3.9.4.4 显示首个周期启动

可以通过将 MTR_STARTUP 配置为 11b 来启用慢速首循环启动。在慢速首循环启动中，MCT8329A 以

SLOW_FIRST_CYCLE_FREQ 定义的频率启动电机换向。配置的频率仅用于第一个周期，然后电机换向遵循由

开环加速系数 A1 和A2 配置的加速曲线。必须将慢速首循环配置得足够慢，以便允许电机与换向序列同步。当需

要快速启动时，该模式很有用，因为它可以显著减少对齐时间。

7.3.9.4.5 开环

使用对齐、双对齐、IPD 或慢速首循环完成电机位置初始化后，MCT8329A 开始在开环中加速电机。在开环期

间，应用固定占空比并使用逐周期电流限制功能来调节电流。

English Data Sheet: SLLSFQ3

40

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

在 MCT8329A 中，开环电流限制阈值通过 OL_ILIMIT_CONFIG 进行选择，并根据 OL_ILIMIT_CONFIG 的配置

由 CBC_ILIMIT 或 OL_ILIMIT 进行设置。开环占空比通过 OL_DUTY 进行配置。当电机以开环方式运行时，速度

（和换向瞬间）由方程式 8 决定。在 MCT8329A 中，开环加速系数 A1 和 A2 分别通过 OL_ACC_A1 和

OL_ACC_A2 进行配置。开环运行的功能是将电机驱动至电机产生足够BEMF 的速度，以便基于BEMF 过零的换

向控制能够准确地驱动电机。

Speed (t) = A1 * t + 0.5 * A2 * t²

(8)

7.3.9.4.6 从开环转换到闭环

MCT8329A 具有一个内部机制，用于确定从开环换向到基于BEMF 过零的闭环换向转换的电机速度。可以通过将

AUTO_HANDOFF 配置为 1b 来启用该自动确定开闭环切换速度的功能。如果 AUTO_HANDOFF 被设置为 0b，

则需要通过 OPN_CL_HANDOFF_THR 来配置开闭环切换速度。本节中的闭环不是指速度闭环 - 它是指从开环

（基于公式）变为闭环（基于BEMF 过零）的换向控制。

7.3.10 闭环运行

在闭环运行（闭环换向控制）中，MCT8329A 使用梯形换向驱动电机。换向瞬间由未驱动的相位（高阻态）上的

BEMF 过零决定。

7.3.10.1 120^o换向

在 120^o换向中，在每半个电气周期内，每个相位在被驱动 120^o，处于高阻态达 60^o，如图 7-21 所示。在 120^o

换向中有六种不同的换向状态。可以通过将 COMM_CONTROL 设置为 00b 来配置 120^o换向。MCT8329A 通过

120^o换向支持不同的调制模式，这可通过PWM_MODUL 进行配置。

©

ZC

Commuta on point

©

ZC Back-EMF zero crossings

Phase

PHASE CURRENT

PHASE VOLTAGE

A

Phase

B

Phase

C

图7-21. 120^o换向

Submit Document Feedback

41

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.10.1.1 高侧调制

可以通过将 PWM_MODUL 设置为 00b 来配置高侧调制。在高侧调制中，对于给定的换向状态，其中一个高侧

FET 以命令的占空比DUTY_OUT 进行开关，而低侧FET 以100% 占空比导通（请参阅图7-22）。

ZC

Phase

Voltage A

Phase

Voltage B

Phase

Voltage C

图7-22. 高侧调制模式下的120^o换向

7.3.10.1.2 低侧调制

可以通过将 PWM_MODUL 设置为 01b 来配置低侧调制。在低侧调制中，对于给定的换向状态，其中一个低侧

FET 以命令的占空比DUTY_OUT 进行开关，而低高侧FET 以100% 占空比导通（请参阅图7-23）。

English Data Sheet: SLLSFQ3

42

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

ZC

Phase

Voltage A

Phase

Voltage B

Phase

Voltage C

图7-23. 低侧调制模式下的120 ^o换向

7.3.10.1.3 混合调制

可以通过将PWM_MODUL 设置为10b 来配置混合调制。在混合调制中，MCT8329A 在高侧调制和低侧调制之间

动态切换（请参阅图7-24）。在混合调制模式下，开关损耗在高侧和低侧MOSFET 之间均匀分布。

Submit Document Feedback

43

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

ZC

Phase

Voltage A

Phase

Voltage B

Phase

Voltage C

图7-24. 混合调制模式下的120^o换向

7.3.10.2 可变换向

可以通过将COMM_CONTROL 设置为01b 来配置可变换向。120^o换向可能会产生可闻噪声，因为较长的高阻态

周期会在电机中产生一些扭矩纹波。为了降低该扭矩纹波和可闻噪声，MCT8329A 使用了可变换向，通过延长

120^o驱动时间并在进入高阻态之前逐渐减小占空比来减小换向时的相电流纹波。在该模式下，相位在 30^o和 60^o

之间处于高阻态，该窗口大小会根据速度动态调节。较小的窗口大小通常会提供更好的声学性能。图7-25 展示了

窗口为30^o的150^o换向。

English Data Sheet: SLLSFQ3

44

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

©

ZC

Commuta on point

©

ZC Back-EMF zero crossings

Phase

A

PHASE CURRENT

PHASE VOLTAGE

15 deg

30 deg

Phase

B

15 deg

Phase

C

图7-25. 150^o换向

备注

仅120^o换向支持不同的换向模式；可变换向仅使用混合调制模式。

7.3.10.3 超前角控制

为了实现最佳效率，通常需要控制电机的驱动状态，使电机相电流与电机 BEMF 电压保持一致。MCT8329A 提供

了通过调整超前角来提前或延迟换相点相电压的选项。可以调整超前角以获得最佳效率。这可以通过在恒定速度

和负载条件下运行电机并调整超前角 (LD_ANGLE) 直到达到最小电流来实现。MCT8329A 能够应用正负超前角

（通过配置LD_ANGLE_POLARITY），如图7-26 所示。

可以通过 {LD_ANGLE x 0.12}^o来计算超前角；例如，如果 LD_ANGLE 为 0x1E 且 LD_ANGLE_POLARITY 为

1b，则应用+3.6^o（提前）的超前角。如果LD_ANGLE_POLARITY 为0b，则应用-3.6^o（延迟）的超前角。

备注

对于120^o换向，负超前角限制为-20^o；任何低于该值的超前角都将被钳制为-20^o。

对于可变换向，不支持负超前角，正超前角被限制为 +15^o。任何高于 +15^o或低于 0⁰的配置都将分别

被钳制为15^o和0^o。

Submit Document Feedback

45

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

(a)

Phase

Voltage

Phase

BEMF

}

POS

(b)

Phase

Voltage

Phase

BEMF

}

NEG

图7-26. 正负超前角定义

7.3.10.4 闭环加速

为防止施加到电机的扭矩突然变化而导致噪声，MCT8329A 器件提供限制占空比命令输入在电压控制模式下变化

的最大速率的选项。闭环加速率参数设置占空比命令（电压控制基准占空比）变化的最大速率（如图 7-27 所

示）。在 MCT8329A 中，闭环加速率通过 CL_ACC 进行配置。在闭环速度和闭环功率控制模式下，CL_ACC 没

有影响，PI 环路限制应用于电机的PWM 占空比变化速率。

Y%

Duty command

input

X%

Y%

Duty command

a er closed loop

accelerate buﬀer

X%

Closed loop accelerate

(CL_ACC) se ngs

图7-27. 闭环加速

7.3.11 速度环路

MCT8329A 具有一个速度环路选项，可用于在变化的运行条件下保持恒定的速度。可以通过将

CLOSED_LOOP_MODE 设置为 01b 来启用速度环路。K_p和 K_i系数通过 SPD_POWER_KP 和

SPD_POWER_KI 进行配置。速度环路的输出 (SPEED_PI_OUT) 用于生成 DUTY OUT（施加到电机绕组的

PWM 电压的占空比）。PI 控制器输出上限 (V_MAX) 和下限 (V_MIN) 饱和限制分别通过 SPD_POWER_V_MAX 和

SPD_POWER_V_MIN 进行配置。当速度环路的输出饱和时，积分器被禁用以防止积分饱和。速度环路PI 控制器

图7-28 所示。

当 REF_PROFILE_CONFIG = 0b 时，SPEED_REF 来自最大速度（由 MAX_SPEED 配置）的占空比命令输入

(DUTY CMD)（如方程式9 所示），或来自输入分析器输出（请参阅节7.3.7.5）。

SPEED REF Hz = DUT是 CMD × Maximum Speed Hz

(9)

English Data Sheet: SLLSFQ3

46

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

MAX_SPEED

V_MAX

SPEED_REF

SPEED_PI_OUT

OUT

K_p

K_i

+

DUTY CMD

+

-

+

V_MIN

SPEED_MEAS

+

Z^-1

Switch Close

If V_MIN<OUT <V_MAX

图7-28. 速度环路

7.3.12 电源环路

MCT8329A 提供调节（输入）功率而非电机转速的选项 - 该输入功率调节可以在两种模式下完成，即闭环功率控

制和功率限制控制。可以通过将 CLOSED_LOOP_MODE 设置为 10b 来选择输入功率调节（而非电机转速）模

式。此外应同时将 CONST_POWER_MODE 设置为 01b 以进行闭环功率控制，或设置为 10b 以进行功率限制控

制。在任一功率调节模式下，MCT8329A 可从直流输入电源汲取的最大功率由 MAX_POWER 设置 - 功率基准

（图7-29 中的POWER_REF）。

当REF_PROFILE_CONFIG = 0b 时，POWER_REF 来自最大功率（由MAX_POWER 配置）的占空比命令输入

(DUTY CMD)（如方程式 10 所示），或来自输入分析器输出（请参阅节 7.3.7.5）。功率基准的迟滞带由

CONST_POWER_LIMIT_HYST 设置。在两种功率调节模式下，最小功率基准由 MIN_DUTY x MAX_POWER 设

置。

POWER REF W = DUT是 CMD × Maximum PoWer W

(10)

在两种功率调节模式下，MCT8329A 使用与速度环路模式相同的 PI 控制器参数。K_p和 K_i系数通过

SPD_POWER_KP 和 SPD_POWER_KI 进行配置。PI 控制器输出上限 (V_MAX) 和下限 (V_MIN) 饱和限制分别通过

SPD_POWER_V_MAX 和 SPD_POWER_V_MIN 进行配置。闭环功率控制和功率限制控制之间的主要区别在于

PI 控制器何时决定应用于 FET 的 DUTY OUT（PWM 的占空比）。在闭环功率控制中，DUTY OUT 始终等于图

7-29 中来自 PI 控制器输出的 POWER_PI_OUT。然而，在功率限制控制中，PI 控制器仅在 POWER_MEAS >

POWER_REF + CONST_POWER_LIMIT_HYST 时才决定 DUTY OUT。如果 POWER_MEAS < POWER_REF

+ CONST_POWER_LIMIT_HYST，则不使用PI 控制器，且DUTY OUT 等于DUTY CMD。本质上，在闭环功率

控制中，输入功率始终主动调节至 POWER_REF，而在功率限制控制中，输入功率仅限制为 POWER_REF，而

不主动调节至POWER_REF。当功率PI 环路的输出饱和时，积分器被禁用以防止积分饱和。

Submit Document Feedback

47

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

MAX_POWER

V_MAX

POWER_REF

POWER_PI_OUT

OUT

K_p

K_i

+

DUTY CMD

+

-

+

V_MIN

POWER_MEAS

+

ESTIMATED

INPUT DC

CURRENT

Z^-1

MEASURED INPUT

DC VOLTAGE

Switch Close

If V_MIN<OUT <V_MAX

图7-29. 功率调节

7.3.13 防电压浪涌(AVS)

驱动电机时，能量从电源传输到电机。其中一些能量以电感能量和机械能的形式进行存储。如果速度命令突然下

降，使得电机产生的 BEMF 电压大于施加到电机上的电压，则电机的机械能返回到电源，从而产生 V_PVDD电压浪

涌。AVS 功能用于防止在 V_PVDD上产生该电压浪涌，可以通过将 AVS_EN 设置为 1b 来启用该功能。可以通过将

AVS_EN 设置为0b 来禁用AVS。当禁用AVS 时，减速率通过CL_DEC_CONFIG 进行配置。

7.3.14 输出PWM 开关频率

MCT8329A 提供了通过PWM_FREQ_OUT 配置MOSFET 输出PWM 开关频率的选项。PWM_FREQ_OUT 的范

围为 5-100kHz。为了选择最佳输出PWM 开关频率，用户必须在电流纹波和开关损耗之间进行权衡。通常，具有

较低L/R 比的电机需要较高的PWM 开关频率以减小电流纹波。

7.3.15 快速启动时间（< 50ms）

MCT8329A 能够在 50ms 内将电机速度从 0% 加速到 100%。这仅适用于能够达到该加速水平的低惯性电机。为

了实现快速启动，需要通过将 INTEG_ZC_METHOD 设置为 1b 来将换向瞬间检测配置为混合模式。在混合模式

下，换向瞬间通过在中低速时使用反电动势积分和在高速时使用内置比较器（BEMF 过零）来确定。MCT8329A

根据电机速度在反电动势积分和基于比较器的换向之间自动转换，如图7-30 所示。低速时换向方法转换的占空比

由 INTEG_DUTY_THR_LOW 和 INTEG_DUTY_THR_HIGH 直接配置，高速时由 INTEG_CYC_THR_LOW 和

INTEG_CYC_THR_HIGH 间接配置。这些占空比应配置为提供足够的滞环，以避免在阈值占空比附近重复换向方

法转换。在反电动势积分方法中用于确定换向瞬间的 BEMF 阈值由 BEMF_THRESHOLD1 和

BEMF_THRESHOLD2 进行配置。

English Data Sheet: SLLSFQ3

48

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

Commutation method

Integration based

ZC based

Duty cycle

INTEG_DUTY INTEG_DUTY

_THR_LOW _THR_HIGH

Duty 1 Duty 2

Duty 1- Duty cycle at which motor speed is such that number

of BEMF samples per 30^ois > INTEG_CYCL_THR_HIGH

Duty 2 - Duty cycle at which motor speed is such that number

of BEMF samples per 30^ois < INTEG_CYCL_THR_LOW

图7-30. 换向方式转换

7.3.15.1 BEMF Threshold

图7-31 显示了 120^o梯形运行期间的三相电压。其中一个相位始终在60^o换相间隔内浮动，MCT8329A 通过反电

动势积分方法对该浮动相电压（表示电机反电动势）进行积分，以检测下一个换向时刻。浮动相电压可以增加或

减少，算法在过零检测后开始积分，以消除由于可变去磁时间引起的积分误差。浮动相电压被定期采样（过零之

后）并相加（积分的离散形式）。BEMF 阈值（BEMF_THRESHOLD1 和BEMF_THRESHOLD2）值被进行适当

设置，从而使浮动相电压的积分值在（或非常接近）换向时刻与 BEMF_THRESHOLD1 或

BEMF_THRESHOLD2 值交叉。BEMF_THRESHOLD1 是浮相电压上升阈值，BEMF_THRESHOLD2 是浮相电

压下降阈值。如果 BEMF_THRESHOLD2 被设置为 0，则 BEMF_THRESHOLD1 用作浮动相电压上升和下降的

阈值。

Vpeak

2

T_c

Vpeak

2

Vpeak

2

0^o

60^o

300^o

180^o

240^o

360^o

120^o

Electrical Angle, θ (degree)

图7-31. 使用浮动相电压的反电动势积分

Submit Document Feedback

49

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

在图 7-31 中，Vpeak 是反电动势的峰峰值，Vpeak/2 表示反电动势过零，Tc 是 60^o窗口换向间隔或周期。每个

60^o窗口中突出显示的三角形是算法用来确定换向瞬间的反电动势的积分值。该积分值可以近似表示为突出显示的

三角形的面积，由方程式11 给出。

(½)* (Vpeak/2) * Tc/2

(11)

有关设置BEMF 阈值的示例应用，请参阅节8.2.2.4。

7.3.15.2 动态去磁

在MCT8329A 中，可以在换向后动态计算去磁时间（输出相电流衰减到零所需的时间），以精确检测过零瞬间。

这是通过启用动态去磁功能（将 DYN_DEGAUSS_EN 设置为 1b）来完成的。该功能允许电机控制算法在输出

（浮动）相电压完全稳定后捕获过零瞬间；也就是说，当输出相电流衰减到零并且输出（浮动）相电压未被钳制

（至 PVDD (VM) 或 PGND）时，表示真实的反电动势。利用这种对过零瞬间的精确测量，可以使用 MCT8329A

实现电机快速加速(< 50ms)。

VM

*

VM

2

*

PGND

Degauss time(shown by double-sided arrow) after commutation during which the outgoing(floating) phase

voltage is clamped to VM(by negative outgoing phase current) during increasing back-EMF; sampling of

back-EMF(denoted by *) should start after degauss time is over for accurate zero cross instant detection

VM

2

*

PGND

Degauss time(shown by double-sided arrow) after commutation during which the outgoing(floating) phase

voltage is clamped to PGND(by positive outgoing phase current) during decreasing back-EMF; sampling of

back-EMF(denoted by *) should start after degauss time is over for accurate zero cross instant detection

图7-32. 去磁时间

English Data Sheet: SLLSFQ3

50

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.16 快速减速

MCT8329A 能够使用快速减速功能和 AVS 功能快速使电机减速（在数十 ms 内从 100% 减速至 10%），而不会

将能量泵回到输入直流电源中。可以通过将 FAST_DECEL_EN 设置为1b 来启用快速减速功能；AVS_EN 应设置

为 1b，以防止能量泵回到输入直流电源中。该组合可实现线性制动效果，从而实现快速平稳的减速，而不会将能

量泵回到直流输入电源中。还可以在反向驱动（请参阅反向驱动）或电机停止（请参阅主动降速）期间使用该功

能组合，以快速降低电机速度，而不将能量泵回到直流输入电源中。

备注

快速减速功能仅在双向CSA 模式下可用。该功能在单向CSA 模式下不可用。

可以通过适当配置减速期间的电流限值FAST_DECEL_CURR_LIM 来控制减速时间。电流限值越高，减速时间越

短，反之亦然。由于制动扭矩过大，在低目标速度下，高于必要的电流限值设置可能会导致电机失速故障。这也

会导致外部 FET 的损耗增加，尤其是在重复的加速 / 减速循环中。因此，应适当选择

FAST_DECEL_CURR_LIM，以便在要求的时间内减速而不会导致失速故障或过热。

FAST_BRK_DELTA 用于配置目标速度滞环，以在电机达到目标速度时退出快速减速模式并重新进入电机运行模

式。例如，如果 FAST_BRK_DELTA 设置为 1%，则当电机速度达到目标速度的 1% 以内时，认为快速减速完

成。为FAST_BRK_DELTA 设置更高的值可能会消除电机失速故障，尤其是在使用高FAST_DECEL_CURR_LIM

值时。为 FAST_BRK_DETLA 设置较高的值也会导致减速模式结束时目标速度和电机速度之间的速度误差较大 -

一旦恢复电机运行模式，电机最终将达到目标速度。FAST_DECEL_CURR_LIM 和FAST_BRK_DELTA 应协同配

置，以在较低的减速时间和可靠（无失速故障）的减速曲线之间进行优化。

FAST_DEC_DUTY_THR 用于配置实施快速减速的速度下限。例如，如果 FAST_DEC_DUTY_THR 设置为

70%，则在速度高于 70% 时无法使用快速减速，直至其低于 70%。FAST_DEC_DUTY_WIN 用于设置最小减速

窗口（初始速度 – 目标速度），低于该窗口将不执行快速减速。例如，如果 FAST_DEC_DUTY_WIN 设置为

15%，并且收到 50%->40% 减速命令，则不使用快速减速将速度从50% 降低到 40%，因为减速窗口 (10%) 小于

FAST_DEC_DUTY_WIN。

MCT8329A 在快速减速过程中提供动态电流限值选项，以提高制动到极低速度时快速减速的稳定性；使用该功

能，快速减速期间的电流限值可以随着电机速度的降低而降低。可以通过将 DYNAMIC_BRK_CURR 设置为 1b

来启用该功能。快速减速开始时的电流限值（FAST_DEC_DUTY_THR）由FAST_DECEL_CURR_LIM 配置，零

速时的电流限值由DYN_BRK_CURR_LOW_LIM 配置；当启用动态电流限值时，快速减速期间的电流限值随这两

个工作点之间的速度线性变化。如果禁用动态电流限值，则快速减速期间的电流限值保持不变，由

FAST_DECEL_CURR_LIM 进行配置。

7.3.17 动态电压调节

MCT8329A 集成了动态电压调节功能以提高相电压检测的分辨率。可以使用具有 10V/V 或 20V/V 电压调节功能

的集成分压器检测电机相电压，以在工作电压范围内将检测电压限制为小于 3V 。设置位

DYN_VOLT_SCALING_EN = 0b 可以禁用动态电压调节， MCT8329A 使用 20V/V 增益。设置位

DYN_VOLT_SCALING_EN = 1b 可以启用动态电压调节，MCT8329A 在电机处于空闲状态期间检测直流总线电

压并选择相应的10V/V 或20V/V 电压调节。

备注

TI 建议在预期直流总线电压超过24V 的情况下禁用动态电压调节。

7.3.18 电机停止运转选项

MCT8329A 提供用于停止电机的不同选项，可通过MTR_STOP 配置这些选项。

7.3.18.1 滑行（高阻态）模式

可以通过将 MTR_STOP 设置为 000b 来配置滑行（高阻态）模式。接收到电机停止命令后，MCT8329A 关断所

有外部 MOSFET，从而在相位电机端子处生成高阻态。当 MCT8329A 从驱动电机转换到高阻态时，电机绕组中

的电感电流继续流动，能量通过MOSFET 输出级中的体二极管返回到电源中（请参阅示例图7-33）

Submit Document Feedback

51

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

HSC

LSC

HSA

HSB

LSB

HSC

LSC

HSA

LSA

HSB

LSB

VM

M

VM

M

LSA

Driving State

High-Impedance State

图7-33. 滑行（高阻态）模式

在该示例中，电流通过高侧 A 相MOSFET (HSA)施加到电机，并通过低侧 C 相MOSFET (LSC) 返回。接收到电

机停止命令后，全部 6 个 MOSFET 都会转换为高阻态，电感能量通过 MOSFET LSA 和 HSC 的体二极管返回到

电源中。

7.3.18.2 再循环模式

可以通过将MTR_STOP 设置为001b 来配置再循环模式。为了防止电感能量在电机停止期间返回到直流输入电源

中，MCT8329A 允许电流在外部 MOSFET 内循环，方法是有选择地关断一些处于工作（导通）状态的 MOSFET

一段时间（自动计算再循环时间以允许电感电流衰减到零），然后通过关断剩余的MOSFET 来转换至高阻态。

如果高侧调制处于运行状态，则在发出电动机停止命令之前，高侧MOSFET 在接收到电动机停止命令时关断，电

流再循环通过低侧 MOSFET 进行（请参阅示例图 7-34）。再循环时间结束后，低侧 MOSFET 也会关断，所有

MOSFET 都处于高阻态。

HSB

HSC

LSC

HSA

LSA

HSB

LSB

HSC

LSC

HSA

LSA

V_M

M

V_M

M

LSB

Low-Side Recirculaꢀon Mode

Driving State

图7-34. 低侧再循环

如果低侧调制处于活动状态，则在发出电动机停止命令之前，低侧MOSFET 在接收电动机停止命令时关断，电流

再循环通过高侧 MOSFET 进行(请参阅示例图 7-35)。再循环时间结束后，高侧 MOSFET 也会关断，所有

MOSFET 都处于高阻态。

English Data Sheet: SLLSFQ3

52

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

HSB

HSC

HSA

HSB

LSB

HSC

HSA

LSA

V_M

M

V_M

M

LSB

LSC

LSA

LSC

High-Side Recircula on Mode

Driving State

图7-35. 高侧再循环

7.3.18.3 低侧制动

可以通过将 MTR_STOP 设置为 010b 来配置低侧制动模式。接收到电机停止命令后，输出速度会降低到由

ACT_SPIN_BRK_THR 定义的值，然后使所有低侧 MOSFET 导通（请参阅示例图 7-36 ）达

MTR_STOP_BRK_TIME 配置的时长。如果在接收到停止命令之前电机速度低于 ACT_SPIN_BRK_THR，则

MCT8329A 直接转换至制动状态。在施加制动达 MTR_STOP_BRK_TIME 后，MCT8329A 会通过关断所有

MOSFET 转换至高阻态。

HSC

LSC

HSA

LSA

HSB

HSC

LSC

HSA

LSA

HSB

LSB

VM

M

VM

M

LSB

Low-Side Braking

Driving State

图7-36. 低侧制动

MCT8329A 也可以通过 BRAKE 引脚输入进入低侧制动。当 BRAKE 引脚被拉至高电平状态时，输出速度将降低

至由 BRAKE_DUTY_THRESHOLD 定义的值，然后使所有低侧 MOSFET 导通。在这种情况下，MCT8329A 保

持在低侧制动状态，直到BRAKE 引脚变为低电平状态。

7.3.18.4 高侧制动

可以通过将 MTR_STOP 设置为 011b 来配置高侧制动模式。接收到电机停止命令后，输出速度会降低到由

ACT_SPIN_BRK_THR 定义的值，然后使所有高侧 MOSFET 导通（请参阅示例图 7-37 ）达

MTR_STOP_BRK_TIME 配置的时长。如果在接收到停止命令之前电机速度低于 ACT_SPIN_BRK_THR，则

MCT8329A 直接转换至制动状态。在施加制动达 MTR_STOP_BRK_TIME 后，MCT8329A 会通过关断所有

MOSFET 转换至高阻态。

Submit Document Feedback

53

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

HSC

LSC

HSC

LSC

HSA

HSB

LSB

HSA

LSA

HSB

LSB

VM

M

VM

M

LSA

High-Side Braking

Driving State

图7-37. 高侧制动

7.3.18.5 主动降速

可以通过将 MTR_STOP 设置为 100b 来配置主动降速模式。当收到电机停止命令时，MCT8329A 将占空比降低

到 ACT_SPIN_BRK_THR，然后通过关断所有 MOSFET 转换到高阻态。该模式的优点是通过减小占空比，电机

减速到较低的速度，从而在进入高阻态之前减小相电流。现在，当电机转换到高阻态时，传输到电源的能量会减

少。阈值ACT_SPIN_BRK_THR 需要配置得足够高，从而确保MCT8329A 与电机同步。

7.3.19 FG 配置

MCT8329A 通过频率生成 (FG) 引脚提供有关电机速度的信息。在 MCT8329A 中，FG 引脚输出通过

FG_CONFIG 进行配置。当 FG_CONFIG 配置为 1b 时，只要 MCT8329A 在驱动电机，FG 输出就有效。当

FG_CONFIG 配置为0b 时，MCT8329A 提供FG 输出，直到电机反电动势低于FG_BEMF_THR 配置的阈值。

7.3.19.1 FG 输出频率

可以通过 FG_DIV_FACTOR 来配置 FG 输出频率。在 MCT8329A 中，如果 FG_DIV_FACTOR 被设置为

0000b，则FG 在每个换向周期中切换一次。许多应用要求 FG 输出为电机的每周机械旋转提供一个脉冲。不同的

FG_DIV_FACTOR 配置可以为2 极至30 极电机实现这一点。

图7-38 显示了当MCT8329A 配置为每个换向周期（电周期/3）提供一次FG 脉冲、每个电气周期（2 极）提供一

次FG 脉冲、每两个电气周期（4 极）提供一次 FG 脉冲、每三个电气周期（6 极）提供一次 FG 脉冲、每四个电

气周期（8 极）提供一次FG 脉冲等时的FG 输出。

English Data Sheet: SLLSFQ3

54

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

Phase A

Voltage

FG_DIV_FACTOR = 0000b

(Commuta on cycle)

FG_DIV_FACTOR = 0001b

(Elec cycle)

FG_DIV_FACTOR = 0010b

(Elec cycle*2)

FG_DIV_FACTOR = 0011b

(Elec cycle*3)

FG_DIV_FACTOR = 0100b

(Elec cycle*4)

图7-38. FG 分频器

7.3.19.2 开环中的FG

在闭环（换向）操作期间，驱动速度（FG 输出频率）与实际电机速度同步。然而，在开环操作期间，FG 可能不

会反映实际电机速度。此处的开环和闭环是指电机换向方法，不是指闭环速度或功率控制。

MCT8329A 提供了三个用于在开环期间控制 FG 输出的选项，如图 7-39 所示。可以通过 FG_SEL 来配置如何选

择这些选项。

如果FG_SEL 被设置为以下值，则会产生下列行为：

• 00b：在开环和闭环中输出FG。

• 01b：仅在闭环中输出FG。FG 引脚在开环期间将处于高阻态（使用外部上拉电阻器时处于高电平）。

• 10b：FG 输出将反映上电、睡眠/待机后第一个电机启动周期开环运行期间的驱动频率；在后续启动周期的开

环运行期间，FG 将处于高阻态（用外部上拉电阻器时处于高电平）。

Submit Document Feedback

55

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

Open Loop

Close Loop

Phase A

Voltage

FG_SEL = 00

FG_SEL = 01

Close Loop

Open Loop

Close Loop

Phase A

Voltage

FG_SEL

= 10

Startup after power on or wake up from

sleep or standby mode

Rest of startups

图7-39. 开环期间的FG 行为

7.3.19.3 电机停止期间的FG

可以使用FG_PIN_STOP_CONFIG 定义电机停止旋转时的FG 引脚状态。电机停止由FG_BEMF_THR 决定。

如果FG_PIN_STOP_CONFIG 被设置为以下值，则会产生下列行为：

• 00b：FG 引脚继续切换，直到电机停止。未定义FG 的结束状态。

• 01b：电机停止时FG 引脚处于高阻态（使用外部上拉电阻器时处于高电平）。

• 10b：FG 引脚在电机停止时被拉低。

7.3.19.4 故障期间的FG 行为

可以使用FG_PIN_FAULT_CONFIG 来配置故障期间的FG 行为（在nFAULT 引脚上报告的行为）。

如果FG_PIN_FAULT_CONFIG 被设置为以下值，则会产生下列行为：

• 00b：只要电机在旋转或滑行，FG 就会在故障期间继续工作，并在电机停止后保持在最后的FG 电平

• 01b：报告故障时FG 引脚处于高阻态（使用外部上拉电阻器时处于高电平）。

English Data Sheet: SLLSFQ3

56

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

• 10b：发生故障时FG 引脚被拉低。

7.3.20 保护功能

MCT8329A 针对许多故障事件提供了保护功能，包括电机锁定、PVDD 欠压、AVDD 欠压、GVDD 欠压、自举欠

压、过热和过流事件。表7-2 总结了不同故障的响应、恢复模式、栅极驱动器状态、报告机制。

表7-2. 故障操作和响应

故障

条件

配置

—

报告

栅极驱动器

逻辑

禁用

恢复

PVDD 欠压

(PVDD_UV)

自动：

V_PVDD> V_{PVDD_UV}

禁用¹

V_PVDD< V_{PVDD_UV}

nFAULT

AVDD POR

(AVDD_POR)

自动：

禁用¹

V_AVDD< V_{AVDD_POR}

nFAULT

—

禁用

运行

V_AVDD> V_{AVDD_POR}

nFAULT 和

GATE_DRIVER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

GVDD 欠压

(GVDD_UV)

锁存：

CLR_FLT

拉至低电平²

V_GVDD< V_{GVDD_UV}

nFAULT 和

GATE_DRIVER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

BSTx 欠压

(BST_UV)

锁存：

拉至低电平²

V_BSTx- V_SHx< V_{BST_UV}

V_DS> V_{SEL_VDS_LVL}

V_SP> V_{SENSE_LVL}

DIS_BST_FLT = 0b

DIS_VDS_FLT = 0b

DIS_SNS_FLT = 0b

运行

CLR_FLT

nFAULT 和

GATE_DRIVER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

V

_DS过流

锁存：

CLR_FLT

(VDS_OCP)

nFAULT 和

GATE_DRIVER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

V

_SENSE过流

锁存：

CLR_FLT

(SEN_OCP)

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

拉至低电平²

（MOSFET 处于高

阻态）

MTR_LCK_MODE =

0000b

锁存：

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

0001b

锁存：

CLR_FLT

再循环逻辑

高侧制动逻辑

低侧制动逻辑

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

0010b

锁存：

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

0011b

锁存：

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

拉至低电平²

（MOSFET 处于高

阻态）

MTR_LCK_MODE =

0100b

重试：

t_{LCK_RETRY}

电机锁定：速度异常；无

电机锁定；不同步

3 电机锁定

(MTR_LCK)

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

0101b

重试：

t_{LCK_RETRY}

再循环逻辑

高侧制动逻辑

低侧制动逻辑

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

0110b

重试：

t_{LCK_RETRY}

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

0111b

重试：

t_{LCK_RETRY}

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

MTR_LCK_MODE =

1000b

运行

无操作

MTR_LCK_MODE =

1001b 至1111b

无

Submit Document Feedback

57

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-2. 故障操作和响应(continued)

故障

条件

配置

报告

栅极驱动器

逻辑

运行

恢复

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

CBC_ILIMIT_MODE =

0000b

自动：

下一个PWM 周期

再循环逻辑

CBC_ILIMIT_MODE =

0001b

自动：

下一个PWM 周期

无

再循环逻辑

运行

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

CBC_ILIMIT_MODE =

0010b

自动：

(I x R_SENSEx CSA_GAIN) < ILIMIT

逐周期电流限制

适用于

CBC_ILIMIT、

OL_LIMIT、

ALIGN_ILIMIT

CBC_ILIMIT_MODE =

0011b

自动：

无

(I x R_SENSEx CSA_GAIN) < ILIMIT

(I x R_SENSEx CSA_GAIN)

> ILIMIT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

CBC_ILIMIT_MODE =

0100b

自动：

PWM 周期> CBC_RETRY_PWM_CYC

CBC_ILIMIT_MODE =

0101b

自动：

无

PWM 周期> CBC_RETRY_PWM_CYC

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

CBC_ILIMIT_MODE =

0110b

无操作

CBC_ILIMIT_MODE =

无

运行

0111b、1xxxb

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

拉至低电平²

（MOSFET 处于高

阻态）

LOCK_ILIMIT_MODE =

0000b

锁存：

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

0001b

锁存：

再循环逻辑

高侧制动逻辑

低侧制动逻辑

运行

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

0010b

锁存：

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

0011b

锁存：

CLR_FLT

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

拉至低电平²

（MOSFET 处于高

阻态）

LOCK_ILIMIT_MODE =

0100b

重试：

t_{LCK_RETRY}

(I x R_SENSEx CSA_GAIN)

> LOCK_ILIMIT

锁定检测电流限制

(LOCK_ILIMIT)

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

0101b

重试：

t_{LCK_RETRY}

再循环逻辑

高侧制动逻辑

低侧制动逻辑

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

0110b

重试：

t_{LCK_RETRY}

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

0111b

重试：

t_{LCK_RETRY}

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

LOCK_ILIMIT_MODE =

1000b

运行

无操作

LOCK_ILIMIT_MODE =

无

1001b、1111b

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

IPD 超时故障

（IPD_T1_FAULT

和

拉至低电平²

（MOSFET 处于高

阻态）

IPD TIME > 500ms（大

约），在IPD 电流上升或

下降期间

锁存：

CLR_FLT

—

IPD_T2_FAULT）

nFAULT 和

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器

拉至低电平²

（MOSFET 处于高

阻态）

IPD 频率故障

(IPD_FREQ_FAULT

)

在前一个IPD 中的电流衰

减之前的IPD 脉冲

锁存：

CLR_FLT

运行

English Data Sheet: SLLSFQ3

58

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-2. 故障操作和响应(continued)

故障

条件

配置

报告

栅极驱动器

逻辑

运行

恢复

nFAULT 和

OTS_AUTO_RECOVERY GATE_DRIVER_FA

锁存：

CLR_FLT

拉至低电平²

= 0b

ULT_STATUS 寄存

器

热关断

(TSD)

T_J> T_TSD

nFAULT 和

自动：

T_J< T_OTSD–T_HYS

CLR_FLT

OTS_AUTO_RECOVERY GATE_DRIVER_FA

拉至低电平²

运行

= 1b

ULT_STATUS 寄存

器

1. 禁用：对于GLx 为无源下拉，对于GHx 为半有源下拉

2. 拉至低电平：栅极驱动器主动将GHx 和GLx 拉至低电平

7.3.20.1 PVDD 电源欠压锁定(PVDD_UV)

在任何时候，如果PVDD 引脚上的电源电压低于V_{PVDD_UV}阈值的时间超过t_{PVDD_UV_DG}时间，则器件会检测到

PVDD 欠压事件。检测到欠压情况后，栅极驱动器被禁用，电荷泵被禁用，内部数字逻辑被禁用，nFAULT 引脚

被驱动为低电平。当PVDD 引脚上升至高于V_{PVDD_UV}时，再次开始正常运行（栅极驱动器变得可操作并且

nFAULT 引脚被释放）。

7.3.20.2 AVDD 上电复位(AVDD_POR)

在任何时候，如果 AVDD 引脚上的电源电压低于 V_{AVDD_POR}阈值的时间超过 t_{AVDD_POR_DG}时间，则器件会进入

非运行状态，从而禁用栅极驱动器、电荷泵和内部数字逻辑，nFAULT 会被驱动为低电平。正常运行（数字逻辑

运行）需要AVDD 超过V_{AVDD_POR}电平。

7.3.20.3 GVDD 欠压锁定(GVDD_UV)

在任何时候，如果GVDD 引脚上的电压低于V_{GVDD_UV}阈值电压的时间长于t_{GVDD_UV_DG}时间，则器件会检测到

GVDD 欠压事件。在检测到GVDD_UV 欠压事件后，所有栅极驱动器输出都被驱动为低电平以禁用外部

MOSFET，电荷泵仍在运行，nFAULT 引脚被驱动为低电平。在清除GVDD_UV 条件并通过CLR_FLT 位发出清

除故障命令后，将恢复正常运行。

7.3.20.4 BST 欠压锁定(BST_UV)

如果在任何时候BSTx 和SHx 引脚之间的电压低于V_{BST_UV}阈值电压的持续时间大于t_{BST_UV_DG}时间，该器件

检测到BST 欠压事件。检测到BST_UV 事件后，所有栅极驱动器输出都被驱动为低电平以禁用外部MOSFET，

并且nFAULT 引脚被驱动为低电平。在清除BST_UV 条件并通过CLR_FLT 位发出清除故障命令后，将恢复正常

运行。

7.3.20.5 MOSFET VDS 过流保护(VDS_OCP)

该器件具有可调节的VDS 电压监视器，可检测外部功率MOSFET 上的过流或短路情况。通过监视外部MOSFET

R

_DS(on)上的 VDS 压降来检测 MOSFET 过流事件。高侧 VDS 监视器在 PVDD 和 SHx 引脚之间进行测量，低侧

VDS 监视器在 SHx 和 LSS 引脚之间进行测量。如果外部 MOSFET 两端的电压超过 SEL_VDS_LVL 设置的阈值

的时间大于 t_{DS_DG}抗尖峰脉冲时间，则会识别到 V_{DS_OCP}事件。检测到 VDS 过流事件后，所有栅极驱动器输出

都被驱动为低电平以禁用外部MOSFET，并且nFAULT 引脚被驱动为低电平。可以通过将 DIS_VDS_FLT 配置为

1b 来禁用V_{DS_OCP}。在清除V_{DS_OCP}条件并通过CLR_FLT 位发出清除故障命令后，将恢复正常运行。

Submit Document Feedback

59

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

PVDD

+

V

+

V

^DSœ

V

VDS_OCP

GHx

SHx

GLx

+

^DSœ

+

^DSœ

V

VDS_OCP

LSS

图7-40. MCT8329A VDS 监视器

7.3.20.6 VSENSE 过流保护(SEN_OCP)

仍然通过检测LSS 和GND 引脚之间外部电流检测电阻上的压降来监测过流。在任何时候，如果LSS 输入上的电

压超过VSEN_OCP 阈值的时间超过t_{DS_DG}抗尖峰脉冲时间，则会识别到SEN_OCP 事件。检测到SEN_OCP

过流事件后，所有栅极驱动器输出都被驱动为低电平以禁用外部MOSFET，并且nFAULT 引脚被驱动为低电平。

V

_SENSE阈值固定为0.5V。可以通过将DIS_SNS_FLT 配置为1b 来禁用V_{SEN_OCP}。在清除V_{SEN_OCP}条件并通

过CLR_FLT 位发出清除故障命令后，将恢复正常运行。

7.3.20.7 热关断(OTSD)

如果内核温度超过热关断限制(T_OTSD) 的跳闸点，则会识别到OTSD 事件。检测到OTSD 过热事件后，所有栅极

驱动器输出都被驱动为低电平以禁用外部MOSFET，并且nFAULT 引脚被驱动为低电平。通过配置

OTS_AUTO_RECOVERY，可以将过温保护配置为锁存模式或自动恢复模式。在锁存模式下，在T_OTSD条件被清

除并通过CLR_FLT 位发出清除故障命令后会恢复正常运行。在自动恢复模式下，T_OTSD条件被清除后会恢复正常

运行。

7.3.20.8 逐周期(CBC) 电流限制(CBC_ILIMIT)

逐周期 (CBC) 电流限值提供了一种控制输送到电机的电流大小的方法。当系统必须限制在电机运行期间从电源拉

出的电流大小时，此方法很有用。CBC 电流限值可限制施加到电机上的电流，使之不会超过配置的阈值。CBC 电

流限值功能是通过将电流检测放大器的输出连接到硬件比较器来实现的。如果电流检测放大器的输出电压超过

CBC_ILIMIT 阈值，则会识别到 CBC_ILIMIT 事件并根据 CBC_ILIMIT_MODE 执行相应的操作。对该事件的总反

应延迟取决于电流检测放大器增益和比较器延迟。闭环中的 CBC 电流限值通过 CBC_ILIMIT 设置，而

OL_ILIMIT_CONFIG 的配置设置开环运行中的 CBC 电流限值。通过CBC_ILIMIT_MODE 可以配置不同的模式：

CBC_ILIMIT 自动恢复（下一个 PWM 周期）、CBC_ILIMIT 自动恢复（基于阈值）、CBC_ILIMIT 自动恢复（基

于PWM 周期数）、仅提供CBC_ILIMIT 报告、禁用CBC_ILIMIT。

7.3.20.8.1 CBC_ILIMIT 自动恢复下一个PWM 周期(CBC_ILIMIT_MODE = 000xb)

当在该模式下发生CBC_ILIMIT 事件时，MCT8329A 停止使用再循环模式驱动FET，以防止电感能量进入直流输

入电源。故障状态寄存器中的 CBC_ILIMIT 状态位被设置为 1b。在下一个 PWM 周期开始时恢复正常运行，

CBC_ILIMIT 状态位重置为 0b。CONTROLLER_FAULT 位和 nFAULT 引脚的状态将由 CBC_ILIMIT_MODE 决

定。当 CBC_ILIMIT_MODE 为 0000b 时，CONTROLLER_FAULT 位被设置为 1b 并且 nFAULT 引脚被驱动为低

电平，直到下一个 PWM 周期。当 CBC_ILIMIT_MODE 为 0001b 时，CONTROLLER_FAULT 位不会被设置为

1b 且nFAULT 不会被驱动为低电平。

7.3.20.8.2 CBC_ILIMIT 基于自动恢复阈值(CBC_ILIMIT_MODE = 001xb)

当在该模式下发生CBC_ILIMIT 事件时，MCT8329A 停止使用再循环模式驱动FET，以防止电感能量进入直流输

入电源。状态寄存器中的 CBC_ILIMIT 状态位被设置为 1b。在电流降至低于 CBC_ILIMIT 电流阈值后恢复正常运

English Data Sheet: SLLSFQ3

60

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

行， CBC_ILIMIT 状态位被设置为 0b 。CONTROLLER_FAULT 位和 nFAULT 引脚的状态将由

CBC_ILIMIT_MODE 决定。当 CBC_ILIMIT_MODE 为 0010b 时，CONTROLLER_FAULT 位被设置为 1b，

nFAULT 引脚被驱动为低电平，直到电流降至低于CBC_ILIMIT 电流阈值。当CBC_ILIMIT_MODE 为0011b 时，

CONTROLLER_FAULT 位不会被设置为1b 且nFAULT 不会被驱动为低电平。

7.3.20.8.3 CBC_ILIMIT 'n' 个PWM 周期后自动恢复(CBC_ILIMIT_MODE = 010xb)

当在该模式下发生 CBC_ILIMIT 事件时，MCT8329A 停止使用再循环模式驱动FET，以防止电感能量进入直流输

入电源。故障状态寄存器中的CBC_ILIMIT 状态位被设置为1b。在经过(CBC_RETRY_PWM_CYC + 1) 个PWM

周期后恢复正常运行，CBC_ILIMIT 状态位被设置为 0b。CONTROLLER_FAULT 位和 nFAULT 引脚的状态将由

CBC_ILIMIT_MODE 决定。当 CBC_ILIMIT_MODE 为 0100b 时，CONTROLLER_FAULT 位被设置为 1b 且

nFAULT 引脚被驱动为低电平，直到经过(CBC_RETRY_PWM_CYC + 1) 个PWM 周期。当CBC_ILIMIT_MODE

为0101b 时，CONTROLLER_FAULT 位不会被设置为1b 且nFAULT 不会被驱动为低电平。

7.3.20.8.4 CBC_ILIMIT 仅报告(CBC_ILIMIT_MODE = 0110b)

在该模式下发生 CBC_ILIMIT 事件时不会执行任何保护性操作。可以通过将故障状态寄存器中的

CONTROLLER_FAULT 和 CBC_ILIMIT 位设置为 1b 来报告 CBC 电流限值事件。栅极驱动器继续运行。外部控

制器通过适当的操作来管理过流状况。当 CBC_ILIMIT 条件清除并通过 CLR_FLT 位发出清除故障命令后，报告

清除。

7.3.20.8.5 CBC_ILIMIT 已禁用（CBC_ILIMIT_MODE = 0111b 或1xxxb）

在该模式下发生CBC_ILIMIT 事件时不会执行任何操作。

备注

在 CBC_ILIMIT 禁用模式和仅提供 CBC_ILIMIT 报告模式下，当电机以 100% PWM 占空比（无开关）

驱动并且电流超过CBC_ILIMIT 电流阈值时，栅极驱动器会以设置的PWM_FREQ_OUT 将高侧栅极驱

动器输出暂时拉低。为了在 100% 占空比下消除这种不需要的开关，可以将 CBC_LIMIT 阈值设置为大

于CBC_ILIMIT 禁用模式和仅提供CBC_ILIMIT 报告模式下预期电机电流的高值。

7.3.20.9 锁定检测电流限制(LOCK_ILIMIT)

锁定检测限流功能提供了一个可配置的阈值来限制电流，防止损坏系统。MCT8329A 通过 ADC 持续监测电流检

测放大器 (CSA) 的输出。在任何时候，如果 CSA 输出端的电压超过 LOCK_ILIMIT 阈值的时间长于 t_{LCK_ILIMIT}

，

则会识别到 LOCK_ILIMIT 事件并根据LOCK_ILIMIT_MODE 执行相应的操作。可以通过 LOCK_ILIMIT 来设置阈

值，可以通过 LOCK_ILIMIT_DEG 来设置 t_{LCK_ILIMIT}。LOCK_ILIMIT_MODE 可以设置为四种不同的模式：

LOCK_ILIMIT 锁存关断、LOCK_ILIMIT 自动重试，仅报告LOCK_ILIMIT 和禁用LOCK_ILIMIT。

7.3.20.9.1 LOCK_ILIMIT 锁存关断(LOCK_ILIMIT_MODE = 00xxb)

在该模式下发生LOCK_ILIMIT 事件时，外部MOSFET 的状态将由LOCK_ILIMIT_MODE 配置并且nFAULT 被驱

动为低电平。在LOCK_ILIMIT 期间通过MCT8329A 驱动的外部MOSFET 的状态：

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0000b：所有MOSFET 均关断，栅极驱动器输出被拉至低电平。

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0001b：正在开关的MOSFET 被关断，而导通的MOSFET 保持导通，直到电感能量

完全再循环。

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0010b：所有高侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通。

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0011b：所有低侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通。

故障状态寄存器中的 CONTROLLER_FAULT 和LOCK_ILIMIT 位被设置为 1b。当LOCK_ILIMIT 条件清除并通过

CLR_FLT 位发出清除故障命令后，恢复正常运行（栅极驱动器运行并且nFAULT 引脚被释放）。

7.3.20.9.2 LOCK_ILIMIT 自动恢复(LOCK_ILIMIT_MODE = 01xxb)

在该模式下发生LOCK_ILIMIT 事件时，外部MOSFET 的状态将由LOCK_ILIMIT_MODE 配置并且nFAULT 被驱

动为低电平。在LOCK_ILIMIT 期间通过MCT8329A 驱动的外部MOSFET 的状态：

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0100b：所有MOSFET 均关断，栅极驱动器输出被拉至低电平。

Submit Document Feedback

61

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0101b：正在开关的MOSFET 被关断，而导通的MOSFET 保持导通，直到电感能量

完全再循环。

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0110b：所有高侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通

• LOCK_ILIMIT_MODE = 0111b：所有低侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通

故障状态寄存器中的 CONTROLLER_FAULT 和 LOCK_ILIMIT 位被设置为 1b。在经过 t_{LCK_RETRY}（由

LCK_RETRY 进行配置）时间后，会自动恢复正常运行（栅极驱动器运行并且 nFAULT 引脚被释放）。在

t

_{LCK_RETRY}周期到期后，CONTROLLER_FAULT 和LOCK_ILIMIT 位被重置为0b。

7.3.20.9.3 LOCK_ILIMIT 仅报告(LOCK_ILIMIT_MODE = 1000b)

在该模式下发生 LOCK_ILIMIT 事件时不会执行任何保护性操作。可以通过将故障状态寄存器中的

CONTROLLER_FAULT 和 LOCK_ILIMIT 位设置为 1b 来报告锁定检测电流限制事件。栅极驱动器继续运行。外

部控制器通过适当的操作来管理该情况。当 LOCK_ILIMIT 条件清除并通过 CLR_FLT 位发出清除故障命令后，报

告清除。

7.3.20.9.4 LOCK_ILIMIT 已禁用(LOCK_ILIMIT_MODE = 1xx1b)

在该模式下发生LOCK_ILIMIT 事件时不会执行任何操作。

7.3.20.10 电机锁定(MTR_LCK)

MCT8329A 会在电机运行期间持续检查是否存在不同的电机锁定情况（请参阅电机锁定检测）。当启用的锁定情

况之一发生时，会识别到MTR_LCK 事件并根据MTR_LCK_MODE 执行操作。

在 MCT8329A 中，所有锁定都可以单独启用或禁用，并且可以通过 LCK_RETRY 配置重试次数。

MTR_LCK_MODE 位可以在四种不同的模式下运行：MTR_LCK 锁存关断、MTR_LCK 自动重试、仅报告

MTR_LCK 和禁用MTR_LCK。

7.3.20.10.1 MTR_LCK 锁存关断(MTR_LCK_MODE = 00xxb)

当在该模式下发生 MTR_LCK 事件时，外部 MOSFET 的状态将由 MTR_LCK_MODE 进行配置并且 nFAULT 被

驱动为低电平。MTR_LCK 期间外部MOSFET 的状态：

• MTR_LCK_MODE = 0000b：所有外部MOSFET 均关断，栅极驱动器输出被拉至低电平。

• MTR_LCK_MODE = 0001b：正在开关的MOSFET 被关断，而导通的MOSFET 保持导通状态，直到电感能

量完全再循环。

• MTR_LCK_MODE = 0010b：所有高侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通。

• MTR_LCK_MODE = 0011b：所有低侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通。

故障状态寄存器中的 CONTROLLER_FAULT、MTR_LCK 和相应的电机锁定条件位被设置为 1b。当 MTR_LCK

条件清除并通过 CLR_FLT 位发出清除故障命令后，恢复正常运行（栅极驱动器运行并且 nFAULT 引脚被释

放）。

7.3.20.10.2 MTR_LCK 自动恢复(MTR_LCK_MODE= 01xxb)

当在该模式下发生MTR_LCK 事件时，MOSFET 的状态将由 MTR_LCK_MODE 进行配置并且 nFAULT 被驱动为

低电平。MTR_LCK 期间MOSFET 的状态：

• MTR_LCK_MODE = 0100b：所有外部MOSFET 均关断，栅极驱动器输出被拉至低电平。

• MTR_LCK_MODE = 0101b：正在开关的MOSFET 被关断，而导通的MOSFET 保持导通状态，直到电感能

量完全再循环。

• MTR_LCK_MODE = 0110b：所有高侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通。

• MTR_LCK_MODE = 0111b：所有低侧MOSFET（栅极驱动器输出）均导通。

故障状态寄存器中的 CONTROLLER_FAULT、MTR_LCK 和相应的电机锁定条件位被设置为 1b。在经过

t_{LCK_RETRY}（由 LCK_RETRY 进行配置）时间后，会自动恢复正常运行（栅极驱动器运行并且 nFAULT 引脚被释

放）。在t_{LCK_RETRY}周期到期后，CONTROLLER_FAULT、MTR_LCK 和相应的电机锁定条件位被重置为0b。

English Data Sheet: SLLSFQ3

62

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.3.20.10.3 MTR_LCK 仅报告(MTR_LCK_MODE = 1000b)

在该模式下发生 MTR_LCK 事件时不会执行任何保护性操作。通过将故障状态寄存器中的

CONTROLLER_FAULT、MTR_LCK 和相应的电机锁定条件位设置为 1b 来报告电机锁定事件。栅极驱动器继续

运行。外部控制器通过适当的操作来管理该情况。当 MTR_LCK 条件清除并通过 CLR_FLT 位发出清除故障命令

后，报告清除。

7.3.20.10.4 MTR_LCK 已禁用(MTR_LCK_MODE = 1xx1b)

在该模式下发生MTR_LCK 事件时不会执行任何操作。

7.3.20.11 电机锁定检测

MCT8329A 提供不同的锁定检测机制来确定电机是否处于锁定状态。多种检测机制协同工作，确保快速可靠地检

测到锁定情况。除了检测是否存在电机锁定情况外，如果没有电机连接到系统，MCT8329A 还可以识别出该情况

并执行相应的操作。可以通过相应的寄存器位来禁用每个锁定检测机制和无电机检测。

7.3.20.11.1 锁定1：异常速度(ABN_SPEED)

MCT8329A 持续监测速度，在任何时候如果速度超过 LOCK_ABN_SPEED，就会识别到 ABN_SPEED 锁定事件

并根据MTR_LCK_MODE 执行操作。

可以通过LOCK_ABN_SPEED 寄存器来设置阈值。可以通过ABN_SPD_EN 来启用/禁用ABN_SPEED 锁定。

7.3.20.11.2 锁定2：同步丢失(LOSS_OF_SYNC)

通过检测处于高阻态的相位上的过零来对电机进行换向。如果电机被锁定，那么反电动势将消失，MCT8329A 将

无法检测到过零。如果 MCT8329A 无法检测到过零的次数达到 LOSS_SYNC_TIMES ，则会识别到

LOSS_OF_SYNC 事件并根据 MTR_LCK_MODE 执行操作。可以通过 LOSS_OF_SYNC_EN 来启用/禁用

LOSS_OF_SYNC 锁定。

7.3.20.11.3 锁定3：无电机故障(NO_MTR)

MCT8329A 持续监测相关相电流（当前相位模式中的低侧相位）；如果相关相电流保持低于 NO_MTR_THR 的时

间长于 NO_MTR_DEG_TIME，则会识别到 NO_MTR 事件。可以通过 MTR_LCK_MODE 来配置对 NO_MTR 事

件的响应。可以通过NO_MOTOR_EN 来启用/禁用NO_MTR 锁定。

7.3.20.12 IPD 故障

当电机启动配置为 IPD（MTR_STARTUP 被设置为10b）时，MCT8329A 使用12 位计时器来估算 IPD 期间电流

上升和下降的时间。在 IPD 期间，算法从 10MHz 的 IPD 时钟开始检查电流是否成功上升到 IPD_CURR_THR；

如果不成功（在电流达到 IPD_CURR_THR 之前计时器溢出），则会依次使用 1MHz、100kHz 和 10kHz 的较低

频率时钟重复 IPD。如果 IPD 计时器在全部四个时钟频率下溢出（电流未达到 IPD_CURR_THR），则会触发

IPD_T1_FAULT。类似地，算法使用所有提到的 IPD 时钟频率检查在 IPD 电流下降期间电流是否成功衰减到零。

如果在全部四次尝试中IPD 计时器都溢出（电流未下降到零），则会触发IPD_T2_FAULT。

如果在当前IPD 脉冲导致电流完全衰减之前命令发送下一个IPD 脉冲，则IPD 会给出不正确的结果。MCT8329A

可以在这种情况下生成IPD_FREQ_FAULT 故障。如果 IPD 频率对于 IPD 电流限制而言太高，或者如果电机电感

对于IPD 频率和IPD 电流限制而言太高，则可能会触发IPD_FREQ_FAULT。

Submit Document Feedback

63

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.4 器件功能模式

7.4.1 功能模式

7.4.1.1 睡眠模式

在睡眠模式下，所有栅极驱动器都被禁用，GVDD 稳压器被禁用，AVDD 稳压器被禁用，检测放大器和 I²C 总线

被禁用。通过将 DEV_MODE 配置为 1b，可以将器件配置为进入睡眠（而不是待机）模式。表7-3 介绍了进入和

退出睡眠状态的条件。

备注

在器件上电和下电期间，nFAULT 引脚保持低电平，因为内部稳压器被禁用。启用稳压器后，nFAULT

引脚会自动释放。

7.4.1.2 待机模式

在待机模式下，栅极驱动器、AVDD LDO 和 I²C 总线处于工作状态。可以通过将 DEV_MODE 配置为 0b 来将器

件配置为进入待机模式。表 7-3 介绍了进入和退出标准状态的条件。可以使用方程式 12 至方程式 19 推导出不同

输入模式（模拟或PWM 或I²C 频率）的待机进入和退出标准。

V

V = ZERO_DUTY_THR × V

V

(12)

(13)

(14)

(15)

(16)

(17)

(18)

(19)

EN_SB

ANA_FS

V = ZERO_DUTY_THR + ZERO_DUTY_HYST × V

V

EX_SB

ANA_FS

DUTY

V = ZERO_DUTY_THR

EN_SB

V = ZERO_DUTY_THR + ZERO_DUTY_HYST

EX_SB

F

V = ZERO_DUTY_THR × INPUT_MAX_FREQUENC是 Hz

EN_SB

EX_SB

V = ZERO_DUTY_THR + ZERO_DUTY_HYST × INPUT_MAX_FREQUENC是 Hz

SPEED_CTRL

V = ZERO_DUTY_THR × 32767

EN_SB

EX_SB

SPEED_CTRL

V = ZERO_DUTY_THR + ZERO_DUTY_HYST × 32767

表7-3. 进入或退出睡眠或待机模式的条件

进入待机状态，DEV_MODE

进入睡眠条件，DEV_MODE =

速度命令模式

退出待机条件

退出睡眠条件

= 0b

1b

SPEED/WAKE 引脚电压<

V_{EN_SL}

达t_{DET_SL_ANA}

（SPD_CTRL_MODE = 00b 或

SPEED/

WAKE 引脚上

的模拟输入

SPEED/WAKE 引脚电压>

SPEED/WAKE 引脚处于高电

平（V > V_IH) 达t_{DET_ANA}

SPEED/WAKE 引脚电压<

01b）

或

V_{EN_SB}

V

_{EX_SB}达t_{DET_ANA}

达t_{DET_SL_PWM}

（SPD_CTRL_MODE = 10b 或

11b）。

DACOUT/SOx/SPEED_ANA

引脚电压> V_{EX_SB}达

t_{DET_ANA}

DACOUT/SOx/SPEED_ANA

DACOUT/SO

x/

SPEED_ANA

引脚上的模拟

输入

引脚电压< V_{EN_SB}

SPEED/WAKE 引脚处于低电平 SPEED/WAKE 引脚处于高电

(V < V_IL) 达t_{DET_SL_PWM}平（V > V_IH) 达t_{DET_PWM}

或

和

SPEED/WAKE 引脚处于低电

平（V < V_IL）达t_{EN_SB_PWM}

SPEED/WAKE 引脚处于高

电平（V > V_IH) 达t_{DET_PWM}

SPEED/WAKE 引脚PWM 占 SPEED/WAKE 引脚PWM SPEED/WAKE 引脚处于低电平 SPEED/WAKE 引脚处于高电

PWM

空比< DUTY_{EN_SB}

占空比> DUTY_{EX_SB}

(V < V_IL) 达t_{DET_SL_PWM}

平（V > V_IH) 达t_{DET_PWM}

English Data Sheet: SLLSFQ3

64

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-3. 进入或退出睡眠或待机模式的条件(continued)

进入待机状态，DEV_MODE

进入睡眠条件，DEV_MODE =

速度命令模式

频率

退出待机条件

退出睡眠条件

= 0b

1b

SPEED/WAKE 引脚处于低电平 SPEED/WAKE 引脚处于高电

SPEED/WAKE 引脚频率<

SPEED/WAKE 引脚频率>

F_{EN_SB}

F_{EX_SB}

(V < V_IL) 达t_{DET_SL_PWM}

平（V > V_IH) 达t_{DET_PWM}

SPEED/WAKE 引脚电压< V_IL

达t_{DET_SL_PWM}

SPEED_CTRL <

SPEED_CTRL_{EN_SB}

SPEED_CTRL >

SPEED_CTRL_{EX_SB}

SPEED/WAKE 引脚电压>

V_IH达t_{DET_PWM}

I²C

和

SPEED_CTRL 被编程为0。

7.4.1.3 故障复位(CLR_FLT)

在存在锁存故障的情况下，器件会进入部分关断状态，以帮助保护功率 MOSFET 和系统。当故障条件清除后，器

件可以通过将CLR_FLT 设置为1b 再次进入工作状态。

7.5 外部接口

7.5.1 DRVOFF - 栅极驱动器关断功能

当 DRVOFF 被驱动为高电平时，栅极驱动器进入关断状态。DRVOFF 绕过器件内部的数字控制逻辑，直接连接

到栅极驱动器输出（请参阅图7-41）。该引脚为外部故障监测提供了一种机制，可通过直接绕过内部控制逻辑来

禁用栅极驱动器。当 MCT8329A 在 DRVOFF 引脚上检测到逻辑高电平时，器件会禁用栅极驱动器并将其置于下

拉模式（请参阅图 7-42）。栅极驱动器的关断序列如图 7-42 所示。当栅极驱动器启动关断序列后，会为 I_SINK电

流应用有源驱动器下拉并持续t_{SD_SINK_DIG}时间，之后栅极驱动器进入无源下拉模式。

PVDD

OFF

DRVOFF

GHA

GHB

GHC

OFF

A

B

Gate

Driver

Digital

OFF

C

GLA

GLB

GLC

OFF

GND

图7-41. DRVOFF 栅极驱动器输出状态

Submit Document Feedback

65

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

GHx-SHx

(GLx-LSS)

t_{SD_DIG}

DRVOFF pin

t_{SD_SINK_DIG}

t_SD

Passive (R_{PD_LS}) and Semiactive

PullDown (R_{PDSA_HS}

Predriver

Current

I_SOURCE/I_SINK

I_SINK

)

图7-42. 栅极驱动器关断序列

DRVOFF 引脚拉高不会使器件进入睡眠或待机模式，数字内核仍处于运行状态。DRVOFF 状态在 DRV_OFF 位

上报告，并且在引脚状态更改与 DRV_OFF 位状态更新之间有长达 100ms 的延迟。当 DRVOFF 在电机运行期间

变为逻辑高电平时，控制器可能会报告电机故障。当 DRVOFF 从高电平拉至低电平时，MCT8329A 执行电机启

动序列（在将DRVOFF 引脚拉至低电平之后有长达100ms 的延迟），如节7.3.9 所述。

7.5.2 DAC 输出

MCT8329A 具有12 位DAC，可在DACOUT 引脚上输出相当于数字变量的模拟电压，分辨率为12 位，最大电压

为 3V。DACOUT 引脚上的信号可用于实时跟踪算法变量，并可用于调优速度控制器或电机加速时间。可以使用

DACOUT_VAR_ADDR 来配置DACOUT 的变量地址。

备注

所选变量的DACOUT 值在故障、制动或高阻态状态下可能不准确。

7.5.3 电流检测放大器输出

MCT8329A 可通过配置 DACOUT/SOx/SPEED_ANA 在 DACOUT/SOx/SPEED_ANA 引脚上提供内置电流检测

放大器的输出。

7.5.4 振荡源

MCT8329A 有一个内置振荡器，用作所有数字外设和时序测量的时钟源。MCT832A9 的默认配置是使用内部振荡

器，该振荡器足以驱动电机而不需要任何外部晶体或时钟源。

如果MCT8329A 不满足时序测量或速度环路的精度要求，MCT8329A 提供了支持外部时钟基准的选项。

为了改善EMI 性能，MCT8329A 提供了通过启用展频调制(SSM)（通过SSM_CONFIG）来调制时钟频率的选项

。

7.5.4.1 外部时钟源

通过在 EXT_CLK 引脚上提供更精确的可选时钟基准，可以提高 MCT8329A 在宽工作温度范围内的速度环路精

度，如图 7-43 所示。EXT_CLK 将用于校准内部时钟振荡器并匹配外部时钟的精度。可以通过将 CLK_SEL 配置

为 11b 并将 EXT_CLK_EN 设置为 1b 来选择外部时钟源。可以通过 EXT_CLK_CONFIG 来配置外部时钟源频

率。

English Data Sheet: SLLSFQ3

66

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

Internal

Oscillator

(60 MHz)

EXT_CLK

Calibrate

图7-43. 外部时钟基准

备注

外部时钟是可选的，可以在需要更高时钟精度时使用。MCT8329A 在所有模式下始终使用内部振荡器

上电。

Submit Document Feedback

67

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.6 EEPROM 访问和I²C 接口

7.6.1 EEPROM 访问

MCT8329A 有1024 位（16 行，每行64 位）的EEPROM，用于存储电机配置参数。擦除操作是按行进行的（全

部 64 位都在一次擦除操作中被擦除），但支持 32 位写入和读取操作。可以使用 I²C 串行接口对 EEPROM 进行

写入和读取，但无法使用 I²C 串行接口执行擦除操作。对应于 EEPROM 的影子寄存器位于地址

0x000080-0x0000AE。

备注

仅在电机未旋转时MCT8329A 才允许进行EEPROM 写入和读取操作。

7.6.1.1 EEPROM 写入

在MCT8329A 中，EEPROM 写入过程如下所示。

1. 将ISD 配置（例如启用重新同步、启用反向驱动、静止检测阈值等）写入寄存器0x000080 (ISD_CONFIG)。

2. 将电机启动配置（例如启动方法、首循环频率、IPD 参数、对齐参数等）写入寄存器0x000082

(MOTOR_STARTUP1)。

3. 将电机启动配置（例如开环加速、最小占空比等）写入寄存器0x000084 (MOTOR_STARTUP2)。

4. 将电机控制配置（例如闭环加速、PWM 频率、PWM 调制等）写入寄存器0x000086 (CLOSED_LOOP1)。

5. 将电机控制配置（例如FG 信号参数、电机停止选项等）写入寄存器0x000088 (CLOSED_LOOP2)。

6. 将电机控制配置（例如动态去磁参数、BEMF 阈值、占空比阈值等）写入寄存器0x00008A

(CLOSED_LOOP3)。

7. 将电机控制配置（例如快速减速参数，包括快速减速占空比阈值、窗口、电流限值等）写入寄存器0x00008C

(CLOSED_LOOP4)。

8. 将电机控制配置（例如速度环路参数，包括闭环模式、饱和限值、K_p、K_i等）写入寄存器0x00008E

(CONST_SPEED)。

9. 将电机控制配置（例如输入功率调节参数，包括最大功率、恒定功率模式、功率级别滞后、最大速度等）写入

寄存器0x000090 (CONST_PWR)。

10. 将故障控制配置（例如CBC、锁定电流限值和操作、重试次数等）写入寄存器0x000092

(FAULT_CONFIG1)。

11. 将故障控制配置（例如OV、UV 限值和操作、异常速度水平、电机锁定设置等）写入寄存器0x000094

(FAULT_CONFIG2)。

12. 将150^o调制的PWM 占空比配置写入寄存器0x000096 和0x000098（150_DEG_TWO_PH_PROFILE 和

150_DEG_THREE_PH_PROFILE）。

13. 将输入曲线配置（例如曲线类型、占空比、钳位电平等）写入寄存器0x00009A、0x00009C、0x00009E、

0x0000A0、0x0000A2、0x0000A4（REF_PROFILES1 至REF_PROFILES6）。

14. 将DIR、BRAKE、DACOUT 等引脚配置写入寄存器0x0000A6 和0x0000A8（PIN_CONFIG1 和

PIN_CONFIG2）。

15. 将器件配置（例如器件模式、启用外部时钟、时钟源、输入PWM 频率范围等）写入寄存器0x0000AA

(DEVICE_CONFIG)。

16. 将栅极驱动器配置（例如CSA 配置、栅极驱动器保护等）写入寄存器0x0000AC 和0x0000AE

（GD_CONFIG1 和GD_CONFIG2）。

17. 将0x8A500000 写入寄存器0x0000E6，以将影子寄存器(0x000080-0x0000AE) 值写入EEPROM。

18. 等待300ms 以便EEPROM 写入操作完成。

可以根据需要修改的寄存器/参数选择性地执行步骤 1-16。在所有影子寄存器都更新为所需的值后，应执行步骤

17 将影子寄存器的内容复制到EEPROM 中。

English Data Sheet: SLLSFQ3

68

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

备注

不得更改 EEPROM 保留位字段的默认设置。为避免更改保留位的内容，TI 建议使用“读取-修改-写

入”顺序来执行EEPROM 写入操作。

7.6.1.2 EEPROM 读取

在MCT8329A, 中，EEPROM 读取过程如下所示。

1. 将0x40000000 写入寄存器0x0000E6，以将EEPROM 数据读入影子寄存器(0x000080-0x0000AE)。

2. 等待100ms 以便EEPROM 读取操作完成。

3. 使用I²C 读取命令读取影子寄存器值，一次读取1 或2 个寄存器，如节7.6.2 中所述。影子寄存器地址处于

0x000080-0x0000AE 范围之内。对于32 位读取操作，寄存器地址以2 为阶跃增加（因为每个地址都是一个

16 位位置）。

7.6.2 I²C 串行接口

MCT8329A 通过 I²C 串行接口与外部 MCU 进行连接。MCT8329A 是一个要与控制器连接的 I²C 目标。外部

MCU 可以使用该接口对MCT8329A 中的任何非保留寄存器进行读取/写入。

备注

为实现可靠通信，应在通过I²C 总线传输的每个字节之间使用100µs 延迟。

7.6.2.1 I²C 数据字

表7-4 展示了I²C 数据字格式。

表7-4. I²C 数据字格式

TARGET_ID

R/W

CONTROL WORD

DATA

CRC-8

A6 - A0

W0

CW23 - CW0

D15/D31/D63 - D0

C7 - C0

目标 ID 和 R/W 位：第一个字节包含 7 位I²C 目标 ID (0x60)，后跟读取/写入命令位。对于 MCT8329A 中的每个

数据包，通信协议都以写入24 位控制字开始，因此R/W 位始终为0。

24 位控制字：目标地址后跟一个24 位控制位。表7-5 展示了控制字格式。

表7-5. 24 位控制字格式

OP_R/W

CRC_EN

DLEN

MEM_SEC

MEM_PAGE

CW15 - CW12

MEM_ADDR

CW23

CW22

CW21 - CW20

CW19 - CW16

CW11 - CW0

下面详细说明了控制字中的每个字段。

OP_R/W – 读取/写入：R/W 位提供有关这是读取操作还是写入操作的信息。位值 0 表示这是一个写入操作。位

值 1 表示这是一个读取操作。对于写入操作，MCT8329A 将预计在 24 位控制字之后发送数据字节。对于读取操

作，MCT8329A 将预计在24 位控制字之后具有包含重复启动或正常启动的I²C 读取请求。

CRC_EN – 启用循环冗余校验 (CRC)：MCT8329A 支持通过 CRC 来验证数据完整性。该位控制是否启用 CRC

功能。

DLEN – 数据长度：DLEN 字段决定外部 MCU 将发送至 MCT8329A 的数据的长度。MCT8329A 协议支持三种

数据长度：16 位、32 位和64 位。

表7-6. 数据长度配置

DLEN 值

00b

数据长度

16 位

01b

32 位

10b

64 位

Submit Document Feedback

69

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-6. 数据长度配置(continued)

DLEN 值

11b

数据长度

保留

MEM_SEC – 存储器段：MCT8329A 中的每个存储器位置都使用控制字中的三个独立实体进行寻址 – 存储器

段、存储器页、存储器地址。存储器段是一个 4 位字段，表示存储器位置所属的存储器段，例如 RAM、ROM

等。

MEM_PAGE –存储器页：存储器页是一个4 位的字段，表示该存储器位置所属的存储器页。

MEM_ADDR – 存储器地址：存储器地址是地址的最后 12 位。完整的 22 位地址由 MCT8329A 使用全部三个字

段（存储器段、存储器页、存储器地址）在内部构建。对于存储器位置 0x000000-0x000800，存储器部段为

0x0，存储器页为 0x0，存储器地址为最低 12 位（0x000 代表 0x000000，0x080 代表 0x000080，0x800 代表

0x000800）

数据字节：对于 MCT8329A 的写操作，24 位控制字后跟数据字节。控制字中的 DLEN 字段应与该段中发送的字

节数相对应。

CRC 字节：如果在控制字中启用了CRC 功能，则必须在写入事务结束时发送CRC 字节。下面的 CRC 字节计算

中说明了计算CRC 的过程。

7.6.2.2 I²C 写入操作

通过I²C 执行的MCT8329A 写入操作涉及以下序列。

1. I²C 启动条件。

2. 该序列以用于标识MCT8329A 的I²C 目标起始字节（由7 位目标ID (0x60) 组成）和被设置为0 的R/W 位开

始。

3. 起始字节后跟24 位控制字。控制字中的位23 必须为0，因为它是一个写入操作。

4. 24 位控制字后跟数据字节。数据字节的长度取决于DLEN 字段。

a. 在发送数据字节时，首先发送LSB 字节。有关更多详细信息，请参阅下面的示例。

b. 16 位/32 位写入–发送的数据被写入控制字中所述的地址。

c. 64 位写入–64 位被视为两个32 位写入。控制字中所述的地址用作地址0。地址1 由MCT8329A 通过

将地址0 递增2 在内部进行计算。一共发送8 个数据字节。前4 个字节（以LSB 在前的方式发送）写入

地址0，接下来的4 个字节写入地址1。

5. 如果启用了CRC，则数据包以CRC 字节结束。CRC 是针对整个数据包进行计算的（目标ID + W 位、控制

字、数据字节）。

6. I²C 停止条件。

2 / 4 / 8 DATA BYTES

Write – without CRC

TARGET

ID [6:0]

CONTROL

WORD [23:16]

CONTROL

WORD [15:8]

CONTROL

WORD [7:0]

DATA

BYTES

DATA

BYTES

S

0

ACK

P

2 / 4 / 8 DATA BYTES

Write – with CRC

TARGET

CONTROL

WORD [23:16]

CONTROL

WORD [15:8]

CONTROL

WORD [7:0]

DATA

BYTES

DATA

S

0

ACK

ACK CRC ACK

P

ID [6:0]

BYTES

CRC includes {TARGET ID,0}, CONTROL WORD[23:0], DATA BYTES

图7-44. I²C 写入操作序列

7.6.2.3 I²C 读取操作

通过I²C 执行的MCT8329A 读取操作涉及以下序列。

English Data Sheet: SLLSFQ3

70

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

1. I²C 启动条件。

2. 序列从I²C 目标起始字节开始。

3. 起始字节后跟24 位控制字。控制字中的位23 必须为1，因为它是一个读取操作。

4. 控制字后跟重复启动或正常启动。

5. MCT8329A 在SDA 上发送数据字节。MCT8329A 发送的字节数取决于控制字中的DLEN 字段。

a. 在发送数据字节时，首先发送LSB 字节。有关更多详细信息，请参阅下面的示例。

b. 16 位/32 位读取–发回控制字中所述的地址中的数据。

c. 64 位读取–64 位被视为两个32 位读取。控制字中所述的地址用作地址0。地址1 由MCT8329A 通过

将地址0 递增2 在内部进行计算。MCT8329A 一共发送8 个数据字节。前4 个字节（以LSB 在前的方式

发送）从地址0 读取，接下来的4 个字节从地址1 读取。

d. MCT8329A 需要花一些时间来处理控制字并从给定的地址读取数据。这涉及一些延迟。具有目标ID 的重

复启动很可能被否定确认。如果MCT8329A 已否定确认I²C 读取请求，则在几个周期后重试。在该重试

期间，不必将整个数据包连同控制字一起发送。仅发送具有目标ID 和读取位的启动条件就足够了。

6. 如果启用了CRC，则MCT8329A 会在末尾发送一个额外的CRC 字节。如果启用了CRC，则外部MCU I²C

控制器必须在发送停止位之前读取该附加字节。CRC 是针对整个数据包（目标ID + W 位、控制字、目标ID

+ R 位、数据字节）进行计算的。

7. I²C 停止条件。

2 / 4 / 8 DATA BYTES

Read – without CRC

TARGET

ID [6:0]

CONTROL

WORD [23:16]

CONTROL

WORD [15:8]

CONTROL

WORD [7:0]

TARGET

ID [6:0]

DATA

BYTES

DATA

BYTES

S

0

ACK

ACK RS

1

ACK

P

Read – with CRC

TARGET

2 / 4 / 8 DATA BYTES

CONTROL

WORD [23:16]

CONTROL

WORD [15:8]

CONTROL

WORD [7:0]

TARGET

ID [6:0]

DATA

BYTES

DATA

S

0

ACK

ACK RS

1

ACK

ACK CRC ACK

P

ID [6:0]

BYTES

CRC includes {TARGET ID,0}, CONTROL WORD[23:0], {TARGET ID,1}, DATA BYTES

图7-45. I²C 读取操作序列

7.6.2.4 I²C 通信协议数据包示例

该示例部分中使用的所有值均采用十六进制格式。示例中使用的I²C 目标ID 是0x00。

32 位写入操作示例：地址 – 0x00000080，数据 – 0x1234ABCD，CRC 字节 – 0x45（示例值；与实际 CRC

计算不匹配）

表7-7. 32 位写入操作数据包示例

CRC

起始字节

控制字0

控制字1

MEM_S MEM_P MEM_A MEM_A DB0

EC AGE DDR DDR

CW21- CW19- CW15- CW11- CW7-

控制字2 数据字节

目标ID I²C 写入

CRC 字

节

OP_R/ CRC_E DLEN

W

DB1

DB2

DB3

N

A6-A0

W0

0x0

CW23

CW22

D7-D0

C7-C0

CW20

CW16

CW12

CW8

CW0

0x80

0x00

0x0

0x1

0x0

0xCD

0xAB

0x34

0x12

0x45

0x50

0x00

64 位写入操作示例：地址 - 0x00000080，数据地址 0x00000080 - 数据 0x01234567，数据地址 0x00000082 -

数据0x89ABCDEF，CRC 字节- 0x45（示例值；与实际CRC 计算不匹配）

表7-8. 64 位写入操作数据包示例

CRC

起始字节

控制字0

控制字1

控制字2

数据字节

目标ID I²C 写

入

OP_R/W CRC_EN DLEN MEM_SEC MEM_PAGE MEM_ADDR MEM_ADDR DB0 - DB7

CRC

字节

Submit Document Feedback

71

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-8. 64 位写入操作数据包示例(continued)

A6-A0 W0

CW23

CW22

0x1

CW21- CW19-

CW20 CW16

CW15-

CW12

CW11-CW8

CW7-CW0

[D7-D0] x 8

C7-C0

0x00

0x0

0x2

0x0

0x80

0x67452301EFCDAB89

0x45

0x60

0x00

32 位读取操作示例：地址 – 0x00000080，数据 – 0x1234ABCD，CRC 字节 – 0x56（示例值；与实际 CRC

计算不匹配）

表7-9. 32 位读取操作数据包示例

起始字节

控制字0

控制字1

控制字起始字节

字节0 字节1 字节2 字节3 字节4

2

目标ID I²C 写

入

目标ID I²C 读

取

R/W

CRC_ DLEN MEM_ MEM_ MEM_ MEM_

EN SEC PAGE ADDR ADDR

DB0

DB1

DB2

DB3

CRC

字节

A6-A0 W0

CW23 CW22 CW21- CW19- CW15- CW11- CW7- A6-A0 W0

D7-D0 D7-D0 D7-D0 D7-D0 C7-C0

CW20 CW16 CW12 CW8

CW0

0x80

0x00

0x0

0x1

0x0

0x00

0x01

0x1

0xCD 0xAB

0x34

0x12

0x56

0xD0

0x00

7.6.2.5 内部缓冲区

MCT8329A 在内部使用缓冲区来存储在 I²C 上接收到的数据。收集 I²C 总线上的数据具有最高的优先级。有 2 个

缓冲区（乒乓）用于I²C Rx 数据，有2 个缓冲区（乒乓）用于I²Tx 数据。

来自外部 MCU 的写入请求存储在 Rx 缓冲区 1 中，然后触发解析块以处理 Rx 缓冲区 1 中的该数据。当

MCT8329A 正在处理 Rx 缓冲区 1 中的写入数据包时，如果有另一个新的读取/写入请求，则来自 I²C 总线的全部

数据都存储在Rx 缓冲区2 中，在当前请求之后进行处理。

MCT8329A 最多可以容纳两个连续的读取/写入请求。如果 MCT8329A 由于高优先级中断而处于忙状态，则发送

的数据将存储在内部缓冲区（Rx 缓冲区 1 和 Rx 缓冲区 2）中。此时，如果有第三个读取/写入请求，则目标 ID

将被否定确认，因为缓冲区已满。

在读取操作期间，读取请求会得到处理，并且从寄存器读取的数据与 CRC 字节（如果启用）一起存储在 Tx 缓冲

区中。现在，如果外部 MCU 启动 I²C 读取（目标 ID + R 位），则该 Tx 缓冲区中的数据将通过 I²C 进行发送。

由于有两个 Tx 缓冲区，因此可以缓冲来自 2 次 MCT8329A 读取的寄存器数据。在给定该情形时，如果存在第三

个读取请求，则控制字将存储在Rx 缓冲区1 中，但MCT8329A 不会对其进行处理，因为Tx 缓冲区已满。

从 Tx 缓冲区中读取数据后，该数据将不再存储在 Tx 缓冲区中。缓冲区被清除，可以用于下一个要存储的数据。

如果读取事务在中间被中断并且MCU 未读取所有字节，则外部MCU 可以启动另一个 I²C 读取（仅I²C 读取，没

有任何控制字信息）从第一个数据字节开始读取所有数据字节。

7.6.2.6 CRC 字节计算

8 位CCIT 多项式（x⁸+ x²+ x + 1）用于CRC 计算。

写操作中的 CRC 计算：当外部 MCU 对 MCT8329A 进行写入时，如果启用 CRC，则外部 MCU 必须计算一个 8

位 CRC 字节，并在数据末尾添加该 CRC 字节。MCT8329A 将在内部使用相同的多项式计算 CRC，如果存在不

匹配情况，则写入请求被丢弃。下面列出了用于写操作的外部MCU CRC 计算的输入数据：

1. 目标ID + 写入位。

2. 控制字–3 字节

3. 数据字节–2/4/8 字节

读操作中的 CRC 计算：当外部 MCU 从 MCT8329A 进行读取时，如果启用了 CRC，则 MCT8329A 会在数据的

末尾发送 CRC 字节。读取操作中的 CRC 计算涉及起始字节、外部 MCU 发送的控制字以及 MCT8329A 发送的

数据字节。下面列出了外部MCU 进行CRC 计算以验证MCT8329A 发送的数据的输入数据：

1. 目标ID + 写入位

English Data Sheet: SLLSFQ3

72

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

2. 控制字–3 字节

3. 目标ID + 读取位

4. 数据字节–2/4/8 字节

Submit Document Feedback

73

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7 EEPROM（非易失性）寄存器映射

7.7.1 算法配置寄存器

表 7-10 列出了 Algorithm_Configuration 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-10 中未列出的所有寄存器偏移地址都

应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-10. ALGORITHM_CONFIGURATION 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

80h

ISD_CONFIG

ISD 配置

ISD_CONFIG 寄存

器（偏移= 80h）[复

位= 00000000h]

82h

84h

MOTOR_STARTUP1

MOTOR_STARTUP2

MOTOR_STARTUP

1 寄存器（偏移=

82h）[复位=

电机启动配置1

电机启动配置2

00000000h]

MOTOR_STARTUP

2 寄存器（偏移=

84h）[复位=

00000000h]

86h

88h

8Ah

8Ch

8Eh

90h

96h

CLOSED_LOOP1

CLOSED_LOOP2

CLOSED_LOOP3

CLOSED_LOOP4

CONST_SPEED

闭环配置1

CLOSED_LOOP1 寄

存器（偏移= 86h）

[复位= 00000000h]

闭环配置2

CLOSED_LOOP2 寄

存器（偏移= 88h）

[复位= 00000000h]

闭环配置3

CLOSED_LOOP3 寄

存器（偏移= 8Ah）

[复位= 000000A0h]

闭环配置4

CLOSED_LOOP4 寄

存器（偏移= 8Ch）

[复位= 00000000h]

恒定转速配置

恒定功率配置

150° 两相曲线

CONST_SPEED 寄

存器（偏移= 8Eh）

[复位= 00000000h]

CONST_PWR

CONST_PWR 寄存

器（偏移= 90h）[复

位= 00000000h]

150_DEG_TWO_PH_PROFILE

150_DEG_TWO_PH

_PROFILE 寄存器

（偏移= 96h）[复位

= 00000000h]

98h

150_DEG_THREE_PH_PROFILE

150_DEG_THREE_

PH_PROFILE 寄存

器（偏移= 98h）[复

位= 00000000h]

150° 三相曲线

9Ah

9Ch

9Eh

REF_PROFILES1

REF_PROFILES2

REF_PROFILES3

REF_PROFILES1

寄存器（偏移=

9Ah）[复位= X]

速度曲线配置1

速度曲线配置2

速度曲线配置3

REF_PROFILES2

寄存器（偏移=

9Ch）[复位= X]

REF_PROFILES3

寄存器（偏移=

9Eh）[复位= X]

English Data Sheet: SLLSFQ3

74

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-10. ALGORITHM_CONFIGURATION 寄存器(continued)

寄存器名称

偏移

缩写

部分

A0h

REF_PROFILES4

REF_PROFILES5

REF_PROFILES6

REF_PROFILES4

寄存器（偏移=

A0h）[复位= X]

速度曲线配置4

速度曲线配置5

速度曲线配置6

A2h

A4h

REF_PROFILES5

寄存器（偏移=

A2h）[复位= X]

REF_PROFILES6

寄存器（偏移=

A4h）[复位= X]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-11 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-11. Algorithm_Configuration 访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

写入类型

W

写入

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

Submit Document Feedback

75

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.1 ISD_CONFIG 寄存器（偏移= 80h）[复位= 00000000h]

表7-12 中显示了ISD_CONFIG。

返回到汇总表。

用于配置初始速度检测设置的寄存器

表7-12. ISD_CONFIG 寄存器字段说明

位

31

30

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

ISD_EN

奇偶校验位

启用ISD

0h = 禁用

1h = 启用

29

28

BRAKE_EN

R/W

0h

启用制动

0h = 禁用

1h = 启用

HIZ_EN

启用高阻态

0h = 禁用

1h = 启用

27

RVS_DR_EN

RESYNC_EN

STAT_BRK_EN

STAT_DETECT_THR

启用反向重新同步

0h = 禁用

1h = 启用

26

启用正向重新同步

0h = 禁用

1h = 启用

25

在静止期间启用或禁用制动

0h =禁用

1h = 启用

24-22

静止BEMF 检测阈值，根据DYN_VOLT_SCALING_EN 减小相电压

0h = 5mV

1h = 10mV

2h = 15mV

3h = 20mV

4h = 25mV

5h = 30mV

6h = 50mV

7h = 100mV

21

BRK_MODE

R/W

0h

制动模式

0h = 全部三个低侧FET 导通

1h = 全部三个高侧FET 导通

20-17

16-13

RESERVED

BRK_TIME

R/W

0h

保留

制动时间

0h = 10ms

1h = 50ms

2h = 100ms

3h = 200ms

4h = 300ms

5h = 400ms

6h = 500ms

7h = 750ms

8h = 1s

9h = 2s

Ah = 3s

Bh = 4s

Ch = 5s

Dh = 7.5s

Eh = 10s

Fh = 15s

76

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-12. ISD_CONFIG 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

12-9

HIZ_TIME

R/W

0h

高阻态时间

0h = 10ms

1h = 50ms

2h = 100ms

3h = 200ms

4h = 300ms

5h = 400ms

6h = 500ms

7h = 750ms

8h = 1s

9h = 2s

Ah = 3s

Bh = 4s

Ch = 5s

Dh = 7.5s

Eh = 10s

Fh = 15s

8-6

STARTUP_BRK_TIME

R/W

0h

电机静止时的制动时间

0h = 1ms

1h = 10ms

2h = 25ms

3h = 50ms

4h = 100ms

5h = 250ms

6h = 500ms

7h = 1000ms

5-3

RESYNC_MIN_THRESH R/W

OLD

0h

电机滑行而非重新同步的最小相BEMF 阈值

0h = MIN_DUTY * DC_BUS_VOLTAGE

1h = 300mV

2h = 400mV

3h = 500mV

4h = 600mV

5h = 800mV

6h = 1000mV

7h = 1250mV

2-1

MTR_STARTUP

RESERVED

R/W

0h

电机启动方法

0h = 对齐

1h = 双对齐

2h = IPD

3h = 慢速首循环

0

保留

Submit Document Feedback

77

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.2 MOTOR_STARTUP1 寄存器（偏移= 82h）[复位= 00000000h]

表7-13 中显示了MOTOR_STARTUP1。

返回到汇总表。

用于配置电机启动设置的寄存器1

表7-13. MOTOR_STARTUP1 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-27

ALIGN_RAMP_RATE

0h

对齐电压斜坡速率

0h = 0.1V/s

1h = 0.2V/s

2h = 0.5V/s

3h = 1V/s

4h = 2.5V/s

5h = 5V/s

6h = 7.5V/s

7h = 10V/s

8h = 25V/s

9h = 50V/s

Ah = 75V/s

Bh = 100V/s

Ch = 250V/s

Dh = 500V/s

Eh = 750V/s

Fh = 1000V/s

26-23

ALIGN_TIME

R/W

0h

对齐时间

0h = 5ms

1h = 10ms

2h = 25ms

3h = 50ms

4h = 75ms

5h = 100ms

6h = 200ms

7h = 400ms

8h = 600ms

9h = 800ms

Ah = 1s

Bh = 2s

Ch = 4s

Dh = 6s

Eh = 8s

Fh = 10s

English Data Sheet: SLLSFQ3

78

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-13. MOTOR_STARTUP1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

22-18

ALIGN_CURR_THR

R/W

0h

对齐电流阈值。对齐电流阈值(A) =（ALIGN_CURR_THR - 偏移）/

(CSA_GAIN * RSENSE)。对于VREF_SEL = 单向CSA，失调电压=

0.075V（值在1Bh 后回滚）。对于VREF_SEL = 双向CSA，失调电

压= 0V（值在0Fh 之后回滚）

0h = 0.0V

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1.0V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

10h = 1.6V

11h = 1.7V

12h = 1.8V

13h = 1.9V

14h = 2.0V

15h = 2.1V

16h = 2.2V

17h = 2.3V

18h = 2.4V

19h = 2.5V

1Ah = 2.6V

1Bh = 不适用

1Ch = 不适用

1Dh = 不适用

1Eh = 不适用

1Fh = 不适用

17-16

15-13

ALIGN_DUTY

R/W

0h

对齐期间的占空比限制

0h = 10%

1h = 25%

2h = 50%

3h = 100%

IPD_CLK_FREQ

IPD 时钟频率

0h = 50Hz

1h = 100Hz

2h = 250Hz

3h = 500Hz

4h = 1000Hz

5h = 2000Hz

6h = 5000Hz

7h = 10000Hz

Submit Document Feedback

79

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-13. MOTOR_STARTUP1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

12-8

IPD_CURR_THR

R/W

0h

IPD 电流阈值。IPD 电流阈值(A) =（IPD_CURR_THR - 偏移）/

(CSA_GAIN * RSENSE)。对于VREF_SEL = 单向CSA，失调电压=

0.075V（值在1Bh 后回滚）。对于VREF_SEL = 双向CSA，失调电

压= 0V（值在0Fh 之后回滚）

0h = 0.0V

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1.0V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

10h = 1.6V

11h = 1.7V

12h = 1.8V

13h = 1.9V

14h = 2.0V

15h = 2.1V

16h = 2.2V

17h = 2.3V

18h = 2.4V

19h = 2.5V

1Ah = 2.6V

1Bh = 不适用

1Ch = 不适用

1Dh = 不适用

1Eh = 不适用

1Fh = 不适用

7-6

5-4

IPD_ADV_ANGLE

IPD_REPEAT

R/W

0h

IPD 超前角度

0h = 0°

1h = 30°

2h = 60°

3h = 90°

执行IPD 的次数

0h = 一次

1h = 平均2 次

2h = 平均3 次

3h = 平均4 次

80

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-13. MOTOR_STARTUP1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

3-0

SLOW_FIRST_CYC_FRE R/W

Q

0h

首循环的频率

0h = 0.05Hz

1h = 0.1Hz

2h = 0.25Hz

3h = 0.5Hz

4h = 1Hz

5h = 2Hz

6h = 3Hz

7h = 5Hz

8h = 10Hz

9h = 15Hz

Bh = 25Hz

Ch = 50Hz

Dh = 100Hz

Eh = 150Hz

Fh = 200Hz

Submit Document Feedback

81

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.3 MOTOR_STARTUP2 寄存器（偏移= 84h）[复位= 00000000h]

表7-14 中显示了MOTOR_STARTUP2。

返回到汇总表。

用于配置电机启动设置的寄存器2

表7-14. MOTOR_STARTUP2 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

OL_DUTY

奇偶校验位

30-28

0h

开环期间的占空比限制

0h = 10%

1h = 15%

2h = 20%

3h = 25%

4h = 30%

5h = 40%

6h = 50%

7h = 100%

27-23

OL_ILIMIT

R/W

0h

开环电流阈值。OL 电流阈值(A) =（OL_CURR_THR - 阈值）/

(CSA_GAIN * RSENSE)。对于VREF_SEL = 单向CSA，失调电压=

0.075V（值在1Bh 后回滚）。对于VREF_SEL = 双向CSA，失调电

压= 0V（值在0Fh 之后回滚）

0h = 0.0V

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1.0V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

10h = 1.6V

11h = 1.7V

12h = 1.8V

13h = 1.9V

14h = 2.0V

15h = 2.1V

16h = 2.2V

17h = 2.3V

18h = 2.4V

19h = 2.5V

1Ah = 2.6V

1Bh = 不适用

1Ch = 不适用

1Dh = 不适用

1Eh = 不适用

1Fh = 不适用

82

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-14. MOTOR_STARTUP2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

OL_ACC_A1

类型

复位

说明

22-18

R/W

0h

开环加速A1

0h = 0.005Hz/s

1h = 0.01Hz/s

2h = 0.025Hz/s

3h = 0.05Hz/s

4h = 0.1Hz/s

5h = 0.25Hz/s

6h = 0.5Hz/s

7h = 1Hz/s

8h = 2.5Hz/s

9h = 5Hz/s

Ah = 7.5Hz/s

Bh = 10Hz/s

Ch = 12.5Hz/s

Dh = 15Hz/s

Eh = 20Hz/s

Fh = 30Hz/s

10h = 40Hz/s

11h = 50Hz/s

12h = 60Hz/s

13h = 75Hz/s

14h = 100Hz/s

15h = 125Hz/s

16h = 150Hz/s

17h = 175Hz/s

18h = 200Hz/s

19h = 250Hz/s

1Ah = 300Hz/s

1Bh = 400Hz/s

1Ch = 500Hz/s

1Dh = 750Hz/s

1Eh = 1000Hz/s

1Fh = 无限值(32767) Hz/s

Submit Document Feedback

83

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-14. MOTOR_STARTUP2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

17-13

OL_ACC_A2

R/W

0h

开环加速A2

0h = 0.005Hz/s2

1h = 0.01Hz/s2

2h = 0.025Hz/s2

3h = 0.05Hz/s2

4h = 0.1Hz/s2

5h = 0.25Hz/s2

6h = 0.5Hz/s2

7h = 1Hz/s2

8h = 2.5Hz/s2

9h = 5Hz/s2

Ah = 7.5Hz/s2

Bh = 10Hz/s2

Ch = 12.5Hz/s2

Dh = 15Hz/s2

Eh = 20Hz/s2

Fh = 30Hz/s2

10h = 40Hz/s2

11h = 50Hz/s2

12h = 60Hz/s2

13h = 75Hz/s2

14h = 100Hz/s2

15h = 125Hz/s2

16h = 150Hz/s2

17h = 175Hz/s2

18h = 200Hz/s2

19h = 250Hz/s2

1Ah = 300Hz/s2

1Bh = 400Hz/s2

1Ch = 500Hz/s2

1Dh = 750Hz/s2

1Eh = 1000Hz/s2

1Fh = 无限值(32767) Hz/s2

English Data Sheet: SLLSFQ3

84

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-14. MOTOR_STARTUP2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

12-8

OPN_CL_HANDOFF_TH R/W

R

0h

开环至闭环切换阈值

0h = 1Hz

1h = 4Hz

2h = 8Hz

3h = 12Hz

4h = 16Hz

5h = 20Hz

6h = 24Hz

7h = 28Hz

8h = 32Hz

9h = 36Hz

Ah = 40Hz

Bh = 45Hz

Ch = 50Hz

Dh = 55Hz

Eh = 60Hz

Fh = 65Hz

10h = 70Hz

11h = 75Hz

12h = 80Hz

13h = 85Hz

14h = 90Hz

15h = 100Hz

16h = 150Hz

17h = 200Hz

18h = 250Hz

19h = 300Hz

1Ah = 350Hz

1Bh = 400Hz

1Ch = 450Hz

1Dh = 500Hz

1Eh = 550Hz

1Fh = 600Hz

7

6

AUTO_HANDOFF

R/W

0h

启用自动切换

0h = 禁用自动切换（使用OPN_CL_HANDOFF_THR）

1h = 启用自动切换

FIRST_CYCLE_FREQ_S R/W

EL

开环期间的首循环频率

0h = 由SLOW_FIRST_CYC_FREQ 定义

1h = 0Hz

5-2

MIN_DUTY

R/W

最小工作占空比

0h = 0%

1h = 1.5%

2h = 2.5%

3h = 3%

4h = 4%

5h = 5%

6h = 6%

7h = 7%

8h = 8%

9h = 9%

Ah = 10%

Bh = 12%

Ch = 15%

Dh = 17.5%

Eh = 20%

Fh = 25%

1-0

OL_HANDOFF_CYCLES R/W

0h

开环切换周期数

0h = 3

1h = 6

2h = 12

3h = 24

Submit Document Feedback

85

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.4 CLOSED_LOOP1 寄存器（偏移= 86h）[复位= 00000000h]

表7-15 中显示了CLOSED_LOOP1。

返回到汇总表。

用于配置闭环设置的寄存器1

表7-15. CLOSED_LOOP1 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-29

COMM_CONTROL

0h

梯形换向模式

0h = 120° 换向

1h = 120° 和150°

2h = 不适用

3h = 不适用

28-24

CL_ACC

R/W

0h

闭环加速率

0h = 0.005V/s

1h = 0.01V/s

2h = 0.025V/s

3h = 0.05V/s

4h = 0.1V/s

5h = 0.25V/s

6h = 0.5V/s

7h = 1V/s

8h = 2.5V/s

9h = 5V/s

Ah = 7.5V/s

Bh = 10V/s

Ch = 12.5V/s

Dh = 15V/s

Eh = 20V/s

Fh = 30V/s

10h = 40V/s

11h = 50V/s

12h = 60V/s

13h = 75V/s

14h = 100V/s

15h = 125V/s

16h = 150V/s

17h = 175V/s

18h = 200V/s

19h = 250V/s

1Ah = 300V/s

1Bh = 400V/s

1Ch = 500V/s

1Dh = 750V/s

1Eh = 1000V/s

1Fh = 32767V/s

23

CL_DEC_CONFIG

R/W

0h

闭环减速配置

0h = 由CL_DEC 定义的闭环减速

1h = 由CL_ACC 定义的闭环减速

English Data Sheet: SLLSFQ3

86

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-15. CLOSED_LOOP1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

CL_DEC

类型

复位

说明

22-18

R/W

0h

闭环减速率

0h = 0.005V/s

1h = 0.01V/s

2h = 0.025V/s

3h = 0.05V/s

4h = 0.1V/s

5h = 0.25V/s

6h = 0.5V/s

7h = 1V/s

8h = 2.5V/s

9h = 5V/s

Ah = 7.5V/s

Bh = 10V/s

Ch = 12.5V/s

Dh = 15V/s

Eh = 20V/s

Fh = 30V/s

10h = 40V/s

11h = 50V/s

12h = 60V/s

13h = 75V/s

14h = 100V/s

15h = 125V/s

16h = 150V/s

17h = 175V/s

18h = 200V/s

19h = 250V/s

1Ah = 300V/s

1Bh = 400V/s

1Ch = 500V/s

1Dh = 750V/s

1Eh = 1000V/s

1Fh = 32767V/s

Submit Document Feedback

87

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-15. CLOSED_LOOP1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

17-13

PWM_FREQ_OUT

R/W

0h

输出PWM 开关频率

0h = 5kHz

1h = 6kHz

2h = 7kHz

3h = 8kHz

4h = 9kHz

5h = 10kHz

6h = 11kHz

7h = 12kHz

8h = 13kHz

9h = 14kHz

Ah = 15kHz

Bh = 16kHz

Ch = 17kHz

Dh = 18kHz

Eh = 19kHz

Fh = 20kHz

10h = 25kHz

11h = 30kHz

12h = 35kHz

13h = 40kHz

14h = 45kHz

15h = 50kHz

16h = 55kHz

17h = 60kHz

18h = 65kHz

19h = 70kHz

1Ah = 75kHz

1Bh = 80kHz

1Ch = 85kHz

1Dh = 90kHz

1Eh = 95kHz

1Fh = 100kHz

12-11

PWM_MODUL

R/W

0h

PWM 调制。

0h = 高侧调制

1h = 低侧调制

2h = 混合调制

3h = 不适用

10

9

PWM_MODE

R/W

0h

PWM 模式

0h = 单端模式

1h = 互补模式

LD_ANGLE_POLARITY

施加的超前角的极性

0h = 滞后

1h = 超前

8-1

0

LD_ANGLE

RESERVED

R/W

0h

超前角{超前角（度）= LD_ANGLE * 0.12}

保留

English Data Sheet: SLLSFQ3

88

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.5 CLOSED_LOOP2 寄存器（偏移= 88h）[复位= 00000000h]

表7-16 中显示了CLOSED_LOOP2。

返回到汇总表。

用于配置闭环设置的寄存器2

表7-16. CLOSED_LOOP2 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

FG_SEL

奇偶校验位

30-29

0h

FG 模式选择

0h = 在开环和闭环中输出FG

1h = 仅在闭环中输出FG

2h = 首次尝试时在开环中输出FG

3h = 不适用

28-25

FG_DIV_FACTOR

R/W

0h

FG 分频因子

0h = 3 分频（2 极电机机械转速* 3）

1h = 1 分频（2 极电机机械转速）

2h = 2 分频（4 极电机机械转速）

3h = 3 分频（6 极电机机械转速）

4h = 4 分频（8 极电机机械转速）

5h = 5 分频（10 极电机机械转速）

6h = 6 分频（12 极电机机械转速）

7h = 7 分频（14 极电机机械转速）

8h = 8 分频（16 极电机机械转速）

9h = 9 分频（18 极电机机械转速）

Ah = 10 分频（20 极电机机械转速）

Bh = 11 分频（22 极电机机械转速）

Ch = 12 分频（24 极电机机械转速）

Dh = 13 分频（26 极电机机械转速）

Eh = 14 分频（28 极电机机械转速）

Fh = 15 分频（30 极电机机械转速）

24

DEAD_TIME_COMP

FG_BEMF_THR

R/W

0h

应用死区时间校正以计算功率限制和闭环功率控制模式下的功率

0h = 禁用

1h = 启用

23-21

FG 输出BEMF 阈值，根据DYN_VOLT_SCALING_EN 减小相电压

0h = +/-1mV

1h = +/-2mV

2h = +/-5mV

3h = +/-10mV

4h = +/-20mV

5h = +/-30mV

6h = 不适用

7h = 不适用

20-18

MTR_STOP

R/W

0h

电机停止方法

0h = 高阻态

1h = 再循环

2h = 低侧制动

3h = 高侧制动

4h = 主动降速

5h = 不适用

6h = 不适用

7h = 不适用

Submit Document Feedback

89

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-16. CLOSED_LOOP2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

17-14

MTR_STOP_BRK_TIME R/W

0h

配置为制动模式时电机停止期间的制动时间

0h = 1ms

1h = 2ms

2h = 5ms

3h = 10ms

4h = 15ms

5h = 25ms

6h = 50ms

7h = 75ms

8h = 100ms

9h = 250ms

Ah = 500ms

Bh = 1000ms

Ch = 2500ms

Dh = 5000ms

Eh = 10000ms

Fh = 15000ms

13-11

10-8

7

ACT_SPIN_BRK_THR

R/W

0h

使用主动减速、低侧和高侧制动时的电机停止占空比阈值

0h = 立即

1h = 50%

2h = 25%

3h = 15%

4h = 10%

5h = 7.5%

6h = 5%

7h = 2.5%

BRAKE_DUTY_THRESH R/W

OLD

基于BRAKE 引脚的低侧制动的占空比阈值

0h = 立即

1h = 50%

2h = 25%

3h = 15%

4h = 10%

5h = 7.5%

6h = 5%

7h = 2.5%

AVS_EN

R/W

启用AVS

0h = 禁用

1h = 启用

English Data Sheet: SLLSFQ3

90

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-16. CLOSED_LOOP2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

6-2

CBC_ILIMIT

R/W

0h

电机运行CBC 电流限值阈值。电机运行电流限值阈值(A) =

（CBC_ILIMIT - 偏移）/(CSA_GAIN * RSENSE)。对于VREF_SEL

= 单向CSA，失调电压= 0.075V（值在1Bh 后回滚）。对于

VREF_SEL = 双向CSA，失调电压= 0V（值在0Fh 后回滚）。

0h = 0.0V

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1.0V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

11h = 1.7V

12h = 1.8V

13h = 1.9V

14h = 2.0V

15h = 2.1V

16h = 2.2V

17h = 2.3V

18h = 2.4V

19h = 2.5V

1Ah = 2.6V

1Bh = 不适用

1Ch = 不适用

1Dh = 不适用

1Eh = 不适用

1Fh = 不适用

1

0

OL_ILIMIT_CONFIG

INTEG_ZC_METHOD

R/W

0h

开环电流限值配置

0h = 由OL_ILIMIT 定义的开环电流限值

1h = 由CBC_ILIMIT 定义的开环电流限值

换向方法选择

0h = 基于ZC

1h = 基于积分

Submit Document Feedback

91

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.6 CLOSED_LOOP3 寄存器（偏移= 8Ah）[复位= 000000A0h]

表7-17 中显示了CLOSED_LOOP3。

返回到汇总表。

用于配置闭环设置的寄存器3

表7-17. CLOSED_LOOP3 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-29

INTEG_CYCL_THR_LOW R/W

0h

每30° 的BEMF 样本数，在低于该值时换向方法从积分切换至ZC

0h = 3

1h = 4

2h = 6

3h = 8

28-27

26-25

24-23

INTEG_CYCL_THR_HIG R/W

H

0h

每30° 的BEMF 样本数，在高于该值时换向方法从ZC 切换至积分

0h = 4

1h = 6

2h = 8

3h = 10

INTEG_DUTY_THR_LOW R/W

占空比，在低于该值时换向方法从积分切换至ZC

0h = 12%

1h = 15%

2h = 18%

3h = 20%

INTEG_DUTY_THR_HIG R/W

H

占空比，在高于该值时换向方法从ZC 切换至积分

0h = 12%

1h = 15%

2h = 18%

3h = 20%

92

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-17. CLOSED_LOOP3 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

22-17

BEMF_THRESHOLD2

R/W

0h

浮动相电压下降期间基于积分的换向的BEMF 阈值

0h = 0

1h = 25

2h = 50

3h = 75

4h = 100

5h = 125

6h = 150

7h = 175

8h = 200

9h = 225

Ah = 250

Bh = 275

Ch = 300

Dh = 325

Eh = 350

Fh = 375

10h = 400

11h = 425

12h = 450

13h = 475

14h = 500

15h = 525

16h = 550

17h = 575

18h = 600

19h = 625

1Ah = 650

1Bh = 675

1Ch = 700

1Dh = 725

1Eh = 750

1Fh = 775

20h = 800

21h = 850

22h = 900

23h = 950

24h = 1000

25h = 1050

26h = 1100

27h = 1150

28h = 1200

29h = 1250

2Ah = 1300

2Bh = 1350

2Ch = 1400

2Dh = 1450

2Eh = 1500

2Fh = 1550

30h = 1600

31h = 1700

32h = 1800

33h = 1900

34h = 2000

35h = 2100

36h = 2200

37h = 2300

38h = 2400

39h = 2600

3Ah = 2800

3Bh = 3000

3Ch = 3200

3Dh = 3400

3Eh = 3600

3Fh = 3800

Submit Document Feedback

93

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-17. CLOSED_LOOP3 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

16-11

BEMF_THRESHOLD1

R/W

0h

浮动相电压上升期间基于积分的换向的BEMF 阈值

0h = 0

1h = 25

2h = 50

3h = 75

4h = 100

5h = 125

6h = 150

7h = 175

8h = 200

9h = 225

Ah = 250

Bh = 275

Ch = 300

Dh = 325

Eh = 350

Fh = 375

10h = 400

11h = 425

12h = 450

13h = 475

14h = 500

15h = 525

16h = 550

17h = 575

18h = 600

19h = 625

1Ah = 650

1Bh = 675

1Ch = 700

1Dh = 725

1Eh = 750

1Fh = 775

20h = 800

21h = 850

22h = 900

23h = 950

24h = 1000

25h = 1050

26h = 1100

27h = 1150

28h = 1200

29h = 1250

2Ah = 1300

2Bh = 1350

2Ch = 1400

2Dh = 1450

2Eh = 1500

2Fh = 1550

30h = 1600

31h = 1700

32h = 1800

33h = 1900

34h = 2000

35h = 2100

36h = 2200

37h = 2300

38h = 2400

39h = 2600

3Ah = 2800

3Bh = 3000

3Ch = 3200

3Dh = 3400

3Eh = 3600

3Fh = 3800

English Data Sheet: SLLSFQ3

94

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-17. CLOSED_LOOP3 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

10-8

DYN_DGS_FILT_COUNT R/W

0h

动态去磁检查所需的样本数

0h = 3

1h = 6

2h = 9

3h = 12

4h = 15

5h = 20

6h = 30

7h = 40

7-6

5-4

3-1

DYN_DGS_UPPER_LIM R/W

DYN_DGS_LOWER_LIM R/W

2h

0h

动态去磁电压上限

0h = (VM - 0.09) V

1h = (VM - 0.12) V

2h = (VM - 0.15) V

3h = (VM - 0.18) V

动态去磁电压下限

0h = 0.03V

1h = 0.06V

2h = 0.09V

3h = 0.12V

DEGAUSS_MAX_WIN

R/W

最大去磁窗口

0h = 22.5°

1h = 10°

2h = 15°

3h = 18°

4h = 30°

5h = 37.5°

6h = 45°

7h = 60°

0

DYN_DEGAUSS_EN

R/W

0h

动态去磁检测

0h = 禁用

1h = 启用

Submit Document Feedback

95

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.7 CLOSED_LOOP4 寄存器（偏移= 8Ch）[复位= 00000000h]

表7-18 中显示了CLOSED_LOOP4。

返回到汇总表。

用于配置闭环设置的寄存器4

表7-18. CLOSED_LOOP4 寄存器字段说明

位

31

30

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

DYN_VOLT_SCALING_E R/W

N

0h

启用动态电压调节使能

0h = 禁用

1h = 启用

29

28

HIGH_RES_SAMP

AVS_LIMIT_HYST

R/W

0h

控制环路的带宽。

0h = 为控制环路提供高带宽。

1h = 为控制环路提供低带宽。

AVS 电流迟滞。（AVS 正电流限值(A) = ((AVS_LIMIT_HYST +

AVS_NEG_CURR_LIMIT)* 3/4095)/(CSA_GAIN * RSENSE))

0h = 20

1h = 10

27-25

AVS_NEG_CURR_LIMIT R/W

0h

AVS 负电流限值。（AVS 负电流限值(A) =

(AVS_NEG_CURRENT_LIMIT * 3 /4095)/(CSA_GAIN * RSENSE))

0h = 0

1h = -60

2h = -40

3h = -30

4h = -20

5h = -10

6h = 15

7h = 30

24

R/W

0h

保留

23-22

21-20

保留

FAST_DEC_DEG_TIME

快速减速抗尖峰脉冲时间

0h = 2uS

1h = 4uS

2h = 8uS

3h = 14uS

19

WCOMP_BLANK_EN

R/W

0h

在快速减速期间启用WCOMP 消隐

0h = 禁用

1h = 启用

18-16

FAST_DEC_DUTY_WIN

快速减速占空比窗口

0h = 0%

1h = 2.5%

2h = 5%

3h = 7.5%

4h = 10%

5h = 15%

6h = 20%

7h = 25%

15-13

FAST_DEC_DUTY_THR R/W

0h

快速减速占空比阈值

0h = 100%

1h = 95%

2h = 90%

3h = 85%

4h = 80%

5h = 75%

6h = 70%

7h = 65%

96

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-18. CLOSED_LOOP4 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

12-9

DYN_BRK_CURR_LOW_ R/W

LIM

0h

快速减速动态电流限值下限阈值。减速电流下限阈值(A) =

DYN_BRK_CURR_LOW_LIM/(CSA_GAIN * RSENSE)。该设置仅适

用于VREF_SEL = 双向CSA。

0h = 不适用

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

8

7

DYNAMIC_BRK_CURR

FAST_DECEL_EN

R/W

0h

在快速减速期间启用动态减小电流限值

0h = 禁用

1h = 启用

启用快速减速

0h = 禁用

1h = 启用

6-3

FAST_DECEL_CURR_LI R/W

M

减速电流阈值。快速减速电流限值上限阈值(A) =

FAST_DECEL_CURR_LIM/(CSA_GAIN * RSENSE)。该设置仅适用

于VREF_SEL = 双向CSA。

0h = 不适用

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

2-0

FAST_BRK_DELTA

R/W

0h

快速减速退出速度差

0h = 0.5%

1h = 1%

2h = 1.5%

3h = 2%

4h = 2.5%

5h = 3%

6h = 4%

7h = 5%

Submit Document Feedback

97

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.8 CONST_SPEED 寄存器（偏移= 8Eh）[复位= 00000000h]

表7-19 中显示了CONST_SPEED。

返回到汇总表。

用于配置恒定转速模式设置的寄存器

表7-19. CONST_SPEED 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

0h

说明

奇偶校验

奇偶校验位

30

RESERVED

SPD_POWER_KP

0h

保留

29-20

0h

速度/电源环路Kp (Kp = SPD_LOOP_KP/10000)

速度/电源环路Ki (Ki = SPD_LOOP_KI/1000000)

19-8

7-5

SPD_POWER_KI

R/W

0h

SPD_POWER_V_MAX

速度/电源环路的饱和上限

0h = 100%

1h = 95%

2h = 90%

3h = 85%

4h = 80%

5h = 75%

6h = 70%

7h = 65%

4-2

SPD_POWER_V_MIN

R/W

0h

速度/电源环路的饱和下限

0h = 0%

1h = 2.5%

2h = 5%

3h = 7.5%

4h = 10%

5h = 15%

6h = 20%

7h = 25%

1-0

CLOSED_LOOP_MODE R/W

0h

闭环模式

0h = 禁用

1h = 速度环路

2h = 电源环路

3h = 保留

English Data Sheet: SLLSFQ3

98

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.9 CONST_PWR 寄存器（偏移= 90h）[复位= 00000000h]

表7-20 中显示了CONST_PWR。

返回到汇总表。

用于配置恒定功率模式设置的寄存器

表7-20. CONST_PWR 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

MAX_SPEED

奇偶校验位

30-15

最大速度。（最大速度(Hz) = MAX_SPEED/16）

14-4

MAX_POWER

最大功率。最大功率(W) = MAX_POWER*10mΩ/RSENSE：{适用于

介于0 和1023 之间的MAX_POWER}。最大功率(W) =

(2*MAX_POWER - 1024)*10mΩ/RSENSE：{适用于介于1024 和

2047 之间的MAX_POWER}。

3-2

CONST_POWER_LIMIT_ R/W

HYST

0h

用于输入功率调节的迟滞（占MAX_POWER 的百分比）。仅当新基

准大于CONST_POWER_LIMIT_HYST 时电源环路才会将电源调解

至基准值

0h = 5%

1h = 7.5%

2h = 10%

3h = 12.5%

1-0

CONST_POWER_MODE R/W

输入功率调节模式

0h = 电压控制模式

1h = 闭环功率控制

2h = 功率限制控制

3h = 保留

Submit Document Feedback

99

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.10 150_DEG_TWO_PH_PROFILE 寄存器（偏移= 96h）[复位= 00000000h]

表7-21 中显示了150_DEG_TWO_PH_PROFILE。

返回到汇总表。

用于配置150 度调制两相占空比的寄存器

表7-21. 150_DEG_TWO_PH_PROFILE 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-28

TWOPH_STEP0

0h

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 0

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

27-25

24-22

21-19

18-16

TWOPH_STEP1

TWOPH_STEP2

TWOPH_STEP3

TWOPH_STEP4

R/W

0h

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 1

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 2

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 3

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 4

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

English Data Sheet: SLLSFQ3

100 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-21. 150_DEG_TWO_PH_PROFILE 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

15-13

TWOPH_STEP5

TWOPH_STEP6

TWOPH_STEP7

RESERVED

R/W

0h

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 5

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

12-10

R/W

0h

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 6

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

9-7

150° 调制，两相- 阶跃占空比- 7

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

6-0

为算法参数更新保留的位

Submit Document Feedback 101

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.11 150_DEG_THREE_PH_PROFILE 寄存器（偏移= 98h）[复位= 00000000h]

表7-22 中显示了150_DEG_THREE_PH_PROFILE。

返回到汇总表。

用于配置150 度调制三相占空比的寄存器

表7-22. 150_DEG_THREE_PH_PROFILE 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-28

THREEPH_STEP0

0h

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 0

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

27-25

24-22

21-19

18-16

THREEPH_STEP1

THREEPH_STEP2

THREEPH_STEP3

THREEPH_STEP4

R/W

0h

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 1

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 2

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 3

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 4

0h = 0.0%

1h = 0.5%

2h = 0.75%

3h = 0.8375%

4h = 0.875%

5h = 0.9375%

6h = 0.975%

7h = 0.99%

English Data Sheet: SLLSFQ3

102 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-22. 150_DEG_THREE_PH_PROFILE 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

15-13

THREEPH_STEP5

THREEPH_STEP6

THREEPH_STEP7

R/W

0h

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 5

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

12-10

R/W

0h

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 6

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

9-7

R/W

0h

150° 调制，三相- 阶跃占空比- 7

0h = 0%

1h = 50%

2h = 75%

3h = 83.75%

4h = 87.5%

5h = 93.75%

6h = 97.5%

7h = 99%

6-5

4-0

LEAD_ANGLE_150DEG_ R/W

ADV

0h

150° 调制的角度超前

0h = 0°

1h = 5°

2h = 10°

3h = 15°

R/W

保留

Submit Document Feedback 103

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.12 REF_PROFILES1 寄存器（偏移= 9Ah）[复位= X]

表7-23 中显示了REF_PROFILES1。

返回到汇总表。

用于配置速度曲线的寄存器1

表7-23. REF_PROFILES1 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-29

REF_PROFILE_CONFIG R/W

0h

基准曲线配置

0h = 占空比控制模式

1h = 线性模式

2h = 阶梯模式

3h = 正向反向模式

28-21

20-13

12-5

DUTY_ON1

R/W

X

Duty_ON1 配置。开通占空比(%) = {(DUTY_ON1/255)*100}。

Duty_OFF1 配置。关断占空比(%) = {(DUTY_OFF1/255)*100}。

DUTY_OFF1

DUTY_CLAMP1

Duty_CLAMP1 配置。钳位速度的占空比(%) =

{(DUTY_CLAMP1/255)*100}。

4-0

DUTY_A

R/W

X

占空比A 的5 个MSB 位。占空比A (%) = {(DUTY_A/255)*100}。

104 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.13 REF_PROFILES2 寄存器（偏移= 9Ch）[复位= X]

表7-24 中显示了REF_PROFILES2。

返回到汇总表。

用于配置速度曲线的寄存器2

表7-24. REF_PROFILES2 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

DUTY_A

奇偶校验位

30-28

R/W

X

占空比A 的3 个LSB 位。占空比A (%) = {(DUTY_A/255)*100}。

Duty_B 配置。占空比B (%) = {(DUTY_B/255)*100}。

Duty_C 配置。占空比C (%) = {(DUTY_C/255)*100}。

Duty_D 配置。占空比D (%) = {(DUTY_D/255)*100}。

占空比E 的4 个MSB 位。占空比E (%) = {(DUTY_E/255)*100}。

27-20

19-12

11-4

DUTY_B

DUTY_C

DUTY_D

DUTY_E

X

3-0

0h

Submit Document Feedback 105

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.14 REF_PROFILES3 寄存器（偏移= 9Eh）[复位= X]

表7-25 中显示了REF_PROFILES3。

返回到汇总表。

用于配置速度曲线的寄存器3

表7-25. REF_PROFILES3 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

DUTY_E

奇偶校验位

30-27

R/W

X

占空比E 的4 个LSB 位。占空比E (%) = {(DUTY_E/255)*100}。

Duty_ON2 配置。开通占空比(%) = {(DUTY_ON2/255)*100}。

Duty_OFF2 配置。关断占空比(%) = {(DUTY_OFF2/255)*100}。

26-19

18-11

10-3

DUTY_ON2

DUTY_OFF2

DUTY_CLAMP2

Duty_CLAMP2 配置。钳位速度的占空比(%) =

{(DUTY_CLAMP1/255)*100}。

2-1

STEP_HYST_BAND

0h

用于阶跃变化的迟滞带

0h = 0%

1h = 2%

2h = 4%

3h = 6%

0

RESERVED

R/W

0h

保留

106 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.15 REF_PROFILES4 寄存器（偏移= A0h）[复位= X]

表7-26 中显示了REF_PROFILES4。

返回到汇总表。

用于配置速度曲线的寄存器4

表7-26. REF_PROFILES4 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

REF_OFF1

奇偶校验位

30-23

R/W

X

关断基准配置。关断基准百分比= {(REF_OFF1/255)*100}。

基准钳位1 配置。钳位基准百分比= {(REF_CLAMP1/255)*100}。

基准A 配置。基准A 百分比= {(REF_A/255)*100}。

22-15

14-7

6-0

REF_CLAMP1

REF_A

REF_B

REF_B 配置的7 个MSB。基准B 百分比= {(REF_B/255)*100}。

Submit Document Feedback 107

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.16 REF_PROFILES5 寄存器（偏移= A2h）[复位= X]

表7-27 中显示了REF_PROFILES5。

返回到汇总表。

用于配置速度曲线的寄存器5

表7-27. REF_PROFILES5 寄存器字段说明

位

31

30

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

REF_B

奇偶校验位

R/W

X

REF_B 配置的1 个LSB。基准B 百分比= {(REF_B/255)*100}。

基准C 配置。基准C 百分比= {(REF_A/255)*100}。

基准D 配置。基准D 百分比= {(REF_D/255)*100}。

基准E 配置。基准E 百分比= {(REF_E/255)*100}。

保留

29-22

21-14

13-6

5-0

REF_C

REF_D

REF_E

保留

X

0h

108 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.1.17 REF_PROFILES6 寄存器（偏移= A4h）[复位= X]

表7-28 中显示了REF_PROFILES6。

返回到汇总表。

用于配置速度曲线的寄存器6

表7-28. REF_PROFILES6 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

REF_OFF2

奇偶校验位

30-23

R/W

X

关断基准配置。关断基准百分比= {(REF_OFF2/255)*100}。

钳位基准配置。钳位基准百分比= {(REF_CLAMP2/255)*100}。

保留

22-15

14-0

REF_CLAMP2

RESERVED

Submit Document Feedback 109

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.2 Fault_Configuration 寄存器

表 7-29 列出了 Fault_Configuration 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-29 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视

为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-29. FAULT_CONFIGURATION 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

92h

FAULT_CONFIG1

故障配置1

FAULT_CONFIG1 寄

存器（偏移= 92h）

[复位= 00000000h]

94h

FAULT_CONFIG2

故障配置2

FAULT_CONFIG2 寄

存器（偏移= 94h）

[复位= 00000000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-30 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-30. Fault_Configuration 访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

写入类型

W

写入

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

English Data Sheet: SLLSFQ3

110

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.2.1 FAULT_CONFIG1 寄存器（偏移= 92h）[复位= 00000000h]

表7-31 中显示了FAULT_CONFIG1。

返回到汇总表。

用于配置故障设置的寄存器1

表7-31. FAULT_CONFIG1 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-28

NO_MTR_DEG_TIME

0h

无电机检测抗尖峰脉冲时间

0h = 1ms

1h = 10ms

2h = 25ms

3h = 50ms

4h = 100ms

5h = 250ms

6h = 500ms

7h = 1000ms

27-24

CBC_ILIMIT_MODE

R/W

0h

逐周期电流限值。该模式适用于CBC_ILIMIT、OL_ILIMT、

ALIGN_ILIMIT

0h = 自动恢复（下一个PWM 周期）；nFAULT 有效；驱动器处于再

循环模式

1h = 自动恢复（下一个PWM 周期）；nFAULT 无效；驱动器处于再

循环模式

2h = 如果电流< ILIMIT，则自动恢复；nFAULT 有效；驱动器处于再

循环模式（仅对于高侧调制可用）

3h = 如果电流< ILIMIT，则自动恢复；nFAULT 无效；驱动器处于再

循环模式（仅对于高侧调制可用）

4h = CBC_RETRY_PWM_CYC 之后自动恢复；nFAULT 有效；驱动

器处于再循环模式

5h = CBC_RETRY_PWM_CYC 之后自动恢复；nFAULT 无效；驱动

器处于再循环模式

6h = 仅报告电流> ILIMIT，不执行任何操作

7h = 禁用逐周期限制

8h = 禁用逐周期限制

9h = 禁用逐周期限制

Ah = 禁用逐周期限制

Bh = 禁用逐周期限制

Ch = 禁用逐周期限制

Dh = 禁用逐周期限制

Eh = 禁用逐周期限制

Fh = 禁用逐周期限制

Submit Document Feedback

111

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-31. FAULT_CONFIG1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

23-19

LOCK_ILIMIT

R/W

0h

锁定电流阈值（锁定电流阈值(A) = Lock_CURR_THR/

CSA_GAIN*RSHUNT）

0h = 0.0V

1h = 0.1V

2h = 0.2V

3h = 0.3V

4h = 0.4V

5h = 0.5V

6h = 0.6V

7h = 0.7V

8h = 0.8V

9h = 0.9V

Ah = 1.0V

Bh = 1.1V

Ch = 1.2V

Dh = 1.3V

Eh = 1.4V

Fh = 1.5V

11h = 1.7V

12h = 1.8V

13h = 1.9V

14h = 2.0V

15h = 2.1V

16h = 2.2V

17h = 2.3V

18h = 2.4V

19h = 2.5V

1Ah = 2.6V

1Bh = 2.7V

1Ch = 不适用

1Dh = 不适用

1Eh = 不适用

1Fh = 不适用

18-15

LOCK_ILIMIT_MODE

R/W

0h

锁定检测电流限值模式

0h = Ilimit 锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器被设置

为三态

1h = Ilimit 锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器处于再

循环模式

2h = Ilimit 锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器处于高

侧制动模式（所有高侧FET 都导通）

3h = Ilimit 锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器处于低

侧制动模式（所有低侧FET 都导通）

4h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器被设置为三态

5h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器处于再循环模式

6h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器处于高侧制动模式

（所有高侧FET 都导通）

7h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器处于低侧制动模式

（所有低侧FET 都导通）

8h = 仅报告Ilimit 锁定检测，不执行任何操作

9h = 禁用Ilimit 锁定检测

Ah = 禁用Ilimit 锁定检测

Bh = 禁用Ilimit 锁定检测

Ch = 禁用Ilimit 锁定检测

Dh = 禁用Ilimit 锁定检测

Eh = 禁用Ilimit 锁定检测

Fh = 禁用Ilimit 锁定检测

112

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-31. FAULT_CONFIG1 寄存器字段说明(continued)

位

字段

LOCK_ILIMIT_DEG

类型

复位

说明

14-11

R/W

0h

锁定检测电流限值抗尖峰脉冲时间

0h = 1ms

1h = 2ms

2h = 5ms

3h = 10ms

4h = 25ms

5h = 50ms

6h = 75ms

7h = 100ms

8h = 250ms

9h = 500ms

Ah = 1s

Bh = 2.5s

Ch = 5s

Dh = 10s

Eh = 25s

Fh = 50s

10-8

CBC_RETRY_PWM_CYC R/W

0h

CBC 电流限值重试的PWM 周期数

0h = 0

1h = 1

2h = 2

3h = 3

4h = 4

5h = 5

6h = 6

7h = 7

7

RESERVED

R/W

0h

保留

6-3

MTR_LCK_MODE

电机锁定模式

0h = 电机锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器被设置

为三态

1h = 电机锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器处于再

循环模式

2h = 电机锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器处于高

侧制动模式（所有高侧FET 都导通）

3h = 电机锁定检测导致锁存故障；nFAULT 有效；栅极驱动器处于低

侧制动模式（所有低侧FET 都导通）

4h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器被设置为三态

5h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器处于再循环模式

6h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器处于高侧制动模式

（所有高侧FET 都导通）

7h = tLCK_RETRY 之后自动恢复；栅极驱动器处于低侧制动模式

（所有低侧FET 都导通）

8h = 仅报告电机锁定检测，不执行任何操作

9h = 禁用电机锁定检测

Bh = 禁用电机锁定检测

Ch = 禁用电机锁定检测

Dh = 禁用电机锁定检测

Eh = 禁用电机锁定检测

Fh = 禁用电机锁定检测

2-0

LCK_RETRY

R/W

0h

锁定重试时间

0h = 100ms

1h = 500ms

2h = 1000ms

3h = 2000ms

4h = 3000ms

5h = 5000ms

6h = 7500ms

7h = 10000ms

Submit Document Feedback

113

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.2.2 FAULT_CONFIG2 寄存器（偏移= 94h）[复位= 00000000h]

表7-32 中显示了FAULT_CONFIG2。

返回到汇总表。

用于配置故障设置的寄存器2

表7-32. FAULT_CONFIG2 寄存器字段说明

位

31

30

字段

类型

R/W

复位

说明

0h

奇偶校验

ABN_SPD_EN

奇偶校验位

0h

启用异常速度

0h = 禁用

1h = 启用

29

28

LOSS_OF_SYNC_EN

NO_MOTOR_EN

R/W

0h

启用不同步

0h = 禁用

1h = 启用

启用无电机

0h = 禁用

1h = 启用

27-24

LOCK_ABN_SPEED

异常速度锁定阈值

0h = 250Hz

1h = 500Hz

2h = 750Hz

3h = 1000Hz

4h = 1250Hz

5h = 1500Hz

6h = 1750Hz

7h = 2000Hz

8h = 2250Hz

9h = 2500Hz

Ah = 2750Hz

Bh = 3000Hz

Ch = 3250Hz

Dh = 3500Hz

Eh = 3750Hz

Fh = 4000Hz

23-21

LOSS_SYNC_TIMES

R/W

0h

导致不同步锁定故障的不同步次数

0h = 在2 次不同步之后触发

1h = 在3 次不同步之后触发

2h = 在4 次不同步之后触发

3h = 在5 次不同步之后触发

4h = 在6 次不同步之后触发

5h = 在7 次不同步之后触发

6h = 在8 次不同步之后触发

7h = 在9 次不同步之后触发

20-18

NO_MTR_THR

R/W

0h

锁定电流阈值。锁定电流阈值(A) = Lock_CURR_THR/(CSA_GAIN *

RSENSE)

0h = 0.005V

1h = 0.0075V

2h = 0.010V

3h = 0.0125V

4h = 0.020V

5h = 0.025V

6h = 0.030V

7h = 0.04V

17

MAX_VM_MODE

R/W

0h

0h = 过压锁存

1h = 如果电压处于界定范围之内，则自动清除

114

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-32. FAULT_CONFIG2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

16-14

MAX_VM_MOTOR

R/W

0h

电机运行的最大电压

0h = 无限值

1h = 10.0V

2h = 15.0V

3h = 22.0V

4h = 32.0V

5h = 40.0V

6h = 50.0V

7h = 60.0V

13

MIN_VM_MODE

MIN_VM_MOTOR

R/W

0h

0h = 欠压锁存

1h = 如果电压处于界定范围之内，则自动清除

12-10

电机运行的最小电压

0h = 无限值

1h = 5.0V

2h = 6.0V

3h = 7.0V

4h = 8.0V

5h = 10.0V

6h = 12.0V

7h = 15.0V

9-7

AUTO_RETRY_TIMES

R/W

0h

导致锁定故障的自动重试尝试次数

0h = 无限值

1h = 2

2h = 3

3h = 5

4h = 7

5h = 10

6h = 15

7h = 20

6-4

LOCK_MIN_SPEED

R/W

0h

触发锁定故障的速度下限

0h = 0.5Hz

1h = 1Hz

2h = 2Hz

3h = 3Hz

4h = 5Hz

5h = 10Hz

6h = 15Hz

7h = 25Hz

3-2

1-0

ABN_LOCK_SPD_RATIO R/W

0h

触发异常速度锁定故障的两个连续周期之间的电气速度之比上限

0h = 2

1h = 4

2h = 6

3h = 8

ZERO_DUTY_THR

R/W

目标速度为零时的占空比下限

0h = 0%

1h = 1%

2h = 2.0%

3h = 2.5%

Submit Document Feedback

115

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.3 Hardware_Configuration 寄存器

表 7-33 列出了 Hardware_Configuration 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-33 中未列出的所有寄存器偏移地址都

应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-33. HARDWARE_CONFIGURATION 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

A6h

PIN_CONFIG1

硬件引脚配置

PIN_CONFIG1 寄存

器（偏移= A6h）[复

位= 00000000h]

A8h

AAh

PIN_CONFIG2

硬件引脚配置

外设配置

PIN_CONFIG2 寄存

器（偏移= A8h）[复

位= 06000000h]

DEVICE_CONFIG

寄存器（偏移=

AAh）[复位=

00002000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-34 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-34. Hardware_Configuration 访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

写入类型

W

写入

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

English Data Sheet: SLLSFQ3

116

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.3.1 PIN_CONFIG1 寄存器（偏移= A6h）[复位= 00000000h]

表7-35 展示了PIN_CONFIG1。

返回到汇总表。

用于配置硬件引脚的寄存器

表7-35. PIN_CONFIG1 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-19

DACOUT_VAR_ADDR

要监视的变量的12 位地址。

RSVD

18-7

6-5

RESERVED

BRAKE_INPUT

制动输入配置

0h = 基于硬件引脚的制动

1h = 制动始终开启

2h = 制动始终关闭

3h = 不适用

4-3

2-1

0

DIR_INPUT

R/W

0h

方向输入配置

0h = 硬件引脚DIR

1h = 通过顺时针旋转OUTA-OUTB-OUTC 覆盖硬件引脚

2h = 通过逆时针旋转OUTA-OUTC-OUTB 覆盖硬件引脚

3h = 不适用

SPD_CTRL_MODE

RESERVED

速度输入配置

0h = 模拟模式速度输入

1h = PWM 模式速度输入

2h = I2C 速度输入模式

3h = 基于频率的速度输入模式

保留

Submit Document Feedback

117

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.3.2 PIN_CONFIG2 寄存器（偏移= A8h）[复位= 06000000h]

表7-36 展示了PIN_CONFIG2。

返回到汇总表。

用于配置硬件引脚的寄存器

表7-36. PIN_CONFIG2 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-29

DAC_SOX_ANA_CONFIG R/W

DAC_SOX_ANA_SPEED 配置

0h = DACOUT

1h = CSA_OUT

2h = ANA_ON_PIN

3h = 不适用

28-27

SLEEP_TIME

R/W

0h

睡眠时间

0h = 检查低电平持续50µs

1h = 检查低电平持续200µs

2h = 检查低电平持续20ms

3h = 检查低电平持续200ms

26-20

19-14

13

I2C_TARGET_ADDR

RESERVED

R/W

60h

0h

I2C 目标地址

保留

FG_CONFIG

0h

FG 引脚故障配置

0h = FG 引脚在速度降至FG_BEMF_THR 定义的BEMF 阈值以下之

前一直有效

1h = 只要电机被主动驱动，FG 引脚就切换

12-11

10-9

8-5

FG_PIN_FAULT_CONFIG R/W

FG_PIN_STOP_CONFIG R/W

0h

在发生可操作和已报告故障时的FG 引脚状态

0h = FG 引脚继续切换，直到电机停止

1h = FG 引脚处于高阻态，从外部被拉至高电平

2h = FG 引脚被拉至低电平

3h = 不适用

电机停止时的FG 引脚状态

0h = FG 引脚继续切换，直到电机停止

1h = FG 引脚处于高阻态，从外部被拉至高电平

2h = FG 引脚被拉至低电平

3h = 不适用

TBLANK

R/W

用于ZC 检测的PWM 边沿后的BEMF 比较器消隐时间

0h = 0µs

1h = 1µs

2h = 2µs

3h = 3µs

4h = 4µs

5h = 5µs

6h = 6µs

7h = 7µs

8h = 8µs

9h = 9µs

Ah = 10µs

Bh = 11µs

Ch = 12µs

Dh = 13µs

Eh = 14µs

Fh = 15µs

118

Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-36. PIN_CONFIG2 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

4-2

TPWDTH

R/W

0h

BEMF 比较器抗尖峰脉冲时间

0h = 0µs

1h = 1µs

2h = 2µs

3h = 3µs

4h = 4µs

5h = 5µs

6h = 6µs

7h = 7µs

1-0

ZERO_DUTY_HYST

R/W

0h

退出待机模式的占空比迟滞

0h = 0%

1h = 2%

2h = 4%

3h = 6%

Submit Document Feedback

119

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.3.3 DEVICE_CONFIG 寄存器（偏移= AAh）[复位= 00002000h]

表7-37 中显示了DEVICE_CONFIG。

返回到汇总表。

外设寄存器1

表7-37. DEVICE_CONFIG 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

30-16

INPUT_MAX_FREQUENC R/W

Y

0h

基于频率的速度输入的最大频率（以Hz 为单位），对应于100% 占

空比命令。因此，DUTY_CMD (%) =（施加的频率/

INPUT_MAX_FREQUENCY）* 100。

15

14

STL_ENABLE

SSM_CONFIG

R/W

0h

启用STL

0h = 禁用

1h = 启用

启用SSM

0h = 启用

1h = 禁用

13-12

11

R/W

2h

0h

保留

DEV_MODE

器件模式选择

0h = 待机模式

1h = 睡眠模式

10

SPD_PWM_RANGE_SEL R/W

ECT

0h

速度输入PWM 频率范围选择

0h = 325Hz 至95kHz 速度PWM 输入

1h = 10Hz 至325Hz 速度PWM 输入

9-8

CLK_SEL

R/W

时钟源

0h = 内部振荡器

1h = 不适用

2h = 不适用

3h = 外部时钟输入

7

EXT_CLK_EN

R/W

0h

启用外部时钟

0h = 禁用

1h = 启用

6-4

EXT_CLK_CONFIG

外部时钟频率

0h = 8kHz

1h = 16kHz

2h = 32kHz

3h = 64kHz

4h = 128kHz

5h = 256kHz

6h = 512kHz

7h = 1024kHz

120 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-37. DEVICE_CONFIG 寄存器字段说明(continued)

位

字段

DIG_DEAD_TIME

类型

复位

说明

3-0

R/W

0h

数字死区时间

0h = 0

1h = 50nS

2h = 100nS

3h = 150nS

4h = 200nS

5h = 250nS

6h = 300nS

7h = 350nS

8h = 400nS

9h = 450nS

Ah = 500nS

Bh = 600nS

Ch = 700nS

Dh = 800nS

Eh = 900nS

Fh = 1000nS

Submit Document Feedback 121

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.4 Gate_Driver_Configuration 寄存器

表 7-38 列出了 Gate_Driver_Configuration 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-38 中未列出的所有寄存器偏移地址

都应视为保留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-38. GATE_DRIVER_CONFIGURATION 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

ACh

GD_CONFIG1

栅极驱动器配置1

GD_CONFIG1 寄存

器（偏移= ACh）

[复位= 00000000h]

AEh

GD_CONFIG2

栅极驱动器配置2

GD_CONFIG2 寄存

器（偏移= AEh）[复

位= 00000000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-39 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-39. Gate_Driver_Configuration 访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

写入类型

W

写入

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

English Data Sheet: SLLSFQ3

122 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.4.1 GD_CONFIG1 寄存器（偏移= ACh）[复位= 00000000h]

表7-40 中显示了GD_CONFIG1。

返回到汇总表。

用于配置栅极驱动器设置的寄存器1

表7-40. GD_CONFIG1 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

奇偶校验位

保留

30-20

19

RESERVED

VREF_SEL

保留

18

选择CSA 配置

0h = 单向CSA

1h = 双向CSA

17

16

RESERVED

R/W

0h

保留

DIS_BST_FLT

禁用BST 故障

0h = 启用BST 故障

1h = 禁用BST 故障

15

OTS_AUTO_RECOVERY R/W

0h

OTS 自动恢复

0h = OTS 锁存故障

1h = OTS 自动恢复

14-10

9

RESERVED

R/W

0h

保留

DIS_SNS_FLT

禁用检测故障

0h = 启用SNS OCP 故障

1h = 禁用SNS OCP 故障

8

DIS_VDS_FLT

R/W

0h

禁用VDS 故障

0h = 启用VDS OCP 故障

1h = 禁用VDS OCP 故障

7

RESERVED

R/W

0h

保留

6-3

SEL_VDS_LVL

选择VDS_OCP 电平

0h = 0.06V

1h = 0.12V

2h = 0.18V

3h = 0.24V

4h = 0.3V

5h = 0.36V

6h = 0.42V

7h = 0.48V

8h = 0.6V

9h = 0.8V

Ah = 1.0V

Bh = 1.2V

Ch = 1.4V

Dh = 1.6V

Eh = 1.8V

Fh = 2.0V

2

RESERVED

CSA_GAIN

R/W

0h

保留

1-0

电流检测放大器(CSA) 增益

0h = 5V/V

1h = 10V/V

2h = 20V/V

3h = 40V/V

Submit Document Feedback 123

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.7.4.2 GD_CONFIG2 寄存器（偏移= AEh）[复位= 00000000h]

表7-41 中显示了GD_CONFIG2。

返回到汇总表。

用于配置栅极驱动器设置的寄存器2

表7-41. GD_CONFIG2 寄存器字段说明

位

31

字段

类型

复位

说明

R/W

0h

奇偶校验

RESERVED

奇偶校验位

保留

30-0

English Data Sheet: SLLSFQ3

124 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8 RAM（易失性）寄存器映射

7.8.1 Fault_Status 寄存器

表 7-42 列出了 Fault_Status 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-42 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留

的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-42. FAULT_STATUS 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

E0h

GATE_DRIVER_FAULT_STATUS

GATE_DRIVER_FA

ULT_STATUS 寄存

器（偏移= E0h）[复

位= 00000000h]

故障状态寄存器

E2h

CONTROLLER_FAULT_STATUS

CONTROLLER_FA

ULT_STATUS 寄存

器（偏移= E2h）[复

位= 00000000h]

故障状态寄存器

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-43 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-43. Fault_Status 访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

Submit Document Feedback 125

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.1.1 GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器（偏移= E0h）[复位= 00000000h]

表7-44 中显示了GATE_DRIVER_FAULT_STATUS。

返回到汇总表。

各种故障的状态

表7-44. GATE_DRIVER_FAULT_STATUS 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31

DRIVER_FAULT

R

0h

驱动器故障寄存器的逻辑或

0h = 未检测到栅极驱动器故障情况

1h = 检测到栅极驱动器故障情况

30

PWR_ON

R

0h

加电检测

0h = 检测到上电情况

1h = 上电情况被清除

29

28

R

0h

保留

OCP_VDS_FAULT

过流VDS 故障状态

0h = 未检测到过流情况

1h = 检测到过流情况

27

26

OCP_SNS_FAULT

BST_UV_FAULT

GVDD_UV_FLT

DRV_OFF

R

0h

过流检测故障状态

0h = 未检测到过流情况

1h = 检测到过流情况

自举UV 保护状态

0h = 在VM 上未检测到BST 欠压情况

1h = 在VM 上检测到BST 欠压情况

25

GVDD UV 故障状态

0h = 在VM 上未检测到GVDD 欠压情况

1h = 在VM 上检测到GVDD 欠压情况

24

电源过压保护状态

0h = DRV 开启

1h = 检测到DRV 关闭状态

23-0

保留

English Data Sheet: SLLSFQ3

126 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.1.2 CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器（偏移= E2h）[复位= 00000000h]

表7-45 中显示了CONTROLLER_FAULT_STATUS。

返回到汇总表。

各种故障的状态

表7-45. CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31

CONTROLLER_FAULT

R

0h

控制器故障寄存器的逻辑或

0h = 未检测到控制器故障情况

1h = 检测到控制器故障情况

30

29

R

0h

保留

IPD_FREQ_FAULT

指示IPD 频率故障

0h = 未检测到IPD 频率故障

1h = 检测到IPD 频率故障

28

IPD_T1_FAULT

R

0h

指示IPD T1 故障

0h = 未检测到IPD T1 故障

1h = 检测到IPD T1 故障

27

26-24

23

R

0h

保留

ABN_SPEED

指示异常速度电机锁定情况

0h = 未检测到异常速度故障

1h = 检测到异常速度故障

22

21

20

19

18

17

16

LOSS_OF_SYNC

NO_MTR

R

0h

指示不同步电机锁定情况

0h = 未检测到不同步故障

1h = 检测到不同步故障

指示无电机故障

0h = 未检测到无电机故障

1h = 检测到无电机故障

MTR_LCK

指示何时触发一个电机锁定

0h = 未检测到电机锁定故障

1h = 检测到电机锁定故障

CBC_ILIMIT

指示CBC 电流限值故障

0h = 未检测到CBC 故障

1h = 检测到CBC 故障

LOCK_ILIMIT

指示锁定检测电流限值故障

0h = 未检测到锁定电流限值故障

1h = 检测到锁定电流限值故障

MTR_UNDER_VOLTAGE

MTR_OVER_VOLTAGE

指示电机欠压故障

0h = 未检测到电机欠压故障

1h = 检测到电机欠压故障

指示电机过压故障

0h = 未检测到电机过压故障

1h = 检测到电机过压故障

15

14-3

2

R

0h

保留

STL_EN

指示在EEPROM 中启用了STL

0h = 禁用STL

1h = 启用STL

1

STL_STATUS

R

0h

指示STL 成功标准通过= 1b；失败= 0b

0h = STL 失败

1h = STL 通过

Submit Document Feedback 127

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

表7-45. CONTROLLER_FAULT_STATUS 寄存器字段说明(continued)

位

字段

类型

复位

说明

0

APP_RESET

R

0h

应用程序复位

0h = 应用程序复位失败

1h = 应用程序复位成功

English Data Sheet: SLLSFQ3

128 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.2 System_Status 寄存器

表 7-46 列出了 System_Status 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-46 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保

留的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-46. SYSTEM_STATUS 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

E4h

SYS_STATUS1

系统状态寄存器1

SYS_STATUS1 寄存

器（偏移= E4h）[复

位= 00000000h]

EAh

ECh

SYS_STATUS2

SYS_STATUS3

系统状态寄存器2

系统状态寄存器3

SYS_STATUS2 寄存

器（偏移= EAh）[复

位= 00000000h]

SYS_STATUS3 寄存

器（偏移= ECh）

[复位= 00000000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-47 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-47. System_Status 访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

Submit Document Feedback 129

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.2.1 SYS_STATUS1 寄存器（偏移= E4h）[复位= 00000000h]

表7-48 展示了SYS_STATUS1。

返回到汇总表。

各种系统和电机参数的状态

表7-48. SYS_STATUS1 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31-16

VOLT_MAG

R

0h

施加的直流输入电压。输入直流电压(V) = (VOLT_MAG/10)

15-1

SPEED_CMD

PWM/模拟/频率模式下的解码速度命令(SPEED_CMD (%) =

SPEED_CMD/32767 * 100%)

0

I2C_ENTRY_STATUS

R

0h

指示I2C 进入是否已发生

0h = 未通过引脚序列进入I2C 模式

1h = 已通过引脚序列进入I2C 模式

130 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.2.2 SYS_STATUS2 寄存器（偏移= EAh）[复位= 00000000h]

表7-49 展示了SYS_STATUS2。

返回到汇总表。

各种系统和电机参数的状态

表7-49. SYS_STATUS2 寄存器字段说明

位

字段

状态

类型

复位

说明

31-28

R

0h

状态机的当前状态；指示状态机状态的4 位值

0h = SYSTEM_IDLE

1h = MOTOR_START

2h = MOTOR_RUN

3h = SYSTEM_INIT

4h = MOTOR_IPD

5h = MOTOR_ALIGN

6h = MOTOR_IDLE

7h = MOTOR_STOP

8h = FAULT

9h = MOTOR_DIRECTION

Ah = HALL_ALIGN

Ch = MOTOR_CALIBRATE

Dh = MOTOR_DESCEL

Eh = MOTOR_BRAKE

Fh = 不适用

27-18

17

R

0h

保留

STL_FAULT

STL 故障状态

0h = 通过

1h = 失败

16

R

0h

保留

15-0

MOTOR_SPEED

速度输出。速度输出（电频率(Hz)）= MOTOR_SPEED/10

Submit Document Feedback 131

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.2.3 SYS_STATUS3 寄存器（偏移= ECh）[复位= 00000000h]

表7-50 展示了SYS_STATUS3。

返回到汇总表。

各种系统和电机参数的状态

表7-50. SYS_STATUS3 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31-16

DC_BUS_CURR

R

0h

直流总线电流。直流总线电流(A) = DC_BUS_CURR/256

电池（输入）功率。输入功率(W) = DC_BATT_POW/64

15-0

DC_BATT_POW

R

0h

English Data Sheet: SLLSFQ3

132 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.3 算法控制寄存器

表 7-51 列出了 Algo_Control 寄存器的存储器映射寄存器。表 7-51 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留

的位置，并且不应修改寄存器内容。

表7-51. ALGO_CONTROL 寄存器

寄存器名称

偏移

缩写

部分

E6h

ALGO_CTRL1

算法控制参数

ALGO_CTRL1 寄存

器（偏移= E6h）[复

位= 00000000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-52 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-52. Algo_Control 访问类型代码

访问类型

写入类型

W

代码

说明

W

写入

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

Submit Document Feedback 133

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.3.1 ALGO_CTRL1 寄存器（偏移= E6h）[复位= 00000000h]

表7-53 中显示了ALGO_CTRL1。

返回到汇总表。

算法控制参数

表7-53. ALGO_CTRL1 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31

EEPROM_WRT

W

0h

将配置写入EEPROM

1h = 从影子寄存器写入EEPROM 寄存器

30

29

EEPROM_READ

CLR_FLT

从EEPROM 读取默认配置

1h = 将EEPROM 寄存器读取到影子寄存器中

清除所有故障

1h = 清除所有驱动器和控制器故障

28

CLR_FLT_RETRY_COUN

T

清除故障重试计数

1h = 清除锁定故障重试计数

27-20

EEPROM_WRITE_ACCE

SS_KEY

EEPROM 写入访问密钥；用于解锁EEPROM 写入命令的8 位密钥

19-1

0

W

0h

保留

EXT_WD_STATUS_SET

要由外部MCU 在I2C 看门狗模式下设置的看门狗状态

0h = 由MCC 自动复位

1h = 设置EXT_WD_STATUS_SET

134 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.4 器件控制寄存器

表 7-54 列出了器件控制寄存器的存储器映射寄存器。表 7-54 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位

置，并且不应修改寄存器内容。

表7-54. 器件控制寄存器

寄存器名称

偏移

首字母缩写

部分

E8h

DEVICE_CTRL

器件控制参数

DEVICE_CTRL 寄存

器（偏移= E8h）[复

位= 00000000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-55 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-55. 器件控制访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

写入类型

W

写入

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

Submit Document Feedback 135

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.4.1 DEVICE_CTRL 寄存器（偏移= E8h）[复位= 00000000h]

DEVICE_CTRL 如表7-56 所示。

返回到汇总表。

器件控制参数

表7-56. DEVICE_CTRL 寄存器字段描述

位

31

字段

类型

复位

说明

RESERVED

SPEED_CTRL

W

0h

保留

30-16

数字速度命令。(SPEED_CTRL (%) = SPEED_CTRL/32767 * 100%)

15

OVERRIDE

I2C 与速度引脚的速度输入选择

0h = SPEED_CMD（使用模拟/频率/PWM 模式）

1h = SPEED_CMD（使用SPD_CTRL）[14:0]

14-0

RESERVED

R

0h

保留

136 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.5 算法变量寄存器

表 7-57 列出了算法变量寄存器的存储器映射寄存器。表 7-57 中未列出的所有寄存器偏移地址都应视为保留的位

置，并且不应修改寄存器内容。

表7-57. 算法变量寄存器

寄存器名称

偏移

首字母缩写

部分

40Ch

INPUT_DUTY

输入占空比

INPUT_DUTY 寄存

器（偏移= 40Ch）

[复位= 00000000h]

512h

CURRENT_DUTY

寄存器（偏移=

512h）[复位=

00000000h]

当前占空比

522h

SET_DUTY

设置占空比

SET_DUTY 寄存器

（偏移= 522h）[复

位= 00000000h]

5CEh

MOTOR_SPEED_PU

MOTOR_SPEED_P

U 寄存器（偏移=

5CEh）[复位=

00000000h]

电机速度(PU)

714h

DC_BUS_POWER_PU

DC_BUS_POWER_

PU 寄存器（偏移=

714h）[复位=

直流总线电源(PU)

00000000h]

复杂的位访问类型经过编码可适应小型表单元。表7-58 显示了适用于此部分中访问类型的代码。

表7-58. 算法变量访问类型代码

访问类型

读取类型

R

代码

说明

R

读取

复位或默认值

-n

复位后的值或默认值

Submit Document Feedback 137

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.5.1 INPUT_DUTY 寄存器（偏移= 40Ch）[复位= 00000000h]

INPUT_DUTY 如表7-59 所示。

返回到汇总表。

用户设置的输入占空比

表7-59. INPUT_DUTY 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31-0

INPUT_DUTY

R

0h

32 位值，指示用户指定的占空比。输入占空比(%) =（输入占空比/

2³⁰）* 100

138 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.5.2 CURRENT_DUTY 寄存器（偏移= 512h）[复位= 00000000h]

CURRENT_DUTY 如表7-60 所示。

返回到汇总表。

当前占空比

表7-60. CURRENT_DUTY 寄存器字段描述

位

字段

类型

复位

说明

31-0

CURRENT_DUTY

R

0h

32 位值，指示当前应用的占空比。当前占空比(%) =（当前占空比/

2³⁰）* 100

Submit Document Feedback 139

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.5.3 SET_DUTY 寄存器（偏移= 522h）[复位= 00000000h]

SET_DUTY 如表7-61 所示。

返回到汇总表。

当前电机状态下的目标占空比

表7-61. SET_DUTY 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31-0

SET_DUTY

R

0h

32 位值，指示算法的现有状态（启动、OL、CL）所需的占空比。设

置占空比(%) =（设置占空比/2³⁰）* 100

140 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.5.4 MOTOR_SPEED_PU 寄存器（偏移= 5CEh）[复位= 00000000h]

MOTOR_SPEED_PU 如表7-62 所示。

返回到汇总表。

电机速度(PU)

表7-62. MOTOR_SPEED_PU 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31-0

MOTOR_SPEED_PU

R

0h

32 位值，指示在闭环电路中正常工作时的电机速度。电机速度(Hz) =

（以PU 为单位的电机速度/2³⁰）* 最大速度

Submit Document Feedback 141

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

7.8.5.5 DC_BUS_POWER_PU 寄存器（偏移= 714h）[复位= 00000000h]

DC_BUS_POWER_PU 如表7-63 所示。

返回到汇总表。

直流总线电源(PU)

表7-63. DC_BUS_POWER_PU 寄存器字段说明

位

字段

类型

复位

说明

31-0

DC_BUS_POWER_PU

R

0h

32 位值，指示电机在闭环电路中正常工作时消耗的功率。直流总线功

率（以W 为单位）=（以PU 为单位的直流总线功率/2³⁰）* 最大功率

142 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

8 应用和实施

备注

以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各元件

是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。

8.1 应用信息

MCT8329A 用于三相无传感器梯形电机控制应用，例如无线真空吸尘器、HVAC 风机和通风设备、电器风扇、泵

和医用CPAP 风机。

8.2 典型应用

图8-1 展示了MCT8329A 的典型原理图。表7-1 展示了驱动器外部元件的建议值。

C_CP470nF

C_GVDD

10

F

PVDD

GVDD

CPL

CPH

AVDD Out

AVDD

AGND

PVDD

C_AVDD

1uF

AVDD LDO

Regulator

VCP Charge

Pump

C_PVDD1+ C_PVDD2

0.1µF

>10µF

C_GCTRL

2nF

PVDD

GCTRL

VREG

DRVOFF

GVDD

PVDD

Trickle CP

HS

C_VREG2

10uF

BSTA

0.1uF

EEPROM

DVDD

GND

C_BSTA

GHA

DVDD

LDO

Regulator

HS

Sensorless Trap

Engine

Optional MOSFET for

VREG power supply.

If not used, connect VREG

to AVDD or 3 V – 5.5 V

external supply.

C_DVDD

1uF

SHA

GLA

GVDD

LS

SPEED/WAKE

BRAKE

PWM, Freq or

Analog Input

Protection

LSS

A

GVDD

AVDD

DIR

Trickle CP

HS

PVDD

BSTB

IO Interafce

C_BSTB

GHB

HS

FG

SHB

GLB

Speed / power loop

GVDD

LS

nFAULT

AVDD

LS

Speed / power

profiles

Protection

GVDD

LSS

SCL

AVDD

Fast accel & decel

I²C

Trickle CP

HS

PVDD

BSTC

SDA

2

C_BSTC

GHC

120° & 150° capable

HS

SHC

GLC

Optional external

clock reference

Built-in 60-MHz

Oscillator

LSS

0.5

GVDD

LS

+

-

EXT_CLK

LS

12-bit

DAC

12-bit

ADC

VSENSE OCP

Op onal external

clock reference

Protection

LSS

3x LS, 3x HS

LSS

SP

VDS

+

-

Variable

monitoring on

DACOUT1 pin,

SO output,

Analog speed

input op on

VDSLVL

VDS OCP

CSAREF

PVDD

DACOUT/SOx/SPEED_ANA

OUTA

OUTB

OUTC

R_SENSE

-

+

ISEN

-

SN

+

-

+

ISEN

CSA

GND

图8-1. MCT8329A 的典型原理图

Submit Document Feedback 143

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

详细设计过程

下表列出了系统设计的示例输入参数。

表8-1. 设计参数

参考值

设计参数

电源电压

示例值

24V

V_PVDD

I_PEAK

f_PWM

SR

20 A

电机峰值电流

20kHz

PWM 频率

MOSFET VDS 压摆率

MOSFET 输入栅极电容

死区时间

120 V/μs

54nC

Q_G

Q_GD

t_dead

I_OCP

14nC

200ns

30 A

过流保护

自举电容器和GVDD 电容器选型

自举电容器的大小必须能够维持自举电压高于欠压锁定以实现正常运行。方程式20 用于计算自举电容器上允许的

最大压降：

¿8_$56:= 8_)8&&F8_$116&F8

$5678

(20)

ΔV_BSTX= 12V –0.85V –4.45V = 6.7V

其中

• V_GVDD是栅极驱动器的电源电压

• V_BOOTD是自举二极管的正向压降

• V_BSTUV是自举欠压锁定的阈值

在该示例中，自举电容器上允许的压降为 6.7V。通常建议应尽可能降低自举电容器和 GVDD 电容器上的纹波电

压。商业、工业和汽车应用中的常用纹波值介于0.5V 和1V 之间。

每个开关周期所需的总电荷可以通过方程式21 进行估算：

IL

BS_TRAN

Q

= Q +

(21)

TOT

G

f

SW

Q_TOT= 54nC + 115μA/20kHz = 54nC + 5.8nC = 59.8nC

其中

• Q_G是总MOSFET 栅极电荷

• IL_{BS_TRAN}是自动加载引脚漏电流

• f_SW是PWM 频率

假设ΔV_BSTx为1V，则最小自举电容器可通过以下公式进行估算：

3

%

=

⁶¹⁶W

$56_/+0

¿8

$56:

(22)

C_{BST_MIN}= 59.8nC/1V = 59.8nF

计算出的最小自举电容值为 59.8nF。请注意，这是全偏置电压条件下所需的电容值。实际应用中，自举电容值必

须大于计算值，才能确保在功率级可能因各种瞬态条件而发生脉冲跳跃的情况下正常使用。在本示例中，建议使

用100nF 自举电容器。此外，还建议预留足够的裕度，并将自举电容器尽可能靠近BSTx 和SHx 引脚放置。

144 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

%

)8&&

R 10 × %_$56:

(23)

C_GVDD= 10*100nF = 1μF

对于该示例应用，选择 1µF C_GVDD电容器。选择电压等级至少是其将承受的最大电压两倍的电容器，因为大多数

陶瓷电容器在偏置时会损失大量电容。该值还可提高系统的长期可靠性。

备注

对于需要以更长时间提供100% 占空比支持的更高功率系统，建议使用≥1μF 的C_BSTx和≥10μF 的

C_GVDD。

8.2.1 VREG 电源的外部MOSFET 选择

MCT8329A 器件提供了驱动外部 MOSFET（使用 GCTRL 引脚）的选项，该外部 MOSFET 可用作稳压器以通过

VREG 引脚为内部数字电路供电，如节7.3.4.3 中所述。选择外部MOSFET 以确保VREG 引脚电压在整个工作条

件下处于 2.2V 至5.5V 之间。作为一个示例计算，使用方程式 24 进行MOSFET 选择可在最小 GCTRL 引脚电压

为 4.9V (V_GCTRL(min)- V_VREG(min)= 2.5V) 时获得 2.4V 的最小 VREG 引脚电压。使用方程式 25 可确保 VREG 引

脚上的最大电压在最大GCTRL 引脚电压下小于5.5V。

C

GD

6

V

+ V

+ 1.3 × I × 10 < 2.5 V

GATE_LEAK

(24)

(25)

GS tℎ _max

GCTRL max

PVDD

C

+ C

GD

GCTRL

V

− V

< 5.5 V

GS tℎ _min

其中，

V_{GS(th)_max}是整个工作条件范围内外部MOSFET 的最大栅源阈值电压

V_{GS(th)_min}是整个工作条件范围内外部MOSFET 的最小栅源阈值电压

V_PVDD是外部MOSFET 漏极的电压

C_GD是外部MOSFET 的栅漏电容

_GCTRL是GCTRL 引脚和GND 之间连接的电容

_{GATE_LEAK}是外部MOSFET 的最大栅极漏电流

_GCTRL(max)是GCTRL 引脚的最大电压

C

I

V

必须选择外部 MOSFET，使GCTRL 引脚电压的峰值与 GCTRL 引脚电压的最大工作值之间的差值不超过0.5V，

可以使用方程式26 进行MOSFET 选择。

C

GD

6

V

+ 1.3 × I

× 10 < 0.5 V

(26)

PVDD

GATE_LEAK

C

+ C

GD

GCTRL

表8-2. 示例外部MOSFET

V_DS(V)

C_ISS(pF)

最大V_GS(TH)(V)

GCTRL-GND 电容(nF) GCTRL 启动时间(ms)

器件型号

CSD18534Q5A

60

2.3

1770

2

20

栅极驱动电流

在开启或关闭功率 MOSFET 栅极以开关电机电流时，选择合适的栅极驱动电流至关重要。MOSFET 的栅极驱动

电流和输入电容的大小决定了漏源电压压摆率(V_DS)。栅极驱动电流可从GVDD 流入 MOSFET 栅极 (I_SOURCE) 或

从MOSFET 栅极流入SHx 或LSS (I_SINK)。

使用过高的栅极驱动电流会使 MOSFET 导通过快，这可能会导致过度振铃、dV/dt 耦合或开关大电流引起的跨

导。如果系统中存在寄生电感和电容，则可能会出现电压尖峰或振铃，这可能会损坏 MOSFET 或 MCT8329A 器

件。

Submit Document Feedback 145

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

另一方面，使用过低的栅极驱动电流会导致较慢的 V_DS压摆率。由于 R_DS,on开关损耗，MOSFET 的导通速度太

慢可能会使MOSFET 升温。

栅极驱动电流I_GATE、MOSFET 栅漏电荷Q_GD和V_DS压摆率开关时间t_rise,fall之间的关系如以下公式所示：

V

DS

SR

=

(27)

(28)

DS

t

rise, fall

Q

gd

I

=

t

GATE

rise, fall

建议在较低的栅极驱动电流下进行评估并增加栅极驱动电流设置，避免在初始评估期间因意外操作而造成损坏。

栅极电阻器选型

SHx 连接的压摆率将取决于外部 MOSFET 栅极的控制速率。MCT8329A 的上拉/下拉强度在内部是固定的，因此

可以通过外部串联栅极电阻器来控制栅极电压的压摆率。在部分应用中，MOSFET 的栅极电荷（即栅极驱动器器

件上的负载）明显大于栅极驱动器峰值输出电流能力。在此类应用中，外部栅极电阻器可以限制栅极驱动器的峰

值输出电流。外部栅极电阻器还用于抑制振铃和噪声。

MOSFET 的特定参数、系统电压和电路板寄生效应都会影响最终的 SHx 压摆率，因此选择外部栅极电阻器的最

佳阻值或配置通常是一个迭代过程。

为了降低栅极驱动电流，串联电阻器 R_GATE可以放置在栅极驱动输出上，以控制拉电流和灌电流路径的电流。单

个栅极电阻器将为栅极拉电流和灌电流提供相同的栅极路径，因此较大的R_GATE值将产生类似的 SHx 压摆率。请

注意，栅极驱动电流因器件的PVDD 电压、结温和工艺变化而异。

PVDD

GVDD

Trickle CP

BSTx

C_BSTx

R_GATE

GHx

SHx

HS

LS

HS

GVDD

LS

R_GATE

GLx

LSS

LS

Protection

LSS

R_SENSE

图8-2. 具有串联电阻器的栅极驱动器输出

English Data Sheet: SLLSFQ3

146 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

PVDD

GVDD

Trickle CP

HS

BSTx

C_BSTx

R_SOURCE

GHx

HS

LS

R_SINK

SHx

GVDD

LS

R_SOURCE

GLx

LSS

LS

R_SINK

LSS

Protection

R_SENSE

图8-3. 具有独立拉电流路径和灌电流路径的栅极驱动器输出

通常，建议灌电流是拉电流的两倍，以实现从栅极到源极的强下拉，从而确保 MOSFET 在相反的 FET 开关时保

持关断。通过将一个二极管和一个灌电流电阻器(R_SINK) 与拉电流电阻器(R_SOURCE) 并联放置，使用一个电阻器为

拉电流和灌电流提供单独的路径，能够以分立方式实现这一点。使用阻值相同的拉电流电阻器和灌电流电阻器会

使灌电流路径的等效电阻减半。这样产生的栅极驱动灌电流是拉电流的两倍，并且在关断 MOSFET 时 SHx 的压

摆率将提高一倍。

大功率设计中的系统注意事项

对于功率较高的系统设计，可能需要考虑在功率较低的系统设计中未考虑的设计和应用注意事项。务必通过实施

故障排除指南、外部元件和电路、驱动器产品功能或布局技术来应对功率更高的系统的不稳定性。有关更多信

息，请访问大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项应用手册。

电容器电压等级

使用电压等级为电源电压（PVDD、GVDD、AVDD 等）2 倍的电容器。由于直流电压等级性能较差，因此电容器

最多可使用其额定电容的一半。

例如，由于SHx (BSTx-SHx) 的自举电压约为12 至13V，因此BSTx-SHx 电容器的额定电压应为25V 或更高。

外部功率级元件

设计不需要在功率级中使用外部元件，但外部元件有助于抑制瞬态、管理电感器线圈能量、减轻电源泵回、抑制

相位振铃或提供强大的栅源下拉路径。这些元件用于系统调优和调试，从而确保 BLDC 电机系统稳健，同时避免

损坏MCT8329A 器件或外部MOSFET。

Submit Document Feedback 147

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

PVDD

GVDD

C_BULK

Trickle CP

HS

BSTx

C_BSTx

R_SNUB

R_PD

R_SOURCE

GHx

HS

C_SNUB

R_SINK

SHx

PHASE

C_{HSD_LSS}

GVDD

LS

R_SNUB

R_SOURCE

R_PD

GLx

LSS

LS

C_SNUB

R_SINK

D_GS

LSS

Protection

R_SENSE

图8-4. 可选的外部功率级元件

下表列出了一些问题示例和可以解决这些问题的外部元件。

表8-3. 功率级调试的常见问题和解决方案

问题

分辨率

组件

所需的栅极驱动电流太大，从而导致

MOSFET V_DS压摆率非常快

需要使用串联电阻器来实现栅极驱动电流可调栅极驱动器输出端(GHx/GLx) 处的0-100Ω

节性

串联电阻器(RGATE/RSOURCE)、可选灌电

流电阻器(RSINK) 以及与栅极电阻器并联的

二极管，以实现可调节灌电流

相位开关节点(SHx) 处发生振铃，从而导致很与每个HS/LS MOSFET 并联放置RC 缓冲

与MOSFET 并联放置的电阻器(RSNUB) 和

电容器(CSNUB)，使用适用于电机驱动器的

RC 缓冲器设计根据振铃频率计算RC 值

高的EMI 发射

器，以抑制振荡

低侧源极(LSS) 的负瞬态低于最小规格

在HS 漏极和LS 源极之间连接一个电容器，来自PVDD-LSS (CHSD_LSS) 的0.01uF-1uF

以抑制负反弹

PVDD 等级电容器，放置在LS MOSFET 的

源极附近

低侧栅极(GLx) 的负瞬态低于最小规格

使用栅极和地之间的齐纳二极管来钳制负电压 GVDD 电压额定齐纳二极管(DGS)，阳极连

接到GND，阴极连接到GLx

如果栅极驱动信号为高阻态，则需要额外的保使用外部栅源下拉电阻器（在串联栅极电阻器在每个MOSFET 的栅极和源极之间连接

护以确保MOSFET 关闭

之后）

10kΩ至100kΩ电阻器(RPD)

8.2.2 应用曲线

English Data Sheet: SLLSFQ3

148 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

8.2.2.1 电机启动

图8-5 展示了MCT8329A 中各种启动方法（例如对齐、双对齐、IPD 和慢速首循环）的相电流波形。

图8-5. 所有启动方法的电机相电流波形

8.2.2.2 120^o和可变换向

在 120° 换向方案中，每半个电气周期内，每个电机相位都会在 120° 时被驱动并在 60° 时进入高阻态，进而导致

电机出现六种不同的换向状态。图 8-6 展示了 120° 换向模式中的相电流与电流波形 FFT。在可变换向方案中，

Submit Document Feedback 149

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

MCT8329A 器件会根据电机转速在 120° 和 150° 梯形换向之间动态切换。在较低速度下，该器件会以 150° 模式

工作，而在较高速度下，则会切换至120° 模式。图8-7 展示了150° 换向模式下的相电流与电流波形FFT。

Phase current

FFT

图8-6. 相电流和FFT - 120^o换向

Phase current

FFT

图8-7. 相电流和FFT - 150^o换向

English Data Sheet: SLLSFQ3

150 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

8.2.2.3 更快的启动时间

启动时间是指电机从零速达到目标速度所需的时间。通过调优电机启动、开环和闭环设置，可以在 MCT8329A 中

实现更短的启动时间。图8-8 显示了FG、相电流和电机电气速度波形。电机需要50ms 才能从零达到目标速度。

FG

Phase current

Speed

图8-8. 相电流、FG 和电机速度–更快的启动速度

8.2.2.4 设置BEMF 阈值

可以根据滑行期间的电机相电压波形来计算 MCT8329A 中用于换向瞬间检测的 BEMF_THRESHOLD1 和

BEMF_THRESHOLD2 值。例如，请考虑图8-9 所示的滑行期间BLDC 电机的三相电压波形。滑行期间的电机相

电压是电机反电动势。

图8-9. 滑行期间的电机相电压

Submit Document Feedback 151

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

在图 8-9 中，一个浮动相电压间隔由通道 3 上的垂直标记表示。通道 3 上的 Vpeak（反电动势峰峰值）为

208mV，Tc（换向间隔）为2.22ms，由通道 3 上的水平和垂直标记表示。Vpeak 和Tc 的数字等效计数值计算方

法如下所示。

在 MCT8329A 中，3V 模拟输入对应 4095 次计数（12 位），相电压在 ADC 输入之前按比例缩小为原来的十分

之一；因此，208mV 的Vpeak 对应于20.8mV 的ADC 输入，这相应地等于29 次ADC 计数。假设PWM 开关频

率为25kHz，则每40μs 可获得一个反电动势样本。因此，在2.22ms 的时间间隔内，总共集成了55 个反电动势

样本。因此，计算得出的 BEMF_THRESHOLD1 或 BEMF_THRESHOLD2 值为 (½) * (29/2) * (55/2) = 199.因

此，在该示例中，BEMF_THRESHOLD1 和 BEMF_THRESHOLD2 被设置为 8h（对应于 200，这是最接近于

199 的值），以便在快速启动期间使用反电动势积分方法进行换向瞬间检测。测量 Vpeak 和 Tc 值以计算

BEMF_THRESHOLD1 和 BEMF_THRESHOLD2 值的确切速度并不重要（只要数字计数有足够的分辨率即

可），因为乘积(Vpeak * Tc) 对于给定的BLDC 电机在很大程度上是一个常数。

8.2.2.5 最大速度

图8-10 展示了以3kHz 的最大电气速度旋转的电机的相电流、相电压和FG。

Phase current

Phase voltage

FG

图8-10. 最大速度下的相电流、相电压和FG

8.2.2.6 更快速减速

MCT8329A 具有使电机快速减速的功能。图 8-11 显示了当电机从 100% 占空比降至 10% 占空比时的相电流和电

机电气速度波形。禁用快速减速时，电机从 100% 占空比减速到 10% 占空比所需的时间约为 10 秒。图 8-12 显

示了当电机从100% 占空比降至10% 占空比时的相电流和电机电气速度波形。启用快速减速时，电机从100% 占

空比减速到10% 占空比所需的时间约为1.5 秒。

备注

请注意，当启用快速减速并禁用抗电压浪涌 (AVS) 时，电源电压中可能会出现电压尖峰。启用 AVS，

以保护电源在电机减速期间不受电压过冲的影响。

English Data Sheet: SLLSFQ3

152 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

Phase current

Speed

图8-11. 相电流和电机速度–已禁用更快速减速

Phase current

Speed

图8-12. 相电流和电机速度–已启用更快速减速

Submit Document Feedback 153

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

9 电源相关建议

MCT8329A 可在 4.5V 至 60V 的输入电压电源 (PVDD) 范围内正常工作。必须在尽可能靠近器件的位置放置额定

电压为PVDD 的10µF 和0.1µF 陶瓷电容器。此外，必须在PVDD 引脚上连接一个大容量电容器，但可以将其与

外部功率 MOSFET 的大容量旁路电容共用。需要使用额外的大容量电容来绕过外部半桥 MOSFET，并且应该根

据应用要求来确定该电容的大小。

9.1 大容量电容

配备合适的局部大容量电容是电机驱动系统设计中的一项重要因素。使用更多的大容量电容通常是有益的，但缺

点是增加了成本和物理尺寸。

所需的局部电容数量取决于多种因素，包括：

• 电机系统所需的最高电流

• 电源的电容和电流能力

• 电源和电机系统之间的寄生电感量

• 可接受的电压纹波

• 使用的电机类型（有刷直流、无刷直流、步进电机）

• 电机制动方法

电源和电机驱动系统之间的电感会限制电源提供的电流的变化速率。如果局部大容量电容太小，则在 PVDD 电压

发生变化时系统会响应电机产生的过大电流需求或转储。当使用足够大的大容量电容时，PVDD 电压保持稳定并

且可以快速提供大电流。

数据表通常会给出建议值，但需要进行系统级测试来确定适当的大容量电容器。大容量电容的电压等级应高于工

作电压，以便在电机向电源传递能量时提供裕度。

Parasitic Wire

Inductance

Motor Drive System

Power Supply

VM

+

Motor Driver

œ

GND

Local

Bulk Capacitor

IC Bypass

Capacitor

图9-1. 带外部电源的电机驱动系统示例设置

English Data Sheet: SLLSFQ3

154 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

10 布局

10.1 布局指南

使用建议容值为 0.1µF 的低ESR 陶瓷旁路电容器将 PVDD 引脚旁路至 GND (PGND) 引脚。将该电容器放置在尽

可能靠近 PVDD 引脚的位置，并通过较宽的引线或通过接地平面连接到 PGND 引脚。此外，使用额定电压为

PVDD 的大容量电容器旁路PVDD 引脚。该元件可以是电解电容器。其容值必须至少为10 µF。

需要额外的大容量电容来旁路掉外部MOSFET 上的大电流路径。放置此大容量电容时应做到尽可能缩短通过外部

MOSFET 的大电流路径的长度。连接金属迹线应尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法尽可能地

减小了电感并使大容量电容器提供高电流。

在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。该电容器应为 470nF，额定电压为 PVDD，类型为 X5R

或X7R。

自举电容器(BSTx-SHx) 应靠近器件引脚放置，尽可能地减小栅极驱动路径的环路电感。

使用容值为 1µF、额定电压为 6.3V 且类型为 X5R 或 X7R 的低 ESR 陶瓷电容器将 AVDD 引脚旁路至 AGND 引

脚。将此电容器放置在尽可能靠近引脚的位置，并尽量缩短从电容器到AGND 引脚的路径。

使用容值为1µF、额定电压≥4V 且类型为X5R 或X7R 的低ESR 陶瓷电容器将DVDD 引脚旁路至GND 引脚。

将此电容器尽可能靠近引脚放置，并尽量缩短从电容器到GND 引脚的路径。

使用类型为X5R 或X7R、ESR 足够低的陶瓷电容器旁路VREG 引脚。

最大限度地缩短高侧和低侧栅极驱动器的回路长度。高侧环路是从器件的 GHx 引脚到高侧功率 MOSFET 栅极，

然后沿着高侧 MOSFET 源极返回到 SHx 引脚。低侧环路是从器件的 GLx 引脚到低侧功率 MOSFET 栅极，然后

沿着低侧MOSFET 源极返回到PGND 引脚。

在设计功率更高的系统时，PCB 布局中的物理特性会产生寄生电感、电容和阻抗，从而影响系统的性能。了解功

率较高的电机驱动系统中存在的寄生参数可以帮助设计人员通过良好的PCB 布局来减轻其影响。有关更多信息，

请访问大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项和电机驱动器电路板布局布线最佳实践应用手册。

栅极驱动器引线（BSTx、GHx、SHx、GLx、LSS）的宽度应至少为 15-20mil，并且到 MOSFET 栅极的距离应

尽可能短，尽可能地减小寄生电感和阻抗。这有助于提供较大的栅极驱动电流，有效地使MOSFET 导通，并改善

VGS 和 VDS 监控。确保选择用于监控从 LSS 到 GND 的低侧电流的分流电阻器较宽，尽可能地减小在低侧源极

LSS 处引入的电感。

确保接地端通过网络连接或宽电阻器连接，减小电压偏移并保持栅极驱动器性能。器件散热焊盘应焊接到PCB 顶

层地平面。应使用多个过孔连接到较大的底层接地平面。使用大金属平面和多个过孔有助于散发器件中产生的热

量。为了提高热性能，请在PCB 的所有可能层上尽可能地增大连接到散热焊盘接地端的接地面积。使用较厚的覆

铜可以降低结至空气热阻并改善芯片表面的散热。

Submit Document Feedback 155

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

10.2 布局示例

图10-1. MCT8329A 器件布局示例

English Data Sheet: SLLSFQ3

156 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

10.3 散热注意事项

MCT8329A 具有如前所述的热关断功能 (TSD)。如果内核温度超过 150°C（最低），则会禁用器件，直到温度降

至安全水平。

如果该器件有任何进入热关断状态的倾向，则说明功耗过大、散热不足或环境温度过高。

10.3.1 功率损耗

MCT8329A 集成了各种会使总功率损耗增大的电路。这些功率损耗包括待机功率损耗、GVDD 功率损耗、AVDD

功率损耗、DVDD 功率损耗。在启动和故障情况下，相应的电流远大于正常运行电流；务必将这些峰值电流及其

持续时间考虑在内。器件可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。

Submit Document Feedback 157

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

11 器件和文档支持

11.1 文档支持

11.1.1 相关文档

• 请参阅应用手册使用DRV8329 在无线电动工具中输送电力

• 请参阅应用手册大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项

• 请参阅E2E 常见问题解答如何进行BLDC 原理图审阅和调试

• 请参阅应用手册电机驱动器电路板布局布线最佳实践

• 请参阅应用手册QFN 和SON PCB 连接

• 请参阅应用手册高电流电机驱动应用中的关断开关

11.2 支持资源

TI E2E^™支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解

答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。

链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅

TI 的《使用条款》。

11.3 商标

TI E2E^™is a trademark of Texas Instruments.

所有商标均为其各自所有者的财产。

11.4 静电放电警告

静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理

和安装程序，可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参

数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

11.5 术语表

TI 术语表

本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。

12 机械、封装和可订购信息

下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是适用于指定器件的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，

且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查看左侧的导航面板。

English Data Sheet: SLLSFQ3

158 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

PACKAGE OUTLINE

REE0036A

WQFN - 0.8 mm max height

S

C

A

L

E

3

.

3

0

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

4.1

3.9

B

A

PIN 1 INDEX AREA

5.1

4.9

C

0.8 MAX

SEATING PLANE

0.08

0.05

0.00

2X 2.8

2.8

2.6

(0.1) TYP

11

18

4X (0.41)

32X 0.4

10

19

2X

3.6

SYMM

3.8

3.6

1

28

0.25

0.15

36X

29

36

PIN 1 ID

0.1

C A B

SYMM

0.5

0.3

0.05

36X

4226725/A 04/2021

NOTES:

1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing

per ASME Y14.5M.

2. This drawing is subject to change without notice.

3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.

www.ti.com

Submit Document Feedback 159

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

EXAMPLE BOARD LAYOUT

REE0036A

WQFN - 0.8 mm max height

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

(3.8)

2X (2.8)

(2.7)

29

36

36X (0.6)

32X (0.2)

1

28

32X (0.4)

(4.8)

37

SYMM

(3.7)

2X (3.6)

2X (0.625)

2X (0.975)

10

19

(R0.05) TYP

11

(

0.2) TYP

18

2X (1.1)

SYMM

LAND PATTERN EXAMPLE

EXPOSED METAL SHOWN

SCALE:18X

0.05 MAX

ALL AROUND

0.05 MIN

ALL AROUND

SOLDER MASK

OPENING

METAL

EXPOSED

METAL

EXPOSED

METAL

SOLDER MASK

OPENING

METAL UNDER

SOLDER MASK

NON SOLDER MASK

DEFINED

(PREFERRED)

SOLDER MASK

DEFINED

SOLDER MASK DETAILS

4226725/A 04/2021

NOTES: (continued)

4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature

number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).

www.ti.com

160 Submit Document Feedback

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

MCT8329A

ZHCSQ43 –JANUARY 2023

www.ti.com.cn

EXAMPLE STENCIL DESIGN

REE0036A

WQFN - 0.8 mm max height

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

(3.8)

2X (2.8)

6X (1.19)

36

29

36X (0.6)

1

28

36X (0.2)

6X

(1.05)

32X (0.4)

2X (3.6)

SYMM

(4.8)

2X (1.25)

10

19

(R0.05)

TYP

11

2X (0.7)

18

SYMM

SOLDER PASTE EXAMPLE

BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL

EXPOSED PAD

75% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA

SCALE:20X

4226725/A 04/2021

NOTES: (continued)

5. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may oﬀer better paste release. IPC-7525 may have alternate

design recommendations.

www.ti.com

Submit Document Feedback 161

Product Folder Links: MCT8329A

English Data Sheet: SLLSFQ3

重要声明和免责声明

TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，

不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担

保。

这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验

证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。

这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。

您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成

本、损失和债务，TI 对此概不负责。

TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改

TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。

TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE

邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265


型号：	MCT8329A
厂家：	TEXAS INSTRUMENTS
描述：	60V 无传感器梯形控制三相 BLDC 栅极驱动器栅极驱动传感器驱动器
文件：	总163页 (文件大小：4681K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

MCT8329A [TI]

相关型号：

MCT8329A1IREER

MCT9001

MCT9001

MCT9001

MCT9001.200

MCT9001.200D

MCT9001.300

MCT9001.R2

MCT9001.S

MCT9001.SD

MCT9001.W

MCT9001300W