MSP430FR2000 [TI]
具有 0.5KB FRAM、0.5KB SRAM、比较器、UART/SPI 和计时器的 16MHz MCU;型号: | MSP430FR2000 |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | 具有 0.5KB FRAM、0.5KB SRAM、比较器、UART/SPI 和计时器的 16MHz MCU 静态存储器 比较器 |
文件: | 总86页 (文件大小:2366K) |
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MSP430FR2111, MSP430FR2110, MSP430FR2100, MSP430FR2000
ZHCSFC7E –AUGUST 2016 –REVISED JUNE 2021
MSP430FR21xx,MSP430FR2000 混合信号微控制器
– 带有锁频环(FLL) 的片上16MHz 数控振荡器
1 特性
(DCO)
• 嵌入式微控制器
• 室温下的精度为±1%(具有片上基准)
– 片上超低频10kHz 振荡器(VLO)
– 片上高频调制振荡器(MODOSC)
– 外部32kHz 晶振(LFXT)
– 可编程MCLK 预分频器(1 至128)
– 通过可编程预分频器(1、2、4 或8)从MCLK
获得的SMCLK
– 频率高达16MHz 的16 位精简指令集计算机
(RISC) 架构
– 1.8V 至3.6V 的宽电源电压范围(最低电源电压
受限于SVS 电平,请参阅SVS 规格)
• 经优化的低功耗模式(3V)
– 工作模式:120µA/MHz
• 通用输入/输出和引脚功能
– 待机
• 具有VLO 的LPM3.5:1µA
• 实时时钟(RTC) 计数器(采用32768Hz 晶
体的LPM3.5):1µA
– 16 引脚封装有12 个I/O
– 8 个中断引脚(4 个P1 引脚和4 个P2 引脚)
可将MCU 从LPM 唤醒
– 关断(LPM4.5):34nA,未使用SVS
• 高性能模拟
– 所有I/O 均为电容式触控I/O
• 开发工具与软件(另请参阅工具与软件)
– 8 通道10 位模数转换器(ADC)
– 免费的专业开发环境
– 开发套件
• 集成温度传感器
• 1.5V 的内部基准电压
• 采样与保持200ksps
– 增强型比较器(eCOMP)
• MSP-TS430PW20
• MSP‑FET430U20
• MSP‑EXP430FR2311
• MSP‑EXP430FR4133
• 系列成员(另请参阅器件比较)
• 集成6 位DAC 作为基准电压
• 可编程迟滞
• 可配置的高功率和低功率模式
• 低功耗铁电RAM (FRAM)
– MSP430FR2111:3.75KB 程序FRAM,1KB
RAM
– MSP430FR2110:2KB 程序FRAM,1KB RAM
– MSP430FR2100:1KB 程序FRAM,512 字节
RAM
– 非易失性存储器容量高达3.75KB
– 内置错误修正码(ECC)
– 可配置的写保护
– MSP430FR2000:0.5KB 程序FRAM,512 字
节RAM
• 封装选项
– 对程序、常量和存储的统一存储
– 耐写次数达1015 次
– 抗辐射和非磁性
• 智能数字外设
– 16 引脚:TSSOP (PW16)
– 24 引脚:VQFN (RLL)
– 具有三个捕捉/比较寄存器的16 位计时器
(Timer_B3)
– 一个仅用作计数器的16 位RTC 计数器
– 16 位循环冗余校验器(CRC)
• 增强型串行通信
2 应用
• 电器电池组
• 烟雾和热量探测器
• 门窗传感器
• 照明传感器
– 增强型USCI A (eUSCI_A) 支持UART、IrDA
和SPI
• 电源监控
• 个人护理电子装置
• 便携式保健和健身设备
• 时钟系统(CS)
– 片上32kHz RC 振荡器(REFO)
本文档旨在为方便起见,提供有关TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问
www.ti.com,其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLASE78
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3 说明
MSP430FR2000 和 MSP430FR21xx 器件属于 MSP430™ 微控制器 (MCU) 超值系列检测产品组合。这款超低功
耗,低成本的 MCU 系列提供从 0.5KB 至 4KB 内存大小的 FRAM 统一存储器,并具有多种封装选项,包括
3mm×3mm 的小型VQFN 封装。架构、FRAM 和集成外设与多种低功耗模式相结合,针对在便携式和电池供电检
测应用中延长电池寿命进行了优化。MSP430FR2000 和MSP430FR21xx 器件为 8 位设计提供了迁移路径,以便
通过外设集成以及 FRAM 的数据记录和低功耗优势获得额外的特性和功能。此外,使用 MSP430G2x 系列 MCU
可将现有设计迁移到MSP430FR2000 和MSP430F21xx 系列,以提高性能并利用FRAM 的优点。
MSP430FR2000 和 MSP430FR21xx 系列 MCU 具有功能强大的 16 位 RISC CPU、16 位寄存器和一个有助于获
得最大编码效率的常数发生器。数字控制振荡器 (DCO) 通常还可以让器件在不到 10µs 的时间内从低功耗模式唤
醒至激活模式。此MCU 的功能集可满足从电器电池包和电池监控到烟雾探测器和健身附件等各种应用的需求。
MSP 超低功耗 (ULP) FRAM 微控制器平台将独特的嵌入式 FRAM 和全面的超低功耗系统架构相结合,从而使系
统设计人员在低能耗条件下提升性能。FRAM 技术将 RAM 的低能耗快速写入、灵活性和耐用性与闪存的非易失
性相结合。
MSP430FR2000 和MSP430FR21x 系列MCU 由一款广泛的硬件和软件生态系统进行支持,提供参考设计和代码
示例,协助用户快速开展设计。开发套件包括 MSP-EXP430FR2311 和 MSP430FR4133 LaunchPad™ 开发套件
以及 MSP‑TS430PW20 20 引脚目标开发板。TI 还提供免费的 MSP430Ware™ 软件,该软件以 Code Composer
Studio™ IDE 桌面和云版本组件(位于TI Resource Explorer 中)的形式提供。我们为MSP430 MCU 提供广泛的
在线配套资料(例如通用示例系列、MSP Academy 培训),也通过TI E2E™ 支持论坛提供在线支持。
有关完整的模块说明,请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列器件用户指南。
器件信息
器件型号(1)
MSP430FR2111IPW16
MSP430FR2110IPW16
MSP430FR2100IPW16
MSP430FR2000IPW16
MSP430FR2111IRLL
MSP430FR2110IRLL
MSP430FR2100IRLL
MSP430FR2000IRLL
封装尺寸(2)
封装
TSSOP (16)
5mm × 4.4mm
VQFN (24)
3mm x 3mm
(1) 若要获得最新的产品、封装和订购信息,请参阅节12 中的封装选项附录,或者访问德州仪器(TI) 网
站www.ti.com.cn。
(2) 这里显示的尺寸为近似值。要获得包含误差值的封装尺寸,请参阅机械数据(节12 中)。
CAUTION
系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范,以防发生电气过载或对数据或代码存储器造
成干扰。如需更多信息,请参阅MSP430™ 系统级ESD 注意事项。
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4 功能方框图
图4-1 给出了功能方框图。
XIN XOUT
P1.x, P2.x
Cap Touch I/O
LFXT
ADC
FRAM
RAM
eCOMP0
I/O Ports
P1 (1×8 IOs)
P2 (1×4 IOs)
DVCC
8 channels,
single ended,
10 bit,
200 ksps
(see Note)
3.75KB
2KB
1KB
1KB
512 bytes
With 6-bit
DAC
Clock
System
Control
Power
Management
Module
DVSS
PA (P1, P2)
1×12 IOs
0.5KB
RST/NMI
MAB
16-MHz CPU
including
16 Registers
MDB
EEM
RTC
Counter
BAKMEM
SYS
CRC16
TB0
eUSCI_A0
TCK
TMS
32 bytes
backup
memory
16-bit
real-time
clock
16-bit
cyclic
redundancy
check
Timer_B
3 CC
registers
UART,
IrDA, SPI
JTAG
SBW
TDI/TCLK
TDO
SBWTCK
SBWTDIO
Watchdog
LPM3.5 Domain
注:ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
图4-1. 功能方框图
• 该器件具有一对主电源(DVCC 和DVSS),分别为数字和模拟模块供电。推荐的旁路电容和去耦电容分别为
4.7μF 至10μF 和0.1μF,精度为±5%。
• P1 的4 个引脚和P2 的4 个引脚均具备引脚中断功能,可将MCU 从所有低功耗模式(LPM) 唤醒(包括
LPM4、LPM3.5 和LPM4.5)。
• Timer_B3 具有三个捕捉/比较寄存器。仅CCR1 和CCR2 从外部连接。CCR0 寄存器仅用于内部周期时序和中
断生成。
• 在LPM3.5 模式下,RTC 计数器与备用存储器可继续工作,而其余外设停止工作。
• 所有通用I/O 均可配置为电容式触控I/O。
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内容
1 特性................................................................................... 1
8.12 时序和开关特性.......................................................19
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 2
4 功能方框图.........................................................................3
5 修订历史记录.....................................................................5
6 器件比较............................................................................ 7
6.1 相关产品......................................................................7
7 终端配置和功能................................................................. 8
7.1 引脚图......................................................................... 8
7.2 引脚属性......................................................................9
7.3 信号说明....................................................................11
7.4 引脚复用....................................................................13
7.5 未使用引脚的连接..................................................... 13
7.6 缓冲类型....................................................................13
8 规格................................................................................. 14
8.1 绝对最大额定值.........................................................14
8.2 ESD 等级.................................................................. 14
8.3 建议运行条件............................................................ 14
8.4 工作模式下流入VCC 的电源电流(不包括外部电
流)............................................................................. 15
8.5 工作模式下每兆赫兹的电源电流................................15
8.6 LPM0 低功耗模式下流入VCC 的电源电流(不包
括外部电流)...............................................................15
8.7 LPM3 和LPM4 低功耗模式下流入VCC 的电源电
流(不包括外部电流)................................................ 16
8.8 LPMx.5 低功耗模式下流入VCC 的电源电流(不
包括外部电流)........................................................... 17
8.9 典型特性- LPM 电源电流..........................................18
8.10 每个模块的电流消耗................................................19
8.11 热阻特征.................................................................19
9 详细说明.......................................................................... 38
9.1 概述...........................................................................38
9.2 CPU.......................................................................... 38
9.3 工作模式....................................................................38
9.4 中断向量地址............................................................ 40
9.5 内存组织....................................................................41
9.6 引导加载程序(BSL).................................................. 41
9.7 JTAG 标准接口..........................................................41
9.8 Spy-Bi-Wire 接口(SBW)...........................................42
9.9 FRAM........................................................................42
9.10 存储器保护..............................................................42
9.11 外设.........................................................................42
9.12 器件描述符(TLV).................................................... 60
9.13 标识.........................................................................61
10 应用、实现和布局..........................................................62
10.1 器件连接和布局基本准则........................................ 62
10.2 外设和接口的相关设计信息.....................................65
10.3 典型应用..................................................................66
11 器件和文档支持..............................................................67
11.1 开始.........................................................................67
11.2 器件命名规则...........................................................67
11.3 工具和软件.............................................................. 68
11.4 文档支持..................................................................70
11.5 支持资源..................................................................71
11.6 商标.........................................................................71
11.7 静电放电警告...........................................................71
11.8 术语表..................................................................... 71
12 机械、封装和可订购信息...............................................72
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5 修订历史记录
注:以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
从修订版本D 更改为修订版本E
Changes from DECEMBER 11, 2019 to JUNE 2, 2021
Page
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
• 更新了节3 说明................................................................................................................................................ 2
• 更新了节6.1,相关产品................................................................................................................................... 7
• 在节8.12.5 VREF+ 内置基准中添加了有关1.5V 内部基准规格的注释........................................................... 27
• 在图9-1 中为施密特触发使能添加了逆变器..................................................................................................... 56
从修订版本C 更改为修订版本D
Changes from AUGUST 30, 2018 to DECEMBER 10, 2019
Page
• 在节8.3 建议运行条件中更改了以“如果电源电压的变化速率快于0.2V/µs,会触发BOR 复位...”开头的注
释...................................................................................................................................................................... 14
• 在节8.3 建议运行条件中添加了以“TI 建议至DVCC 引脚的电源不得超过限制...”开头的注释.................... 14
• 在节8.3 建议运行条件中添加了以“需要±20% 或更高的电容器容差...”开头的注释.................................... 14
• 向节8.12.3.1 XT1 晶体振荡器(低频)中添加了注释“请参阅MSP430 32kHz 晶体振荡器,了解有关晶体断
面、布局和测试的详细信息”...........................................................................................................................21
• 在节8.12.3.1 XT1 晶体振荡器(低频)中更改了以“在两个端子上都需要外部电容器...”开头的注释........... 21
• 在节8.12.4.1 数字输入中添加了t(int)参数........................................................................................................25
• 在节8.12.8.1 ADC,电源和输入范围条件中将参数符号从RI 更改为RI,MUX ..................................................32
• 在节8.12.8.1 ADC,电源和输入范围条件中更正了RI,MUX 参数的测试条件................................................... 32
• 在节8.12.8.1 ADC,电源和输入范围条件中添加了RI,Misc 典型值34kΩ........................................................32
• 在节8.12.8.2 ADC,10 位时序参数中为外部ADCCLK 源添加了tCONVERT ...................................................32
• 在节8.12.8.2 ADC,10 位时序参数中为RI 添加了公式..................................................................................32
• 在节8.12.8.2 ADC,10 位时序参数中添加了以“tSample = ln(2n+1) × τ...”开头的注释................................32
• 删除了节8.12.8.3 ADC,10 位线性参数中以“器件描述符结构...”开头的表注中的“±3℃”描述............... 33
• 在节9.11.8 计时器(Timer0_B3) 中以“Timer0_B3 互连...”开头的描述中将位字段从IRDSEL 更正为
IRDSSEL”.......................................................................................................................................................47
• 更正了表9-14 ADC 通道连接中的ADCINCHx 列标题....................................................................................48
• 在表9-26 端口P1、P2 寄存器(基地址:0200h)中添加了P1SELC 信息...................................................51
• 在表9-26 端口P1、P2 寄存器(基地址:0200h)中添加了P2SELC 信息...................................................51
从修订版本B 更改为修订版本C
Changes from JULY 14, 2017 to AUGUST 29, 2018
Page
• 在节8.12.1.1 PMM、SVS 和BOR 中为VSVSH- 和VSVSH+ 参数添加了注释.................................................... 20
• 在表9-7 时钟分配中添加了注释“在SYSCFG2 寄存器中由RTCCKSEL 位控制”.......................................43
• 在图10-1 电源去耦中将1µF 电容器更改为10µF............................................................................................62
• 更新了节11.2 器件命名规则中的文本和图.......................................................................................................67
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从修订版本A 更改为修订版本B
Changes from AUGUST 13, 2016 to JULY 13, 2017
Page
• 添加了MSP430FR2100 和MSP430FR2000 器件.............................................................................................1
• 重新排列节1 特性中的项目............................................................................................................................... 1
• 更正了整个文档中的RLL 封装系列(将QFN 更改为VQFN).......................................................................... 1
• 更新了节2 中的应用程序列表.............................................................................................................................1
• 更新了节3 说明................................................................................................................................................ 2
• 在图4-1 功能框图中更正了端口P1 的位数....................................................................................................... 3
• 在表7-2 信号说明中更新了以“这是通过TBRMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释............................. 11
• 在表7-2 信号说明中更新了以“这是通过USCIARMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释.......................11
• 删除了之前的图5-2 低功耗模式3 电源电流与温度间的关系...........................................................................18
• 更新了节8.11 热阻特性中的注释......................................................................................................................19
• 在表9-1 工作模式中将LPM3 列中的eUSCI_A 的条目从“关闭”更改为“可选”........................................38
• 在表9-11 eUSCI 引脚配置中更新了以“这是通过USCIARMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释......... 46
• 在表9-12 Timer0_B3 信号连接中更新了以“这是通过TBRMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释........ 47
• 从表9-21 SYS 寄存器中删除了SYSBERRIV 寄存器(不受支持)................................................................51
• 更新了节11.3 工具和软件中的“设计套件和评估模块”说明..........................................................................68
从初始发行版更改为修订版本A
Changes from AUGUST 11, 2016 to AUGUST 12, 2016
Page
• 将文档状态从“产品预发布”更改为“生产数据”.............................................................................................1
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6 器件比较
表6-1 总了可用产品系列成员的特性。
表6-1. 器件比较
SRAM(字
节)
器件(1) (2)
程序FRAM (KB)
10 位ADC 通道
TB0
eUSCI_A
eCOMP0
I/O
封装
MSP430FR2111IPW16
MSP430FR2110IPW16
MSP430FR2100IPW16
MSP430FR2000IPW16
MSP430FR2111IRLL
MSP430FR2110IRLL
MSP430FR2100IRLL
MSP430FR2000IRLL
3.75
2
1024
1024
512
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
3 × CCR(3)
1
1
1
1
1
1
1
1
8
8
8
-
1
1
1
1
1
1
1
1
12
12
12
12
12
12
12
12
16 PW (TSSOP)
16 PW (TSSOP)
16 PW (TSSOP)
16 PW (TSSOP)
24 RLL (VQFN)
24 RLL (VQFN)
24 RLL (VQFN)
24 RLL (VQFN)
1
0.5
3.75
2
512
1024
1024
512
8
8
8
-
1
0.5
512
(1) 要获得最新的器件、封装和订购信息,请参阅封装选项附录(节12),或者访问TI 网站www.ti.com.cn。
(2) 封装图、标准包装数量、热数据、符号和PCB 设计指南可从www.ti.com/packaging 获得
(3) CCR 寄存器属于可配置寄存器,可提供内部和外部捕捉/比较输入,或者内部和外部PWM 输出。
6.1 相关产品
有关该系列产品或相关产品中的其他器件的信息,请参阅以下链接。
微控制器(MCU) 和处理器概述
我们种类丰富的16 和32 位微控制器(MCU) 产品系列具有实时控制功能和高精度模拟集成功能,并针对工业和汽
车应用进行了优化。凭借数十年积累的专业知识和创新的硬件和软件解决方案,我们的MCU 可满足任何设计和预
算需求。
MSP430™ 微控制器(MCU) 概述
我们的 16 位MSP430™ 微控制器 (MCU) 可提供经济实惠、适用于所有应用的解决方案。凭借我们在集成式精密
模拟产品领域的领导地位,设计人员能够提高系统性能并降低系统成本。设计人员可以从种类广泛的 MSP430 产
品系列中找到具有成本效益的 MCU,该产品系列包含可满足几乎任何需求的 2000 多种器件。借助我们简易的工
具、软件和卓越的支持,快速开始并缩短上市时间。
参考设计
查找采用了TI 出色技术的参考设计–从模拟和电源管理到嵌入式处理器。
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7 终端配置和功能
7.1 引脚图
图7-1 展示了16 引脚PW 封装的引脚分配。
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
P1.1/UCA0CLK/ACLK/C1/A1
P1.0/UCA0STE/SMCLK/C0/A0/Veref+
TEST/SBWTCK
P1.2/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0TRG/C2/A2/Veref-
P1.3/UCA0TXD/UCA0SIMO/C3/A3
P1.4/UCA0STE/TCK/A4
P1.5/UCA0CLK/TMS/A5
RST/NMI/SBWTDIO
DVCC
P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6
P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+
P2.0/TB0.1/COUT
DVSS
P2.7/TB0CLK/XIN
P2.6/MCLK/XOUT
P2.1/TB0.2
ADC(信号A0 至A7、Veref+ 和Veref-)在MSP430FR2000 器件上不可用。
图7-1. 16 引脚PW (TSSOP)(顶视图)
图7-2 展示了24 引脚RLL 封装的引脚分配。
24 23 22 21 20 19
TEST/SBWTCK
RST/NMI/SBWTDIO
DVCC
NC
1
2
3
4
5
6
18
17
16
15
14
13
P1.3/UCA0TXD/UCA0SIMO/C3/A3
P1.4/UCA0STE/TCK/A4
DVSS
P1.5/UCA0CLK/TMS/A5
P2.7/TB0CLK/XIN
NC
P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6
P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+
7
8
9 10 11 12
ADC(信号A0 至A7、Veref+ 和Veref-)在MSP430FR2000 器件上不可用。
图7-2. 24 引脚RLL (VQFN)(俯视图)
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7.2 引脚属性
表7-1 列出了所有引脚的属性。
表7-1. 引脚属性
引脚编号
信号名称(1) (2)
P1.1 (RD)
信号类型(3)
缓冲类型(4)
BOR 后的复位状态(5)
电源
PW16
RLL
I/O
I/O
O
I
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
关闭
–
–
–
-
UCA0CLK
ACLK
1
23
C1
模拟
A1(6)
I
模拟
P1.0 (RD)
UCA0STE
SMCLK
C0
I/O
I/O
O
I
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
–
–
–
–
-
2
20
模拟
A0(6)
I
模拟
Veref+(6)
TEST (RD)
SBWTCK
RST (RD)
NMI
I
电源
I
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
3
4
1
2
I
-
I/O
I
关闭
–
SBWTDIO
DVCC
I/O
P
–
5
6
3
4
N/A
N/A
电源
DVSS
P
电源
P2.7 (RD)
TB0CLK
XIN
I/O
I
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
–
7
5
I
-
P2.6 (RD)
MCLK
I/O
O
O
I/O
I/O
I/O
I/O
O
I/O
O
I/O
I/O
O
I
关闭
–
8
9
7
11
8
XOUT
-
P2.1(RD)
TB0.2
关闭
-
P2.0 (RD)
TB0.1
关闭
–
10
COUT
–
P1.7 (RD)
UCA0TXD
UCA0SIMO
TB0.2
关闭
–
–
11
13
–
TDO
–
A7(6)
模拟
电源
–
VREF+
O
–
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表7-1. 引脚属性(continued)
引脚编号
信号名称(1) (2)
P1.6 (RD)
信号类型(3)
缓冲类型(4)
BOR 后的复位状态(5)
电源
PW16
RLL
I/O
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
DVCC
关闭
–
UCA0RXD
UCA0SOMI
TB0.1
I
I/O
–
12
14
I/O
–
TDI
I
–
TCLK
I
–
A6(6)
I
模拟
–
P1.5 (RD)
UCA0CLK
TMS
I/O
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
-
I/O
13
14
15
16
I
–
A5(6)
I
模拟
P1.4 (RD)
UCA0STE
TCK
I/O
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
–
I/O
I
–
A4(6)
I
模拟
–
P1.3 (RD)
UCA0TXD
UCA0SIMO
C3
I/O
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
–
O
15
17
I/O
–
I
模拟
–
A3(6)
I
模拟
–
P1.2 (RD)
UCA0RXD
UCA0SOMI
TB0TRG
C2
I/O
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
LVCMOS
关闭
–
I
I/O
–
16
19
I
I
I
I
–
模拟
模拟
电源
–
A2(6)
–
Veref-(6)
–
6、9、
10、12、
18、21、
22、24
NC(7)
-
-
-
–
(1) 带有(RD) 的信号名称表示复位默认引脚名称。
(2) 要确定每个引脚的复用编码,请参阅节9.11.15。
(3) 信号类型:I = 输入,O = 输出,I/O = 输入或输出。
(4) 缓冲类型:LVCMOS、模拟或电源(请参阅节7.6)
(5) 复位状态:
OFF = 禁用上拉或下拉的高阻抗输入(如果可用)
N/A = 不适用
(6) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
(7) NC = 未连接
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7.3 信号说明
表7-2 介绍了所有器件型号和封装选项的信号。
表7-2. 信号说明
引脚编号
功能
信号名称
引脚类型
说明
PW16
2
RLL
20
23
19
17
16
15
14
13
20
19
20
23
19
17
8
A0
I
I
模拟输入A0
A1
1
模拟输入A1
A2
16
15
14
13
12
11
2
I
模拟输入A2
A3
I
模拟输入A3
A4
I
模拟输入A4
ADC(1)
A5
I
模拟输入A5
A6
I
模拟输入A6
A7
I
模拟输入A7
Veref+
Veref-
C0
I
ADC 正基准
16
2
I
ADC 负基准
I
比较器输入通道C0
比较器输入通道C1
比较器输入通道C2
比较器输入通道C3
比较器输出通道COUT
ACLK 输出
C1
1
I
eCOMP0
C2
16
15
10
1
I
C3
I
COUT
ACLK
MCLK
SMCLK
XIN
XOUT
O
O
O
O
I
23
7
8
MCLK 输出
时钟
2
20
5
SMCLK 输出
7
晶振的输入引脚
晶振的输出引脚
Spy-Bi-Wire 输入时钟
Spy-Bi-Wire 数据输入/输出
测试时钟
8
7
O
I
SBWTCK
SBWTDIO
TCK
3
1
4
2
I/O
I
14
12
12
11
13
3
16
14
14
13
15
1
TCLK
TDI
I
测试时钟输入
调试
I
测试数据输入
TDO
O
I
测试数据输出
TMS
测试模式选择
I
测试模式引脚–JTAG 引脚上选定的数字I/O
不可屏蔽的中断输入
测试
NMI
4
2
I
系统
电源
RST
4
2
I/O
P
P
P
复位输入,低电平有效
电源
DVCC
DVSS
VREF+
5
3
6
4
电源接地
11
13
以接地端电压为基准的正向基准电压输出
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表7-2. 信号说明(continued)
引脚编号
功能
信号名称
引脚类型
说明
PW16
RLL
20
23
19
17
16
15
14
13
8
P1.0
P1.1
P1.2
P1.3
P1.4
P1.5
P1.6
P1.7
P2.0
P2.1
P2.6
P2.7
2
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
I
通用I/O
1
通用I/O
16
15
14
13
12
11
10
9
通用I/O
通用I/O
通用I/O(2)
通用I/O(2)
通用输入/输出
(GPIO)
通用I/O(2)
通用I/O(2)
通用I/O
11
7
通用I/O
8
通用I/O
7
5
通用I/O
UCA0CLK
UCA0RXD
UCA0SIMO
UCA0SOMI
UCA0STE
UCA0TXD
UCA0CLK(4)
UCA0RXD(4)
UCA0SIMO(4)
UCA0SOMI(4)
UCA0STE(4)
UCA0TXD(4)
TB0.1
13
12
11
12
14
11
1
15
14
13
14
16
13
23
19
17
19
20
17
14
13
5
eUSCI_A0 SPI 时钟输入/输出
eUSCI_A0 UART 接收数据
I/O
I/O
I/O
O
eUSCI_A0 SPI 从器件输入/主器件输出
eUSCI_A0 SPI 从器件输出/主器件输入
eUSCI_A0 SPI 从器件发送使能
eUSCI_A0 UART 发送数据
SPI 和UART
I/O
I
eUSCI_A0 SPI 时钟输入/输出
16
15
16
2
eUSCI_A0 UART 接收数据
I/O
I/O
I/O
O
eUSCI_A0 SPI 从器件输入/主器件输出
eUSCI_A0 SPI 从器件输出/主器件输入
eUSCI_A0 SPI 从器件发送使能
eUSCI_A0 UART 发送数据
15
12
11
7
I/O
I/O
I
计时器TB0 CCR1 捕捉:CCI1A 输入,比较:Out1 输出
计时器TB0 CCR2 捕捉:CCI2A 输入,比较:Out2 输出
TB0 的计时器时钟输入TBCLK
TB0.2
TB0CLK
Timer_B
TB0TRG
16
10
9
19
8
I
TB0OUTH 的TB0 外部触发器输入
TB0.1(3)
I/O
I/O
计时器TB0 CCR1 捕捉:CCI1A 输入,比较:Out1 输出
计时器TB0 CCR2 捕捉:CCI2A 输入,比较:Out2 输出
TB0.2(3)
11
6、9、
10、
12、
18、
21、
22、24
NC
NC 焊盘
–
–
–
不连接
Pad
Pad
VQFN 焊盘
VQFN 封装(RLL) 外露散热焊盘。连接至VSS。
(1) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
(2) 由于该引脚与JTAG 功能复用,因此德州仪器(TI) 建议您在JTAG 调试过程中禁用引脚中断功能,以免发生冲突。
(3) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的TBRMP 位控制的重新映射功能。当TB0 用作捕捉输入功能时,同一时刻只有一个所选端口有效。无论
此重映射位的设置如何,TB0 PWM 都会输出。
(4) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的USCIARMP 位控制的重新映射功能。同一时刻,所选端口只有一个有效。
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7.4 引脚复用
这些器件的引脚复用由寄存器设置和工作模式共同控制(例如,器件处于测试模式下)。有关每个引脚设置的详
细信息以及复用端口的原理图,请参阅节9.11.15。
7.5 未使用引脚的连接
表7-3 列出了未使用引脚的正确端接方式。
表7-3. 未使用引脚的连接
引脚(1)
电势
断开
注释
Px.0 至Px.7
RST/NMI
TEST
设置为端口功能,输出方向(PxDIR.n = 1)
47kΩ 上拉电阻或内部上拉电阻,通过10nF (1.1nF) 下拉电容选择(2)
DVCC
断开
该引脚总是有一个使能的内部下拉。
(1) 任何具有第二功能(与通用I/O 共用)的引脚都应遵循Px.0 到Px.7 未使用引脚连接指南。
(2) 当所用器件的Spy-Bi-Wire 接口处于Spy-Bi-Wire 模式,并且使用FET 接口或GANG 编程器等TI 工具时,下拉电容不得超过1.1nF。
7.6 缓冲类型
表7-4 定义表7-1 中列出的引脚缓冲器类型。
表7-4. 缓冲类型
缓冲器类型(标
准)
标称PU 或PD
强度(µA)
输出驱动强度
(mA)
PU 或PD
可编程
否
标称电压
3.0V
迟滞
是(1)
否
其他特性
请参阅节
8.12.4.3
LVCMOS
请参阅节8.12.4
有关详细信息,请参阅节8
中的模拟模块。
3.0V
N/A
N/A
模拟
SVS 启用DVCC 上的迟
滞。
3.0V
3.0V
N/A
N/A
N/A
N/A
电源(DVCC)
电源(AVCC)
否
否
否
否
(1) 仅适用于输入引脚
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8 规格
8.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值
最大值
单位
-0.3
4.1
V
施加到DVCC 引脚的电压(相对于VSS
)
VCC + 0.3
(最大
施加到任一引脚的电压(2)
-0.3
-40
V
4.1V)
±2
85
mA
°C
任一器件引脚上的二极管电流
最大结温,TJ
(3)
125
°C
贮存温度范围,Tstg
(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成损坏。这些仅为压力额定值,并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件以
外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 所有电压均以VSS 为基准。
(3) 电路板焊接期间可以采用较高的温度,根据现行的JEDEC J-STD-020 规范,峰值回流焊温度不得超过器件装运包装盒或卷盘上标注的
界定值。
8.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM),符合JEDEC 规范JESD22-C101(2)
±1000
V(ESD)
V
静电放电
±250
(1) JEDEC 文件JEP155 指出:500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。如果具备必要的预防措施,则可以在低于500V HBM
时进行生产。列为±1000 V 的引脚的实际性能可能会更高。
(2) JEDEC 文档JEP157 规定:250V CDM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。若部署必要的预防措施,不足250 V CDM 时也能进行
生产。列为±250 V 的引脚的实际性能可能会更高。
8.3 建议运行条件
最小值 标称值 最大值 单位
施加到DVCC 引脚的电源电压(1) (2) (3) (4)
电源电压(施加到DVSS 引脚)
VCC
VSS
TA
1.8
3.6
V
V
0
85
85
°C
°C
µF
–40
-40
自然通风工作温度
工作结温
TJ
DVCC 上的推荐电容(5)
CDVCC
4.7
10
无FRAM 等待状态
(NWAITSx = 0)
0
0
8
处理器频率(最大MCLK 频率)(6)
fSYSTEM
MHz
有FRAM 等待状态
16(8)
(NWAITSx = 1)(7)
fACLK
40 kHz
最大ACLK 频率
fSMCLK
16(8) MHz
最大SMCLK 频率
(1) 如果电源电压的变化速率快于0.2V/µs,即使处于建议的电源电压范围内,也会触发BOR 复位。根据数据表中针对电容器CDVCC 的建
议,相应地限制斜率。
(2) 模块的电源电压范围规范可能有所不同。可在本数据表中查看各个模块的规范。
(3) TI 建议DVCC 引脚的电源不得超过建议运行条件中指定的限值。如果超出规定的限值会导致器件发生故障,包括错误地写入RAM 和
FRAM。
(4) 最小电源电压由SVS 电平决定。请参阅节8.12.1.1 中的SVS 阈值参数。
(5) 要求电容容差为±20% 或以上。100nF(最小值)的低ESR 陶瓷电容器应放置在尽可能靠近相应引脚对的位置(几毫米以内)。
(6) 模块的最大输入时钟规范可能有所不同。可在本数据表中查看各个模块的规范。
(7) 等待状态仅发生在实际FRAM 访问时(即,FRAM 缓存缺失时)。RAM 和外设访问始终在无等待状态的情况下执行。
(8) 如果使用频率大于16MHz 的时钟源(例如,HF 晶振或DCO),则必须在时钟系统中将时钟进行分频,以满足上述工作条件。
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8.4 工作模式下流入VCC 的电源电流(不包括外部电流)
VCC = 3.0V,TA = 25°C(除非另有说明)(1)
频率(fMCLK = fSMCLK
)
1MHz
8MHz
16MHz
参数
执行存储器
测试条件
0 等待状态
0 等待状态
1 等待状态
单位
(NWAITSx = 0)
(NWAITSx = 0)
(NWAITSx = 1)
典型值
460
最大值
典型值
2670
2730
570
最大值
典型值
2940
2980
942
最大值
3.0V,25°C
3.0V,85°C
3.0V,25°C
3.0V,85°C
3.0V,25°C
FRAM
0% 缓存命中比率
IAM,FRAM (0%)
µA
475
191
FRAM
100% 缓存命中比率
IAM,FRAM (100%)
µA
µA
199
585
960
(2)
IAM, RAM
RAM
213
739
1244
(1) 所有输入均连接至0V 或VCC。输出不供应或吸收任何电流。其特点是程序执行典型数据处理。
在指定频率下,fACLK = 32768Hz,fMCLK = fSMCLK = fDCO
程序和数据全部驻留在FRAM 中。全部从FRAM 执行。
(2) 程序和数据全部存储在RAM 中。全部从RAM 执行。不访问FRAM。
8.5 工作模式下每兆赫兹的电源电流
VCC = 3.0V,TA = 25°C(除非另有说明)
参数
测试条件
[(8MHz 时的IAM 75% 缓存命中比率)–
(1MHz 时的IAM 75% 缓存命中比率)]/7MHz
典型值
单位
µA/MHz
工作模式下每兆赫兹的电流消耗,从FRAM 执
行,无等待状态(1)
dIAM,FRAM/df
120
(1) 默认设置下,所有外设均接通。
8.6 LPM0 低功耗模式下流入VCC 的电源电流(不包括外部电流)
VCC = 3.0V,TA = 25°C(除非另有说明)(1) (2)
频率(fSMCLK
)
VCC
1MHz
8MHz
16MHz
参数
单位
典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值
2.0V
3.0V
148
157
295
304
398
402
ILPM0
µA
(1) 所有输入均连接至0V 或VCC。输出不供应或吸收任何电流。
(2) 包括由SMCLK 提供时钟的看门狗计时器的电流。
fACLK = 32768Hz,fMCLK = 0MHz,fSMCLK 处于指定频率下。
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8.7 LPM3 和LPM4 低功耗模式下流入VCC 的电源电流(不包括外部电流)
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另有说明)(1)(请参阅图8-1)
温度
VCC
25°C
85°C
–40°C
参数
单位
典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0 V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
0.95
0.92
0.76
0.74
0.88
0.86
0.49
0.46
0.33
0.32
0.48
0.48
0.89
0.88
1.07
1.03
0.87
0.85
1.00
0.98
0.58
0.56
0.42
0.41
0.59
0.58
1.04
1.02
2.13
2.09
1.94
1.90
2.06
2.02
1.60
1.57
1.44
1.42
1.91
1.89
2.41
2.38
6.00
5.70
低功耗模式3,包括SVS(2) (3) (4)
低功耗模式3,VLO,不包括SVS(5)
低功耗模式3,RTC,不包括SVS(6)
低功耗模式4,包括SVS
ILPM3,XT1
µA
µA
µA
µA
µA
µA
µA
ILPM3,VLO
ILPM3, RTC
ILPM4, SVS
ILPM4
低功耗模式4,不包括SVS
ILPM4, RTC, VLO
低功耗模式4,RTC 源自VLO,不包括SVS
低功耗模式4,RTC 源自XT1,不包括SVS
ILPM4, RTC, XT1
(1) 所有输入均连接至0V 或VCC。输出无任何拉电流或灌电流
(2) 不适用于仅配有HF 晶振的器件。
(3) 采用Seiko Crystal SC-32S MS1V-T1K 晶体,选用的负载电容与要求使用的负载非常匹配。
(4) 低功耗模式3,包括SVS 测试条件:
包括由ACLK 提供时钟的看门狗计时器和由XT1 提供时钟的RTC 的电流。包括用于欠压保护和SVS 的电流(SVSHE = 1)。
CPUOFF = 1,SCG0 = 1 SCG1 = 1,OSCOFF = 0 (LPM3),
fXT1 = 32768Hz,fACLK = fXT1,fMCLK = fSMCLK = 0MHz
(5) 低功耗模式3,VLO,不包括SVS 测试条件:
包括由VLO 提供时钟的看门狗计时器的电流。已禁用RTC。包括用于欠压保护的电流。已禁用SVS (SVSHE = 0)。
CPUOFF = 1,SCG0 = 1 SCG1 = 1,OSCOFF = 0 (LPM3),
fXT1 = 32768Hz,fMCLK = fSMCLK = 0MHz
(6) RTC 使用外部32768Hz 作为源,每秒定期唤醒一次。
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8.8 LPMx.5 低功耗模式下流入VCC 的电源电流(不包括外部电流)
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
温度
VCC
25°C
85°C
–40°C
参数
单位
典型值 最大值 典型值 最大值 典型值 最大值
低功耗模式3.5,包括SVS(1) (2) (3)
(另请参见图8-2)
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
0.60
0.57
0.66
0.64
0.80
0.75
0.32
0.27
2.17
ILPM3.5, XT1
ILPM4.5, SVS
ILPM4.5
µA
µA
µA
0.23
0.25
0.43
低功耗模式4.5,包括SVS(4)
0.20
0.23
低功耗模式4.5,不包括SVS(5)
(另请参见图8-3)
0.025
0.021
0.034
0.029
0.064 0.130
0.055
(1) 不适用于仅配有HF 晶振的器件。
(2) 采用Seiko Crystal SC-32S 晶体,选用的负载电容与要求使用的负载非常匹配。
(3) 低功耗模式3.5,包括SVS 测试条件:
包括由XT1 提供时钟的RTC 的电流。包括用于欠压保护和SVS 的电流(SVSHE = 1)。已禁用内核稳压器。
PMMREGOFF = 1,CPUOFF = 1,SCG0 = 1 SCG1 = 1,OSCOFF = 1 (LPMx.5),
fXT1 = 32768Hz,fACLK = fXT1,fMCLK = fSMCLK = 0MHz
(4) 低功耗模式4.5,包括SVS 测试条件:
包括用于欠压保护和SVS 的电流(SVSHE = 1)。已禁用内核稳压器。
PMMREGOFF = 1,CPUOFF = 1,SCG0 = 1 SCG1 = 1,OSCOFF = 1 (LPMx.5),
fXT1 = 0Hz,fACLK = fMCLK = fSMCLK = 0MHz
(5) 低功耗模式4.5,不包括SVS 测试条件:
包括用于欠压保护的电流。已禁用SVS (SVSHE = 0)。已禁用内核稳压器。
PMMREGOFF = 1,CPUOFF = 1,SCG0 = 1 SCG1 = 1,OSCOFF = 1 (LPMx.5),
fXT1 = 0Hz,fACLK = fMCLK = fSMCLK = 0MHz
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8.9 典型特性- LPM 电源电流
25°C 时为3V,85°C 时为3V
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80
Temperature (°C)
Temperature (°C)
DVCC = 3V
RTC 已启用
SVS 已禁用
DVCC = 3V
XT1、12.5pF 晶振
SVS 已启用
图8-1. 低功耗模式3 电源电流与温度间的关系
图8-2. LPM3.5 电源电流与温度间的关系
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80
Temperature (°C)
DVCC = 3V
图8-3. LPM4.5 电源电流与温度间的关系
SVS 已启用
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8.10 每个模块的电流消耗
模块
测试条件
SMCLK = 8Hz,MC = 10
基准时钟
典型值
单位
Timer_B
eUSCI_A
eUSCI_A
RTC
5
µA/MHz
模块输入时钟
模块输入时钟
7
5
µA/MHz
µA/MHz
nA
UART 模式
SPI 模式
模块输入时钟
32kHz
85
8.5
CRC
MCLK
µA/MHz
从运行开始到结束
8.11 热阻特征
热指标(1) (2)
值
单位
38.7
106.5
39.5
41.2
8.6
VQFN 24 引脚(RLL)
TSSOP 16 引脚(PW16)
VQFN 24 引脚(RLL)
TSSOP 16 引脚(PW16)
VQFN 24 引脚(RLL)
TSSOP 16 引脚(PW16)
°C/W
RθJA
RθJC
RθJB
结至环境热阻,静止空气
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
°C/W
°C/W
51.5
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标。
(2) 这些值基于JEDEC 定义的2S2P 系统(基于JEDEC 定义的1S0P 系统的Theta JC [RθJC] 值除外),将随环境和应用的变化而更
改。有关更多信息,请参阅以下EIA/JEDEC 标准:
•
•
•
•
JESD51-2, Integrated Circuits Thermal Test Method Environmental Conditions - Natural Convection (Still Air)
JESD51-3, Low Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages
JESD51-7, High Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages
JESD51-9, Test Boards for Area Array Surface Mount Package Thermal Measurements
8.12 时序和开关特性
8.12.1 电源时序
图8-4 展示了下电上电、SVS 和BOR 复位条件。
V
Power Cycle Reset
VSVS+
SVS Reset
BOR Reset
VSVS–
VBOR
tBOR
t
图8-4. 重启、SVS 和BOR 复位条件
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8.12.1.1 PMM、SVS 和BOR
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值 单位
安全BOR 断电电平(1)
VBOR, safe
tBOR, safe
ISVSH,AM
0.1
V
安全BOR 复位延迟(2)
SVSH 电流消耗,工作模式
SVSH 电流消耗,低功耗模式
SVSH 断电电平(3)
10
ms
VCC = 3.6V
VCC = 3.6V
1.5
µA
nA
V
ISVSH,LPM
VSVSH-
240
1.81
1.88
80
1.71
1.74
1.86
1.99
SVSH 上电电平(3)
VSVSH+
V
VSVSH_hys
tPD,SVSH, AM
tPD,SVSH, LPM
mV
µs
µs
SVSH 滞后
10
SVSH 传播延迟,工作模式
SVSH 传播延迟,低功耗模式
100
(1) 仅当DVCC 在升高之前降至该电压以下才能正确生成安全BOR。
(2) 如果发生BOR,则仅当DVCC 在达到VSVSH+ 之前保持低电平的时间长于此时间段时,才能正确生成安全BOR。
(3) 如需更多信息,请参阅适用于具有单通道LDO 参考设计的MSP430 器件的动态电压调节电源解决方案。
8.12.2 复位时序
8.12.2.1 从低功耗模式和复位唤醒的时间
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值
最大值 单位
(额外信息)如果之前通过FRAM 控制器禁用,则
是在AM 中激活FRAM 的唤醒时间,如果为唤醒选
择了立即激活,则是从LPM 唤醒的时间(1)
tWAKE-UP FRAM
3V
10
µs
200 + 2.5 /
fDCO
从LPM0 唤醒并进入工作模式的时间(1)
tWAKE-UP LPM0
3V
ns
从LPM3 唤醒并进入工作模式的时间(1)
从LPM4 唤醒并进入工作模式的时间(2)
从LPM3.5 唤醒并进入工作模式的时间(2)
tWAKE-UP LPM3
tWAKE-UP LPM4
tWAKE-UP LPM3.5
3V
3V
3V
10
µs
µs
µs
µs
ms
ms
µs
10
350
SVSHE = 1
SVSHE = 0
350
从LPM4.5 唤醒并进入工作模式的时间(2)
tWAKE-UP LPM4.5
3V
3V
1
从RST 或BOR 事件唤醒并进入工作模式的时间(2)
RST/NMI 引脚接受复位所需的脉冲持续时间
tWAKE-UP-RESET
tRESET
1
2
(1) 唤醒时间测量的是从外部唤醒信号(例如,端口中断或唤醒事件)的边沿到可从外部观察到第一个MCLK 时钟边沿的时间。
(2) 唤醒时间测量的是从外部唤醒信号(例如,端口中断或唤醒事件)的边沿到执行用户程序第一条指令的时间。
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8.12.3 时钟规格
8.12.3.1 XT1 晶振(低频)
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)(1) (2)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
fXT1, LF
LFXTBYPASS = 0
32768
Hz
XT1 晶振,低频
在MCLK 下测得,
DCXT1, LF
30%
40%
70%
60%
XT1 振荡器LF 占空比
fLFXT = 32768Hz
XT1 振荡器逻辑电平方波输入频
率
fXT1,SW
LFXTBYPASS = 1 (3) (4)
LFXTBYPASS = 1
32768
Hz
LFXT 振荡器逻辑电平方波输入占
空比
DCXT1, SW
LFXTBYPASS = 0,
LF 晶振的振荡容差(5)
kΩ
OALFXT
CL,eff
LFXTDRIVE = {3},
200
1
fLFXT = 32768Hz,CL,eff = 12.5pF
请参阅(7)
集成的有效负载电容(6)
pF
fOSC = 32768Hz
LFXTBYPASS = 0,
LFXTDRIVE = {3},
TA = 25°C,CL,eff = 12.5pF
启动时间(9)
tSTART,LFXT
1000
ms
Hz
振荡器故障频率(10)
fFault,LFXT
XTS = 0(8)
0
3500
(1) 要改善LFXT 振荡器上的EMI,请遵循以下准则:
• 应使器件与晶体之间的走线尽可能地短。
• 在振荡器引脚的周围设计一个良好的接地平面。
• 防止来自其它时钟或数据线路的串扰进入振荡器引脚XIN 和XOUT。
• 应避免在XIN 和XOUT 引脚的下方或附近布设PCB 走线。
• 采用的组装材料和工艺应避免在振荡器的XIN 和XOUT 引脚上产生寄生负载。
• 如果采用敷形涂覆,则应确保其不会在振荡器引脚之间引起容性或阻性漏电流。
(2) 请参阅MSP430 32kHz 晶体振荡器,了解有关晶体断面、布局和测试的详细信息。
(3) 如果LFXTBYPASS 置1,则LFXT 电路会自动断电。输入信号是一个数字方波,其参数在节8.12.4.1 中定义。占空比要求由
DCLFXT, SW 定义。
(4) 不能超过整个器件的最大工作频率。
(5) 振荡容差基于推荐晶体的安全系数5。振荡容差是LFXTDRIVE 设置和有效负载的函数。一般来讲,可根据以下准则获得比较高的振荡
器容差,但应根据为应用选择的实际晶体进行评估:
• 对于LFXTDRIVE = {0},CL,eff = 3.7pF
• 对于LFXTDRIVE = {1},6pF ≤CL,eff ≤9pF
• 对于LFXTDRIVE = {2},6pF ≤CL,eff ≤10pF
• 对于LFXTDRIVE = {3},6pF ≤CL,eff ≤12pF
(6) 包括寄生接合及封装电容(每引脚约2pF)。
(7) 两个端子上都需要外部电容器,来满足晶体制造商指定的有效负载电容。支持的建议有效负载电容值为3.7pF、6pF、9pF 和12.5pF。
最大并联电容为1.6pF。PCB 会增加额外的电容,因此在总电容中也必须考虑到此电容。确认所选晶振的建议有效负载电容满足要求。
(8) 采用逻辑电平输入频率来测量,但也适用于采用晶振的操作。
(9) 包括1024 个时钟周期的启动计数器。
(10) 高于最大值规范的频率不会将故障标志置1。介于最小值和最大值规范之间的频率可能会设置标志。静态状态或长时间处于故障状态会
将标志置1。
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8.12.3.2 DCO FLL,频率
在推荐的自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
参数
VCC
3.0 V
3.0 V
测试条件
最小值
–1.0%
–2.0%
典型值 最大值 单位
1.0%
FLL 锁定频率,16MHz,25°C
FLL 锁定频率,16MHz,-40°C 至85°C
在MCLK 下测得,内部修整
REFO 作为基准
2.0%
0.5%
fDCO, FLL
在MCLK 下测得,XT1 晶振
作为基准
3.0 V
FLL 锁定频率,16MHz,-40°C 至85°C
–0.5%
fDUTY
3.0 V
3.0 V
3.0 V
3.0 V
40%
50%
0.25%
0.022%
245
60%
占空比
Jittercc
Jitterlong
tFLL, lock
周期间抖动,16MHz
长期抖动,16MHz
FLL 锁定时间
在MCLK 下测得,XT1 晶振
作为基准
ms
8.12.3.3 DCO 频率
在建议的自然通风条件下的工作温度下(除非另有说明)(请参阅图8-5)
VCC
参数
测试条件
最小值
典型值 最大值 单位
DCORSEL = 101b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 0
7.8
DCORSEL = 101b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 511
12.5
MHz
18.0
(1)
fDCO,16MHz
3.0 V
3.0 V
3.0 V
3.0 V
DCO 频率,16MHz
DCORSEL = 101b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 0
DCORSEL = 101b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 511
30.0
6.0
DCORSEL = 100b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 0
DCORSEL = 100b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 511
9.5
MHz
13.5
(1)
fDCO,12MHz
DCO 频率,12MHz
DCO 频率,8MHz
DCO 频率,4MHz
DCORSEL = 100b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 0
DCORSEL = 100b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 511
22.0
3.8
DCORSEL = 011b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 0
DCORSEL = 011b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 511
6.5
(1)
fDCO,8MHz
MHz
DCORSEL = 011b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 0
9.5
DCORSEL = 011b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 511
16.0
2.0
DCORSEL = 010b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 0
DCORSEL = 010b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 511
3.2
(1)
fDCO,4MHz
MHz
DCORSEL = 010b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 0
4.8
DCORSEL = 010b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 511
8.0
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8.12.3.3 DCO 频率(continued)
在建议的自然通风条件下的工作温度下(除非另有说明)(请参阅图8-5)
VCC
参数
测试条件
最小值
典型值 最大值 单位
DCORSEL = 001b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 0
1.0
DCORSEL = 001b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 511
1.7
(1)
fDCO,2MHz
3.0 V
MHz
DCO 频率,2MHz
DCORSEL = 001b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 0
2.5
DCORSEL = 001b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 511
4.2
0.5
DCORSEL = 000b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 0
DCORSEL = 000b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 000b,DCO = 511
0.85
MHz
1.2
(1)
fDCO,1MHz
3.0 V
DCO 频率,1MHz
DCORSEL = 000b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 0
DCORSEL = 000b,DISMOD = 1b,
DCOFTRIM = 111b,DCO = 511
2.1
(1) 此频率反映了启用或禁用FLL 时可实现的频率范围。
DCOFTRIM = 7
30
25
20
15
10
DCOFTRIM = 7
DCOFTRIM = 7
DCOFTRIM = 7
DCOFTRIM = 0
DCOFTRIM = 7
5
DCOFTRIM = 0
DCOFTRIM = 7
DCOFTRIM = 0
DCOFTRIM = 0
DCOFTRIM = 0
DCOFTRIM = 0
0
DCO
0
511
0
511
0
511
0
511
0
511
0
511
DCORSEL
0
1
2
3
4
5
图8-5. 典型DCO 频率
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8.12.3.4 REFO
在推荐的自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
IREFO
TA = 25°C
3.0 V
15
µA
Hz
REFO 振荡器电流消耗
REFO 校准频率
3.0 V
32768
在MCLK 下测得
–40°C 至85°C
在MCLK 下测得(1)
fREFO
+3.5%
60%
REFO 绝对校准容差
REFO 频率温度漂移
1.8V 至3.6V –3.5%
3.0 V
dfREFO/dT
0.01
1
%/°C
%/V
dfREFO
dVCC
/
REFO 频率电源电压漂移
25°C 时在MCLK 下测得(2)
1.8V 至3.6V
fDC
40%
50%
50
REFO 占空比
在MCLK 下测得
1.8V 至3.6 V
tSTART
µs
REFO 启动时间
40% 到60% 占空比
(1) 使用箱形法计算:(MAX (–40°C 到85°C) –MIN (–40°C 到85°C)) / MIN (–40°C 到85°C) / (85°C –(–40°C))
(2) 使用箱形法计算:(MAX (1.8V 至3.6V) –MIN (1.8V 至3.6V)) / MIN (1.8V 至3.6V) / (3.6V –1.8V)
8.12.3.5 内部超低功耗低频振荡器(VLO)
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另有说明)
VCC
3.0V
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
fVLO
10
0.5
4
kHz
%/°C
%/V
VLO 频率
在MCLK 下测得
VLO 频率温度漂移
VLO 频率电源电压漂移
占空比
在MCLK 下测得(1)
在MCLK 下测得(2)
在MCLK 下测得
dfVLO/dT
3.0V
dfVLO/dVCC
f
1.8V 至3.6V
3.0V
50%
(1) 使用箱形法计算:(MAX (–40°C 到85°C) –MIN (–40°C 到85°C)) / MIN (–40°C 到85°C) / (85°C –(–40°C))
(2) 使用箱形法计算:(MAX (1.8V 至3.6V) –MIN (1.8V 至3.6V)) / MIN (1.8V 至3.6V) / (3.6V –1.8V)
备注
当器件从工作模式切换到 LPM3 或 LPM4 时,由于基准电压发生变化,VLO 时钟频率会降低 15%(典
型值)。这种较低的频率并不违反VLO 规范(请参阅节8.12.3.5)。
8.12.3.6 模块振荡器(MODOSC)
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
参数
VCC
3.0V
3.0V
最小值 典型值 最大值 单位
fMODOSC
3.8
4.8
0.102
2.29
5.8 MHz
%/°C
MODOSC 频率
fMODOSC/dT
fMODOSC/dVCC
fMODOSC,DC
MODOSC 频率温度漂移
MODOSC 频率电源电压漂移
占空比
%/V
1.8V 至3.6V
3.0V
40%
50%
60%
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8.12.4 数字I/O
8.12.4.1 数字输入
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
2V
3V
2V
3V
2V
3V
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
0.90
1.35
0.50
0.75
0.3
1.50
2.25
1.10
1.65
0.8
VIT+
V
V
正向输入阈值电压
VIT-
负向输入阈值电压
输入电压滞后(VIT+-VIT-
上拉或下拉电阻
Vhys
V
)
0.4
1.2
对于上拉电阻:VIN = VSS
对于下拉电阻:VIN = VCC
RPull
20
35
50
kΩ
CI,dig
3
5
pF
pF
nA
输入电容,仅数字端口引脚
输入电容,共享模拟功能的端口引脚
高阻抗漏电流(1) (2)
VIN = VSS 或VCC
CI,ana
Ilkg(Px.y)
V 输入 = VSS 或VCC
2V,3V
2V,3V
-20
50
+20
外部中断时序(设置中断标志的外部触发脉冲 具有中断功能的端口(请参见
持续时间)(3)
框图和引脚功能描述)
t(int)
ns
(1) 漏电流是在把VSS 或VCC 施加至对应引脚上的情况下测量的,除非另外注明。
(2) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚,而且上拉/下拉电阻器被禁用。
(3) 每次达到最小中断脉冲持续时间t(int) 时,外部信号都会将中断标志置1。可能通过短于t(int) 的触发信号置1。
8.12.4.2 数字输出
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
参数
测试条件
I(OHmax) = –3mA(1)
I(OHmax) = –5mA(1)
I(OLmax) = 3mA(1)
I(OLmax) = 5 mA(1)
最小值 典型值 最大值 单位
1.4
2.4
0.0
0.0
16
2.0
3.0
VOH
V
V
高电平输出电压(另请参见图8-8 和图8-9)
0.60
0.60
VOL
低电平输出电压(另请参见图8-6 和图8-7)
时钟输出频率
fPort_CLK
trise,dig
tfall,dig
CL = 20pF(2)
CL = 20pF
CL = 20pF
MHz
ns
16
10
7
端口输出上升时间,仅数字端口引脚
端口输出下降时间,仅数字端口引脚
10
5
ns
(1) 所有输出组合在一起的最大总电流I(OHmax) 和I(OLmax) 不应超过±48mA,以保持指定的最大压降。
(2) 端口的输出频率至少可达到指定的限值,并可能支持更高的频率。
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8.12.4.3 数字I/O 典型特性
25
20
15
10
5
10
7.5
5
85°C
25°C
85°C
25°C
2.5
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
Low-Level Output Voltage (V)
Low-Level Output Voltage (V)
图8-6. 典型低电平输出电流与低电平输出电压(DVCC = 3V) 间的关
系
图8-7. 典型低电平输出电流与低电平输出电压(DVCC = 2V) 间的关
系
0
0
85°C
85°C
-5
25°C
25°C
-2.5
-10
-15
-20
-25
-5
-7.5
-10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
High-Level Output Voltage (V)
High-Level Output Voltage (V)
图8-8. 典型高电平输出电流与高电平输出电压(DVCC = 3V) 间的关
系
图8-9. 典型高电平输出电流与高电平输出电压(DVCC = 2V) 间的关
系
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8.12.5 VREF+ 内置基准
备注
下面指定了可供外部使用的 1.2V 基准。模拟模块仅为内部使用提供 1.5V 基准。因此,ADC 规格中包
括了1.5V 基准的精度。
8.12.5.1 VREF+ 特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
2.0 V/
3.0 V
VREF+
1.158
1.2
30
1.242
V
EXTREFEN = 1,负载电流为1mA
EXTREFEN = 1,负载电流为1mA
正内置基准电压
TCREF+
µV/°C
内置基准电压的温度系数
8.12.6 Timer_B
8.12.6.1 Timer_B
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值
最大值 单位
内部:SMCLK 或ACLK,
外部:TBCLK,
占空比= 50% ± 10%
fTB
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
16 MHz
Timer_B 输入时钟频率
所有捕获输入、捕获所需的最小脉冲持续
时间
tTB,cap
20
ns
Timer_A 捕获时序
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8.12.7 eUSCI
8.12.7.1 eUSCI(UART 模式)时钟频率
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 最大值 单位
内部:SMCLK 或MODCLK,
外部:UCLK,
feUSCI
2.0 V/3.0 V
16 MHz
eUSCI 输入时钟频率
占空比= 50% ± 10%
BITCLK 时钟频率
(等于波特率,单位为Mbaud)
fBITCLK
2.0 V/3.0 V
5
MHz
8.12.7.2 eUSCI(UART 模式)开关特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
UCGLITx = 0
UCGLITx = 1
UCGLITx = 2
UCGLITx = 3
12
40
ns
68
UART 接收抗尖峰脉冲时间(1)
tt
2.0 V/3.0 V
110
(1) 对UART 接收输入(UCxRx) 上短于UART 接收去毛刺脉冲时间的脉冲进行了抑制。为了确保脉冲能够正确识别,其宽度应超过规定的
最大去毛刺脉冲时间。
8.12.7.3 eUSCI(SPI 主模式)时钟频率
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
参数
测试条件
最小值 最大值 单位
MHz
内部:SMCLK 或MODCLK,
占空比= 50% ±10%
feUSCI
8
eUSCI 输入时钟频率
8.12.7.4 eUSCI(SPI 主模式)开关特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)(1)
VCC
参数
测试条件
最小值 最大值
单位
UCSTEM = 1,
UCMODEx = 01 或10
UCxCLK
周期
tSTE,LEAD
tSTE,LAG
3.0V
1
STE 超前时间,STE 有效到时钟
UCSTEM = 1,
UCMODEx = 01 或10
UCxCLK
周期
3.0V
1
STE 滞后时间,最后一个时钟到STE 无效
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
53
35
0
从器件输出,主器件输入(SOMI) 输入数据建立时
间
tSU,MI
ns
ns
ns
ns
tHD,MI
SOMI 输入数据保持时间
SIMO 输出数据有效时间(2)
SIMO 输出数据保持时间(3)
0
20
20
0
UCLK 边缘至SIMO 有效,
tVALID,MO
CL = 20pF
tHD,MO
CL = 20pF
0
(1) fUCxCLK = 1/2tLO/HI,tLO/HI = max(tVALID,MO(eUSCI) + tSU,SI(Slave),tSU,MI(eUSCI) + tVALID,SO(Slave)
)
对于从器件参数tSU,SI(Slave) 和tVALID,SO(Slave),请参见所连接从器件的SPI 参数。
(2) 指定输出更改UCLK 时钟边沿后将下一有效数据驱动到SIMO 输出的时间。请参阅图8-10 和图8-11 中的时序图。
(3) 指定输出更改UCLK 脉冲边沿后SIMO 输出上的数据的有效时长。负值表示SIMO 输出上的数据可能在UCLK 上观察到输出更改时钟边
沿前变为无效状态。请参阅图8-10 和图8-11 中的时序图。
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1/fUCxCLK
CKPL = 0
CKPL = 1
UCLK
tLOW/HIGH
tLOW/HIGH
tSU,MI
tHD,MI
SOMI
SIMO
tVALID,MO
图8-10. SPI 主控模式,CKPH = 0
1/fUCxCLK
CKPL = 0
CKPL = 1
UCLK
tLOW/HIGH
tLOW/HIGH
tHD,MI
tSU,MI
SOMI
SIMO
tVALID,MO
图8-11. SPI 主控模式,CKPH = 1
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8.12.7.5 eUSCI(SPI 从模式)开关特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另有说明)(1)
VCC
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
2.0V
3.0V
参数
测试条件
最小值 最大值 单位
55
ns
45
tSTE,LEAD
tSTE,LAG
tSTE,ACC
tSTE,DIS
tSU,SI
STE 超前时间,STE 有效到时钟
20
ns
20
STE 滞后时间,最后一个时钟到STE 无效
STE 访问时间,STE 有效到SOMI 数据输出
STE 禁用时间,STE 无效到SOMI 高阻抗
SIMO 输入数据建立时间
65
ns
40
50
ns
35
10
ns
8
12
ns
12
tHD,SI
SIMO 输入数据保持时间
68
ns
42
UCLK 边缘至SOMI 有效,
CL = 20pF
SOMI 输出数据有效时间(2)
tVALID,SO
5
SOMI 输出数据保持时间(3)
tHD,SO
CL = 20pF
ns
5
(1) fUCxCLK = 1/2tLO/HI,tLO/HI ≥max(tVALID,MO(Master) + tSU,SI(eUSCI),tSU,MI(Master) + tVALID,SO(eUSCI)
)
对于主器件参数tSU,MI(Master) 和tVALID,MO(Master),请参阅所连接主器件的SPI 参数。
(2) 指定输出更改UCLK 时钟边沿后将下一有效数据驱动到SOMI 输出的时间。请参阅图8-12 和图8-13 中的时序图。
(3) 指定输出更改UCLK 脉冲边沿后SOMI 输出上的数据的有效时长。请参阅图8-12 和图8-13 中的时序图。
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tSTE,LEAD
tSTE,LAG
STE
1/fUCxCLK
CKPL = 0
CKPL = 1
UCLK
tSU,SIMO
tHD,SIMO
tLOW/HIGH
tLOW/HIGH
SIMO
SOMI
tACC
tVALID,SOMI
tDIS
图8-12. SPI 受控模式,CKPH = 0
tSTE,LEAD
tSTE,LAG
STE
1/fUCxCLK
CKPL = 0
CKPL = 1
UCLK
tLOW/HIGH
tLOW/HIGH
tHD,SI
tSU,SI
SIMO
SOMI
tACC
tDIS
tVALID,SO
图8-13. SPI 受控模式,CKPH = 1
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8.12.8 ADC
备注
ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
8.12.8.1 ADC,电源和输入范围条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
参数
VCC
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
DVCC
V(Ax)
2.0
0
3.6
V
V
ADC 电源电压
DVCC
所有ADC 引脚
模拟输入电压范围
fADCCLK = 5MHz,ADCON = 1,
REFON = 0,SHT0 = 0,SHT1 = 0,
ADCDIV = 0,ADCCONSEQx = 10b
2V
3V
185
207
流入DVCC 引脚的工作电源电流,不包含
基准电流,重复单通道模式
IADC
µA
pF
从焊盘到ADC 电容器阵列一次只能选择一
个端子Ax(包括接线和焊盘)
CI
2.2V
2.5
34
3.5
2
输入电容
RI,MUX
RI,Misc
输入MUX 导通电阻
DVCC = 2V,0V ≤VAx ≤DVCC
kΩ
kΩ,
输入其他电阻
8.12.8.2 ADC,10 位时序参数
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
fADCCLK
fADCOSC
0.45
3.8
5
5.5 MHz
5.8 MHz
对于指定的ADC 线性参数的性能
ADCDIV = 0,fADCCLK = fADCOSC
2V 至3.6V
2V 至3.6V
内部ADC 振荡器
(MODOSC)
4.8
REFON = 0,内部振荡器,
10 个ADCCLK 周期,10 位模式,
fADCOSC = 4.5MHz 至5.5MHz
2.18
2.67
µs
2V 至3.6V
2V 至3.6V
t 转换
转换时间
12 ×
1 /
fADCCLK
来自ACLK、MCLK 或SMCLK 的外部fADCCLK
ADCSSEL ≠0
,
转换tADCON 后的误差小于±0.5 LSB。
基准和输入信号已稳定下来。
tADCON
100
ns
µs
ADC 的接通稳定时间
RS = 1000Ω,RI (1) = 36000Ω,CI = 3.5pF,
使误差小于±0.5 LSB 需要大约8 Tau(t)(2)
2V
3V
1.5
2.0
tSample
采样时间
(1) RI = RI,MUX + RI,Misc
(2) tSample = ln(2n+1) × τ,其中n = ADC 分辨率,τ= (RI + RS) × CI
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8.12.8.3 ADC,10 位线性参数
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
参数
VCC
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
-2
-2
2
2
积分线性误差(10 位模式)
2.4V 至3.6 V
2.0V 至3.6V
2.4V 至3.6 V
2.0V 至3.6V
2.4V 至3.6 V
2.0V 至3.6V
EI
LSB
LSB
mV
Veref+ 基准
积分线性误差(8 位模式)
差分线性误差(10 位模式)
差分线性误差(8 位模式)
偏移误差(10 位模式)
偏移误差(8 位模式)
-1
1
ED
EO
Veref+ 基准
Veref+ 基准
-1
1
-6.5
6.5
6.5
-6.5
2.0 LSB
3.0%
2.0 LSB
3.0%
2.0 LSB
3.0%
2.0 LSB
3.0%
Veref+ 作为基准
内部1.5V 基准
Veref+ 作为基准
内部1.5V 基准
Veref+ 作为基准
内部1.5V 基准
Veref+ 作为基准
内部1.5V 基准
–2.0
–3.0%
–2.0
–3.0%
–2.0
–3.0%
–2.0
–3.0%
增益误差(10 位模式)
增益误差(8 位模式)
2.4V 至3.6 V
2.0V 至3.6V
2.4V 至3.6 V
2.0V 至3.6V
EG
总未调整误差(10 位模式)
总未调整误差(8 位模式)
ET
ADCON = 1,INCH = 0Ch,
TA = 0℃
请参阅(1)
请参阅(2)
VSENSOR
3.0V
3.0V
913
mV
TCSENSOR
ADCON = 1,INCH = 0Ch
3.35
mV/℃
ADCON = 1,INCH = 0Ch,
转换结果误差≤1LSB,AM
以及LPM3 以上的所有LPM
3.0V
3.0V
30
tSENSOR
µs
如果选择通道12,则需要采样时间
(sample)
ADCON = 1,INCH = 0Ch,
转换结果误差≤1LSB,
LPM3
100
(1) 温度传感器偏移可能明显不同。德州仪器(TI) 建议进行单点校准,以便最大限度地减小内置温度传感器的偏移误差。
(2) 器件描述符结构包含每个可用基准电压等级的30℃和85°C 的校准值。传感器电压计算公式为:VSENSE = TCSENSOR × (温度,°C) +
VSENSOR,其中TCSENSOR 和VSENSOR 可采用校准值计算得出,以便提高精度。
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8.12.9 增强型比较器(eCOMP)
8.12.9.1 eCOMP 特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
VCC
VIC
2.0
0
3.6
V
V
电源电压
VCC
共模输入范围
CPEN = 1,CPHSEL = 00
0
10
CPEN = 1,CPHSEL = 01
VHYS
mV
mV
2.0V 至3.6V
直流输入迟滞
CPEN = 1,CPHSEL = 10
20
CPEN = 1,CPHSEL = 11
30
CPEN = 1,CPMSEL = 0,CPHSEL = 00
CPEN = 1,CPMSEL = 1,CPHSEL = 00
VIC = VCC/2,CPEN = 1,CPMSEL = 0
VIC = VCC/2,CPEN = 1,CPMSEL = 1
-40
±5
+40
VOFFSET
2.0V 至3.6V
2.0V 至3.6V
输入失调电压
±10
22
35
来自VCC 的静态电流
消耗,仅使用比较器
ICOMP
µA
µA
1.3
3.5
来自VCC 的静态电流
消耗,仅DAC
输入通道电容(1)
IDAC
CIN
RIN
CPDACREFS = 0,CPEN = 0
0.5
2.0V 至3.6V
2.0V 至3.6V
1
pF
kΩ
10
20
1
开启(开关关闭)
关闭(开关打开)
2.0V 至3.6V
输入通道串联电阻
50
MΩ
CPMSEL = 0,CPFLT = 0,
过驱= 20mV(2)
tPD
µs
µs
传播延迟,响应时间
2.0V 至3.6V
CPMSEL = 1,CPFLT = 0,
过驱= 20mV(2)
2.4
9.3
12
CPEN = 0→1,CPMSEL = 0,
V+ 和V- 来自焊盘,过驱= 20mV(2)
tEN_CP
2.0V 至3.6V
2.0V 至3.6V
比较器使能时间
CPEN = 0→1,CPMSEL = 1,
来自焊盘的V+ 和V-,过驱= 20mV(2)
CPEN = 0→1,CPDACEN=0→1,
CPMSEL = 0,CPDACREFS = 1,
CPDACBUF1 = 0F,过驱= 20mV(2)
9.3
113
0.7
1.1
具有基准DAC 使能时
间的比较器
tEN_CP_DAC
µs
CPEN = 0→1,CPDACEN=0→1,
CPMSEL = 1,CPDACREFS = 1,
CPDACBUF1 = 0F,过驱= 20mV (2)
CPMSEL = 0,CPFLTDY = 00,
过驱= 20mV,(2)
CPFLT = 1
CPMSEL = 0,CPFLTDY = 01,
过驱= 20mV,(2)
CPFLT = 1
模拟滤波器激活时的传
播延迟
tFDLY
µs
2.0V 至3.6V
CPMSEL = 0,CPFLTDY = 10,
过驱= 20mV,(2) CPFLT = 1
1.9
3.7
CPMSEL = 0,CPFLTDY = 11,
过驱= 20mV,(2) CPFLT = 1
VIN = 6 位DAC 的基准电压,
DAC 使用内部REF,n = 0 至63
VIN ×
n / 64
内置6 位DAC 的基准
电压
VCP_DAC
V
2.0V 至3.6V
VIN = 6 位DAC 的基准电压,
DAC 使用VCC 作为REF,n = 0 至63
VIN ×
n / 64
INL
-0.5
-0.5
+0.5 LSB
+0.5 LSB
LSB
2.0V 至3.6V
2.0V 至3.6V
2.0V 至3.6V
积分非线性
微分非线性
零标度
DNL
0
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8.12.9.1 eCOMP 特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
VCC
参数
测试条件
最小值 典型值 最大值 单位
nA
IDACOFF
5
2.0V 至3.6V
漏电流
(1) 对于eCOMP CIN 模型,请参阅图8-14。
(2) 此值是在输入失调电压上测得。
MSP430
VI = External source voltage
RS = External source resistance
RI = Internal MUX-on input resistance
CIN = Input capacitance
RS
RI
VI
VC
CPAD = PAD capacitance
CPext = Parasitic capacitance, external
VC = Capacitance-charging voltage
Cpext
CIN
CPAD
图8-14. eCOMP 输入电路
8.12.10 FRAM
8.12.10.1 FRAM 特性
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另外注明)
参数
测试条件
最小值
1015
100
40
典型值 最大值 单位
周期
耐读写次数
TJ = 25°C
TJ= 70°C
TJ= 85°C
t 保持
数据保持持续时间
年
10
(1)
IWRITE
IERASE
tWRITE
IREAD
nA
写入FRAM 的电流
擦除电流
n/a(2)
(3)
(4)
(4)
tREAD
1 / fSYSTEM
2 / fSYSTEM
ns
ns
ns
写入时间
读取时间,NWAITSx = 0
读取时间,NWAITSx = 1
IREAD
(1) 与对FRAM 执行读取操作相比,对FRAM 执行写入操作无需设置过程或更多功耗。活动模式电流消耗IAM, FRAM 中包括FRAM 读取电流
IREAD
。
(2) n/a = 不适用。FRAM 不需要特殊的擦除序列。
(3) 写入FRAM 的速度与读取速度一样快。
(4) 最大读取(和写入)速度由fSYSTEM 使用适当的等待状态设置(NWAITSx) 来指定。
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8.12.11 仿真和调试
8.12.11.1 JTAG,Spy-Bi-Wire 接口
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另有说明)(请参阅图8-15)
VCC
参数
最小值 典型值 最大值 单位
fSBW
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
0
8
MHz
µs
Spy-Bi-Wire 输入频率
tSBW,低电平
0.028
15
Spy-Bi-Wire 低电平时钟脉冲持续时间
SBWTDIO 建立时间(在TMS 和TDI 时隙Spy-Bi-Wire 中SBWTCK
的下降沿之前)
tSU,SBWTDIO
tHD,SBWTDIO
tValid,SBWTDIO
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
4
ns
ns
ns
SBWTDIO 保持时间(在TMS 和TDI 时隙Spy-Bi-Wire 中SBWTCK
的上升沿之后)
19
SBWTDIO 数据有效时间(在TDO 时隙Spy-Bi-Wire 中SBWTCK 的
下降沿之后)
31
Spy-Bi-Wire 使能时间(TEST 高电平到接受第一个时钟边沿的时间)
tSBW, En
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
110
100
µs
µs
(1)
Spy-Bi-Wire 恢复正常运行的时间(2)
tSBW,Ret
15
(1) 访问Spy-Bi-Wire 接口的工具必须在将TEST/SBWTCK 引脚拉为高电平后等待tSBW,En 时间,然后再施加第一个SBWTCK 时钟边沿。
(2) 将TEST/SBWTCK 引脚拉低或释放,Spy-Bi-Wire 引脚从其Spy-Bi-Wire 功能恢复为其应用功能之后的最大tSBW,Rst 时间。仅当选择了
Spy-Bi-Wire 模式时,此时间才适用。
tSBW,EN
1/fSBW
tSBW,Low
tSBW,High
tSBW,Ret
TEST/SBWTCK
tEN,SBWTDIO
tValid,SBWTDIO
RST/NMI/SBWTDIO
tSU,SBWTDIO
tHD,SBWTDIO
图8-15. JTAG Spy-Bi-Wire 时序
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8.12.11.2 JTAG 4 线制接口
在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内(除非另有说明)(请参阅图8-16)
VCC
参数
最小值 典型值 最大值 单位
TCK 输入频率(1)
fTCK
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
2.0 V/3.0 V
0
15
15
11
3
10 MHz
tTCK,Low
tTCK,high
tSU,TMS
tHD,TMS
tSU,TDI
ns
ns
ns
ns
ns
ns
TCK 低电平时钟脉冲持续时间
TCK 高电平时钟脉冲持续时间
TMS 建立时间(TCK 的上升沿之前)
TCK 保持时间(TCK 的上升沿之后)
TDI 建立时间(TCK 的上升沿之前)
TDI 保持时间(TCK 的上升沿之后)
TDO 高阻抗到有效输出时间(TCK 的下降沿之后)
TDO 到新的有效输出时间(TCK 的下降边沿之后)
TDO 有效到高阻抗输出时间(TCK 的下降沿之后)
JTAG 恢复正常运行的时间
13
5
tHD,TDI
tz-Valid,TDO
tValid,TDO
tValid-Z,TDO
tJTAG,Ret
Rinternal
26
26
ns
ns
ns
µs
kΩ
26
15
20
100
50
2.0 V/3.0 V
35
TEST 上的内部下拉电阻
(1) 可限制fTCK 以满足选定模块的时序要求。
1/fTCK
tTCK,Low
tTCK,High
TCK
TMS
tSU,TMS
tHD,TMS
TDI
(or TDO as TDI)
tSU,TDI
tHD,TDI
TDO
tZ-Valid,TDO
tValid,TDO
tValid-Z,TDO
tJTAG,Ret
TEST
图8-16. JTAG 4 线制时序
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9 详细说明
9.1 概述
德州仪器 (TI) MSP430FR211x 系列超低功耗微控制器包含多种器件,各成员器件配备不同的外设集。这种架构与
五种低功耗模式相组合,专为延长电池使用寿命(例如,在便携式测量应用中)而优化。该器件具有功能强大的
16 位RISC CPU、16 位寄存器和常数发生器,有助于实现出色的编码效率。
MSP430FR211x 器件是有一个 Timer_B、具有内置 6 位 DAC 作为内部基准电压的 eCOMP、高性能 10 位
ADC、支持UART 和SPI 的eUSCI、具有警报功能的RTC 模块以及多达12 个I/O 引脚的微控制器配置。
9.2 CPU
MSP430 CPU 具有一个对于应用高度透明的16 位精简指令集(RISC) 架构。所有的操作(程序流指令除外)均作
为寄存器操作与用于源操作数的7 种寻址模式和用于目的操作数的4 种寻址模式一起执行。
CPU 与16 个寄存器进行了集成,从而提供精简指令执行时间。寄存器至寄存器操作执行时间为 CPU 时钟的一个
周期。
R0 到R3 这四个寄存器为专用寄存器,分别用于程序计数器 (PC)、堆栈指针 (SP)、状态寄存器 (SR) 和常数发生
器(CG)。其余的寄存器为通用型寄存器。
外设通过数据、地址和控制总线连接至CPU。可使用所有指令管理外设。
9.3 工作模式
MSP430 具有一种活动模式和几种软件可选的低功耗运行模式(请参阅表9-1)。中断事件可将器件从低功耗模式
LPM0、LPM3 或 LPM4 唤醒、为请求提供服务,以及从中断程序返回时恢复到低功耗模式。低功耗模式 LPM3.5
和LPM4.5 禁用了内核电源,可最大限度地降低功耗。
备注
如果低频外设发出请求,则XT1CLK 和VLOCLK 可在LPM4 期间处于活动状态。
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表9-1. 工作模式
AM
LPM0
CPU 关闭
16MHz
LPM3
LPM4
LPM3.5
LPM4.5
SHUTDOWN
0
模式
仅RTC 计数
器
工作模式
待机
关闭
16MHz
40kHz
0
40kHz
0.66µA
150µs
最大系统时钟
0.42µA,未使
用SVS
34nA,未使用
120µA/MHz
N/A
40µA/MHz
1.5µA
10µs
全部
25°C,3V 条件下的功耗
唤醒时间
SVS
10µs
150µs
I/O
即时
全部
RTC 计数器
N/A
I/O
唤醒事件
I/O
稳压器
完全稳压
打开
打开
激活
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
打开
打开
打开
打开
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
开启
可选
完全稳压
打开
打开
关闭
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
关闭
打开
打开
打开
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
可选
部分断电
可选
打开
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
可选
可选
可选
可选
关闭
关闭
打开
打开
可选
可选
可选
关闭
可选
可选
可选
状态保持
可选
部分断电
可选
打开
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
打开
打开
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
可选
关闭
状态保持
关闭
部分断电
可选
打开
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
可选
可选
关闭
关闭
关闭
打开
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
可选
状态保持
关闭
断电
可选
打开
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
状态保持
关闭
SVS
电源
欠压
MCLK
SMCLK
FLL
DCO
时钟(2)
MODCLK
REFO
ACLK
XT1LFCLK
VLOCLK
CPU
FRAM
RAM
内核
备用存储器(1)
Timer_B3
WDT
eUSCI_A
CRC
外设
ADC(3)
eCOMP
RTC 计数器
通用数字输入/输出
电容式触控I/O
I/O
(1) 外设存储器中的备用存储器包含32 个字节的寄存器空间。有关其存储器分配的信息,请参阅表9-18 和表9-31。
(2) 为LPM4 显示的状态仅适用于内部时钟。
(3) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
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9.4 中断向量地址
中断向量和上电起始地址在 0FFFFh 至 0FF80h 地址范围内。该向量包含相应中断处理程序指令序列的 16 位地
址。表9-2 汇总了中断源、标志和向量。
表9-2. 中断源、标志、和矢量
中断标志
中断源
系统中断
复位
字地址
优先级
系统复位
上电、欠压、电源监控器
外部复位RST
看门狗超时、密钥违反
FRAM 不可纠正位错误检测
软件POR、BOR
SVSHIFG
PMMRSTIFG
WDTIFG
FFFEh
63,最高
PMMPORIFG、PMMBORIFG
SYSRSTIV
FLLULPUC
FLL 解锁错误
系统NMI
空内存访问
JTAG 邮箱
VMAIFG
JMBINIFG、JMBOUTIFG
CBDIFG、UBDIFG
FFFCh
FFFAh
62
61
(不)可屏蔽
(不)可屏蔽
FRAM 访问时间错误
FRAM 位错误检测
用户NMI
外部NMI
振荡器故障
NMIIFG
OFIFG
Timer0_B3
TB0CCR0 CCIFG0
FFF8h
FFF6h
60
59
可屏蔽
可屏蔽
TB0CCR1 CCIFG1、TB0CCR2
CCIFG2、TB0IFG (TB0IV)
Timer0_B3
RTCIFG
WDTIFG
FFF4h
FFF2h
58
57
RTC 计数器
可屏蔽
可屏蔽
看门狗计时器间隔模式
UCTXCPTIFG、UCSTTIFG、
UCRXIFG、UCTXIFG(UART 模
式)
UCRXIFG、UCTXIFG(SPI 模
式)
FFF0h
56
eUSCI_A0 接收或发送
可屏蔽
(UCA0IV)
ADCIFG0,ADCINIFG,
ADCLOIFG,ADCHIIFG,
ADCTOVIFG,ADCOVIFG
(ADCIV)
ADC
FFEEh
55
可屏蔽
P1
P2
FFECh
FFEAh
FFE8h
54
53
52
P1IFG.0 至P1IFG.3 (P1IV)
可屏蔽
可屏蔽
可屏蔽
可屏蔽
P2IFG.0、P2IFG.1、P2IFG.6 和
P2IFG.7 (P2IV)
eCOMP0
保留
CPIIFG、CPIFG (CPIV)
FFE6h 至
FF88h
保留
0FF86h
0FF84h
0FF82h
0FF80h
BSL 签名2
BSL 签名1
JTAG 签名2
JTAG 签名1
签名
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9.5 内存组织
表9-3 总结了MSP430FR211x 和MSP430FR210x 器件的存储器映射。
表9-3. 内存组织
MSP430FR2111
MSP430FR2110
MSP430FR2100
MSP430FR2000
内存类型
存储器(FRAM)
主:中断向量和签名
主:代码存储器
访问
3.75KB
2KB
1KB
0.5KB
读/写
(可选写保护)(1)
FFFFh 至FF80h FFFFh 至FF80h FFFFh 至FF80h FFFFh 至FF80h
FFFFh 至F100h
FFFFh 至F800h FFFFh 至FC00h FFFFh 至FE00h
1KB
23FFh 至2000h
1KB
23FFh 至2000h
512 字节
21FFh 至2000h
512 字节
21FFh 至2000h
RAM
读取/写入
1KB
13FFh 至1000h
1KB
13FFh 至1000h
1KB
13FFh 至1000h
1KB
13FFh 至1000h
引导加载程序(BSL) 存储器(ROM)
(TI 内部使用)
只读
4KB
0FFFh 至0000h
4KB
0FFFh 至0000h
4KB
0FFFh 至0000h
4KB
0FFFh 至0000h
读取/写入
外设
(1) 程序FRAM 可通过设置SYSCFG0 寄存器中的PFWP 位进行写保护。更多详细信息,请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用
户指南中的SYS 一章。
9.6 引导加载程序(BSL)
BSL 支持用户使用 UART 接口对 FRAM 或 RAM 进行编程。通过 BSL 访问器件存储器时受用户定义的密码保
护。表 9-4 列出了 BSL 引脚要求。要进入 BSL,需在 RST/NMI/SBWTDIO 和 TEST/SBWTCK 引脚上使用特定
的进入序列。要获取 BSL 特性及其实施的完整说明,请参阅 MSP430 FRAM 器件引导加载程序 (BSL) 用户指
南。
表9-4. UART BSL 引脚要求和功能
BSL 功能
进入序列信号
进入序列信号
数据发送
器件信号
RST/NMI/SBWTDIO
TEST/SBWTCK
P1.7
P1.6
数据接收
DVCC
电源
DVSS
接地电源
9.7 JTAG 标准接口
MSP430 系列支持标准 JTAG 接口,该接口需要四个信号来发送和接收数据。JTAG 信号与通用 I/O 共享。TEST/
SBWTCK 引脚用于使能 JTAG 信号。与MSP430 开发工具和器件编程器连接还需要RST/NMI/SBWTDIO 引脚。
表 9-5 列出了 JTAG 引脚要求。有关连接开发工具和器件编程器的详细信息,请参阅 MSP430 硬件工具用户指
南。
表9-5. JTAG 引脚要求和功能
JTAG 功能
JTAG 时钟输入
JTAG 状态控制
JTAG 数据输入,TCLK 输入
JTAG 数据输出
使能JTAG 引脚
外部复位
器件信号
P1.4/UCA0STE/TCK/A4
P1.5/UCA0CLK/TMS/A5
P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6
P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+
TEST/SBWTCK
方向
IN
IN
IN
OUT
IN
RST/NMI/SBWTDIO
IN
DVCC
–
电源
DVSS
–
接地电源
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9.8 Spy-Bi-Wire 接口(SBW)
MSP430 系列支持 2 线制 Spy-Bi-Wire 接口。Spy-Bi-Wire 可用于连接 MSP430 开发工具和器件编程器。表 9-6
列出了 Spy-Bi-Wire 接口引脚要求。有关连接开发工具和器件编程器的更多详细信息,请参阅 MSP430 硬件工具
用户指南。
表9-6. Spy-Bi-Wire 引脚要求和功能
SBW 功能
Spy-Bi-Wire 时钟输入
Spy-Bi-Wire 数据输入和输出
电源
器件信号
TEST/SBWTCK
RST/NMI/SBWTDIO
VCC
方向
IN
IN,OUT
VSS
接地电源
9.9 FRAM
FRAM 可使用 JTAG 端口、Spy-Bi-Wire (SBW) 或 BSL 进行编程,或者通过 CPU 在系统中进行编程。FRAM 的
特性包括:
• 能够进行字节和字访问
• 可生成可编程等待状态
• 纠错码(ECC)
9.10 存储器保护
该器件具有用户访问权限的存储器保护和写保护功能,包括:
• 通过使用JTAG 端口、SBW、BSL 或由CPU 在系统内写入JTAG 和BSL 签名以确保整个存储器映射的安
全,防止通过JTAG 端口或BSL 进行未授权访问。
• 在系统配置寄存器0 中使用相应的密码设置控制位,启用写保护,从而防止对FRAM 内容进行不必要的写操
作。有关更多详细信息,请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南中的SYS 一章。
9.11 外设
外设通过数据、地址和控制总线连接至 CPU。所有外设均可通过存储器映射中的所有指令进行处理。有关完整的
模块说明,请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南。
9.11.1 电源管理模块(PMM) 和片上基准电压
PMM 包含集成稳压器,可为器件提供内核电压。PMM 还包括电源电压监控器 (SVS) 和欠压保护。实现的欠压复
位电路(BOR) 可在上电和断电期间为器件提供适当的内部复位信号。SVS 电路会检测电源电压是否降至可由用户
选择的安全等级以下。SVS 电路可用于主电源。
该器件包含两个片上基准:1.5V 用于内部基准,1.2V 用于外部基准。
1.5V 基准在内部连接至 ADC 通道13。DVCC 在内部连接至 ADC 通道15。如果DVCC 设为ADC 转换的基准电
压,则DVCC 可使用ADC 采样1.5V 基准轻松表示为方程式1,而无需任何外部组件支持。
DVCC = (1023 × 1.5V) / 1.5V 基准ADC 结果
(1)
1.5V 基准电压还在内部连接到比较器内置 DAC,作为基准电压。DVCC 在内部连接到 DAC 基准的另一个源,这
两个源都由 CPDACREFS 位控制。相关更多详细信息,请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南
中的“比较器”一章。
当 PMMCTL2 寄存器中的 EXTREFEN = 1 时,1.2V 基准电压可进行缓冲并输出到 P1.7/TDO/A7/VREF+。还可
以选择 ADC 通道 7 来监控此电压。有关更多详细信息,请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指
南。
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备注
ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
9.11.2 时钟系统(CS) 和时钟分配
时钟系统包括 32kHz 低频振荡器 (XT1)、内部超低功耗低频振荡器 (VLO)、集成 32kHz RC 振荡器 (REFO)、可
使用锁频环 (FLL) 锁定内部或外部 32kHz 基准时钟的集成内部数控振荡器 (DCO) 以及片上异步高速时钟
(MODOSC)。时钟系统的设计旨在以最少的外部组件实现经济高效的设计。针对 XT1 设计了故障安全机制。时钟
系统模块提供以下时钟信号。
• 主时钟(MCLK):CPU 和总线访问的所有相关外设所使用的系统时钟。除MODOSC 外,所有时钟源均可通过
1、2、4、8、16、32、64 或128 预分频器选为时钟源。
• 子主时钟(SMCLK):供外设模块使用的子系统时钟。SMCLK 源自预分频器为1、2、4 或8 的MCLK。这意
味着SMCLK 始终等于或小于MCLK。
• 辅助时钟(ACLK):该时钟由外部XT1 时钟或内部REFO 时钟(最高频率40kHz)提供。
所有外设可能有一个或多个时钟源,具体视特定功能而定。表9-7 和表9-8 汇总了此器件中使用的时钟分配。
表9-7. 时钟分配
MCLK
SMCLK
ACLK
MODCLK
VLOCLK
时钟源选择位
外部引脚
4MHz
10kHz
DC 到16MHz DC 到16MHz DC 到40kHz
频率范围
CPU
N/A
N/A
默认值
默认值
默认值
默认值
默认值
FRAM
RAM
CRC
I/O
N/A
N/A
N/A
TB0
TBSSEL
10b
01b
01b
00b(TB0CLK 引脚)
00b(UCA0CLK 引
脚)
eUSCI_A0
UCSSEL
10b 或11b
WDT
ADC(1)
RTC
WDTSSEL
ADCSSEL
RTCSS
00b
10b 或11b
01b(2)
01b
01b
10b
11b
00b
01b(2)
(1) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
(2) 由SYSCFG2 寄存器中的RTCCKSEL 位来控制。
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表9-8. XTCLK 分配
XTLFCLK
运行模式
时钟源选择位
AM 至LPM3.5(直流至40kHz)
MCLK
SMCLK
REFO
ACLK
RTC
SELMS
SELMS
SELREF
SELA
10b
10b
0b
0b
RTCSS
10b
9.11.3 通用输入/输出端口(I/O)
器件实现了多达12 个I/O 端口。
• P1 实现了8 位,P2 实现了4 位。
• 所有单独的I/O 位均可独立进行编程。
• 输入、输出和中断条件的任意组合均可用于P1 和P2。
• 所有端口上均具有可编程的上拉电阻或下拉电阻。
• P1.0 至P1.3、P2.0、P2.1、P2.6 和P2.7 均提供可选择边沿的中断、LPM4、LPM3.5 和LPM4.5 唤醒输入功
能。
• 所有指令均支持对端口控制寄存器的读写访问。
• 端口可按字节或字成对访问。
• 所有引脚上均支持电容式触控I/O 功能。
备注
BOR 复位后的数字I/O 配置
为了避免器件启动期间出现交叉电流,所有端口引脚均呈高阻态,并且禁用了施密特触发器和模块功
能。要在 BOR 复位后使能 I/O 功能,必须先配置端口,随后必须将 LOCKLPM5 位清零。有关详细信
息,请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南 的“数字 I/O”一章中的复位后配置 部
分。
9.11.4 看门狗计时器(WDT)
WDT 模块的主要功能是在出现软件问题后使受控系统重启。如果选定的时间间隔到期,则会产生一个系统复位。
如果应用中不需要看门狗功能,该模块可配置为间隔计时器,并可在选定的时间间隔生成中断。
表9-9. WDT 时钟
正常运行
WDTSSEL
(看门狗和间隔计时器模式)
00
01
10
11
SMCLK
ACLK
VLOCLK
保留
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9.11.5 系统模块(SYS)
SYS 模块会处理器件内的许多系统功能。这些系统功能包括上电复位 (POR) 和上电清除 (PUC) 处理、NMI 源选
择和管理、复位中断向量发生器、引导加载程序进入机制以及配置管理(器件描述符)。SYS 还包括一种通过称
为JTAG 邮箱的SBW 实现的数据交换机制,可在应用中使用。表9-10 列出了SYS 模块中断向量寄存器。
表9-10. 系统模块中断向量寄存器
中断事件
中断向量寄存器
地址
值
优先级
最高
00h
无中断待处理
02h
04h
06h
08h
0Ah
0Ch
0Eh
10h
12h
14h
16h
18h
1Ah
1Ch
1Eh
20h
22h
24h
欠压(BOR)
RSTIFG RST/NMI (BOR)
PMMSWBOR 软件BOR (BOR)
LPMx.5 唤醒(BOR)
安全违例(BOR)
保留
SVSHIFG SVSH 事件(BOR)
保留
保留
015Eh
SYSRSTIV,系统复位
PMMSWPOR 软件POR (POR)
WDTIFG 看门狗超时(PUC)
WDTPW 密码违例(PUC)
FRCTLPW 密码违例(PUC)
不可纠正的FRAM 位错误检测
外设区域获取(PUC)
PMMPW PMM 密码违例(PUC)
保留
FLL 解锁(PUC)
26h 至3Eh
00h
保留
无中断待处理
最低
最高
02h
SVS 低功耗复位进入
不可纠正的FRAM 位错误检测
保留
04h
06h
08h
被保留
0Ah
0Ch
0Eh
10h
被保留
保留
015Ch
SYSSNIV,系统NMI
被保留
保留
12h
VMAIFG 空存储器访问
JMBINIFG JTAG 邮箱输入
JMBOUTIFG JTAG 邮箱输出
可纠正的FRAM 位错误检测
14h
16h
18h
1Ah 至1Eh
00h
被保留
无中断待处理
最低
最高
最低
02h
NMIIFG NMI 引脚或SVSH 事件
OFIFG 振荡器故障
015Ah
SYSUNIV,用户NMI
04h
06h 至1Eh
保留
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9.11.6 循环冗余校验(CRC)
16 位 CRC 模块会根据数据值序列生成签名,并可用于数据检查。CRC 生成多项式符合 CRC-16-CCITT 标准
x16 + x12 + x5 + 1。
9.11.7 增强型通用串行通信接口(eUSCI_A0)
eUSCI 模块用于串行数据通信。eUSCI_A 模块支持 UART 或SPI 通信。此外,eUSCI_A 还支持自动波特率检测
和IrDA。
表9-11. eUSCI 引脚配置
UART
SPI
SIMO
SOMI
SCLK
STE
引脚(USCIARMP = 0)
P1.7
TXD
P1.6
P1.5
RXD
P1.4
eUSCI_A0
UART
TXD
SPI
引脚(USCIARMP = 1)
P1.3(1)
SIMO
SOMI
SCLK
STE
P1.2(1)
RXD
P1.1(1)
P1.0(1)
(1) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的USCIARMP 位控制的重新映射功能。同一时刻,所选端口只有一个有效。
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9.11.8 计时器(Timer0_B3)
Timer0_B3 模块是具有三个捕捉/比较寄存器的 16 位计时器/计数器。计时器可支持多次捕捉或比较、PWM 输出
和间隔时序(请参阅表9-12)。Timer0_B3 具有丰富的中断功能。计数器在溢出发生时可生成中断而每个捕获/比
较寄存器也可生成中断。Timer0_B3 上的 CCR0 寄存器未从外部连接,只能用于硬件周期时序和中断生成。在向
上计数模式下,它可用于设置计数器的溢出值。
表9-12. Timer0_B3 信号连接
端口引脚
器件输入信号
模块输入名称
模块区块
模块输出信号
器件输出信号
P2.7
TB0CLK
TBCLK
ACLK
ACLK(内部)
Timer
N/A
SMCLK
SMCLK(内部)
来自电容式触摸I/O
(内部)
INCLK
CCI0A
CCI0B
GND
来自RTC(内部)
ACLK(内部)
DVSS
CCR0
CCR1
TB0
TB1
DVCC
VCC
P1.6 (TBRMP = 0)
TB0.1
CCI1A
TB0.1
P2.0 (TBRMP = 1)(1)
至ADC 触发器(2)
CCI1B
GND
VCC
来自eCOMP(内部)
DVSS
DVCC
P1.7 (TBRMP = 0)
TB0.2
CCI2A
CCI2B
TB0.2
P2.1 (TBRMP = 1)(1)
来自电容式触摸I/O
(内部)
CCR2
TB2
DVSS
DVCC
GND
VCC
(1) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的TBRMP 位控制的重新映射功能。当TB0 用作捕捉输入功能时,同一时刻只有一个所选端口有效。无论
此重映射位的设置如何,TB0 PWM 都会输出。
(2) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
Timer0_B3 的互连可用于在 ASK 或部分 FSK 模式下调制 UCA0TXD/UCA0SIMO 的eUSCI_A 引脚,用户可以通
过它轻松获取调制红外命令以直接驱动外部 IR 二极管。IR 功能完全由 SYSCFG1 控制,包括 IREN(使能)、
IRPSEL(极性选择)、IRMSEL(模式选择)、IRDSSEL(数据选择)和 IRDATA(数据)位。有关更多信息,
请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南中的SYS 一章。
当触发所选源时,Timer_B 模块可将所有 Timer_B 输出置于一个高阻抗状态。源可从外部引脚或器件内部进行选
择,这由 SYS 中的 TB0TRG 控制。有关更多信息,请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南 中
的SYS 一章。
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表9-13 总结了Timer_B 高阻抗触发器的选择。
表9-13. TBxOUTH
TB0TRGSEL
TB0TRGSEL = 0
TB0TRGSEL= 1
TB0OUTH 触发源选择
eCOMP0 输出(内部)
P1.2
Timer_B 焊盘输出高阻抗
P1.6、P1.7、P2.0、P2.1(1)
(1) 当TB0 设置为PWM 输出功能时,两个端口组都可以接收输出,输出仅由PxSEL.y 位控制。
9.11.9 备用存储器(BAKMEM)
在LPM3.5 模式下,BAKMEM 支持数据保留功能。在LPM3.5 模式下,此器件提供最多32 个保留的字节。
9.11.10 实时时钟(RTC) 计数器
RTC 计数器是一个 16 位模块计数器,在 AM、LPM0、LPM3、LPM4 和 LPM3.5 下工作。此模块可根据 XT1、
ACLK 或VLO 等低功耗时钟源的时序,定期从 LPM0、LPM3、LPM4 或LPM3.5 唤醒CPU。在AM 下,RTC 可
由 SMCLK 驱动生成高频时序事件和中断。ACLK 和 SMCLK 都可以为 RTC 提供时钟源;但是,在任何给定的时
间只能选择其中一个。RTC 溢出事件触发器:
• Timer0_B3 CCR0A
• ADCSHSx 位设为01b 时为ADC 转换触发器
9.11.11 10 位模数转换器(ADC)
10 位 ADC 模块支持利用单端输入实现快速 10 位模数转换。该模块应用 10 位 SAR 内核、采样选择控制、参考
信号发生器和转换结果缓冲区。具有下限和上限的窗口比较器可利用三个窗口比较器中断标志实现独立于CPU 的
结果监控。
备注
ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
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ADC 支持10 个外部输入和4 个内部输入(请参阅表9-14)。
表9-14. ADC 通道连接
ADCINCHx
ADC 通道
A0/Veref+
A1/
外部引脚输出
P1.0
P1.1
P1.2
P1.3
P1.4
P1.5
P1.6
P1.7
N/A
0
1
2
A2/Veref-
A3
3
4
A4
5
A5
6
A6
7
A7(1)
8
未使用
未使用
未使用
未使用
片上温度传感器
基准电压(1.5V)
DVSS
9
N/A
10
11
12
13
14
15
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
DVCC
N/A
(1) 使用了A7 时,可通过设置PMM 控制寄存器,将PMM 1.2V 基准电压输出到此引脚。1.2V 电压可
直接通过A7 通道测量。
转换可通过软件或硬件触发来启动。表9-15 列出了可用的触发源。
表9-15. ADC 触发信号连接
ADCSHSx
触发源
二进制
十进制
00
0
ADCSC 位(软件触发)
RTC 事件
01
10
11
1
2
3
TB0.1B
eCOMP0 COUT
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9.11.12 eCOMP0
增强型比较器是一款模拟电压比较器,内置 6 位 DAC 作为内部电压基准。对于比较器基准电压,集成的 6 位
DAC 可设置为64 级。此模块具有4 级可编程迟滞和可配置的功率模式:高功率或低功率模式。
eCOMP0 支持外部输入和内部输入(请参阅表9-16)和输出(请参阅表9-17)
表9-16. eCOMP0 输入通道连接
CPPSEL,CPNSEL
eCOMP0 通道
外部或内部连接
二进制
000
C0
C1
C2
C3
C4
C5
C6
P1.0
P1.1
001
010
P1.2
011
P1.3
100
未使用
未使用
内置6 位DAC
101
110
表9-17. eCOMP0 输出通道连接
eCOMP0 输出
外部引脚输出,模块
P2.0
TB0.1B;TB0 (TB0OUTH);ADC
1
2
9.11.13 嵌入式仿真模块(EEM)
EEM 支持实时系统内调试。该系列器件上的EEM 具有以下特性:
• 存储器访问时有三个硬件触发信号或断点
• CPU 寄存器写访问时有一个硬件触发信号或断点
• 最多可结合四个硬件触发器,形成复杂的触发器或断点
• 一个周期计数器
• 模块级时钟控制
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9.11.14 外设文件映射
表9-18 列出了每个外设寄存器的基地址和存储器大小。
表9-18. 外设汇总
模块名称
基址
大小
0100h
0010h
特殊功能(请参阅表9-19)
PMM(请参阅表9-20)
SYS(请参阅表9-21)
CS(请参阅表9-22)
0120h
0140h
0180h
01A0h
01C0h
01CCh
0200h
02E0h
0300h
0380h
0500h
0660h
0700h
08E0h
0020h
0040h
0020h
0010h
0008h
0002h
0020h
0010h
0010h
0030h
0020h
0020h
0040h
0020h
FRAM(请参阅表9-23)
CRC(请参阅表9-24)
WDT(请参阅表9-25)
端口P1、P2(请参阅表9-26)
电容式触摸I/O(请参阅表9-27)
RTC(请参阅表9-28)
Timer0_B3(请参阅表9-29)
eUSCI_A0(请参阅表9-30)
备用存储器(请参阅表9-31)
ADC(1)(请参阅表9-32)
eCOMP0(请参阅表9-33)
(1) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
表9-19. 特殊功能寄存器(基地址:0100h)
寄存器
寄存器说明
偏移量
SFRIE1
00h
SFR 中断使能
SFRIFG1
SFRRPCR
02h
04h
SFR 中断标志
SFR 复位引脚控制
表9-20. PMM 寄存器(基地址:0120h)
寄存器
寄存器说明
偏移量
PMMCTL0
PMMCTL1
PMMCTL2
PMMIFG
00h
PMM 控制0
PMM 控制1
PMM 控制2
PMM 中断标志
PM5 控制0
02h
04h
0Ah
10h
PM5CTL0
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表9-21. SYS 寄存器(基地址:0140h)
寄存器说明
寄存器
SYSCTL
SYSBSLC
偏移量
00h
02h
06h
08h
0Ah
0Ch
0Eh
1Ah
1Ch
1Eh
20h
22h
24h
26h
系统控制
引导加载程序配置区域
JTAG 邮箱控制
JTAG 邮箱输入0
JTAG 邮箱输入1
JTAG 邮箱输出0
JTAG 邮箱输出1
用户NMI 向量发生器
系统NMI 向量发生器
复位向量发生器
系统配置0
SYSJMBC
SYSJMBI0
SYSJMBI1
SYSJMBO0
SYSJMBO1
SYSUNIV
SYSSNIV
SYSRSTIV
SYSCFG0
SYSCFG1
SYSCFG2
SYSCFG3
系统配置1
系统配置2
系统配置3
表9-22. CS 寄存器(基地址:0180h)
寄存器
寄存器说明
偏移量
CSCTL0
CSCTL1
CSCTL2
CSCTL3
CSCTL4
CSCTL5
CSCTL6
CSCTL7
CSCTL8
00h
CS 控制0
CS 控制1
CS 控制2
CS 控制3
CS 控制4
CS 控制5
CS 控制6
CS 控制7
CS 控制8
02h
04h
06h
08h
0Ah
0Ch
0Eh
10h
表9-23. FRAM 寄存器(基地址:01A0h)
寄存器说明
寄存器
FRCTL0
GCCTL0
GCCTL1
偏移量
00h
FRAM 控制0
通用控制0
通用控制1
04h
06h
表9-24. CRC 寄存器(基地址:01C0h)
寄存器
寄存器说明
偏移量
CRC16DI
CRCDIRB
CRCINIRES
CRCRESR
00h
CRC 数据输入
02h
04h
06h
CRC 数据输入反向字节
CRC 初始化和结果
CRC 结果反向字节
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表9-25. WDT 寄存器(基地址:01CCh)
寄存器
寄存器说明
偏移量
WDTCTL
00h
看门狗计时器控制
表9-26. 端口P1、P2 寄存器(基地址:0200h)
寄存器说明
寄存器
偏移量
P1IN
00h
端口P1 输入
P1OUT
P1DIR
P1REN
P1SEL0
P1SEL1
P1IV
02h
04h
06h
0Ah
0Ch
0Eh
16h
18h
1Ah
1Ch
01h
03h
05h
07h
0Bh
0Dh
17h
1Eh
19h
1Bh
1Dh
端口P1 输出
端口P1 方向
端口P1 上拉使能
端口P1 选择0
端口P1 选择1
端口P1 中断向量字
端口P1 互补选择
端口P1 中断边沿选择
端口P1 中断使能
端口P1 中断标志
端口P2 输入
P1SELC
P1IES
P1IE
P1IFG
P2IN
P2OUT
P2DIR
P2REN
P2SEL0
P2SEL1
P2SELC
P2IV
端口P2 输出
端口P2 方向
端口P2 上拉使能
端口P2 选择0
端口P2 选择1
端口P2 互补选择
端口P2 中断向量字
端口P2 中断边沿选择
端口P2 中断使能
端口P2 中断标志
P2IES
P2IE
P2IFG
表9-27. 电容式触摸I/O 寄存器(基地址:02E0h)
寄存器说明
寄存器
偏移量
CAPIO0CTL
0Eh
电容式触摸I/O 0 控制
表9-28. RTC 寄存器(基地址:0300h)
寄存器说明
寄存器
RTCCTL
RTCIV
偏移量
00h
RTC 控制
04h
08h
0Ch
RTC 中断向量
RTC 模
RTCMOD
RTCCNT
RTC 计数器
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表9-29. Timer0_B3 寄存器(基地址:0380h)
寄存器说明
寄存器
偏移量
TB0CTL
00h
02h
04h
06h
10h
12h
14h
16h
20h
2Eh
TB0 控制
TB0CCTL0
TB0CCTL1
TB0CCTL2
TB0R
捕捉/比较控制0
捕捉/比较控制1
捕捉/比较控制2
TB0 计数器
TB0CCR0
TB0CCR1
TB0CCR2
TB0EX0
捕捉/比较0
捕捉/比较1
捕捉/比较2
TB0 扩展0
TB0IV
TB0 中断向量
表9-30. eUSCI_A0 寄存器(基地址:0500h)
寄存器
寄存器说明
偏移量
UCA0CTLW0
UCA0CTLW1
UCA0BR0
00h
eUSCI_A 控制字0
eUSCI_A 控制字1
eUSCI_A 控制速率0
eUSCI_A 控制速率1
eUSCI_A 调制控制
eUSCI_A 状态
02h
06h
07h
08h
0Ah
0Ch
0Eh
10h
12h
13h
1Ah
1Ch
1Eh
UCA0BR1
UCA0MCTLW
UCA0STAT
UCA0RXBUF
UCA0TXBUF
UCA0ABCTL
lUCA0IRTCTL
IUCA0IRRCTL
UCA0IE
eUSCI_A 接收缓冲器
eUSCI_A 发送缓冲器
eUSCI_A LIN 控制
eUSCI_A IrDA 发送控制
eUSCI_A IrDA 接收控制
eUSCI_A 中断使能
eUSCI_A 中断标志
eUSCI_A 中断向量字
UCA0IFG
UCA0IV
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表9-31. 备用存储器寄存器(基地址:0660h)
寄存器
寄存器说明
偏移量
BAKMEM0
BAKMEM1
BAKMEM2
BAKMEM3
BAKMEM4
BAKMEM5
BAKMEM6
BAKMEM7
BAKMEM8
BAKMEM9
BAKMEM10
BAKMEM11
BAKMEM12
BAKMEM13
BAKMEM14
BAKMEM15
00h
备用存储器0
备用存储器1
备用存储器2
备用存储器3
备用存储器4
备用存储器5
备用存储器6
备用存储器7
备用存储器8
备用存储器9
备用存储器10
备用存储器11
备用存储器12
备用存储器13
备用存储器14
备用存储器15
02h
04h
06h
08h
0Ah
0Ch
0Eh
10h
12h
14h
16h
18h
1Ah
1Ch
1Eh
表9-32. ADC 寄存器(基地址:0700h)
寄存器说明
寄存器
ADCCTL0
ADCCTL1
ADCCTL2
ADCLO
偏移量
00h
ADC 控制0
02h
04h
06h
08h
0Ah
12h
1Ah
1Ch
1Eh
ADC 控制1
ADC 控制2
ADC 窗口比较器阈值下限
ADC 窗口比较器阈值上限
ADC 存储器控制0
ADC 转换存储器
ADC 中断使能
ADCHI
ADCMCTL0
ADCMEM0
ADCIE
ADCIFG
ADCIV
ADC 中断标志
ADC 中断向量字
表9-33. eCOMP0 寄存器(基地址:08E0h)
寄存器说明
寄存器
CPCTL0
CPCTL1
CPINT
偏移量
00h
比较器控制0
02h
06h
08h
10h
12h
比较器控制1
比较器中断
CPIV
比较器中断向量
比较器内置DAC 控制
比较器内置DAC 数据
CPDACCTL
CPDACDATA
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9.11.15 输入/输出图
9.11.15.1 使用施密特触发器的端口P1 输入/输出
图9-1 展示了端口图。表9-34 总结了引脚功能的选择。
A0..A7
C0,C1,C2,C3
P1REN.x
P1DIR.x
From Module1
From Module2
00
01
10
11
2 bit
DVSS
DVCC
0
1
P1SEL.x= 11
00
01
P1OUT.x
From Module1
From Module2
DVSS
10
11
2 bit
P1SEL.x
EN
D
To module
P1IN.x
P1IE.x
Bus
Keeper
P1 Interrupt
D
S
Q
P1IFG.x
P1.0/UCA0STE/SMCLK/C0/A0/Veref+
P1.1/UCA0CLK/ACLK/C1/A1
Edge
Select
P1.2/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0TRG/C2/A2/Veref-
P1.3/UCA0TXD/UCA0SIMO/C3/A3
P1IES.x
P1.4/UCA0STE/TCK/A4
From JTAG
P1.5/UCA0CLK/TMS/A5
P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6
P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+
To JTAG
仅用于功能表示。
ADC(信号A0 至A7、Veref+ 和Veref-)在MSP430FR2000 器件上不可用。
图9-1. 使用施密特触发器的端口P1 输入/输出
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表9-34. 端口P1 引脚功能
控制位和信号(1)
x
引脚名称(P1.x)
功能
P1DIR.x
P1SELx
00
JTAG
N/A
P1.0 (I/O)
UCA0STE
SMCLK
I: 0; O: 1
X
01
N/A
P1.0/UCA0STE/SMCLK/
C0/A0/Veref+
1
0
10
N/A
VSS
0
C0、A0/Veref+(2)
P1.1 (I/O)
UCA0CLK
ACLK
X
11
0
N/A
N/A
N/A
I: 0; O: 1
X
01
P1.1/UCA0CLK/ACLK/
C1/A1
1
1
10
N/A
VSS
0
C1、A1(2)
P1.2 (I/O)
X
11
00
01
10
11
00
01
11
00
01
11
X
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
N/A
I: 0; O: 1
P1.2/UCA0RXD/
UCA0SOMI/TB0TRG/
C2/A2/Veref-
UCA0RXD/UCA0SOMI
TB0TRG
X
2
3
4
0
C2、A2/Veref-(2)
P1.3 (I/O)
X
I: 0; O: 1
P1.3/UCA0TXD/
UCA0SIMO/C3/A3
UCA0TXD/UCA0SIMO
C3、A3(2)
X
X
P1.4 (I/O)
I: 0; O: 1
禁用
UCA0STE
X
N/A
P1.4/UCA0STE/TCK/A4
P1.5/UCA0CLK/TMS/A5
A4(2)
X
禁用
JTAG TCK
X
TCK
P1.5 (I/O)
I: 0; O: 1
00
01
11
X
禁用
UCA0CLK
X
N/A
5
6
A5(2)
X
禁用
JTAG TMS
P1.6 (I/O)
X
TMS
I: 0; O: 1
00
01
禁用
UCA0RXD/UCA0SOMI
TB0.CCI1A
TB0.1
X
N/A
P1.6/UCA0RXD/
UCA0SOMI/TB0.1/ TDI/
TCLK/A6
0
10
N/A
1
A6(2)
X
11
X
禁用
JTAG TDI/TCLK
P1.7 (I/O)
X
TDI/TCLK
I: 0; O: 1
00
01
禁用
UCA0TXD/UCA0SIMO
TB0.CCI2A
TB0.2
X
0
N/A
P1.7/UCA0TXD/
UCA0SIMO/TB0.2/
TDO/A7/VREF+
10
N/A
7
1
A7(2)、VREF+
JTAG TDO
X
X
11
X
禁用
TDO
(1) X = 无关
(2) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
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9.11.15.2 使用施密特触发器的端口P2 输入/输出
图9-2 展示了端口图。表9-35 总结了引脚功能的选择。
P2REN.x
P2DIR.x
From Module1
From Module2
00
01
10
11
2 bit
DVSS
DVCC
0
1
00
01
P2OUT.x
From Module1
From Module2
DVSS
10
11
2 bit
P2SEL.x
EN
D
To module
P2IN.x
P2IE.x
Bus
Keeper
P2 Interrupt
D
S
Q
P2IFG.x
P2IES.x
P2.0/TB0.1/COUT
P2.1/TB0.2
P2.6/MCLK/XOUT
P2.7/TB0CLK/XIN
Edge
Select
仅用于功能表示。
图9-2. 使用施密特触发器的端口P2 输入/输出
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表9-35. 端口P2 引脚功能
控制位和信号(1)
x
引脚名称(P2.x)
功能
P2DIR.x
P2SELx
P2.0 (I/O)
TB0.CCI1A
TB0.1
I: 0; O: 1
00
0
P2.0/TB0.1/COUT
P2.1/TB0.2
0
01
1
COUT
1
10
00
P2.1 (I/O)0
TB0.CCI2A
TB0.2
I: 0; O: 1
1
6
0
01
00
01
1
P2.6 (I/O)
MCLK
I: 0; O: 1
1
P2.6/MCLK/XOUT
VSS
0
XOUT
X
10
00
P2.7 (I/O)
TB0CLK
VSS
I: 0; O: 1
0
1
X
P2.7/TB0CLK/XIN
7
01
10
XIN
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9.12 器件描述符(TLV)
表 9-36 列出了 MSP430FR211x MCU 的器件 ID。表 9-37 列出了 MSP430FR211x MCU 的器件描述符标签长度
值(TLV) 结构的内容。
表9-36. 器件ID
器件ID
器件
1A04h
FA
1A05h
82
MSP430FR2111
MSP430FR2110
MSP430FR2100
MSP430FR2000
FB
82
20
83
21
83
表9-37. 器件描述符
MSP430FR211x
说明
地址
值
1A00h
06h
信息长度
1A01h
1A02h
1A03h
1A04h
1A05h
1A06h
1A07h
1A08h
1A09h
1A0Ah
1A0Bh
1A0Ch
1A0Dh
1A0Eh
1A0Fh
1A10h
1A11h
1A12h
1A13h
1A14h
1A15h
1A16h
1A17h
1A18h
1A19h
1A1Ah
1A1Bh
1A1Ch
1A1Dh
06h
CRC 长度
CRC 值(1)
标幺值
标幺值
信息块
器件ID
请参阅表9-36
硬件版本
标幺值
标幺值
08h
固件版本
裸片记录标签
裸片记录长度
0Ah
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
晶圆批次ID
芯片记录
芯片X 位置
芯片Y 位置
测试结果
ADC 校准标签
ADC 校准长度
ADC 增益系数
ADC 校准(3)
ADC 偏移
ADC 1.5V 基准温度30°C
ADC 1.5V 基准温度85°C
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表9-37. 器件描述符(continued)
MSP430FR211x
说明
地址
值
1A1Eh
1A1Fh
1A20h
1A21h
1A22h
1A23h
12h
04h
校准标签
校准长度
标幺值
标幺值
标幺值
标幺值
基准和DCO 校准
1.5V 基准系数
16MHz、温度30°C 时的DCO 抽头设置(2)
(1) CRC 值包括从0x1A04h 到0x1A77h 的校验和,通过应用CRC-CCITT-16 多项式计算得出:
X16 + X12 + X5 + 1
(2) 此值可直接载入CSCTL0 寄存器的DCO 位,以便在室温条件下获取准确的16MHz 频率,尤其是当MCU 退出LPM3 及以下模式时。
如果温度漂移可能导致频率过冲到16MHz 以上,TI 建议使用预分频器降低频率。
(3) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
9.13 标识
9.13.1 版本标识
器件版本信息作为器件封装顶部标记的一部分显示。特定于器件的勘误表介绍了这些标记。有关此数据表中器件
勘误表的链接,请参阅节11.4。
另外,硬件版本存储在“器件描述符”结构中的“信息块”部分。有关该值的详细信息,请参阅节 9.12 中的“硬
件版本”条目。
9.13.2 器件标识
器件类型可通过器件封装的顶部标记标识。特定于器件的勘误表介绍了这些标记。有关此数据表中器件勘误表的
链接,请参阅节11.4。
另外,器件标识值存储在“器件描述符”结构中的“信息块”部分。有关该值的详细信息,请参阅节 9.12 中的
“器件ID”条目。
9.13.3 JTAG 标识
通过JTAG 接口对MSP430 进行编程中详细介绍了如何通过JTAG 接口进行编程(包括读取和标识JTAG ID)。
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10 应用、实现和布局
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
10.1 器件连接和布局基本准则
本节介绍使用 MSP430 MCU 进行设计时推荐的指导原则。这些准则旨在确保对器件进行适当连接,从而实现供
电、编程、调试用途以及最佳模拟性能。
10.1.1 电源去耦和大容量电容
TI 建议将 10µF 电容器和 100nF 低 ESR 陶瓷去耦电容器的组合连接至 DVCC 引脚。可以使用电容值较大的电
容,但会影响电源轨斜升时间。将去耦电容放置在尽可能靠近其去耦引脚的位置(几毫米范围内)。
DVCC
Digital
Power Supply
Decoupling
+
DVSS
10 µF
100 nF
图10-1. 电源去耦
10.1.2 外部振荡器
根据器件型号(请参阅表 6-1),器件在 LFXT 引脚上仅支持低频晶振 (32kHz)。需要为晶振引脚使用外部旁路电
容。
如果选择了合适的 LFXTBYPASS 模式,还可以向 LFXIN 输入引脚施加符合相应振荡器规范的数字时钟信号。这
种情况下,相关的 LFXOUT 引脚可用于其他用途。如果 LFXOUT 引脚未使用,则必须按照节 7.5 对其进行端
接。
图 10-2 给出了典型的连接图。有关 MSP430 器件晶体振荡器的选择,测试和设计的信息,请参阅 MSP430
32kHz 晶体振荡器。
XIN
XOUT
CL1
CL2
图10-2. 典型晶振连接
10.1.3 JTAG
正确连接后,可以使用调试器和硬件JTAG 接口(例如,MSP-FET 或MSP-FET430UIF)在目标板上编程和调试
代码。此外,连接还支持 MSP-GANG 生产编程器,因此,如果需要,还提供了一种对原型板进行编程的简单方
法。图 10-3 展示了 14 引脚 JTAG 连接器与支持 4 线制 JTAG 通信系统内编程和调试所需的目标器件之间的连
接。图10-4 给出了2 线制JTAG 模式(Spy-Bi-Wire) 的连接。
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MSP-FET 和 MSP-FET430UIF 接口模块与 MSP-GANG 的连接是相同的。两者均可为目标板提供 VCC(通过引
脚 2)。此外,MSP-FET 和 MSP-FET430UIF 接口模块以及 MSP-GANG 都具有 VCC 检测功能,若使用此功
能,则需要替代连接(通过引脚4,而非引脚2)。VCC 感测特性感测出现在目标板上的本地VCC(即,一个电池
或者其它本地电源)并相应地调节输出信号。图10-3 和图10-4 显示了一个跳线块,此跳线块支持VCC 为目标板
供电的两种模式。如果不需要这种灵活性,可对所需 VCC 连接进行硬接线,从而不需要跳线块。引脚 2 和4 不得
同时连接。
有关JTAG 接口的额外设计信息,请参阅MSP430 硬件工具用户指南。
VCC
Important to connect
MSP430FRxxx
J1 (see Note A)
DVCC
J2 (see Note A)
R1
47 kW
JTAG
RST/NMI/SBWTDIO
VCC TOOL
TDO/TDI
TDI
TDO/TDI
TDI
2
1
3
VCC TARGET
4
TMS
TMS
6
5
TEST
TCK
8
7
TCK
GND
RST
10
12
14
9
11
13
TEST/SBWTCK
DVSS
C1
1 nF
(see Note B)
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A. 如果使用一个本地目标电源,那么连接J1。如果使用调试或编程适配器供电,那么连接J2。
B. 如果使用当前TI 工具,那么C1 的上限是1.1nF。
图10-3. 4 线制JTAG 通信的信号连接
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VCC
Important to connect
MSP430FRxxx
J1 (see Note A)
J2 (see Note A)
DVCC
R1
47 kΩ
(see Note B)
JTAG
VCC TOOL
TDO/TDI
2
1
3
5
7
9
RST/NMI/SBWTDIO
VCC TARGET
4
6
TCK
8
GND
10
12
14
11
13
TEST/SBWTCK
DVSS
C1
1 nF
(see Note B)
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A. 如果使用一个本地目标电源,那么连接J1,或者当使用调试或编程适配器供电时,连接J2。
B. JTAG 访问期间,此器件的RST/NMI/SBWTDIO 引脚为2 线制模式用于与器件进行双向通信,并且任何连接到这个信号上的电容都有可
能影响到与器件建立连接的能力。如果使用当前TI 工具,那么C1 的上限是1.1nF。
图10-4. 2 线制JTAG 通信(Spy-Bi-Wire) 的信号连接
10.1.4 复位
复位引脚可配置为复位功能(默认),也可以配置为特殊功能寄存器(SFR) 中的NMI 功能,即SFRRPCR。
在复位模式下,RST/NMI 引脚为低电平有效,对该引脚施加符合复位时序规范的脉冲会引起BOR 型器件复位。
设置 SYSNMI 会引起 RST/NMI 引脚被配置为一个外部 NMI 源。外部 NMI 是边缘敏感的,其边缘是由
SYSNMIIES 选择的。设置NMIIE 能使能外部NMI 的中断。如果发生外部NMI 事件,NMIIFG 会置1。
RST/NMI 引脚可连接上拉电阻或下拉电阻(使能或禁用)。SYSRSTUP 用于选择上拉电阻或下拉电阻,
SYSRSTRE 用于使能(默认)或禁用上拉电阻(默认)或下拉电阻。如果未使用 RST/NMI 引脚,则需要选择并
使能内部上拉电阻,或者使用 10nF 下拉电容将外部 47kΩ 上拉电阻连接至 RST/NMI 引脚。如果所用器件的
Spy-Bi-Wire 接口处于 Spy-Bi-Wire 模式或 4 线制 JTAG 模式,并且使用 FET 接口或 GANG 编程器等 TI 工具,
下拉电容不得超过1.1nF。
有关基准控制寄存器和位的更多信息,请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南。
10.1.5 未使用的引脚
有关未使用引脚连接的详细信息,请参阅节7.5。
10.1.6 一般布局建议
• 为外部晶振进行正确接地并使用短走线以减小寄生电容。有关建议的布局指南,请参阅MSP430 32kHz 晶体
振荡器。
• 在DVCC、AVCC 和基准引脚(如果已使用)上连接正确的旁路电容器。
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• 避免将任何高频信号引到模拟信号线附近。例如,请使数字开关信号(例如PWM 或JTAG 信号)远离振荡器
电路和ADC 信号。
• 应考虑使用适当等级的ESD 保护,以防止器件发生意外的高压静电放电。请参阅MSP430 系统级ESD 注意
事项,获取相关指南。
10.1.7 注意事项
在上电、断电和器件运行期间,AVCC 和 DVCC 之间的电压差不得超过节 8.1 中规定的限值。如果超出规定的限
值,可能导致器件发生故障,包括对RAM 和FRAM 执行错误的写操作。
10.2 外设和接口的相关设计信息
10.2.1 ADC 外设
备注
ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。
10.2.1.1 部分原理图
图10-5 展示了带有内部或外部电压基准的推荐去耦电路。
DVSS
Using an external
VREF+/VEREF+
positive reference
+
100 nF
10 µF
Using an external
negative reference
VEREF-
+
10 µF
100 nF
图10-5. ADC 接地和噪声注意事项
10.2.1.2 设计要求
与任何高分辨率 ADC 一样,应遵循适当的印刷电路板布局和接地技术,以消除接地环路,不必要的寄生效应和噪
声。
来自ADC 的返回电流流经与其他模拟或数字电路共用的路径时,就会形成接地环路。如果不当心,这个电流会产
生小的有害的偏移电压,该电压可以增加或减少 ADC 的基准电压或输入电压。遵循节 10.1.1 中的通用准则并采
用节10.2.1.1 中显示的连接可避免这种情况的发生。
除了接地之外,因数字开关或开关电源而致电源线路上出现的纹波和噪声尖峰会影响转换结果。德州仪器 (TI) 建
议您选择采用单点连接独立模拟和数字接地层的无噪声设计,以提高精度。
图 10-5 显示了使用外部基准电压时的建议去耦电路。内部基准模块的最大驱动电流如 MSP430FR4xx 和
MSP430FR2xx 系列用户指南的ADC 引脚使能和1.2V 基准设置小节中所述。
基准电压必须是稳定电压才能实现精确测量。采用通用准则中选择的电容值时,可在基准电压进入器件前过滤掉
高频和低频纹波。在这种情况下,使用 10-µF 电容器来缓冲基准引脚和滤除任何低频纹波。100nF 旁路电容器滤
除高频噪声。
10.2.1.3 布局准则
部分原理图(请参阅图 10-5)中显示的组件应放置在应尽量靠近相应器件引脚的位置,以免走线过长,因为这些
组件会在信号上增加额外的寄生电容、电感和电阻。
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避免将模拟输入信号引到高频引脚(例如高频PWM)附近,因为高频开关可能耦合到模拟信号中。
10.3 典型应用
表 10-1 列出的参考设计反映了 MSP430FR211x 系列器件在不同实际应用场景中的使用。请参考这些设计,了解
关于原理图、布局和软件实现的附加指南。有关可用参考设计的最新列表,请参阅特定于器件的产品文件夹或访
问TI 参考设计。
表10-1. 参考设计
设计名称
采用MSP430FR4xx 实现的温度调节装置
链接
TIDM-FRAM-THERMOSTAT
TIDM-FRAM-WATERMETER
采用MSP430FR4xx 实现的水表
TIDM-REMOTE-CONTROLLER-FOR-AC
采用低功耗微控制器实现的空调遥控器
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11 器件和文档支持
11.1 开始
更多有关 MSP430™ 系列器件以及有助于开发的工具和库的信息,请访问 MSP430 超低功耗检测和测量 MCU 概
述。
11.2 器件命名规则
为了标示产品开发周期所处的阶段,TI 为所有MSP MCU 器件的器件型号分配了前缀。每个MSP MCU 商用系列
产品都具有以下两个前缀之一:MSP 或 XMS。这些前缀代表了产品开发的发展阶段,即从工程原型 (XMS) 直到
完全合格的生产器件(MSP)。
XMS - 实验器件,不一定代表最终器件的电气规格
MSP - 完全合格的生产器件
XMS 器件在供货时附带如下免责声明:
“开发中的产品用于内部评估用途。”
MSP 器件的特性已经全部明确,并且器件的质量和可靠性已经完全论证。TI 的标准保修证书对该器件适用。
预测显示原型器件 (XMS) 的故障率大于标准生产器件。由于这些器件的预计最终使用故障率尚不确定,德州仪器
(TI) 建议不要将它们用于任何生产系统。请仅使用合格的生产器件。
TI 的器件命名规则还包含具有器件产品系列名称的后缀。此后缀表示温度范围、封装类型和配送形式。图11-1 提
供了解读完整器件名称的图例。
MSP 430 FR 2 111 I PW R
Processor Family
MCU Platform
Memory Type
Series
Distribution Format
Packaging
Temperature Range
Feature Set
Processor Family
MSP = Mixed-Signal Processor
XMS = Experimental Silicon
MCU Platform
Memory Type
Series
430 = TI’s 16-bit MSP430 Low-Power Microcontroller Platform
FR = FRAM
2 = FRAM 2 Series up to 16 MHz without LCD
Feature Set
Variations of the device features; see the Device Comparison section for details
Temperature Range
Packaging
I = –40°C to 85°C
www.ti.com/packaging
Distribution Format
T = Small reel
R = Large reel
No marking = Tube or tray
图11-1. 器件命名规则
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11.3 工具和软件
所有 MSP 微控制器均受多种软件和硬件开发工具的支持。相关工具由 TI 以及多家第三方供应商提供。可从低功
耗MCU 开发套件和软件获取全部信息。
表 11-1 列出了 MSP430FR211x 微控制器的调试特性。请参阅适用于 MSP430 MCU 的 Code Composer Studio
IDE 用户指南,了解有关可用功能的详细信息。
表11-1. 硬件调试特性
四线制
JTAG
两线制
JTAG
断点
(N)
MSP430 架构
LPMx.5 调试支持 EEM 版本
状态序列发生器 跟踪缓冲器
范围断点
时钟控制
MSP430Xv2
3
S
有
有
有
是
否
否
无
设计套件与评估模块
适用于MSP430FR23x/21x MCU 的20 引脚目标插座开发板
MSP-TS430PW20 是一款独立的 ZIF 插座目标板,用于通过 JTAG 接口或 Spy Bi-Wire(双线制 JTAG)协议对
MSP430 MCU 系统进行编程和调试。该开发板支持采用 20 引脚或16 引脚的TSSOP 封装(TI 封装代码:PW)
的所有MSP430FR2000、MSP430FR21x 和MSP430FR23x FRAM MCU。
MSP430FR2311 LaunchPad 开发套件
MSP-EXP430FR2311 LaunchPad 开发套件是一款适用于 MSP430FR2000、MSP430FR21x 和 MSP430FR23x
MCU 系列的微控制器开发板。此套件包含对平台进行评估所需要的所有资源,包括用于编程、调试和能量测量的
板载仿真。板载按钮和LED 允许集成简单的用户交互。
MSP430FR4133 LaunchPad 开发套件
MSP-EXP430FR4133 LaunchPad 开发套件是一款适用于 MSP430FR2xx 和 MSP430FR4xx MCU 系列的微控制
器开发板。此套件包含对 MSP430FR2xx 和MSP430FR4xx FRAM 平台进行评估所需要的所有资源,包括用于编
程、调试和能量测量的板载仿真。借助板载按钮和 LED 实现简单的用户交互集成,而借助 BoosterPack™ 插件模
块的20 引脚接头,可以使用BoosterPack 模块快速进行用户实验。
MSP-FET 和MSP-TS430PW20 FRAM 微控制器开发套件包
MSP-FET430U20 开发套件包将两种调试工具相结合, 支持 MSP430FR2000 、MSP430FR21xx 和
MSP430FR23xx MCU 的 20 引脚 PW 封装(例如 MSP430FR2311IPW20)。所包括的工具是 MSP-
TS430PW20 和MSP-FET。
软件
MSP430Ware™ 软件
MSP430Ware 软件集合了所有MSP430 器件的代码示例、产品说明书以及其他设计资源,打包提供给用户。除了
提供已有 MSP430 设计资源的完整集合外,MSP430Ware 软件还包含名为 MSP 驱动程序库的高级 API。借助该
库可以轻松地对MSP430 硬件进行编程。MSP430Ware 软件以CCS 组件或独立软件包两种形式提供。
MSP430FR21xx 代码示例
根据不同应用需求配置各集成外设的每个MSP 器件均具备相应的C 代码示例。
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MSP 驱动程序库
MSP 驱动程序库的抽象 API 提供易用的函数调用,无需直接操纵 MSP430 硬件的位与字节。完整的文档通过具
有帮助意义的 API 指南交付,其中包括有关每个函数调用和经过验证的参数的详细信息。开发人员可使用驱动程
序库函数以尽可能低的费用编写全部项目。
ULP(超低功耗)Advisor
ULP Advisor™ 软件是一款工具,用于指导开发人员编写更高效代码,以便充分利用 MSP 和MSP432 微控制器独
特的超低功耗特性。ULP Advisor 的目标人群是微控制器的资深开发者和开发新手,可以根据详尽的 ULP 检验表
检查代码,以便最大限度地减少应用程序的能耗。在编译时,ULP Advisor 会提供通知和备注以突出显示代码中可
以进一步优化的区域,进而实现更低功耗。
IEC60730 软件包
开发 IEC60730 MSP430 软件包是为了帮助客户遵守 IEC 60730-1:2010(家用和类似用途的自动电气控制 - 第 1
部分:一般要求),这类产品包括家用电器、电弧检测器、电源转换器、电动工具、电动自行车和许多其他产
品。IEC60730 MSP430 软件包可以嵌入在 MSP430 上运行的客户应用中,以便帮助简化客户的多功能安全兼容
消费类器件针对IEC 60730-1:2010 B 类的认证工作。
用于MSP 的定点数学运算库
MSP IQmath 和Qmath 库是为C 语言开发者提供的一套经过高度优化的高精度数学运算函数集合,能够将浮点算
法无缝嵌入MSP430 和MSP432 器件的定点代码中。这些例程通常用于计算密集型实时应用,理想执行速度、高
精确度和超低能耗是这些应用的关键。与使用浮点数学算法编写的同等代码相比,使用 IQmath 和 Qmath 库可以
大幅提高执行速度并显著降低能耗。
适用于MSP430 的浮点数学库
TI 在低功耗和低成本微控制器领域锐意创新,为您提供 MSPMATHLIB。此标量函数的浮点数学库,能够充分利
用器件的智能外设,使速度最高达到标准MSP430 数学函数的 26 倍。Mathlib 能够轻松集成到您的设计中。该运
算库免费使用并集成在Code Composer Studio IDE 和IAR Embedded Workbench IDE 中。
开发工具
适用于MSP 微控制器的Code Composer Studio™ 集成开发环境
Code Composer Studio (CCS) 集成开发环境(IDE) 支持所有MSP 微控制器器件。CCS 包含一整套用于开发和调
试嵌入式应用程序的嵌入式软件实用程序。它包含优化的 C/C++ 编译器、源代码编辑器、工程构建环境、调试
器、分析器以及多种其他功能。
MSP EnergyTrace™ 技术
适用于 MSP430 微控制器的 EnergyTrace 技术是基于电能的代码分析工具,适用于测量和显示应用的电能系统配
置并帮助优化应用以实现超低功耗。
命令行编程器
MSP Flasher 是一款基于 shell 的开源接口,可使用 JTAG 或 Spy-Bi-Wire (SBW) 通信通过 FET 编程器或 eZ430
对MSP 微控制器进行编程。MSP Flasher 可用于将二进制文件(.txt 或.hex 文件)直接下载到 MSP 微控制器,
而无需使用IDE。
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MSP MCU 编程器和调试器
MSP-FET 是一款强大的仿真开发工具(通常称为调试探针),可帮助用户在 MSP 低功耗微控制器 (MCU) 中快
速开发应用。创建MCU 软件通常需要将生成的二进制程序下载到MSP 器件中,从而进行验证和调试。
MSP-GANG 量产编程器
MSP Gang 编程器是一款 MSP430 或 MSP432 器件编程器,可同时对多达八个完全相同的 MSP430 或 MSP432
闪存或 FRAM 器件进行编程。MSP Gang 编程器可使用标准的 RS-232 或 USB 连接与主机 PC 相连并提供灵活
的编程选项,允许用户完全自定义流程。
11.4 文档支持
以下文档介绍了MSP430FR211x 微控制器。www.ti.com 网站上提供了这些文档的副本。
接收文档更新通知
要接收文档更新(包括器件勘误表)通知,请转至 ti.com.cn 上相关器件的产品文件夹(例如 https://www.ti.com/
product/MSP430FR2111)。请单击右上角的“通知我”按钮。点击注册后,即可收到产品信息更改每周摘要(如
有)。有关更改的详细信息,请查阅已修订文档的修订历史记录。
勘误
MSP430FR2111 微控制器勘误表
说明了功能规格的已知例外情况。
MSP430FR2110 微控制器勘误表
说明了功能规格的已知例外情况。
MSP430FR2100 微控制器勘误表
说明了功能规格的已知例外情况。
MSP430FR2000 微控制器勘误表
说明了功能规格的已知例外情况。
用户指南
MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南
详细介绍了该器件系列提供的模块和外设。
MSP430 FRAM 器件引导加载程序(BSL) 用户指南
MSP430 MCU 上的引导加载程序 (BSL) 允许用户在原型设计、投产和维护等各阶段与 MSP430 MCU 中的嵌入式
存储器进行通信。可编程存储器(FRAM) 和数据存储器(RAM) 均可按要求予以修改。
通过JTAG 接口对MSP430 进行编程
本文档介绍了使用JTAG 通信端口擦除、编程和验证基于闪存和基于FRAM 的MSP430 微控制器系列的存储器模
块所需的功能。此外,该文档还介绍了如何编程所有 MSP430 器件上均具备的 JTAG 访问安全保险丝。此文档介
绍了使用标准四线制JTAG 接口和两线制JTAG 接口(也称为Spy-Bi-Wire (SBW))的器件访问。
MSP430 硬件工具用户指南
此手册介绍了 TI MSP-FET430 闪存仿真工具 (FET) 的硬件。FET 是针对 MSP430 超低功耗微控制器的程序开发
工具。
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应用报告
MSP430 FRAM 技术–操作方法和最佳实践
FRAM 是一种非易失性存储器技术,其行为与 SRAM 类似,不仅支持大量新应用,还改变了固件的设计方式。该
应用报告从嵌入式软件开发视角概述了 FRAM 技术在MSP430 中的使用方法和最佳实践,其中介绍了如何按照应
用程序特定的代码、常量、数据空间要求实施存储器布局以及如何使用FRAM 优化应用程序的能耗。
MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列的VLO 校准
MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx (FR4xx/FR2xx) 系列微控制器(MCU) 提供了各种时钟源,包括一些高速、高精
度时钟以及一些低功耗、低系统成本时钟。用户可以选择以最佳方式权衡了性能、功耗和系统成本的时钟。片上
超低频振荡器 (VLO) 是 FR4xx/FR2xx 系列 MCU 中包含的频率为 10kHz(典型值)的时钟源。VLO 具有超低功
耗,因此广泛用于各种应用。
MSP430 32kHz 晶体振荡器
选择合适的晶体、正确的负载电路和适当的电路板布局是实现稳定的晶体振荡器的关键。该应用报告总结了晶体
振荡器的功能,介绍了用于选择合适的晶体以实现 MSP430 超低功耗运行的参数。此外,还给出了正确电路板布
局的提示和示例。此外,为了确保振荡器在大规模生产后能够稳定运行,还可能需要进行一些振荡器测试,该文
档中提供了有关这些测试的详细信息。
MSP430 系统级ESD 注意事项
随着芯片技术向更低电压方向发展以及设计具有成本效益的超低功耗组件的需求的出现,系统级 ESD 要求变得越
来越苛刻。该应用报告介绍了不同的 ESD 主题,旨在帮助电路板设计人员和 OEM 理解并设计出稳健耐用的系统
级设计。
11.5 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
TI 的《使用条款》。
11.6 商标
MSP430™, LaunchPad™, MSP430Ware™, Code Composer Studio™, TI E2E™, BoosterPack™, ULP Advisor™,
适用于MSP 微控制器的Code Composer Studio™, EnergyTrace™, and are trademarks of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
11.7 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序,可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级,大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏,这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
11.8 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
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12 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更,恕不另行通知,且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。
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重要声明和免责声明
TI 提供技术和可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,不保证没
有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。
这些资源可供使用TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任:(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品,(2) 设计、验
证并测试您的应用,(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。这些资源如有变更,恕不另行通知。TI 授权您仅可
将这些资源用于研发本资源所述的TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。您无权使用任何其他TI 知识产权或任何第三方知
识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成本、损失和债务,TI 对此概不负责。
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
MSP430FR2000IPW16
MSP430FR2000IPW16R
MSP430FR2000IRLLR
MSP430FR2000IRLLT
MSP430FR2100IPW16
MSP430FR2100IPW16R
MSP430FR2100IRLLR
MSP430FR2100IRLLT
MSP430FR2110IPW16
MSP430FR2110IPW16R
MSP430FR2110IRLLR
MSP430FR2110IRLLT
MSP430FR2111IPW16
MSP430FR2111IPW16R
MSP430FR2111IRLLR
MSP430FR2111IRLLT
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
TSSOP
TSSOP
VQFN
PW
PW
RLL
RLL
PW
PW
RLL
RLL
PW
PW
RLL
RLL
PW
PW
RLL
RLL
16
16
24
24
16
16
24
24
16
16
24
24
16
16
24
24
90
RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
-40 to 85
FR2000
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
FR2000
FR2000
FR2000
FR2100
FR2100
FR2100
FR2100
FR2110
FR2110
FR2110
FR2110
FR2111
FR2111
FR2111
FR2111
VQFN
250
90
RoHS & Green
RoHS & Green
TSSOP
TSSOP
VQFN
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
VQFN
250
90
RoHS & Green
RoHS & Green
TSSOP
TSSOP
VQFN
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
VQFN
250
90
RoHS & Green
RoHS & Green
TSSOP
TSSOP
VQFN
2000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
VQFN
250
RoHS & Green
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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25-Apr-2022
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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18-Jul-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
MSP430FR2000IPW16R TSSOP
PW
RLL
RLL
RLL
RLL
PW
16
24
24
24
24
16
24
24
2000
250
330.0
180.0
330.0
180.0
180.0
330.0
330.0
180.0
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
6.9
3.3
3.3
3.3
3.3
6.9
3.3
3.3
5.6
3.3
3.3
3.3
3.3
5.6
3.3
3.3
1.6
1.1
1.1
1.1
1.1
1.6
1.1
1.1
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
Q1
Q2
Q2
Q2
Q2
Q1
Q2
Q2
MSP430FR2000IRLLT
MSP430FR2100IRLLR
MSP430FR2100IRLLT
MSP430FR2110IRLLT
VQFN
VQFN
VQFN
VQFN
3000
250
250
MSP430FR2111IPW16R TSSOP
2000
3000
250
MSP430FR2111IRLLR
MSP430FR2111IRLLT
VQFN
VQFN
RLL
RLL
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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18-Jul-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
MSP430FR2000IPW16R
MSP430FR2000IRLLT
MSP430FR2100IRLLR
MSP430FR2100IRLLT
MSP430FR2110IRLLT
MSP430FR2111IPW16R
MSP430FR2111IRLLR
MSP430FR2111IRLLT
TSSOP
VQFN
VQFN
VQFN
VQFN
TSSOP
VQFN
VQFN
PW
RLL
RLL
RLL
RLL
PW
16
24
24
24
24
16
24
24
2000
250
350.0
210.0
367.0
210.0
210.0
350.0
367.0
210.0
350.0
185.0
367.0
185.0
185.0
350.0
367.0
185.0
43.0
35.0
35.0
35.0
35.0
43.0
35.0
35.0
3000
250
250
2000
3000
250
RLL
RLL
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
18-Jul-2023
TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
MSP430FR2000IPW16
MSP430FR2100IPW16
MSP430FR2110IPW16
MSP430FR2111IPW16
PW
PW
PW
PW
TSSOP
TSSOP
TSSOP
TSSOP
16
16
16
16
90
90
90
90
530
530
530
530
10.2
10.2
10.2
10.2
3600
3600
3600
3600
3.5
3.5
3.5
3.5
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
PW0016A
TSSOP - 1.2 mm max height
S
C
A
L
E
2
.
5
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
SEATING
PLANE
C
6.6
6.2
TYP
A
0.1 C
PIN 1 INDEX AREA
14X 0.65
16
1
2X
5.1
4.9
4.55
NOTE 3
8
9
0.30
16X
4.5
4.3
NOTE 4
1.2 MAX
0.19
B
0.1
C A B
(0.15) TYP
SEE DETAIL A
0.25
GAGE PLANE
0.15
0.05
0.75
0.50
A
20
0 -8
DETAIL A
TYPICAL
4220204/A 02/2017
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Reference JEDEC registration MO-153.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
PW0016A
TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
SYMM
16X (1.5)
(R0.05) TYP
16
1
16X (0.45)
SYMM
14X (0.65)
8
9
(5.8)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 10X
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
NON-SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
15.000
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4220204/A 02/2017
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
PW0016A
TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
16X (1.5)
SYMM
(R0.05) TYP
16
1
16X (0.45)
SYMM
14X (0.65)
8
9
(5.8)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE: 10X
4220204/A 02/2017
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OUTLINE
VQFN - 0.9 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
RLL0024A
3.1
2.9
B
A
3.1
2.9
PIN 1 INDEX AREA
0.9 MAX
C
SEATING PLANE
0.08 C
0.05
0.00
8X 0.4
8X 0.5
(0.1) TYP
4X (0.05) TYP
6
12
EXPOSED
THERMAL PAD
0.30
0.15
24X
SYMM
25
2
1.8
0.45
0.35
4X
1
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
18
24
4X (0.05) TYP
SYMM
0.1
C A B
C
0.25
0.15
16X
0.05
4217760 / C 11/2021
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
VQFN - 0.9 mm max height
RLL0024A
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
1.9)
SYMM
(0.7)
TYP
4X ( 0.25)
20X (0.45)
16X (0.2)
24
18
1
(0.7)
TYP
SYMM
25
(2.65)
(2.95)
8X (0.5)
8X (0.4)
(Ø0.2) TYP
VIA
(R0.05)
TYP
6
12
4X (0.4)
(2.65)
(2.95)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE: 20X
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
METAL
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4217760 / C 10/2021
NOTES: (continued)
4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments
literature number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).
5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their
locations shown on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
VQFN - 0.9 mm max height
RLL0024A
PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD
1.71)
SYMM
4X ( 0.25)
18
20X (0.45)
24
1
16X (0.2)
SYMM
(2.65)
(2.95)
25
8X (0.5)
8X (0.4)
METAL
TYP
(R0.05)
TYP
6
12
4X (0.4)
(2.65)
(2.95)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.1 mm THICK STENCIL
EXPOSED PAD
81% PRINTED COVERAGE BY AREA
SCALE: 20X
4217760 / C 10/2021
NOTES: (continued)
6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations..
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重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据(包括数据表)、设计资源(包括参考设计)、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源,
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保,包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
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证并测试您的应用,(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
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您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成
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邮寄地址:Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号:
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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