MSP430FR2111IRLLR_技术文档

MSP430FR2111, MSP430FR2110, MSP430FR2100, MSP430FR2000

ZHCSFC7E –AUGUST 2016 –REVISED JUNE 2021

MSP430FR21xx，MSP430FR2000 混合信号微控制器

– 带有锁频环(FLL) 的片上16MHz 数控振荡器

1 特性

(DCO)

• 嵌入式微控制器

• 室温下的精度为±1%（具有片上基准）

– 片上超低频10kHz 振荡器(VLO)

– 片上高频调制振荡器(MODOSC)

– 外部32kHz 晶振(LFXT)

– 可编程MCLK 预分频器（1 至128）

– 通过可编程预分频器（1、2、4 或8）从MCLK

获得的SMCLK

– 频率高达16MHz 的16 位精简指令集计算机

(RISC) 架构

– 1.8V 至3.6V 的宽电源电压范围（最低电源电压

受限于SVS 电平，请参阅SVS 规格）

• 经优化的低功耗模式（3V）

– 工作模式：120µA/MHz

• 通用输入/输出和引脚功能

– 待机

• 具有VLO 的LPM3.5：1µA

• 实时时钟(RTC) 计数器（采用32768Hz 晶

体的LPM3.5）：1µA

– 16 引脚封装有12 个I/O

– 8 个中断引脚（4 个P1 引脚和4 个P2 引脚）

可将MCU 从LPM 唤醒

– 关断(LPM4.5)：34nA，未使用SVS

• 高性能模拟

– 所有I/O 均为电容式触控I/O

• 开发工具与软件（另请参阅工具与软件）

– 8 通道10 位模数转换器(ADC)

– 免费的专业开发环境

– 开发套件

• 集成温度传感器

• 1.5V 的内部基准电压

• 采样与保持200ksps

– 增强型比较器(eCOMP)

• MSP-TS430PW20

• MSP‑FET430U20

• MSP‑EXP430FR2311

• MSP‑EXP430FR4133

• 系列成员（另请参阅器件比较）

• 集成6 位DAC 作为基准电压

• 可编程迟滞

• 可配置的高功率和低功率模式

• 低功耗铁电RAM (FRAM)

– MSP430FR2111：3.75KB 程序FRAM，1KB

RAM

– MSP430FR2110：2KB 程序FRAM，1KB RAM

– MSP430FR2100：1KB 程序FRAM，512 字节

RAM

– 非易失性存储器容量高达3.75KB

– 内置错误修正码(ECC)

– 可配置的写保护

– MSP430FR2000：0.5KB 程序FRAM，512 字

节RAM

• 封装选项

– 对程序、常量和存储的统一存储

– 耐写次数达10¹⁵次

– 抗辐射和非磁性

• 智能数字外设

– 16 引脚：TSSOP (PW16)

– 24 引脚：VQFN (RLL)

– 具有三个捕捉/比较寄存器的16 位计时器

(Timer_B3)

– 一个仅用作计数器的16 位RTC 计数器

– 16 位循环冗余校验器(CRC)

• 增强型串行通信

2 应用

• 电器电池组

• 烟雾和热量探测器

• 门窗传感器

• 照明传感器

– 增强型USCI A (eUSCI_A) 支持UART、IrDA

和SPI

• 电源监控

• 个人护理电子装置

• 便携式保健和健身设备

• 时钟系统(CS)

– 片上32kHz RC 振荡器(REFO)

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLASE78

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3 说明

MSP430FR2000 和 MSP430FR21xx 器件属于 MSP430^™微控制器 (MCU) 超值系列检测产品组合。这款超低功

耗，低成本的 MCU 系列提供从 0.5KB 至 4KB 内存大小的 FRAM 统一存储器，并具有多种封装选项，包括

3mm×3mm 的小型VQFN 封装。架构、FRAM 和集成外设与多种低功耗模式相结合，针对在便携式和电池供电检

测应用中延长电池寿命进行了优化。MSP430FR2000 和MSP430FR21xx 器件为 8 位设计提供了迁移路径，以便

通过外设集成以及 FRAM 的数据记录和低功耗优势获得额外的特性和功能。此外，使用 MSP430G2x 系列 MCU

可将现有设计迁移到MSP430FR2000 和MSP430F21xx 系列，以提高性能并利用FRAM 的优点。

MSP430FR2000 和 MSP430FR21xx 系列 MCU 具有功能强大的 16 位 RISC CPU、16 位寄存器和一个有助于获

得最大编码效率的常数发生器。数字控制振荡器 (DCO) 通常还可以让器件在不到 10µs 的时间内从低功耗模式唤

醒至激活模式。此MCU 的功能集可满足从电器电池包和电池监控到烟雾探测器和健身附件等各种应用的需求。

MSP 超低功耗 (ULP) FRAM 微控制器平台将独特的嵌入式 FRAM 和全面的超低功耗系统架构相结合，从而使系

统设计人员在低能耗条件下提升性能。FRAM 技术将 RAM 的低能耗快速写入、灵活性和耐用性与闪存的非易失

性相结合。

MSP430FR2000 和MSP430FR21x 系列MCU 由一款广泛的硬件和软件生态系统进行支持，提供参考设计和代码

示例，协助用户快速开展设计。开发套件包括 MSP-EXP430FR2311 和 MSP430FR4133 LaunchPad^™开发套件

以及 MSP‑TS430PW20 20 引脚目标开发板。TI 还提供免费的 MSP430Ware^™软件，该软件以 Code Composer

Studio^™IDE 桌面和云版本组件（位于TI Resource Explorer 中）的形式提供。我们为MSP430 MCU 提供广泛的

在线配套资料（例如通用示例系列、MSP Academy 培训），也通过TI E2E^™支持论坛提供在线支持。

有关完整的模块说明，请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列器件用户指南。

器件信息

器件型号⁽¹⁾

MSP430FR2111IPW16

MSP430FR2110IPW16

MSP430FR2100IPW16

MSP430FR2000IPW16

MSP430FR2111IRLL

MSP430FR2110IRLL

MSP430FR2100IRLL

MSP430FR2000IRLL

封装尺寸⁽²⁾

封装

TSSOP (16)

5mm × 4.4mm

VQFN (24)

3mm x 3mm

(1) 若要获得最新的产品、封装和订购信息，请参阅节12 中的封装选项附录，或者访问德州仪器(TI) 网

站www.ti.com.cn。

(2) 这里显示的尺寸为近似值。要获得包含误差值的封装尺寸，请参阅机械数据（节12 中）。

CAUTION

系统级静电放电 (ESD) 保护必须符合器件级 ESD 规范，以防发生电气过载或对数据或代码存储器造

成干扰。如需更多信息，请参阅MSP430^™系统级ESD 注意事项。

2

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4 功能方框图

图4-1 给出了功能方框图。

XIN XOUT

P1.x, P2.x

Cap Touch I/O

LFXT

ADC

FRAM

RAM

eCOMP0

I/O Ports

P1 (1×8 IOs)

P2 (1×4 IOs)

DVCC

8 channels,

single ended,

10 bit,

200 ksps

(see Note)

3.75KB

2KB

1KB

512 bytes

With 6-bit

DAC

Clock

System

Control

Power

Management

Module

DVSS

PA (P1, P2)

1×12 IOs

0.5KB

RST/NMI

MAB

16-MHz CPU

including

16 Registers

MDB

EEM

RTC

Counter

BAKMEM

SYS

CRC16

TB0

eUSCI_A0

TCK

TMS

32 bytes

backup

memory

16-bit

real-time

clock

16-bit

cyclic

redundancy

check

Timer_B

3 CC

registers

UART,

IrDA, SPI

JTAG

SBW

TDI/TCLK

TDO

SBWTCK

SBWTDIO

Watchdog

LPM3.5 Domain

注：ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

图4-1. 功能方框图

• 该器件具有一对主电源（DVCC 和DVSS），分别为数字和模拟模块供电。推荐的旁路电容和去耦电容分别为

4.7μF 至10μF 和0.1μF，精度为±5%。

• P1 的4 个引脚和P2 的4 个引脚均具备引脚中断功能，可将MCU 从所有低功耗模式(LPM) 唤醒（包括

LPM4、LPM3.5 和LPM4.5）。

• Timer_B3 具有三个捕捉/比较寄存器。仅CCR1 和CCR2 从外部连接。CCR0 寄存器仅用于内部周期时序和中

断生成。

• 在LPM3.5 模式下，RTC 计数器与备用存储器可继续工作，而其余外设停止工作。

• 所有通用I/O 均可配置为电容式触控I/O。

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内容

1 特性................................................................................... 1

8.12 时序和开关特性.......................................................19

2 应用................................................................................... 1

3 说明................................................................................... 2

4 功能方框图.........................................................................3

5 修订历史记录.....................................................................5

6 器件比较............................................................................ 7

6.1 相关产品......................................................................7

7 终端配置和功能................................................................. 8

7.1 引脚图......................................................................... 8

7.2 引脚属性......................................................................9

7.3 信号说明....................................................................11

7.4 引脚复用....................................................................13

7.5 未使用引脚的连接..................................................... 13

7.6 缓冲类型....................................................................13

8 规格................................................................................. 14

8.1 绝对最大额定值.........................................................14

8.2 ESD 等级.................................................................. 14

8.3 建议运行条件............................................................ 14

8.4 工作模式下流入V_CC的电源电流（不包括外部电

流）............................................................................. 15

8.5 工作模式下每兆赫兹的电源电流................................15

8.6 LPM0 低功耗模式下流入V_CC的电源电流（不包

括外部电流）...............................................................15

8.7 LPM3 和LPM4 低功耗模式下流入V_CC的电源电

流（不包括外部电流）................................................ 16

8.8 LPMx.5 低功耗模式下流入V_CC的电源电流（不

包括外部电流）........................................................... 17

8.9 典型特性- LPM 电源电流..........................................18

8.10 每个模块的电流消耗................................................19

8.11 热阻特征.................................................................19

9 详细说明.......................................................................... 38

9.1 概述...........................................................................38

9.2 CPU.......................................................................... 38

9.3 工作模式....................................................................38

9.4 中断向量地址............................................................ 40

9.5 内存组织....................................................................41

9.6 引导加载程序(BSL).................................................. 41

9.7 JTAG 标准接口..........................................................41

9.8 Spy-Bi-Wire 接口(SBW)...........................................42

9.9 FRAM........................................................................42

9.10 存储器保护..............................................................42

9.11 外设.........................................................................42

9.12 器件描述符(TLV).................................................... 60

9.13 标识.........................................................................61

10 应用、实现和布局..........................................................62

10.1 器件连接和布局基本准则........................................ 62

10.2 外设和接口的相关设计信息.....................................65

10.3 典型应用..................................................................66

11 器件和文档支持..............................................................67

11.1 开始.........................................................................67

11.2 器件命名规则...........................................................67

11.3 工具和软件.............................................................. 68

11.4 文档支持..................................................................70

11.5 支持资源..................................................................71

11.6 商标.........................................................................71

11.7 静电放电警告...........................................................71

11.8 术语表..................................................................... 71

12 机械、封装和可订购信息...............................................72

4

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5 修订历史记录

注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同

从修订版本D 更改为修订版本E

Changes from DECEMBER 11, 2019 to JUNE 2, 2021

Page

• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1

• 更新了节3 说明................................................................................................................................................ 2

• 更新了节6.1，相关产品................................................................................................................................... 7

• 在节8.12.5 VREF+ 内置基准中添加了有关1.5V 内部基准规格的注释........................................................... 27

• 在图9-1 中为施密特触发使能添加了逆变器..................................................................................................... 56

从修订版本C 更改为修订版本D

Changes from AUGUST 30, 2018 to DECEMBER 10, 2019

Page

• 在节8.3 建议运行条件中更改了以“如果电源电压的变化速率快于0.2V/µs，会触发BOR 复位...”开头的注

释...................................................................................................................................................................... 14

• 在节8.3 建议运行条件中添加了以“TI 建议至DVCC 引脚的电源不得超过限制...”开头的注释.................... 14

• 在节8.3 建议运行条件中添加了以“需要±20% 或更高的电容器容差...”开头的注释.................................... 14

• 向节8.12.3.1 XT1 晶体振荡器（低频）中添加了注释“请参阅MSP430 32kHz 晶体振荡器，了解有关晶体断

面、布局和测试的详细信息”...........................................................................................................................21

• 在节8.12.3.1 XT1 晶体振荡器（低频）中更改了以“在两个端子上都需要外部电容器...”开头的注释........... 21

• 在节8.12.4.1 数字输入中添加了t_(int)参数........................................................................................................25

• 在节8.12.8.1 ADC，电源和输入范围条件中将参数符号从R_I更改为R_I,MUX..................................................32

• 在节8.12.8.1 ADC，电源和输入范围条件中更正了R_I,MUX参数的测试条件................................................... 32

• 在节8.12.8.1 ADC，电源和输入范围条件中添加了R_I,Misc典型值34kΩ........................................................32

• 在节8.12.8.2 ADC，10 位时序参数中为外部ADCCLK 源添加了t_CONVERT...................................................32

• 在节8.12.8.2 ADC，10 位时序参数中为R_I添加了公式..................................................................................32

• 在节8.12.8.2 ADC，10 位时序参数中添加了以“t_Sample= ln(2ⁿ⁺¹) × τ...”开头的注释................................32

• 删除了节8.12.8.3 ADC，10 位线性参数中以“器件描述符结构...”开头的表注中的“±3℃”描述............... 33

• 在节9.11.8 计时器(Timer0_B3) 中以“Timer0_B3 互连...”开头的描述中将位字段从IRDSEL 更正为

IRDSSEL”.......................................................................................................................................................47

• 更正了表9-14 ADC 通道连接中的ADCINCHx 列标题....................................................................................48

• 在表9-26 端口P1、P2 寄存器（基地址：0200h）中添加了P1SELC 信息...................................................51

• 在表9-26 端口P1、P2 寄存器（基地址：0200h）中添加了P2SELC 信息...................................................51

从修订版本B 更改为修订版本C

Changes from JULY 14, 2017 to AUGUST 29, 2018

Page

• 在节8.12.1.1 PMM、SVS 和BOR 中为V_SVSH-和V_SVSH+参数添加了注释.................................................... 20

• 在表9-7 时钟分配中添加了注释“在SYSCFG2 寄存器中由RTCCKSEL 位控制”.......................................43

• 在图10-1 电源去耦中将1µF 电容器更改为10µF............................................................................................62

• 更新了节11.2 器件命名规则中的文本和图.......................................................................................................67

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从修订版本A 更改为修订版本B

Changes from AUGUST 13, 2016 to JULY 13, 2017

Page

• 添加了MSP430FR2100 和MSP430FR2000 器件.............................................................................................1

• 重新排列节1 特性中的项目............................................................................................................................... 1

• 更正了整个文档中的RLL 封装系列（将QFN 更改为VQFN）.......................................................................... 1

• 更新了节2 中的应用程序列表.............................................................................................................................1

• 更新了节3 说明................................................................................................................................................ 2

• 在图4-1 功能框图中更正了端口P1 的位数....................................................................................................... 3

• 在表7-2 信号说明中更新了以“这是通过TBRMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释............................. 11

• 在表7-2 信号说明中更新了以“这是通过USCIARMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释.......................11

• 删除了之前的图5-2 低功耗模式3 电源电流与温度间的关系...........................................................................18

• 更新了节8.11 热阻特性中的注释......................................................................................................................19

• 在表9-1 工作模式中将LPM3 列中的eUSCI_A 的条目从“关闭”更改为“可选”........................................38

• 在表9-11 eUSCI 引脚配置中更新了以“这是通过USCIARMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释......... 46

• 在表9-12 Timer0_B3 信号连接中更新了以“这是通过TBRMP 位控制的重新映射功能...”开头的注释........ 47

• 从表9-21 SYS 寄存器中删除了SYSBERRIV 寄存器（不受支持）................................................................51

• 更新了节11.3 工具和软件中的“设计套件和评估模块”说明..........................................................................68

从初始发行版更改为修订版本A

Changes from AUGUST 11, 2016 to AUGUST 12, 2016

Page

• 将文档状态从“产品预发布”更改为“生产数据”.............................................................................................1

6

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6 器件比较

表6-1 总了可用产品系列成员的特性。

表6-1. 器件比较

SRAM（字

节）

器件^{(1) (2)}

程序FRAM (KB)

10 位ADC 通道

TB0

eUSCI_A

eCOMP0

I/O

封装

MSP430FR2111IPW16

MSP430FR2110IPW16

MSP430FR2100IPW16

MSP430FR2000IPW16

MSP430FR2111IRLL

MSP430FR2110IRLL

MSP430FR2100IRLL

MSP430FR2000IRLL

3.75

2

1024

512

3 × CCR⁽³⁾

1

8

-

1

12

16 PW (TSSOP)

24 RLL (VQFN)

1

0.5

3.75

2

512

1024

512

8

-

1

0.5

512

(1) 要获得最新的器件、封装和订购信息，请参阅封装选项附录（节12），或者访问TI 网站www.ti.com.cn。

(2) 封装图、标准包装数量、热数据、符号和PCB 设计指南可从www.ti.com/packaging 获得

(3) CCR 寄存器属于可配置寄存器，可提供内部和外部捕捉/比较输入，或者内部和外部PWM 输出。

6.1 相关产品

有关该系列产品或相关产品中的其他器件的信息，请参阅以下链接。

微控制器(MCU) 和处理器概述

我们种类丰富的16 和32 位微控制器(MCU) 产品系列具有实时控制功能和高精度模拟集成功能，并针对工业和汽

车应用进行了优化。凭借数十年积累的专业知识和创新的硬件和软件解决方案，我们的MCU 可满足任何设计和预

算需求。

MSP430™ 微控制器(MCU) 概述

我们的 16 位MSP430™ 微控制器 (MCU) 可提供经济实惠、适用于所有应用的解决方案。凭借我们在集成式精密

模拟产品领域的领导地位，设计人员能够提高系统性能并降低系统成本。设计人员可以从种类广泛的 MSP430 产

品系列中找到具有成本效益的 MCU，该产品系列包含可满足几乎任何需求的 2000 多种器件。借助我们简易的工

具、软件和卓越的支持，快速开始并缩短上市时间。

参考设计

查找采用了TI 出色技术的参考设计–从模拟和电源管理到嵌入式处理器。

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7 终端配置和功能

7.1 引脚图

图7-1 展示了16 引脚PW 封装的引脚分配。

1

2

3

4

5

6

7

8

16

15

14

13

12

11

10

9

P1.1/UCA0CLK/ACLK/C1/A1

P1.0/UCA0STE/SMCLK/C0/A0/Veref+

TEST/SBWTCK

P1.2/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0TRG/C2/A2/Veref-

P1.3/UCA0TXD/UCA0SIMO/C3/A3

P1.4/UCA0STE/TCK/A4

P1.5/UCA0CLK/TMS/A5

RST/NMI/SBWTDIO

DVCC

P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6

P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+

P2.0/TB0.1/COUT

DVSS

P2.7/TB0CLK/XIN

P2.6/MCLK/XOUT

P2.1/TB0.2

ADC（信号A0 至A7、Veref+ 和Veref-）在MSP430FR2000 器件上不可用。

图7-1. 16 引脚PW (TSSOP)（顶视图）

图7-2 展示了24 引脚RLL 封装的引脚分配。

24 23 22 21 20 19

TEST/SBWTCK

RST/NMI/SBWTDIO

DVCC

NC

1

2

3

4

5

6

18

17

16

15

14

13

P1.3/UCA0TXD/UCA0SIMO/C3/A3

P1.4/UCA0STE/TCK/A4

DVSS

P1.5/UCA0CLK/TMS/A5

P2.7/TB0CLK/XIN

NC

P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6

P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+

7

8

9 10 11 12

ADC（信号A0 至A7、Veref+ 和Veref-）在MSP430FR2000 器件上不可用。

图7-2. 24 引脚RLL (VQFN)（俯视图）

8

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7.2 引脚属性

表7-1 列出了所有引脚的属性。

表7-1. 引脚属性

引脚编号

信号名称^{(1) (2)}

P1.1 (RD)

信号类型⁽³⁾

缓冲类型⁽⁴⁾

BOR 后的复位状态⁽⁵⁾

电源

PW16

RLL

I/O

O

I

LVCMOS

DVCC

关闭

–

-

UCA0CLK

ACLK

1

23

C1

模拟

A1⁽⁶⁾

I

模拟

P1.0 (RD)

UCA0STE

SMCLK

C0

I/O

O

I

LVCMOS

关闭

–

-

2

20

模拟

A0⁽⁶⁾

I

模拟

Veref+⁽⁶⁾

TEST (RD)

SBWTCK

RST (RD)

NMI

I

电源

I

LVCMOS

关闭

3

4

1

2

I

-

I/O

I

关闭

–

SBWTDIO

DVCC

I/O

P

–

5

6

3

4

N/A

电源

DVSS

P

电源

P2.7 (RD)

TB0CLK

XIN

I/O

I

LVCMOS

关闭

–

7

5

I

-

P2.6 (RD)

MCLK

I/O

O

I/O

O

I/O

O

I/O

O

I

关闭

–

8

9

7

11

8

XOUT

-

P2.1(RD)

TB0.2

关闭

-

P2.0 (RD)

TB0.1

关闭

–

10

COUT

–

P1.7 (RD)

UCA0TXD

UCA0SIMO

TB0.2

关闭

–

11

13

–

TDO

–

A7⁽⁶⁾

模拟

电源

–

VREF+

O

–

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9

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表7-1. 引脚属性(continued)

引脚编号

信号名称^{(1) (2)}

P1.6 (RD)

信号类型⁽³⁾

缓冲类型⁽⁴⁾

BOR 后的复位状态⁽⁵⁾

电源

PW16

RLL

I/O

LVCMOS

DVCC

关闭

–

UCA0RXD

UCA0SOMI

TB0.1

I

I/O

–

12

14

I/O

–

TDI

I

–

TCLK

I

–

A6⁽⁶⁾

I

模拟

–

P1.5 (RD)

UCA0CLK

TMS

I/O

LVCMOS

关闭

-

I/O

13

14

15

16

I

–

A5⁽⁶⁾

I

模拟

P1.4 (RD)

UCA0STE

TCK

I/O

LVCMOS

关闭

–

I/O

I

–

A4⁽⁶⁾

I

模拟

–

P1.3 (RD)

UCA0TXD

UCA0SIMO

C3

I/O

LVCMOS

关闭

–

O

15

17

I/O

–

I

模拟

–

A3⁽⁶⁾

I

模拟

–

P1.2 (RD)

UCA0RXD

UCA0SOMI

TB0TRG

C2

I/O

LVCMOS

关闭

–

I

I/O

–

16

19

I

–

模拟

电源

–

A2⁽⁶⁾

–

Veref-⁽⁶⁾

–

6、9、

10、12、

18、21、

22、24

NC⁽⁷⁾

-

–

(1) 带有(RD) 的信号名称表示复位默认引脚名称。

(2) 要确定每个引脚的复用编码，请参阅节9.11.15。

(3) 信号类型：I = 输入，O = 输出，I/O = 输入或输出。

(4) 缓冲类型：LVCMOS、模拟或电源（请参阅节7.6）

(5) 复位状态：

OFF = 禁用上拉或下拉的高阻抗输入（如果可用）

N/A = 不适用

(6) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

(7) NC = 未连接

10

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7.3 信号说明

表7-2 介绍了所有器件型号和封装选项的信号。

表7-2. 信号说明

引脚编号

功能

信号名称

引脚类型

说明

PW16

2

RLL

20

23

19

17

16

15

14

13

20

19

20

23

19

17

8

A0

I

模拟输入A0

A1

1

模拟输入A1

A2

16

15

14

13

12

11

2

I

模拟输入A2

A3

I

模拟输入A3

A4

I

模拟输入A4

ADC⁽¹⁾

A5

I

模拟输入A5

A6

I

模拟输入A6

A7

I

模拟输入A7

Veref+

Veref-

C0

I

ADC 正基准

16

2

I

ADC 负基准

I

比较器输入通道C0

比较器输入通道C1

比较器输入通道C2

比较器输入通道C3

比较器输出通道COUT

ACLK 输出

C1

1

I

eCOMP0

C2

16

15

10

1

I

C3

I

COUT

ACLK

MCLK

SMCLK

XIN

XOUT

O

I

23

7

8

MCLK 输出

时钟

2

20

5

SMCLK 输出

7

晶振的输入引脚

晶振的输出引脚

Spy-Bi-Wire 输入时钟

Spy-Bi-Wire 数据输入/输出

测试时钟

8

7

O

I

SBWTCK

SBWTDIO

TCK

3

1

4

2

I/O

I

14

12

11

13

3

16

14

13

15

1

TCLK

TDI

I

测试时钟输入

调试

I

测试数据输入

TDO

O

I

测试数据输出

TMS

测试模式选择

I

测试模式引脚–JTAG 引脚上选定的数字I/O

不可屏蔽的中断输入

测试

NMI

4

2

I

系统

电源

RST

4

2

I/O

P

复位输入，低电平有效

电源

DVCC

DVSS

VREF+

5

3

6

4

电源接地

11

13

以接地端电压为基准的正向基准电压输出

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11

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表7-2. 信号说明(continued)

引脚编号

功能

信号名称

引脚类型

说明

PW16

RLL

20

23

19

17

16

15

14

13

8

P1.0

P1.1

P1.2

P1.3

P1.4

P1.5

P1.6

P1.7

P2.0

P2.1

P2.6

P2.7

2

I/O

I

通用I/O

1

通用I/O

16

15

14

13

12

11

10

9

通用I/O

通用I/O⁽²⁾

通用输入/输出

(GPIO)

通用I/O⁽²⁾

通用I/O

11

7

通用I/O

8

通用I/O

7

5

通用I/O

UCA0CLK

UCA0RXD

UCA0SIMO

UCA0SOMI

UCA0STE

UCA0TXD

UCA0CLK⁽⁴⁾

UCA0RXD⁽⁴⁾

UCA0SIMO⁽⁴⁾

UCA0SOMI⁽⁴⁾

UCA0STE⁽⁴⁾

UCA0TXD⁽⁴⁾

TB0.1

13

12

11

12

14

11

1

15

14

13

14

16

13

23

19

17

19

20

17

14

13

5

eUSCI_A0 SPI 时钟输入/输出

eUSCI_A0 UART 接收数据

I/O

O

eUSCI_A0 SPI 从器件输入/主器件输出

eUSCI_A0 SPI 从器件输出/主器件输入

eUSCI_A0 SPI 从器件发送使能

eUSCI_A0 UART 发送数据

SPI 和UART

I/O

I

eUSCI_A0 SPI 时钟输入/输出

16

15

16

2

eUSCI_A0 UART 接收数据

I/O

O

eUSCI_A0 SPI 从器件输入/主器件输出

eUSCI_A0 SPI 从器件输出/主器件输入

eUSCI_A0 SPI 从器件发送使能

eUSCI_A0 UART 发送数据

15

12

11

7

I/O

I

计时器TB0 CCR1 捕捉：CCI1A 输入，比较：Out1 输出

计时器TB0 CCR2 捕捉：CCI2A 输入，比较：Out2 输出

TB0 的计时器时钟输入TBCLK

TB0.2

TB0CLK

Timer_B

TB0TRG

16

10

9

19

8

I

TB0OUTH 的TB0 外部触发器输入

TB0.1⁽³⁾

I/O

计时器TB0 CCR1 捕捉：CCI1A 输入，比较：Out1 输出

计时器TB0 CCR2 捕捉：CCI2A 输入，比较：Out2 输出

TB0.2⁽³⁾

11

6、9、

10、

12、

18、

21、

22、24

NC

NC 焊盘

–

不连接

Pad

VQFN 焊盘

VQFN 封装(RLL) 外露散热焊盘。连接至V_SS。

(1) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

(2) 由于该引脚与JTAG 功能复用，因此德州仪器(TI) 建议您在JTAG 调试过程中禁用引脚中断功能，以免发生冲突。

(3) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的TBRMP 位控制的重新映射功能。当TB0 用作捕捉输入功能时，同一时刻只有一个所选端口有效。无论

此重映射位的设置如何，TB0 PWM 都会输出。

(4) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的USCIARMP 位控制的重新映射功能。同一时刻，所选端口只有一个有效。

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7.4 引脚复用

这些器件的引脚复用由寄存器设置和工作模式共同控制（例如，器件处于测试模式下）。有关每个引脚设置的详

细信息以及复用端口的原理图，请参阅节9.11.15。

7.5 未使用引脚的连接

表7-3 列出了未使用引脚的正确端接方式。

表7-3. 未使用引脚的连接

引脚⁽¹⁾

电势

断开

注释

Px.0 至Px.7

RST/NMI

TEST

设置为端口功能，输出方向(PxDIR.n = 1)

47kΩ 上拉电阻或内部上拉电阻，通过10nF (1.1nF) 下拉电容选择⁽²⁾

DVCC

断开

该引脚总是有一个使能的内部下拉。

(1) 任何具有第二功能（与通用I/O 共用）的引脚都应遵循Px.0 到Px.7 未使用引脚连接指南。

(2) 当所用器件的Spy-Bi-Wire 接口处于Spy-Bi-Wire 模式，并且使用FET 接口或GANG 编程器等TI 工具时，下拉电容不得超过1.1nF。

7.6 缓冲类型

表7-4 定义表7-1 中列出的引脚缓冲器类型。

表7-4. 缓冲类型

缓冲器类型（标

准）

标称PU 或PD

强度(µA)

输出驱动强度

(mA)

PU 或PD

可编程

否

标称电压

3.0V

迟滞

是⁽¹⁾

否

其他特性

请参阅节

8.12.4.3

LVCMOS

请参阅节8.12.4

有关详细信息，请参阅节8

中的模拟模块。

3.0V

N/A

模拟

SVS 启用DVCC 上的迟

滞。

3.0V

N/A

电源(DVCC)

电源(AVCC)

否

(1) 仅适用于输入引脚

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8 规格

8.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

最小值

最大值

单位

-0.3

4.1

V

施加到DVCC 引脚的电压（相对于V_SS

）

V_CC+ 0.3

（最大

施加到任一引脚的电压⁽²⁾

-0.3

-40

V

4.1V）

±2

85

mA

°C

任一器件引脚上的二极管电流

最大结温，T_J

(3)

125

°C

贮存温度范围，T_stg

(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成损坏。这些仅为压力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行条件以

外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。

(2) 所有电压均以V_SS为基准。

(3) 电路板焊接期间可以采用较高的温度，根据现行的JEDEC J-STD-020 规范，峰值回流焊温度不得超过器件装运包装盒或卷盘上标注的

界定值。

8.2 ESD 等级

值

单位

人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准⁽¹⁾

充电器件模型(CDM)，符合JEDEC 规范JESD22-C101⁽²⁾

±1000

V_(ESD)

V

静电放电

±250

(1) JEDEC 文件JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。如果具备必要的预防措施，则可以在低于500V HBM

时进行生产。列为±1000 V 的引脚的实际性能可能会更高。

(2) JEDEC 文档JEP157 规定：250V CDM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。若部署必要的预防措施，不足250 V CDM 时也能进行

生产。列为±250 V 的引脚的实际性能可能会更高。

8.3 建议运行条件

最小值标称值最大值单位

施加到DVCC 引脚的电源电压^{(1) (2) (3) (4)}

电源电压（施加到DVSS 引脚）

V_CC

V_SS

T_A

1.8

3.6

V

0

85

°C

µF

–40

-40

自然通风工作温度

工作结温

T_J

DVCC 上的推荐电容⁽⁵⁾

C_DVCC

4.7

10

无FRAM 等待状态

(NWAITSx = 0)

0

8

处理器频率（最大MCLK 频率）⁽⁶⁾

f_SYSTEM

MHz

有FRAM 等待状态

16⁽⁸⁾

(NWAITSx = 1)⁽⁷⁾

f_ACLK

40 kHz

最大ACLK 频率

f_SMCLK

16⁽⁸⁾MHz

最大SMCLK 频率

(1) 如果电源电压的变化速率快于0.2V/µs，即使处于建议的电源电压范围内，也会触发BOR 复位。根据数据表中针对电容器C_DVCC的建

议，相应地限制斜率。

(2) 模块的电源电压范围规范可能有所不同。可在本数据表中查看各个模块的规范。

(3) TI 建议DVCC 引脚的电源不得超过建议运行条件中指定的限值。如果超出规定的限值会导致器件发生故障，包括错误地写入RAM 和

FRAM。

(4) 最小电源电压由SVS 电平决定。请参阅节8.12.1.1 中的SVS 阈值参数。

(5) 要求电容容差为±20% 或以上。100nF（最小值）的低ESR 陶瓷电容器应放置在尽可能靠近相应引脚对的位置（几毫米以内）。

(6) 模块的最大输入时钟规范可能有所不同。可在本数据表中查看各个模块的规范。

(7) 等待状态仅发生在实际FRAM 访问时（即，FRAM 缓存缺失时）。RAM 和外设访问始终在无等待状态的情况下执行。

(8) 如果使用频率大于16MHz 的时钟源（例如，HF 晶振或DCO），则必须在时钟系统中将时钟进行分频，以满足上述工作条件。

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8.4 工作模式下流入V_CC的电源电流（不包括外部电流）

V_CC= 3.0V，T_A= 25°C（除非另有说明）⁽¹⁾

频率(f_MCLK= f_SMCLK

)

1MHz

8MHz

16MHz

参数

执行存储器

测试条件

0 等待状态

1 等待状态

单位

(NWAITSx = 0)

(NWAITSx = 1)

典型值

460

最大值

典型值

2670

2730

570

最大值

典型值

2940

2980

942

最大值

3.0V，25°C

3.0V，85°C

3.0V，25°C

3.0V，85°C

3.0V，25°C

FRAM

0% 缓存命中比率

I_{AM，FRAM (0%)}

µA

475

191

FRAM

100% 缓存命中比率

I_{AM，FRAM (100%)}

µA

199

585

960

(2)

I_{AM, RAM}

RAM

213

739

1244

(1) 所有输入均连接至0V 或V_CC。输出不供应或吸收任何电流。其特点是程序执行典型数据处理。

在指定频率下，f_ACLK= 32768Hz，f_MCLK= f_SMCLK= f_DCO

程序和数据全部驻留在FRAM 中。全部从FRAM 执行。

(2) 程序和数据全部存储在RAM 中。全部从RAM 执行。不访问FRAM。

8.5 工作模式下每兆赫兹的电源电流

V_CC= 3.0V，T_A= 25°C（除非另有说明）

参数

测试条件

[(8MHz 时的I_AM75% 缓存命中比率)–

(1MHz 时的I_AM75% 缓存命中比率)]/7MHz

典型值

单位

µA/MHz

工作模式下每兆赫兹的电流消耗，从FRAM 执

行，无等待状态⁽¹⁾

dI_AM,FRAM/df

120

(1) 默认设置下，所有外设均接通。

8.6 LPM0 低功耗模式下流入V_CC的电源电流（不包括外部电流）

V_CC= 3.0V，T_A= 25°C（除非另有说明）^{(1) (2)}

频率(f_SMCLK

)

V_CC

1MHz

8MHz

16MHz

参数

单位

典型值最大值典型值最大值典型值最大值

2.0V

3.0V

148

157

295

304

398

402

I_LPM0

µA

(1) 所有输入均连接至0V 或V_CC。输出不供应或吸收任何电流。

(2) 包括由SMCLK 提供时钟的看门狗计时器的电流。

f_ACLK= 32768Hz，f_MCLK= 0MHz，f_SMCLK处于指定频率下。

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8.7 LPM3 和LPM4 低功耗模式下流入V_CC的电源电流（不包括外部电流）

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）⁽¹⁾（请参阅图8-1）

温度

V_CC

25°C

85°C

–40°C

参数

单位

典型值最大值典型值最大值典型值最大值

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0 V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

0.95

0.92

0.76

0.74

0.88

0.86

0.49

0.46

0.33

0.32

0.48

0.89

0.88

1.07

1.03

0.87

0.85

1.00

0.98

0.58

0.56

0.42

0.41

0.59

0.58

1.04

1.02

2.13

2.09

1.94

1.90

2.06

2.02

1.60

1.57

1.44

1.42

1.91

1.89

2.41

2.38

6.00

5.70

低功耗模式3，包括SVS^{(2) (3) (4)}

低功耗模式3，VLO，不包括SVS⁽⁵⁾

低功耗模式3，RTC，不包括SVS⁽⁶⁾

低功耗模式4，包括SVS

I_LPM3,XT1

µA

I_LPM3,VLO

I_{LPM3, RTC}

I_{LPM4, SVS}

I_LPM4

低功耗模式4，不包括SVS

I_{LPM4, RTC, VLO}

低功耗模式4，RTC 源自VLO，不包括SVS

低功耗模式4，RTC 源自XT1，不包括SVS

I_{LPM4, RTC, XT1}

(1) 所有输入均连接至0V 或VCC。输出无任何拉电流或灌电流

(2) 不适用于仅配有HF 晶振的器件。

(3) 采用Seiko Crystal SC-32S MS1V-T1K 晶体，选用的负载电容与要求使用的负载非常匹配。

(4) 低功耗模式3，包括SVS 测试条件：

包括由ACLK 提供时钟的看门狗计时器和由XT1 提供时钟的RTC 的电流。包括用于欠压保护和SVS 的电流(SVSHE = 1)。

CPUOFF = 1，SCG0 = 1 SCG1 = 1，OSCOFF = 0 (LPM3)，

f_XT1= 32768Hz，f_ACLK= f_XT1，f_MCLK= f_SMCLK= 0MHz

(5) 低功耗模式3，VLO，不包括SVS 测试条件：

包括由VLO 提供时钟的看门狗计时器的电流。已禁用RTC。包括用于欠压保护的电流。已禁用SVS (SVSHE = 0)。

CPUOFF = 1，SCG0 = 1 SCG1 = 1，OSCOFF = 0 (LPM3)，

f_XT1= 32768Hz，f_MCLK= f_SMCLK= 0MHz

(6) RTC 使用外部32768Hz 作为源，每秒定期唤醒一次。

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8.8 LPMx.5 低功耗模式下流入V_CC的电源电流（不包括外部电流）

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

温度

V_CC

25°C

85°C

–40°C

参数

单位

典型值最大值典型值最大值典型值最大值

低功耗模式3.5，包括SVS^{(1) (2) (3)}

（另请参见图8-2）

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

0.60

0.57

0.66

0.64

0.80

0.75

0.32

0.27

2.17

I_{LPM3.5, XT1}

I_{LPM4.5, SVS}

I_LPM4.5

µA

0.23

0.25

0.43

低功耗模式4.5，包括SVS⁽⁴⁾

0.20

0.23

低功耗模式4.5，不包括SVS⁽⁵⁾

（另请参见图8-3）

0.025

0.021

0.034

0.029

0.064 0.130

0.055

(1) 不适用于仅配有HF 晶振的器件。

(2) 采用Seiko Crystal SC-32S 晶体，选用的负载电容与要求使用的负载非常匹配。

(3) 低功耗模式3.5，包括SVS 测试条件：

包括由XT1 提供时钟的RTC 的电流。包括用于欠压保护和SVS 的电流(SVSHE = 1)。已禁用内核稳压器。

PMMREGOFF = 1，CPUOFF = 1，SCG0 = 1 SCG1 = 1，OSCOFF = 1 (LPMx.5)，

f_XT1= 32768Hz，f_ACLK= f_XT1，f_MCLK= f_SMCLK= 0MHz

(4) 低功耗模式4.5，包括SVS 测试条件：

包括用于欠压保护和SVS 的电流(SVSHE = 1)。已禁用内核稳压器。

PMMREGOFF = 1，CPUOFF = 1，SCG0 = 1 SCG1 = 1，OSCOFF = 1 (LPMx.5)，

f_XT1= 0Hz，f_ACLK= f_MCLK= f_SMCLK= 0MHz

(5) 低功耗模式4.5，不包括SVS 测试条件：

包括用于欠压保护的电流。已禁用SVS (SVSHE = 0)。已禁用内核稳压器。

PMMREGOFF = 1，CPUOFF = 1，SCG0 = 1 SCG1 = 1，OSCOFF = 1 (LPMx.5)，

f_XT1= 0Hz，f_ACLK= f_MCLK= f_SMCLK= 0MHz

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8.9 典型特性- LPM 电源电流

25°C 时为3V，85°C 时为3V

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-40 -30 -20 -10

0

10 20 30 40 50 60 70 80

Temperature (°C)

DVCC = 3V

RTC 已启用

SVS 已禁用

DVCC = 3V

XT1、12.5pF 晶振

SVS 已启用

图8-1. 低功耗模式3 电源电流与温度间的关系

图8-2. LPM3.5 电源电流与温度间的关系

0.50

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

-40 -30 -20 -10

0

10 20 30 40 50 60 70 80

Temperature (°C)

DVCC = 3V

图8-3. LPM4.5 电源电流与温度间的关系

SVS 已启用

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8.10 每个模块的电流消耗

模块

测试条件

SMCLK = 8Hz，MC = 10

基准时钟

典型值

单位

Timer_B

eUSCI_A

RTC

5

µA/MHz

模块输入时钟

7

5

µA/MHz

nA

UART 模式

SPI 模式

模块输入时钟

32kHz

85

8.5

CRC

MCLK

µA/MHz

从运行开始到结束

8.11 热阻特征

热指标^{(1) (2)}

值

单位

38.7

106.5

39.5

41.2

8.6

VQFN 24 引脚(RLL)

TSSOP 16 引脚(PW16)

VQFN 24 引脚(RLL)

TSSOP 16 引脚(PW16)

VQFN 24 引脚(RLL)

TSSOP 16 引脚(PW16)

°C/W

Rθ_JA

Rθ_JC

Rθ_JB

结至环境热阻，静止空气

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板热阻

°C/W

51.5

(1) 有关新旧热性能指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标。

(2) 这些值基于JEDEC 定义的2S2P 系统（基于JEDEC 定义的1S0P 系统的Theta JC [Rθ_JC] 值除外），将随环境和应用的变化而更

改。有关更多信息，请参阅以下EIA/JEDEC 标准：

•

JESD51-2, Integrated Circuits Thermal Test Method Environmental Conditions - Natural Convection (Still Air)

JESD51-3, Low Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages

JESD51-7, High Effective Thermal Conductivity Test Board for Leaded Surface Mount Packages

JESD51-9, Test Boards for Area Array Surface Mount Package Thermal Measurements

8.12 时序和开关特性

8.12.1 电源时序

图8-4 展示了下电上电、SVS 和BOR 复位条件。

V

Power Cycle Reset

VSVS+

SVS Reset

BOR Reset

VSVS–

VBOR

tBOR

t

图8-4. 重启、SVS 和BOR 复位条件

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8.12.1.1 PMM、SVS 和BOR

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数

测试条件

最小值

典型值

最大值单位

安全BOR 断电电平⁽¹⁾

V_{BOR, safe}

t_{BOR, safe}

I_SVSH,AM

0.1

V

安全BOR 复位延迟⁽²⁾

SVS_H电流消耗，工作模式

SVS_H电流消耗，低功耗模式

SVS_H断电电平⁽³⁾

10

ms

V_CC= 3.6V

1.5

µA

nA

V

I_SVSH,LPM

V_SVSH-

240

1.81

1.88

80

1.71

1.74

1.86

1.99

SVS_H上电电平⁽³⁾

V_SVSH+

V

V_{SVSH_hys}

t_{PD,SVSH, AM}

t_{PD,SVSH, LPM}

mV

µs

SVS_H滞后

10

SVS_H传播延迟，工作模式

SVS_H传播延迟，低功耗模式

100

(1) 仅当DVCC 在升高之前降至该电压以下才能正确生成安全BOR。

(2) 如果发生BOR，则仅当DVCC 在达到V_SVSH+之前保持低电平的时间长于此时间段时，才能正确生成安全BOR。

(3) 如需更多信息，请参阅适用于具有单通道LDO 参考设计的MSP430 器件的动态电压调节电源解决方案。

8.12.2 复位时序

8.12.2.1 从低功耗模式和复位唤醒的时间

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值

最大值单位

（额外信息）如果之前通过FRAM 控制器禁用，则

是在AM 中激活FRAM 的唤醒时间，如果为唤醒选

择了立即激活，则是从LPM 唤醒的时间⁽¹⁾

t_{WAKE-UP FRAM}

3V

10

µs

200 + 2.5 /

f_DCO

从LPM0 唤醒并进入工作模式的时间⁽¹⁾

t_{WAKE-UP LPM0}

3V

ns

从LPM3 唤醒并进入工作模式的时间⁽¹⁾

从LPM4 唤醒并进入工作模式的时间⁽²⁾

从LPM3.5 唤醒并进入工作模式的时间⁽²⁾

t_{WAKE-UP LPM3}

t_{WAKE-UP LPM4}

t_{WAKE-UP LPM3.5}

3V

10

µs

ms

µs

10

350

SVSHE = 1

SVSHE = 0

350

从LPM4.5 唤醒并进入工作模式的时间⁽²⁾

t_{WAKE-UP LPM4.5}

3V

1

从RST 或BOR 事件唤醒并进入工作模式的时间⁽²⁾

RST/NMI 引脚接受复位所需的脉冲持续时间

t_{WAKE-UP-RESET}

t_RESET

1

2

(1) 唤醒时间测量的是从外部唤醒信号（例如，端口中断或唤醒事件）的边沿到可从外部观察到第一个MCLK 时钟边沿的时间。

(2) 唤醒时间测量的是从外部唤醒信号（例如，端口中断或唤醒事件）的边沿到执行用户程序第一条指令的时间。

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8.12.3 时钟规格

8.12.3.1 XT1 晶振（低频）

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）^{(1) (2)}

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

f_{XT1, LF}

LFXTBYPASS = 0

32768

Hz

XT1 晶振，低频

在MCLK 下测得，

DC_{XT1, LF}

30%

40%

70%

60%

XT1 振荡器LF 占空比

f_LFXT= 32768Hz

XT1 振荡器逻辑电平方波输入频

率

f_XT1,SW

LFXTBYPASS = 1 ^{(3) (4)}

LFXTBYPASS = 1

32768

Hz

LFXT 振荡器逻辑电平方波输入占

空比

DC_{XT1, SW}

LFXTBYPASS = 0，

LF 晶振的振荡容差⁽⁵⁾

kΩ

OA_LFXT

C_L,eff

LFXTDRIVE = {3}，

200

1

f_LFXT= 32768Hz，C_L,eff= 12.5pF

请参阅⁽⁷⁾

集成的有效负载电容⁽⁶⁾

pF

f_OSC= 32768Hz

LFXTBYPASS = 0，

LFXTDRIVE = {3}，

T_A= 25°C，C_L,eff= 12.5pF

启动时间⁽⁹⁾

t_START,LFXT

1000

ms

Hz

振荡器故障频率⁽¹⁰⁾

f_Fault,LFXT

XTS = 0⁽⁸⁾

0

3500

(1) 要改善LFXT 振荡器上的EMI，请遵循以下准则：

• 应使器件与晶体之间的走线尽可能地短。

• 在振荡器引脚的周围设计一个良好的接地平面。

• 防止来自其它时钟或数据线路的串扰进入振荡器引脚XIN 和XOUT。

• 应避免在XIN 和XOUT 引脚的下方或附近布设PCB 走线。

• 采用的组装材料和工艺应避免在振荡器的XIN 和XOUT 引脚上产生寄生负载。

• 如果采用敷形涂覆，则应确保其不会在振荡器引脚之间引起容性或阻性漏电流。

(2) 请参阅MSP430 32kHz 晶体振荡器，了解有关晶体断面、布局和测试的详细信息。

(3) 如果LFXTBYPASS 置1，则LFXT 电路会自动断电。输入信号是一个数字方波，其参数在节8.12.4.1 中定义。占空比要求由

DC_{LFXT, SW}定义。

(4) 不能超过整个器件的最大工作频率。

(5) 振荡容差基于推荐晶体的安全系数5。振荡容差是LFXTDRIVE 设置和有效负载的函数。一般来讲，可根据以下准则获得比较高的振荡

器容差，但应根据为应用选择的实际晶体进行评估：

• 对于LFXTDRIVE = {0}，C_L,eff= 3.7pF

• 对于LFXTDRIVE = {1}，6pF ≤C_L,eff≤9pF

• 对于LFXTDRIVE = {2}，6pF ≤C_L,eff≤10pF

• 对于LFXTDRIVE = {3}，6pF ≤C_L,eff≤12pF

(6) 包括寄生接合及封装电容（每引脚约2pF）。

(7) 两个端子上都需要外部电容器，来满足晶体制造商指定的有效负载电容。支持的建议有效负载电容值为3.7pF、6pF、9pF 和12.5pF。

最大并联电容为1.6pF。PCB 会增加额外的电容，因此在总电容中也必须考虑到此电容。确认所选晶振的建议有效负载电容满足要求。

(8) 采用逻辑电平输入频率来测量，但也适用于采用晶振的操作。

(9) 包括1024 个时钟周期的启动计数器。

(10) 高于最大值规范的频率不会将故障标志置1。介于最小值和最大值规范之间的频率可能会设置标志。静态状态或长时间处于故障状态会

将标志置1。

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8.12.3.2 DCO FLL，频率

在推荐的自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数

V_CC

3.0 V

测试条件

最小值

–1.0%

–2.0%

典型值最大值单位

1.0%

FLL 锁定频率，16MHz，25°C

FLL 锁定频率，16MHz，-40°C 至85°C

在MCLK 下测得，内部修整

REFO 作为基准

2.0%

0.5%

f_{DCO, FLL}

在MCLK 下测得，XT1 晶振

作为基准

3.0 V

FLL 锁定频率，16MHz，-40°C 至85°C

–0.5%

f_DUTY

3.0 V

40%

50%

0.25%

0.022%

245

60%

占空比

Jitter_cc

Jitter_long

t_{FLL, lock}

周期间抖动，16MHz

长期抖动，16MHz

FLL 锁定时间

在MCLK 下测得，XT1 晶振

作为基准

ms

8.12.3.3 DCO 频率

在建议的自然通风条件下的工作温度下（除非另有说明）（请参阅图8-5）

V_CC

参数

测试条件

最小值

典型值最大值单位

DCORSEL = 101b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 0

7.8

DCORSEL = 101b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 511

12.5

MHz

18.0

(1)

f_DCO，16MHz

3.0 V

DCO 频率，16MHz

DCORSEL = 101b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 0

DCORSEL = 101b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 511

30.0

6.0

DCORSEL = 100b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 0

DCORSEL = 100b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 511

9.5

MHz

13.5

(1)

f_DCO，12MHz

DCO 频率，12MHz

DCO 频率，8MHz

DCO 频率，4MHz

DCORSEL = 100b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 0

DCORSEL = 100b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 511

22.0

3.8

DCORSEL = 011b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 0

DCORSEL = 011b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 511

6.5

(1)

f_DCO，8MHz

MHz

DCORSEL = 011b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 0

9.5

DCORSEL = 011b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 511

16.0

2.0

DCORSEL = 010b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 0

DCORSEL = 010b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 511

3.2

(1)

f_DCO，4MHz

MHz

DCORSEL = 010b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 0

4.8

DCORSEL = 010b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 511

8.0

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8.12.3.3 DCO 频率(continued)

在建议的自然通风条件下的工作温度下（除非另有说明）（请参阅图8-5）

V_CC

参数

测试条件

最小值

典型值最大值单位

DCORSEL = 001b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 0

1.0

DCORSEL = 001b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 511

1.7

(1)

f_DCO，2MHz

3.0 V

MHz

DCO 频率，2MHz

DCORSEL = 001b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 0

2.5

DCORSEL = 001b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 511

4.2

0.5

DCORSEL = 000b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 0

DCORSEL = 000b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 000b，DCO = 511

0.85

MHz

1.2

(1)

f_DCO，1MHz

3.0 V

DCO 频率，1MHz

DCORSEL = 000b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 0

DCORSEL = 000b，DISMOD = 1b，

DCOFTRIM = 111b，DCO = 511

2.1

(1) 此频率反映了启用或禁用FLL 时可实现的频率范围。

DCOFTRIM = 7

30

25

20

15

10

DCOFTRIM = 7

DCOFTRIM = 0

DCOFTRIM = 7

5

DCOFTRIM = 0

DCOFTRIM = 7

DCOFTRIM = 0

0

DCO

0

511

0

511

0

511

0

511

0

511

0

511

DCORSEL

0

1

2

3

4

5

图8-5. 典型DCO 频率

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8.12.3.4 REFO

在推荐的自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

I_REFO

T_A= 25°C

3.0 V

15

µA

Hz

REFO 振荡器电流消耗

REFO 校准频率

3.0 V

32768

在MCLK 下测得

–40°C 至85°C

在MCLK 下测得⁽¹⁾

f_REFO

+3.5%

60%

REFO 绝对校准容差

REFO 频率温度漂移

1.8V 至3.6V –3.5%

3.0 V

df_REFO/d_T

0.01

1

%/°C

%/V

df_REFO

d_VCC

/

REFO 频率电源电压漂移

25°C 时在MCLK 下测得⁽²⁾

1.8V 至3.6V

f_DC

40%

50%

50

REFO 占空比

在MCLK 下测得

1.8V 至3.6 V

t_START

µs

REFO 启动时间

40% 到60% 占空比

(1) 使用箱形法计算：(MAX (–40°C 到85°C) –MIN (–40°C 到85°C)) / MIN (–40°C 到85°C) / (85°C –(–40°C))

(2) 使用箱形法计算：(MAX (1.8V 至3.6V) –MIN (1.8V 至3.6V)) / MIN (1.8V 至3.6V) / (3.6V –1.8V)

8.12.3.5 内部超低功耗低频振荡器(VLO)

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）

V_CC

3.0V

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

f_VLO

10

0.5

4

kHz

%/°C

%/V

VLO 频率

在MCLK 下测得

VLO 频率温度漂移

VLO 频率电源电压漂移

占空比

在MCLK 下测得⁽¹⁾

在MCLK 下测得⁽²⁾

在MCLK 下测得

df_VLO/d_T

3.0V

df_VLO/dV_CC

f

1.8V 至3.6V

3.0V

50%

(1) 使用箱形法计算：(MAX (–40°C 到85°C) –MIN (–40°C 到85°C)) / MIN (–40°C 到85°C) / (85°C –(–40°C))

(2) 使用箱形法计算：(MAX (1.8V 至3.6V) –MIN (1.8V 至3.6V)) / MIN (1.8V 至3.6V) / (3.6V –1.8V)

备注

当器件从工作模式切换到 LPM3 或 LPM4 时，由于基准电压发生变化，VLO 时钟频率会降低 15%（典

型值）。这种较低的频率并不违反VLO 规范（请参阅节8.12.3.5）。

8.12.3.6 模块振荡器(MODOSC)

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数

V_CC

3.0V

最小值典型值最大值单位

f_MODOSC

3.8

4.8

0.102

2.29

5.8 MHz

%/°C

MODOSC 频率

f_MODOSC/dT

f_MODOSC/dV_CC

f_MODOSC,DC

MODOSC 频率温度漂移

MODOSC 频率电源电压漂移

占空比

%/V

1.8V 至3.6V

3.0V

40%

50%

60%

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8.12.4 数字I/O

8.12.4.1 数字输入

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

2V

3V

2V

3V

2V

3V

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

0.90

1.35

0.50

0.75

0.3

1.50

2.25

1.10

1.65

0.8

V_IT+

V

正向输入阈值电压

V_IT-

负向输入阈值电压

输入电压滞后(V_IT+-V_IT-

上拉或下拉电阻

V_hys

V

)

0.4

1.2

对于上拉电阻：V_IN= V_SS

对于下拉电阻：V_IN= V_CC

R_Pull

20

35

50

kΩ

C_I,dig

3

5

pF

nA

输入电容，仅数字端口引脚

输入电容，共享模拟功能的端口引脚

高阻抗漏电流^{(1) (2)}

V_IN= V_SS或V_CC

C_I,ana

I_lkg(Px.y)

V _输入= V_SS或V_CC

2V，3V

-20

50

+20

外部中断时序（设置中断标志的外部触发脉冲具有中断功能的端口（请参见

持续时间）⁽³⁾

框图和引脚功能描述）

t_(int)

ns

(1) 漏电流是在把V_SS或V_CC施加至对应引脚上的情况下测量的，除非另外注明。

(2) 数字端口引脚的漏电流单独测量。为输入选择端口引脚，而且上拉/下拉电阻器被禁用。

(3) 每次达到最小中断脉冲持续时间t_(int)时，外部信号都会将中断标志置1。可能通过短于t_(int)的触发信号置1。

8.12.4.2 数字输出

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

参数

测试条件

I_(OHmax)= –3mA⁽¹⁾

I_(OHmax)= –5mA⁽¹⁾

I_(OLmax)= 3mA⁽¹⁾

I_(OLmax)= 5 mA⁽¹⁾

最小值典型值最大值单位

1.4

2.4

0.0

16

2.0

3.0

V_OH

V

高电平输出电压（另请参见图8-8 和图8-9）

0.60

V_OL

低电平输出电压（另请参见图8-6 和图8-7）

时钟输出频率

f_{Port_CLK}

t_rise,dig

t_fall,dig

C_L= 20pF⁽²⁾

C_L= 20pF

MHz

ns

16

10

7

端口输出上升时间，仅数字端口引脚

端口输出下降时间，仅数字端口引脚

10

5

ns

(1) 所有输出组合在一起的最大总电流I_(OHmax)和I_(OLmax)不应超过±48mA，以保持指定的最大压降。

(2) 端口的输出频率至少可达到指定的限值，并可能支持更高的频率。

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8.12.4.3 数字I/O 典型特性

25

20

15

10

5

10

7.5

5

85°C

25°C

85°C

25°C

2.5

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

2

Low-Level Output Voltage (V)

图8-6. 典型低电平输出电流与低电平输出电压(DVCC = 3V) 间的关

系

图8-7. 典型低电平输出电流与低电平输出电压(DVCC = 2V) 间的关

系

0

85°C

-5

25°C

-2.5

-10

-15

-20

-25

-5

-7.5

-10

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

0

0.25

0.5

0.75

1

1.25

1.5

1.75

2

High-Level Output Voltage (V)

图8-8. 典型高电平输出电流与高电平输出电压(DVCC = 3V) 间的关

系

图8-9. 典型高电平输出电流与高电平输出电压(DVCC = 2V) 间的关

系

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8.12.5 VREF+ 内置基准

备注

下面指定了可供外部使用的 1.2V 基准。模拟模块仅为内部使用提供 1.5V 基准。因此，ADC 规格中包

括了1.5V 基准的精度。

8.12.5.1 VREF+ 特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

2.0 V/

3.0 V

V_REF+

1.158

1.2

30

1.242

V

EXTREFEN = 1，负载电流为1mA

正内置基准电压

TC_REF+

µV/°C

内置基准电压的温度系数

8.12.6 Timer_B

8.12.6.1 Timer_B

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值

最大值单位

内部：SMCLK 或ACLK，

外部：TBCLK，

占空比= 50% ± 10%

f_TB

2.0 V/3.0 V

16 MHz

Timer_B 输入时钟频率

所有捕获输入、捕获所需的最小脉冲持续

时间

t_TB,cap

20

ns

Timer_A 捕获时序

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8.12.7 eUSCI

8.12.7.1 eUSCI（UART 模式）时钟频率

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值最大值单位

内部：SMCLK 或MODCLK，

外部：UCLK，

f_eUSCI

2.0 V/3.0 V

16 MHz

eUSCI 输入时钟频率

占空比= 50% ± 10%

BITCLK 时钟频率

（等于波特率，单位为Mbaud）

f_BITCLK

2.0 V/3.0 V

5

MHz

8.12.7.2 eUSCI（UART 模式）开关特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

UCGLITx = 0

UCGLITx = 1

UCGLITx = 2

UCGLITx = 3

12

40

ns

68

UART 接收抗尖峰脉冲时间⁽¹⁾

t_t

2.0 V/3.0 V

110

(1) 对UART 接收输入(UCxRx) 上短于UART 接收去毛刺脉冲时间的脉冲进行了抑制。为了确保脉冲能够正确识别，其宽度应超过规定的

最大去毛刺脉冲时间。

8.12.7.3 eUSCI（SPI 主模式）时钟频率

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数

测试条件

最小值最大值单位

MHz

内部：SMCLK 或MODCLK，

占空比= 50% ±10%

f_eUSCI

8

eUSCI 输入时钟频率

8.12.7.4 eUSCI（SPI 主模式）开关特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）⁽¹⁾

V_CC

参数

测试条件

最小值最大值

单位

UCSTEM = 1，

UCMODEx = 01 或10

UCxCLK

周期

t_STE，LEAD

t_STE,LAG

3.0V

1

STE 超前时间，STE 有效到时钟

UCSTEM = 1，

UCMODEx = 01 或10

UCxCLK

周期

3.0V

1

STE 滞后时间，最后一个时钟到STE 无效

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

53

35

0

从器件输出，主器件输入(SOMI) 输入数据建立时

间

t_SU，MI

ns

t_HD，MI

SOMI 输入数据保持时间

SIMO 输出数据有效时间⁽²⁾

SIMO 输出数据保持时间⁽³⁾

0

20

0

UCLK 边缘至SIMO 有效，

t_VALID，MO

C_L= 20pF

t_HD,MO

C_L= 20pF

0

(1) f_UCxCLK= 1/2t_LO/HI，t_LO/HI= max(t_{VALID,MO(eUSCI)}+ t_SU,SI(Slave)，t_SU,MI(eUSCI)+ t_{VALID,SO(Slave)}

)

对于从器件参数t_SU,SI(Slave)和t_{VALID,SO(Slave)}，请参见所连接从器件的SPI 参数。

(2) 指定输出更改UCLK 时钟边沿后将下一有效数据驱动到SIMO 输出的时间。请参阅图8-10 和图8-11 中的时序图。

(3) 指定输出更改UCLK 脉冲边沿后SIMO 输出上的数据的有效时长。负值表示SIMO 输出上的数据可能在UCLK 上观察到输出更改时钟边

沿前变为无效状态。请参阅图8-10 和图8-11 中的时序图。

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1/f_UCxCLK

CKPL = 0

CKPL = 1

UCLK

t_LOW/HIGH

t_SU,MI

t_HD,MI

SOMI

SIMO

t_VALID,MO

图8-10. SPI 主控模式，CKPH = 0

1/f_UCxCLK

CKPL = 0

CKPL = 1

UCLK

t_LOW/HIGH

t_HD,MI

t_SU,MI

SOMI

SIMO

t_VALID,MO

图8-11. SPI 主控模式，CKPH = 1

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8.12.7.5 eUSCI（SPI 从模式）开关特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）⁽¹⁾

V_CC

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

2.0V

3.0V

参数

测试条件

最小值最大值单位

55

ns

45

t_STE，LEAD

t_STE,LAG

t_STE,ACC

t_STE,DIS

t_SU,SI

STE 超前时间，STE 有效到时钟

20

ns

20

STE 滞后时间，最后一个时钟到STE 无效

STE 访问时间，STE 有效到SOMI 数据输出

STE 禁用时间，STE 无效到SOMI 高阻抗

SIMO 输入数据建立时间

65

ns

40

50

ns

35

10

ns

8

12

ns

12

t_HD，SI

SIMO 输入数据保持时间

68

ns

42

UCLK 边缘至SOMI 有效，

C_L= 20pF

SOMI 输出数据有效时间⁽²⁾

t_VALID,SO

5

SOMI 输出数据保持时间⁽³⁾

t_HD,SO

C_L= 20pF

ns

5

(1) f_UCxCLK= 1/2t_LO/HI，t_LO/HI≥max(t_{VALID,MO(Master)}+ t_SU,SI(eUSCI)，t_{SU,MI(Master)}+ t_{VALID,SO(eUSCI)}

)

对于主器件参数t_{SU,MI(Master)}和t_{VALID,MO(Master)}，请参阅所连接主器件的SPI 参数。

(2) 指定输出更改UCLK 时钟边沿后将下一有效数据驱动到SOMI 输出的时间。请参阅图8-12 和图8-13 中的时序图。

(3) 指定输出更改UCLK 脉冲边沿后SOMI 输出上的数据的有效时长。请参阅图8-12 和图8-13 中的时序图。

30

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t_STE,LEAD

t_STE,LAG

STE

1/f_UCxCLK

CKPL = 0

CKPL = 1

UCLK

t_SU,SIMO

t_HD,SIMO

t_LOW/HIGH

SIMO

SOMI

t_ACC

t_VALID,SOMI

t_DIS

图8-12. SPI 受控模式，CKPH = 0

t_STE,LEAD

t_STE,LAG

STE

1/f_UCxCLK

CKPL = 0

CKPL = 1

UCLK

t_LOW/HIGH

t_HD,SI

t_SU,SI

SIMO

SOMI

t_ACC

t_DIS

t_VALID,SO

图8-13. SPI 受控模式，CKPH = 1

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8.12.8 ADC

备注

ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

8.12.8.1 ADC，电源和输入范围条件

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数

V_CC

测试条件

最小值典型值最大值单位

DV_CC

V_(Ax)

2.0

0

3.6

V

ADC 电源电压

DV_CC

所有ADC 引脚

模拟输入电压范围

f_ADCCLK= 5MHz，ADCON = 1，

REFON = 0，SHT0 = 0，SHT1 = 0，

ADCDIV = 0，ADCCONSEQx = 10b

2V

3V

185

207

流入DVCC 引脚的工作电源电流，不包含

基准电流，重复单通道模式

I_ADC

µA

pF

从焊盘到ADC 电容器阵列一次只能选择一

个端子Ax（包括接线和焊盘）

C_I

2.2V

2.5

34

3.5

2

输入电容

R_I,MUX

R_I,Misc

输入MUX 导通电阻

DV_CC= 2V，0V ≤V_Ax≤DV_CC

kΩ

kΩ，

输入其他电阻

8.12.8.2 ADC，10 位时序参数

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

f_ADCCLK

f_ADCOSC

0.45

3.8

5

5.5 MHz

5.8 MHz

对于指定的ADC 线性参数的性能

ADCDIV = 0，f_ADCCLK= f_ADCOSC

2V 至3.6V

内部ADC 振荡器

(MODOSC)

4.8

REFON = 0，内部振荡器，

10 个ADCCLK 周期，10 位模式，

f_ADCOSC= 4.5MHz 至5.5MHz

2.18

2.67

µs

2V 至3.6V

t _转换

转换时间

12 ×

1 /

f_ADCCLK

来自ACLK、MCLK 或SMCLK 的外部f_ADCCLK

ADCSSEL ≠0

，

转换t_ADCON后的误差小于±0.5 LSB。

基准和输入信号已稳定下来。

t_ADCON

100

ns

µs

ADC 的接通稳定时间

R_S= 1000Ω，R_I⁽¹⁾= 36000Ω，C_I= 3.5pF，

使误差小于±0.5 LSB 需要大约8 Tau(t)⁽²⁾

2V

3V

1.5

2.0

t_Sample

采样时间

(1) R_I= R_I,MUX+ R_I,Misc

(2) t_Sample= ln(2ⁿ⁺¹) × τ，其中n = ADC 分辨率，τ= (R_I+ R_S) × C_I

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8.12.8.3 ADC，10 位线性参数

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）

参数

V_CC

测试条件

最小值典型值最大值单位

-2

2

积分线性误差（10 位模式）

2.4V 至3.6 V

2.0V 至3.6V

2.4V 至3.6 V

2.0V 至3.6V

2.4V 至3.6 V

2.0V 至3.6V

E_I

LSB

mV

Veref+ 基准

积分线性误差（8 位模式）

差分线性误差（10 位模式）

差分线性误差（8 位模式）

偏移误差（10 位模式）

偏移误差（8 位模式）

-1

1

E_D

E_O

Veref+ 基准

-1

1

-6.5

6.5

-6.5

2.0 LSB

3.0%

2.0 LSB

3.0%

2.0 LSB

3.0%

2.0 LSB

3.0%

Veref+ 作为基准

内部1.5V 基准

Veref+ 作为基准

内部1.5V 基准

Veref+ 作为基准

内部1.5V 基准

Veref+ 作为基准

内部1.5V 基准

–2.0

–3.0%

–2.0

–3.0%

–2.0

–3.0%

–2.0

–3.0%

增益误差（10 位模式）

增益误差（8 位模式）

2.4V 至3.6 V

2.0V 至3.6V

2.4V 至3.6 V

2.0V 至3.6V

E_G

总未调整误差（10 位模式）

总未调整误差（8 位模式）

E_T

ADCON = 1，INCH = 0Ch，

T_A= 0℃

请参阅⁽¹⁾

请参阅⁽²⁾

V_SENSOR

3.0V

913

mV

TC_SENSOR

ADCON = 1，INCH = 0Ch

3.35

mV/℃

ADCON = 1，INCH = 0Ch，

转换结果误差≤1LSB，AM

以及LPM3 以上的所有LPM

3.0V

30

t_SENSOR

µs

如果选择通道12，则需要采样时间

(sample)

ADCON = 1，INCH = 0Ch，

转换结果误差≤1LSB，

LPM3

100

(1) 温度传感器偏移可能明显不同。德州仪器(TI) 建议进行单点校准，以便最大限度地减小内置温度传感器的偏移误差。

(2) 器件描述符结构包含每个可用基准电压等级的30℃和85°C 的校准值。传感器电压计算公式为：V_SENSE= TC_SENSOR× (温度，°C) +

V_SENSOR，其中TC_SENSOR和V_SENSOR可采用校准值计算得出，以便提高精度。

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8.12.9 增强型比较器(eCOMP)

8.12.9.1 eCOMP 特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

V_CC

V_IC

2.0

0

3.6

V

电源电压

VCC

共模输入范围

CPEN = 1，CPHSEL = 00

0

10

CPEN = 1，CPHSEL = 01

V_HYS

mV

2.0V 至3.6V

直流输入迟滞

CPEN = 1，CPHSEL = 10

20

CPEN = 1，CPHSEL = 11

30

CPEN = 1，CPMSEL = 0，CPHSEL = 00

CPEN = 1，CPMSEL = 1，CPHSEL = 00

V_IC= V_CC/2，CPEN = 1，CPMSEL = 0

V_IC= V_CC/2，CPEN = 1，CPMSEL = 1

-40

±5

+40

V_OFFSET

2.0V 至3.6V

输入失调电压

±10

22

35

来自VCC 的静态电流

消耗，仅使用比较器

I_COMP

µA

1.3

3.5

来自VCC 的静态电流

消耗，仅DAC

输入通道电容⁽¹⁾

I_DAC

C_IN

R_IN

CPDACREFS = 0，CPEN = 0

0.5

2.0V 至3.6V

1

pF

kΩ

10

20

1

开启（开关关闭）

关闭（开关打开）

2.0V 至3.6V

输入通道串联电阻

50

MΩ

CPMSEL = 0，CPFLT = 0，

过驱= 20mV⁽²⁾

t_PD

µs

传播延迟，响应时间

2.0V 至3.6V

CPMSEL = 1，CPFLT = 0，

过驱= 20mV⁽²⁾

2.4

9.3

12

CPEN = 0→1，CPMSEL = 0，

V+ 和V- 来自焊盘，过驱= 20mV⁽²⁾

t_{EN_CP}

2.0V 至3.6V

比较器使能时间

CPEN = 0→1，CPMSEL = 1，

来自焊盘的V+ 和V-，过驱= 20mV⁽²⁾

CPEN = 0→1，CPDACEN=0→1，

CPMSEL = 0，CPDACREFS = 1，

CPDACBUF1 = 0F，过驱= 20mV⁽²⁾

9.3

113

0.7

1.1

具有基准DAC 使能时

间的比较器

t_{EN_CP_DAC}

µs

CPEN = 0→1，CPDACEN=0→1，

CPMSEL = 1，CPDACREFS = 1，

CPDACBUF1 = 0F，过驱= 20mV ⁽²⁾

CPMSEL = 0，CPFLTDY = 00，

过驱= 20mV，⁽²⁾

CPFLT = 1

CPMSEL = 0，CPFLTDY = 01，

过驱= 20mV，⁽²⁾

CPFLT = 1

模拟滤波器激活时的传

播延迟

t_FDLY

µs

2.0V 至3.6V

CPMSEL = 0，CPFLTDY = 10，

过驱= 20mV，⁽²⁾CPFLT = 1

1.9

3.7

CPMSEL = 0，CPFLTDY = 11，

过驱= 20mV，⁽²⁾CPFLT = 1

VIN = 6 位DAC 的基准电压，

DAC 使用内部REF，n = 0 至63

VIN ×

n / 64

内置6 位DAC 的基准

电压

V_{CP_DAC}

V

2.0V 至3.6V

VIN = 6 位DAC 的基准电压，

DAC 使用VCC 作为REF，n = 0 至63

VIN ×

n / 64

INL

-0.5

+0.5 LSB

LSB

2.0V 至3.6V

积分非线性

微分非线性

零标度

DNL

0

34

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8.12.9.1 eCOMP 特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

V_CC

参数

测试条件

最小值典型值最大值单位

nA

I_DACOFF

5

2.0V 至3.6V

漏电流

(1) 对于eCOMP C_IN模型，请参阅图8-14。

(2) 此值是在输入失调电压上测得。

MSP430

V_I= External source voltage

R_S= External source resistance

R_I= Internal MUX-on input resistance

C_IN= Input capacitance

R_S

R_I

V_I

V_C

C_PAD= PAD capacitance

C_Pext= Parasitic capacitance, external

V_C= Capacitance-charging voltage

C_pext

C_IN

C_PAD

图8-14. eCOMP 输入电路

8.12.10 FRAM

8.12.10.1 FRAM 特性

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另外注明）

参数

测试条件

最小值

10¹⁵

100

40

典型值最大值单位

周期

耐读写次数

T_J= 25°C

T_J= 70°C

T_J= 85°C

t _保持

数据保持持续时间

年

10

(1)

I_WRITE

I_ERASE

t_WRITE

I_READ

nA

写入FRAM 的电流

擦除电流

n/a⁽²⁾

(3)

(4)

t_READ

1 / f_SYSTEM

2 / f_SYSTEM

ns

写入时间

读取时间，NWAITSx = 0

读取时间，NWAITSx = 1

I_READ

(1) 与对FRAM 执行读取操作相比，对FRAM 执行写入操作无需设置过程或更多功耗。活动模式电流消耗I_{AM, FRAM}中包括FRAM 读取电流

I_READ

。

(2) n/a = 不适用。FRAM 不需要特殊的擦除序列。

(3) 写入FRAM 的速度与读取速度一样快。

(4) 最大读取（和写入）速度由f_SYSTEM使用适当的等待状态设置(NWAITSx) 来指定。

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8.12.11 仿真和调试

8.12.11.1 JTAG，Spy-Bi-Wire 接口

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）（请参阅图8-15）

V_CC

参数

最小值典型值最大值单位

f_SBW

2.0 V/3.0 V

0

8

MHz

µs

Spy-Bi-Wire 输入频率

t_{SBW，低电平}

0.028

15

Spy-Bi-Wire 低电平时钟脉冲持续时间

SBWTDIO 建立时间（在TMS 和TDI 时隙Spy-Bi-Wire 中SBWTCK

的下降沿之前）

t_SU,SBWTDIO

t_HD,SBWTDIO

t_{Valid,SBWTDIO}

2.0 V/3.0 V

4

ns

SBWTDIO 保持时间（在TMS 和TDI 时隙Spy-Bi-Wire 中SBWTCK

的上升沿之后）

19

SBWTDIO 数据有效时间（在TDO 时隙Spy-Bi-Wire 中SBWTCK 的

下降沿之后）

31

Spy-Bi-Wire 使能时间（TEST 高电平到接受第一个时钟边沿的时间）

t_{SBW, En}

2.0 V/3.0 V

110

100

µs

(1)

Spy-Bi-Wire 恢复正常运行的时间⁽²⁾

t_SBW，Ret

15

(1) 访问Spy-Bi-Wire 接口的工具必须在将TEST/SBWTCK 引脚拉为高电平后等待t_SBW,En时间，然后再施加第一个SBWTCK 时钟边沿。

(2) 将TEST/SBWTCK 引脚拉低或释放，Spy-Bi-Wire 引脚从其Spy-Bi-Wire 功能恢复为其应用功能之后的最大t_SBW,Rst时间。仅当选择了

Spy-Bi-Wire 模式时，此时间才适用。

t_SBW,EN

1/f_SBW

t_SBW,Low

t_SBW,High

t_SBW,Ret

TEST/SBWTCK

t_EN,SBWTDIO

t_{Valid,SBWTDIO}

RST/NMI/SBWTDIO

t_SU,SBWTDIO

t_HD,SBWTDIO

图8-15. JTAG Spy-Bi-Wire 时序

36

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8.12.11.2 JTAG 4 线制接口

在推荐的电源电压范围及自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）（请参阅图8-16）

V_CC

参数

最小值典型值最大值单位

TCK 输入频率⁽¹⁾

f_TCK

2.0 V/3.0 V

0

15

11

3

10 MHz

t_TCK,Low

t_TCK,high

t_SU,TMS

t_HD,TMS

t_SU,TDI

ns

TCK 低电平时钟脉冲持续时间

TCK 高电平时钟脉冲持续时间

TMS 建立时间（TCK 的上升沿之前）

TCK 保持时间（TCK 的上升沿之后）

TDI 建立时间（TCK 的上升沿之前）

TDI 保持时间（TCK 的上升沿之后）

TDO 高阻抗到有效输出时间（TCK 的下降沿之后)

TDO 到新的有效输出时间（TCK 的下降边沿之后）

TDO 有效到高阻抗输出时间（TCK 的下降沿之后）

JTAG 恢复正常运行的时间

13

5

t_HD,TDI

t_z-Valid,TDO

t_Valid,TDO

t_Valid-Z,TDO

t_JTAG,Ret

R_internal

26

ns

µs

kΩ

26

15

20

100

50

2.0 V/3.0 V

35

TEST 上的内部下拉电阻

(1) 可限制f_TCK以满足选定模块的时序要求。

1/f_TCK

t_TCK,Low

t_TCK,High

TCK

TMS

t_SU,TMS

t_HD,TMS

TDI

(or TDO as TDI)

t_SU,TDI

t_HD,TDI

TDO

t_Z-Valid,TDO

t_Valid,TDO

t_Valid-Z,TDO

t_JTAG,Ret

TEST

图8-16. JTAG 4 线制时序

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9 详细说明

9.1 概述

德州仪器 (TI) MSP430FR211x 系列超低功耗微控制器包含多种器件，各成员器件配备不同的外设集。这种架构与

五种低功耗模式相组合，专为延长电池使用寿命（例如，在便携式测量应用中）而优化。该器件具有功能强大的

16 位RISC CPU、16 位寄存器和常数发生器，有助于实现出色的编码效率。

MSP430FR211x 器件是有一个 Timer_B、具有内置 6 位 DAC 作为内部基准电压的 eCOMP、高性能 10 位

ADC、支持UART 和SPI 的eUSCI、具有警报功能的RTC 模块以及多达12 个I/O 引脚的微控制器配置。

9.2 CPU

MSP430 CPU 具有一个对于应用高度透明的16 位精简指令集(RISC) 架构。所有的操作（程序流指令除外）均作

为寄存器操作与用于源操作数的7 种寻址模式和用于目的操作数的4 种寻址模式一起执行。

CPU 与16 个寄存器进行了集成，从而提供精简指令执行时间。寄存器至寄存器操作执行时间为 CPU 时钟的一个

周期。

R0 到R3 这四个寄存器为专用寄存器，分别用于程序计数器 (PC)、堆栈指针 (SP)、状态寄存器 (SR) 和常数发生

器(CG)。其余的寄存器为通用型寄存器。

外设通过数据、地址和控制总线连接至CPU。可使用所有指令管理外设。

9.3 工作模式

MSP430 具有一种活动模式和几种软件可选的低功耗运行模式（请参阅表9-1）。中断事件可将器件从低功耗模式

LPM0、LPM3 或 LPM4 唤醒、为请求提供服务，以及从中断程序返回时恢复到低功耗模式。低功耗模式 LPM3.5

和LPM4.5 禁用了内核电源，可最大限度地降低功耗。

备注

如果低频外设发出请求，则XT1CLK 和VLOCLK 可在LPM4 期间处于活动状态。

38

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表9-1. 工作模式

AM

LPM0

CPU 关闭

16MHz

LPM3

LPM4

LPM3.5

LPM4.5

SHUTDOWN

0

模式

仅RTC 计数

器

工作模式

待机

关闭

16MHz

40kHz

0

40kHz

0.66µA

150µs

最大系统时钟

0.42µA，未使

用SVS

34nA，未使用

120µA/MHz

N/A

40µA/MHz

1.5µA

10µs

全部

25°C，3V 条件下的功耗

唤醒时间

SVS

10µs

150µs

I/O

即时

全部

RTC 计数器

N/A

I/O

唤醒事件

I/O

稳压器

完全稳压

打开

激活

可选

打开

可选

开启

可选

完全稳压

打开

关闭

可选

关闭

打开

可选

部分断电

可选

打开

关闭

可选

关闭

打开

可选

关闭

可选

状态保持

可选

部分断电

可选

打开

关闭

打开

关闭

可选

关闭

状态保持

关闭

部分断电

可选

打开

关闭

可选

关闭

打开

关闭

可选

状态保持

关闭

断电

可选

打开

关闭

状态保持

关闭

SVS

电源

欠压

MCLK

SMCLK

FLL

DCO

时钟⁽²⁾

MODCLK

REFO

ACLK

XT1LFCLK

VLOCLK

CPU

FRAM

RAM

内核

备用存储器⁽¹⁾

Timer_B3

WDT

eUSCI_A

CRC

外设

ADC⁽³⁾

eCOMP

RTC 计数器

通用数字输入/输出

电容式触控I/O

I/O

(1) 外设存储器中的备用存储器包含32 个字节的寄存器空间。有关其存储器分配的信息，请参阅表9-18 和表9-31。

(2) 为LPM4 显示的状态仅适用于内部时钟。

(3) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

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9.4 中断向量地址

中断向量和上电起始地址在 0FFFFh 至 0FF80h 地址范围内。该向量包含相应中断处理程序指令序列的 16 位地

址。表9-2 汇总了中断源、标志和向量。

表9-2. 中断源、标志、和矢量

中断标志

中断源

系统中断

复位

字地址

优先级

系统复位

上电、欠压、电源监控器

外部复位RST

看门狗超时、密钥违反

FRAM 不可纠正位错误检测

软件POR、BOR

SVSHIFG

PMMRSTIFG

WDTIFG

FFFEh

63，最高

PMMPORIFG、PMMBORIFG

SYSRSTIV

FLLULPUC

FLL 解锁错误

系统NMI

空内存访问

JTAG 邮箱

VMAIFG

JMBINIFG、JMBOUTIFG

CBDIFG、UBDIFG

FFFCh

FFFAh

62

61

（不）可屏蔽

FRAM 访问时间错误

FRAM 位错误检测

用户NMI

外部NMI

振荡器故障

NMIIFG

OFIFG

Timer0_B3

TB0CCR0 CCIFG0

FFF8h

FFF6h

60

59

可屏蔽

TB0CCR1 CCIFG1、TB0CCR2

CCIFG2、TB0IFG (TB0IV)

Timer0_B3

RTCIFG

WDTIFG

FFF4h

FFF2h

58

57

RTC 计数器

可屏蔽

看门狗计时器间隔模式

UCTXCPTIFG、UCSTTIFG、

UCRXIFG、UCTXIFG（UART 模

式）

UCRXIFG、UCTXIFG（SPI 模

式）

FFF0h

56

eUSCI_A0 接收或发送

可屏蔽

(UCA0IV)

ADCIFG0，ADCINIFG，

ADCLOIFG，ADCHIIFG，

ADCTOVIFG，ADCOVIFG

(ADCIV)

ADC

FFEEh

55

可屏蔽

P1

P2

FFECh

FFEAh

FFE8h

54

53

52

P1IFG.0 至P1IFG.3 (P1IV)

可屏蔽

P2IFG.0、P2IFG.1、P2IFG.6 和

P2IFG.7 (P2IV)

eCOMP0

保留

CPIIFG、CPIFG (CPIV)

FFE6h 至

FF88h

保留

0FF86h

0FF84h

0FF82h

0FF80h

BSL 签名2

BSL 签名1

JTAG 签名2

JTAG 签名1

签名

40

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9.5 内存组织

表9-3 总结了MSP430FR211x 和MSP430FR210x 器件的存储器映射。

表9-3. 内存组织

MSP430FR2111

MSP430FR2110

MSP430FR2100

MSP430FR2000

内存类型

存储器(FRAM)

主：中断向量和签名

主：代码存储器

访问

3.75KB

2KB

1KB

0.5KB

读/写

（可选写保护）⁽¹⁾

FFFFh 至FF80h FFFFh 至FF80h FFFFh 至FF80h FFFFh 至FF80h

FFFFh 至F100h

FFFFh 至F800h FFFFh 至FC00h FFFFh 至FE00h

1KB

23FFh 至2000h

1KB

23FFh 至2000h

512 字节

21FFh 至2000h

512 字节

21FFh 至2000h

RAM

读取/写入

1KB

13FFh 至1000h

1KB

13FFh 至1000h

1KB

13FFh 至1000h

1KB

13FFh 至1000h

引导加载程序(BSL) 存储器(ROM)

（TI 内部使用）

只读

4KB

0FFFh 至0000h

4KB

0FFFh 至0000h

4KB

0FFFh 至0000h

4KB

0FFFh 至0000h

读取/写入

外设

(1) 程序FRAM 可通过设置SYSCFG0 寄存器中的PFWP 位进行写保护。更多详细信息，请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用

户指南中的SYS 一章。

9.6 引导加载程序(BSL)

BSL 支持用户使用 UART 接口对 FRAM 或 RAM 进行编程。通过 BSL 访问器件存储器时受用户定义的密码保

护。表 9-4 列出了 BSL 引脚要求。要进入 BSL，需在 RST/NMI/SBWTDIO 和 TEST/SBWTCK 引脚上使用特定

的进入序列。要获取 BSL 特性及其实施的完整说明，请参阅 MSP430 FRAM 器件引导加载程序 (BSL) 用户指

南。

表9-4. UART BSL 引脚要求和功能

BSL 功能

进入序列信号

数据发送

器件信号

RST/NMI/SBWTDIO

TEST/SBWTCK

P1.7

P1.6

数据接收

DVCC

电源

DVSS

接地电源

9.7 JTAG 标准接口

MSP430 系列支持标准 JTAG 接口，该接口需要四个信号来发送和接收数据。JTAG 信号与通用 I/O 共享。TEST/

SBWTCK 引脚用于使能 JTAG 信号。与MSP430 开发工具和器件编程器连接还需要RST/NMI/SBWTDIO 引脚。

表 9-5 列出了 JTAG 引脚要求。有关连接开发工具和器件编程器的详细信息，请参阅 MSP430 硬件工具用户指

南。

表9-5. JTAG 引脚要求和功能

JTAG 功能

JTAG 时钟输入

JTAG 状态控制

JTAG 数据输入，TCLK 输入

JTAG 数据输出

使能JTAG 引脚

外部复位

器件信号

P1.4/UCA0STE/TCK/A4

P1.5/UCA0CLK/TMS/A5

P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6

P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+

TEST/SBWTCK

方向

IN

OUT

IN

RST/NMI/SBWTDIO

IN

DVCC

–

电源

DVSS

–

接地电源

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9.8 Spy-Bi-Wire 接口(SBW)

MSP430 系列支持 2 线制 Spy-Bi-Wire 接口。Spy-Bi-Wire 可用于连接 MSP430 开发工具和器件编程器。表 9-6

列出了 Spy-Bi-Wire 接口引脚要求。有关连接开发工具和器件编程器的更多详细信息，请参阅 MSP430 硬件工具

用户指南。

表9-6. Spy-Bi-Wire 引脚要求和功能

SBW 功能

Spy-Bi-Wire 时钟输入

Spy-Bi-Wire 数据输入和输出

电源

器件信号

TEST/SBWTCK

RST/NMI/SBWTDIO

VCC

方向

IN

IN，OUT

VSS

接地电源

9.9 FRAM

FRAM 可使用 JTAG 端口、Spy-Bi-Wire (SBW) 或 BSL 进行编程，或者通过 CPU 在系统中进行编程。FRAM 的

特性包括：

• 能够进行字节和字访问

• 可生成可编程等待状态

• 纠错码(ECC)

9.10 存储器保护

该器件具有用户访问权限的存储器保护和写保护功能，包括：

• 通过使用JTAG 端口、SBW、BSL 或由CPU 在系统内写入JTAG 和BSL 签名以确保整个存储器映射的安

全，防止通过JTAG 端口或BSL 进行未授权访问。

• 在系统配置寄存器0 中使用相应的密码设置控制位，启用写保护，从而防止对FRAM 内容进行不必要的写操

作。有关更多详细信息，请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南中的SYS 一章。

9.11 外设

外设通过数据、地址和控制总线连接至 CPU。所有外设均可通过存储器映射中的所有指令进行处理。有关完整的

模块说明，请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南。

9.11.1 电源管理模块(PMM) 和片上基准电压

PMM 包含集成稳压器，可为器件提供内核电压。PMM 还包括电源电压监控器 (SVS) 和欠压保护。实现的欠压复

位电路(BOR) 可在上电和断电期间为器件提供适当的内部复位信号。SVS 电路会检测电源电压是否降至可由用户

选择的安全等级以下。SVS 电路可用于主电源。

该器件包含两个片上基准：1.5V 用于内部基准，1.2V 用于外部基准。

1.5V 基准在内部连接至 ADC 通道13。DVCC 在内部连接至 ADC 通道15。如果DVCC 设为ADC 转换的基准电

压，则DVCC 可使用ADC 采样1.5V 基准轻松表示为方程式1，而无需任何外部组件支持。

DVCC = (1023 × 1.5V) / 1.5V 基准ADC 结果

(1)

1.5V 基准电压还在内部连接到比较器内置 DAC，作为基准电压。DVCC 在内部连接到 DAC 基准的另一个源，这

两个源都由 CPDACREFS 位控制。相关更多详细信息，请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南

中的“比较器”一章。

当 PMMCTL2 寄存器中的 EXTREFEN = 1 时，1.2V 基准电压可进行缓冲并输出到 P1.7/TDO/A7/VREF+。还可

以选择 ADC 通道 7 来监控此电压。有关更多详细信息，请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指

南。

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备注

ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

9.11.2 时钟系统(CS) 和时钟分配

时钟系统包括 32kHz 低频振荡器 (XT1)、内部超低功耗低频振荡器 (VLO)、集成 32kHz RC 振荡器 (REFO)、可

使用锁频环 (FLL) 锁定内部或外部 32kHz 基准时钟的集成内部数控振荡器 (DCO) 以及片上异步高速时钟

(MODOSC)。时钟系统的设计旨在以最少的外部组件实现经济高效的设计。针对 XT1 设计了故障安全机制。时钟

系统模块提供以下时钟信号。

• 主时钟(MCLK)：CPU 和总线访问的所有相关外设所使用的系统时钟。除MODOSC 外，所有时钟源均可通过

1、2、4、8、16、32、64 或128 预分频器选为时钟源。

• 子主时钟(SMCLK)：供外设模块使用的子系统时钟。SMCLK 源自预分频器为1、2、4 或8 的MCLK。这意

味着SMCLK 始终等于或小于MCLK。

• 辅助时钟(ACLK)：该时钟由外部XT1 时钟或内部REFO 时钟（最高频率40kHz）提供。

所有外设可能有一个或多个时钟源，具体视特定功能而定。表9-7 和表9-8 汇总了此器件中使用的时钟分配。

表9-7. 时钟分配

MCLK

SMCLK

ACLK

MODCLK

VLOCLK

时钟源选择位

外部引脚

4MHz

10kHz

DC 到16MHz DC 到16MHz DC 到40kHz

频率范围

CPU

N/A

默认值

FRAM

RAM

CRC

I/O

N/A

TB0

TBSSEL

10b

01b

00b（TB0CLK 引脚）

00b（UCA0CLK 引

脚）

eUSCI_A0

UCSSEL

10b 或11b

WDT

ADC⁽¹⁾

RTC

WDTSSEL

ADCSSEL

RTCSS

00b

10b 或11b

01b⁽²⁾

01b

10b

11b

00b

01b⁽²⁾

(1) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

(2) 由SYSCFG2 寄存器中的RTCCKSEL 位来控制。

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表9-8. XTCLK 分配

XTLFCLK

运行模式

时钟源选择位

AM 至LPM3.5（直流至40kHz）

MCLK

SMCLK

REFO

ACLK

RTC

SELMS

SELREF

SELA

10b

0b

RTCSS

10b

9.11.3 通用输入/输出端口(I/O)

器件实现了多达12 个I/O 端口。

• P1 实现了8 位，P2 实现了4 位。

• 所有单独的I/O 位均可独立进行编程。

• 输入、输出和中断条件的任意组合均可用于P1 和P2。

• 所有端口上均具有可编程的上拉电阻或下拉电阻。

• P1.0 至P1.3、P2.0、P2.1、P2.6 和P2.7 均提供可选择边沿的中断、LPM4、LPM3.5 和LPM4.5 唤醒输入功

能。

• 所有指令均支持对端口控制寄存器的读写访问。

• 端口可按字节或字成对访问。

• 所有引脚上均支持电容式触控I/O 功能。

备注

BOR 复位后的数字I/O 配置

为了避免器件启动期间出现交叉电流，所有端口引脚均呈高阻态，并且禁用了施密特触发器和模块功

能。要在 BOR 复位后使能 I/O 功能，必须先配置端口，随后必须将 LOCKLPM5 位清零。有关详细信

息，请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南的“数字 I/O”一章中的复位后配置部

分。

9.11.4 看门狗计时器(WDT)

WDT 模块的主要功能是在出现软件问题后使受控系统重启。如果选定的时间间隔到期，则会产生一个系统复位。

如果应用中不需要看门狗功能，该模块可配置为间隔计时器，并可在选定的时间间隔生成中断。

表9-9. WDT 时钟

正常运行

WDTSSEL

（看门狗和间隔计时器模式）

00

01

10

11

SMCLK

ACLK

VLOCLK

保留

44

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9.11.5 系统模块(SYS)

SYS 模块会处理器件内的许多系统功能。这些系统功能包括上电复位 (POR) 和上电清除 (PUC) 处理、NMI 源选

择和管理、复位中断向量发生器、引导加载程序进入机制以及配置管理（器件描述符）。SYS 还包括一种通过称

为JTAG 邮箱的SBW 实现的数据交换机制，可在应用中使用。表9-10 列出了SYS 模块中断向量寄存器。

表9-10. 系统模块中断向量寄存器

中断事件

中断向量寄存器

地址

值

优先级

最高

00h

无中断待处理

02h

04h

06h

08h

0Ah

0Ch

0Eh

10h

12h

14h

16h

18h

1Ah

1Ch

1Eh

20h

22h

24h

欠压(BOR)

RSTIFG RST/NMI (BOR)

PMMSWBOR 软件BOR (BOR)

LPMx.5 唤醒(BOR)

安全违例(BOR)

保留

SVSHIFG SVSH 事件(BOR)

保留

015Eh

SYSRSTIV，系统复位

PMMSWPOR 软件POR (POR)

WDTIFG 看门狗超时(PUC)

WDTPW 密码违例(PUC)

FRCTLPW 密码违例(PUC)

不可纠正的FRAM 位错误检测

外设区域获取(PUC)

PMMPW PMM 密码违例(PUC)

保留

FLL 解锁(PUC)

26h 至3Eh

00h

保留

无中断待处理

最低

最高

02h

SVS 低功耗复位进入

不可纠正的FRAM 位错误检测

保留

04h

06h

08h

被保留

0Ah

0Ch

0Eh

10h

被保留

保留

015Ch

SYSSNIV，系统NMI

被保留

保留

12h

VMAIFG 空存储器访问

JMBINIFG JTAG 邮箱输入

JMBOUTIFG JTAG 邮箱输出

可纠正的FRAM 位错误检测

14h

16h

18h

1Ah 至1Eh

00h

被保留

无中断待处理

最低

最高

最低

02h

NMIIFG NMI 引脚或SVS_H事件

OFIFG 振荡器故障

015Ah

SYSUNIV，用户NMI

04h

06h 至1Eh

保留

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9.11.6 循环冗余校验(CRC)

16 位 CRC 模块会根据数据值序列生成签名，并可用于数据检查。CRC 生成多项式符合 CRC-16-CCITT 标准

x¹⁶+ x¹²+ x⁵+ 1。

9.11.7 增强型通用串行通信接口(eUSCI_A0)

eUSCI 模块用于串行数据通信。eUSCI_A 模块支持 UART 或SPI 通信。此外，eUSCI_A 还支持自动波特率检测

和IrDA。

表9-11. eUSCI 引脚配置

UART

SPI

SIMO

SOMI

SCLK

STE

引脚(USCIARMP = 0)

P1.7

TXD

P1.6

P1.5

RXD

P1.4

eUSCI_A0

UART

TXD

SPI

引脚(USCIARMP = 1)

P1.3⁽¹⁾

SIMO

SOMI

SCLK

STE

P1.2⁽¹⁾

RXD

P1.1⁽¹⁾

P1.0⁽¹⁾

(1) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的USCIARMP 位控制的重新映射功能。同一时刻，所选端口只有一个有效。

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9.11.8 计时器(Timer0_B3)

Timer0_B3 模块是具有三个捕捉/比较寄存器的 16 位计时器/计数器。计时器可支持多次捕捉或比较、PWM 输出

和间隔时序（请参阅表9-12）。Timer0_B3 具有丰富的中断功能。计数器在溢出发生时可生成中断而每个捕获/比

较寄存器也可生成中断。Timer0_B3 上的 CCR0 寄存器未从外部连接，只能用于硬件周期时序和中断生成。在向

上计数模式下，它可用于设置计数器的溢出值。

表9-12. Timer0_B3 信号连接

端口引脚

器件输入信号

模块输入名称

模块区块

模块输出信号

器件输出信号

P2.7

TB0CLK

TBCLK

ACLK

ACLK（内部）

Timer

N/A

SMCLK

SMCLK（内部）

来自电容式触摸I/O

（内部）

INCLK

CCI0A

CCI0B

GND

来自RTC（内部）

ACLK（内部）

DVSS

CCR0

CCR1

TB0

TB1

DVCC

VCC

P1.6 (TBRMP = 0)

TB0.1

CCI1A

TB0.1

P2.0 (TBRMP = 1)⁽¹⁾

至ADC 触发器⁽²⁾

CCI1B

GND

VCC

来自eCOMP（内部）

DVSS

DVCC

P1.7 (TBRMP = 0)

TB0.2

CCI2A

CCI2B

TB0.2

P2.1 (TBRMP = 1)⁽¹⁾

来自电容式触摸I/O

（内部）

CCR2

TB2

DVSS

DVCC

GND

VCC

(1) 这是通过SYSCFG3 寄存器中的TBRMP 位控制的重新映射功能。当TB0 用作捕捉输入功能时，同一时刻只有一个所选端口有效。无论

此重映射位的设置如何，TB0 PWM 都会输出。

(2) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

Timer0_B3 的互连可用于在 ASK 或部分 FSK 模式下调制 UCA0TXD/UCA0SIMO 的eUSCI_A 引脚，用户可以通

过它轻松获取调制红外命令以直接驱动外部 IR 二极管。IR 功能完全由 SYSCFG1 控制，包括 IREN（使能）、

IRPSEL（极性选择）、IRMSEL（模式选择）、IRDSSEL（数据选择）和 IRDATA（数据）位。有关更多信息，

请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南中的SYS 一章。

当触发所选源时，Timer_B 模块可将所有 Timer_B 输出置于一个高阻抗状态。源可从外部引脚或器件内部进行选

择，这由 SYS 中的 TB0TRG 控制。有关更多信息，请参阅 MSP430FR4xx 和 MSP430FR2xx 系列用户指南中

的SYS 一章。

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表9-13 总结了Timer_B 高阻抗触发器的选择。

表9-13. TBxOUTH

TB0TRGSEL

TB0TRGSEL = 0

TB0TRGSEL= 1

TB0OUTH 触发源选择

eCOMP0 输出（内部）

P1.2

Timer_B 焊盘输出高阻抗

P1.6、P1.7、P2.0、P2.1⁽¹⁾

(1) 当TB0 设置为PWM 输出功能时，两个端口组都可以接收输出，输出仅由PxSEL.y 位控制。

9.11.9 备用存储器(BAKMEM)

在LPM3.5 模式下，BAKMEM 支持数据保留功能。在LPM3.5 模式下，此器件提供最多32 个保留的字节。

9.11.10 实时时钟(RTC) 计数器

RTC 计数器是一个 16 位模块计数器，在 AM、LPM0、LPM3、LPM4 和 LPM3.5 下工作。此模块可根据 XT1、

ACLK 或VLO 等低功耗时钟源的时序，定期从 LPM0、LPM3、LPM4 或LPM3.5 唤醒CPU。在AM 下，RTC 可

由 SMCLK 驱动生成高频时序事件和中断。ACLK 和 SMCLK 都可以为 RTC 提供时钟源；但是，在任何给定的时

间只能选择其中一个。RTC 溢出事件触发器：

• Timer0_B3 CCR0A

• ADCSHSx 位设为01b 时为ADC 转换触发器

9.11.11 10 位模数转换器(ADC)

10 位 ADC 模块支持利用单端输入实现快速 10 位模数转换。该模块应用 10 位 SAR 内核、采样选择控制、参考

信号发生器和转换结果缓冲区。具有下限和上限的窗口比较器可利用三个窗口比较器中断标志实现独立于CPU 的

结果监控。

备注

ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

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ADC 支持10 个外部输入和4 个内部输入（请参阅表9-14）。

表9-14. ADC 通道连接

ADCINCHx

ADC 通道

A0/Veref+

A1/

外部引脚输出

P1.0

P1.1

P1.2

P1.3

P1.4

P1.5

P1.6

P1.7

N/A

0

1

2

A2/Veref-

A3

3

4

A4

5

A5

6

A6

7

A7⁽¹⁾

8

未使用

片上温度传感器

基准电压(1.5V)

DVSS

9

N/A

10

11

12

13

14

15

N/A

DVCC

N/A

(1) 使用了A7 时，可通过设置PMM 控制寄存器，将PMM 1.2V 基准电压输出到此引脚。1.2V 电压可

直接通过A7 通道测量。

转换可通过软件或硬件触发来启动。表9-15 列出了可用的触发源。

表9-15. ADC 触发信号连接

ADCSHSx

触发源

二进制

十进制

00

0

ADCSC 位（软件触发）

RTC 事件

01

10

11

1

2

3

TB0.1B

eCOMP0 COUT

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9.11.12 eCOMP0

增强型比较器是一款模拟电压比较器，内置 6 位 DAC 作为内部电压基准。对于比较器基准电压，集成的 6 位

DAC 可设置为64 级。此模块具有4 级可编程迟滞和可配置的功率模式：高功率或低功率模式。

eCOMP0 支持外部输入和内部输入（请参阅表9-16）和输出（请参阅表9-17）

表9-16. eCOMP0 输入通道连接

CPPSEL，CPNSEL

eCOMP0 通道

外部或内部连接

二进制

000

C0

C1

C2

C3

C4

C5

C6

P1.0

P1.1

001

010

P1.2

011

P1.3

100

未使用

内置6 位DAC

101

110

表9-17. eCOMP0 输出通道连接

eCOMP0 输出

外部引脚输出，模块

P2.0

TB0.1B；TB0 (TB0OUTH)；ADC

1

2

9.11.13 嵌入式仿真模块(EEM)

EEM 支持实时系统内调试。该系列器件上的EEM 具有以下特性：

• 存储器访问时有三个硬件触发信号或断点

• CPU 寄存器写访问时有一个硬件触发信号或断点

• 最多可结合四个硬件触发器，形成复杂的触发器或断点

• 一个周期计数器

• 模块级时钟控制

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9.11.14 外设文件映射

表9-18 列出了每个外设寄存器的基地址和存储器大小。

表9-18. 外设汇总

模块名称

基址

大小

0100h

0010h

特殊功能（请参阅表9-19）

PMM（请参阅表9-20）

SYS（请参阅表9-21）

CS（请参阅表9-22）

0120h

0140h

0180h

01A0h

01C0h

01CCh

0200h

02E0h

0300h

0380h

0500h

0660h

0700h

08E0h

0020h

0040h

0020h

0010h

0008h

0002h

0020h

0010h

0030h

0020h

0040h

0020h

FRAM（请参阅表9-23）

CRC（请参阅表9-24）

WDT（请参阅表9-25）

端口P1、P2（请参阅表9-26）

电容式触摸I/O（请参阅表9-27）

RTC（请参阅表9-28）

Timer0_B3（请参阅表9-29）

eUSCI_A0（请参阅表9-30）

备用存储器（请参阅表9-31）

ADC⁽¹⁾（请参阅表9-32）

eCOMP0（请参阅表9-33）

(1) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

表9-19. 特殊功能寄存器（基地址：0100h）

寄存器

寄存器说明

偏移量

SFRIE1

00h

SFR 中断使能

SFRIFG1

SFRRPCR

02h

04h

SFR 中断标志

SFR 复位引脚控制

表9-20. PMM 寄存器（基地址：0120h）

寄存器

寄存器说明

偏移量

PMMCTL0

PMMCTL1

PMMCTL2

PMMIFG

00h

PMM 控制0

PMM 控制1

PMM 控制2

PMM 中断标志

PM5 控制0

02h

04h

0Ah

10h

PM5CTL0

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表9-21. SYS 寄存器（基地址：0140h）

寄存器说明

寄存器

SYSCTL

SYSBSLC

偏移量

00h

02h

06h

08h

0Ah

0Ch

0Eh

1Ah

1Ch

1Eh

20h

22h

24h

26h

系统控制

引导加载程序配置区域

JTAG 邮箱控制

JTAG 邮箱输入0

JTAG 邮箱输入1

JTAG 邮箱输出0

JTAG 邮箱输出1

用户NMI 向量发生器

系统NMI 向量发生器

复位向量发生器

系统配置0

SYSJMBC

SYSJMBI0

SYSJMBI1

SYSJMBO0

SYSJMBO1

SYSUNIV

SYSSNIV

SYSRSTIV

SYSCFG0

SYSCFG1

SYSCFG2

SYSCFG3

系统配置1

系统配置2

系统配置3

表9-22. CS 寄存器（基地址：0180h）

寄存器

寄存器说明

偏移量

CSCTL0

CSCTL1

CSCTL2

CSCTL3

CSCTL4

CSCTL5

CSCTL6

CSCTL7

CSCTL8

00h

CS 控制0

CS 控制1

CS 控制2

CS 控制3

CS 控制4

CS 控制5

CS 控制6

CS 控制7

CS 控制8

02h

04h

06h

08h

0Ah

0Ch

0Eh

10h

表9-23. FRAM 寄存器（基地址：01A0h）

寄存器说明

寄存器

FRCTL0

GCCTL0

GCCTL1

偏移量

00h

FRAM 控制0

通用控制0

通用控制1

04h

06h

表9-24. CRC 寄存器（基地址：01C0h）

寄存器

寄存器说明

偏移量

CRC16DI

CRCDIRB

CRCINIRES

CRCRESR

00h

CRC 数据输入

02h

04h

06h

CRC 数据输入反向字节

CRC 初始化和结果

CRC 结果反向字节

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表9-25. WDT 寄存器（基地址：01CCh）

寄存器

寄存器说明

偏移量

WDTCTL

00h

看门狗计时器控制

表9-26. 端口P1、P2 寄存器（基地址：0200h）

寄存器说明

寄存器

偏移量

P1IN

00h

端口P1 输入

P1OUT

P1DIR

P1REN

P1SEL0

P1SEL1

P1IV

02h

04h

06h

0Ah

0Ch

0Eh

16h

18h

1Ah

1Ch

01h

03h

05h

07h

0Bh

0Dh

17h

1Eh

19h

1Bh

1Dh

端口P1 输出

端口P1 方向

端口P1 上拉使能

端口P1 选择0

端口P1 选择1

端口P1 中断向量字

端口P1 互补选择

端口P1 中断边沿选择

端口P1 中断使能

端口P1 中断标志

端口P2 输入

P1SELC

P1IES

P1IE

P1IFG

P2IN

P2OUT

P2DIR

P2REN

P2SEL0

P2SEL1

P2SELC

P2IV

端口P2 输出

端口P2 方向

端口P2 上拉使能

端口P2 选择0

端口P2 选择1

端口P2 互补选择

端口P2 中断向量字

端口P2 中断边沿选择

端口P2 中断使能

端口P2 中断标志

P2IES

P2IE

P2IFG

表9-27. 电容式触摸I/O 寄存器（基地址：02E0h）

寄存器说明

寄存器

偏移量

CAPIO0CTL

0Eh

电容式触摸I/O 0 控制

表9-28. RTC 寄存器（基地址：0300h）

寄存器说明

寄存器

RTCCTL

RTCIV

偏移量

00h

RTC 控制

04h

08h

0Ch

RTC 中断向量

RTC 模

RTCMOD

RTCCNT

RTC 计数器

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表9-29. Timer0_B3 寄存器（基地址：0380h）

寄存器说明

寄存器

偏移量

TB0CTL

00h

02h

04h

06h

10h

12h

14h

16h

20h

2Eh

TB0 控制

TB0CCTL0

TB0CCTL1

TB0CCTL2

TB0R

捕捉/比较控制0

捕捉/比较控制1

捕捉/比较控制2

TB0 计数器

TB0CCR0

TB0CCR1

TB0CCR2

TB0EX0

捕捉/比较0

捕捉/比较1

捕捉/比较2

TB0 扩展0

TB0IV

TB0 中断向量

表9-30. eUSCI_A0 寄存器（基地址：0500h）

寄存器

寄存器说明

偏移量

UCA0CTLW0

UCA0CTLW1

UCA0BR0

00h

eUSCI_A 控制字0

eUSCI_A 控制字1

eUSCI_A 控制速率0

eUSCI_A 控制速率1

eUSCI_A 调制控制

eUSCI_A 状态

02h

06h

07h

08h

0Ah

0Ch

0Eh

10h

12h

13h

1Ah

1Ch

1Eh

UCA0BR1

UCA0MCTLW

UCA0STAT

UCA0RXBUF

UCA0TXBUF

UCA0ABCTL

lUCA0IRTCTL

IUCA0IRRCTL

UCA0IE

eUSCI_A 接收缓冲器

eUSCI_A 发送缓冲器

eUSCI_A LIN 控制

eUSCI_A IrDA 发送控制

eUSCI_A IrDA 接收控制

eUSCI_A 中断使能

eUSCI_A 中断标志

eUSCI_A 中断向量字

UCA0IFG

UCA0IV

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表9-31. 备用存储器寄存器（基地址：0660h）

寄存器

寄存器说明

偏移量

BAKMEM0

BAKMEM1

BAKMEM2

BAKMEM3

BAKMEM4

BAKMEM5

BAKMEM6

BAKMEM7

BAKMEM8

BAKMEM9

BAKMEM10

BAKMEM11

BAKMEM12

BAKMEM13

BAKMEM14

BAKMEM15

00h

备用存储器0

备用存储器1

备用存储器2

备用存储器3

备用存储器4

备用存储器5

备用存储器6

备用存储器7

备用存储器8

备用存储器9

备用存储器10

备用存储器11

备用存储器12

备用存储器13

备用存储器14

备用存储器15

02h

04h

06h

08h

0Ah

0Ch

0Eh

10h

12h

14h

16h

18h

1Ah

1Ch

1Eh

表9-32. ADC 寄存器（基地址：0700h）

寄存器说明

寄存器

ADCCTL0

ADCCTL1

ADCCTL2

ADCLO

偏移量

00h

ADC 控制0

02h

04h

06h

08h

0Ah

12h

1Ah

1Ch

1Eh

ADC 控制1

ADC 控制2

ADC 窗口比较器阈值下限

ADC 窗口比较器阈值上限

ADC 存储器控制0

ADC 转换存储器

ADC 中断使能

ADCHI

ADCMCTL0

ADCMEM0

ADCIE

ADCIFG

ADCIV

ADC 中断标志

ADC 中断向量字

表9-33. eCOMP0 寄存器（基地址：08E0h）

寄存器说明

寄存器

CPCTL0

CPCTL1

CPINT

偏移量

00h

比较器控制0

02h

06h

08h

10h

12h

比较器控制1

比较器中断

CPIV

比较器中断向量

比较器内置DAC 控制

比较器内置DAC 数据

CPDACCTL

CPDACDATA

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9.11.15 输入/输出图

9.11.15.1 使用施密特触发器的端口P1 输入/输出

图9-1 展示了端口图。表9-34 总结了引脚功能的选择。

A0..A7

C0,C1,C2,C3

P1REN.x

P1DIR.x

From Module1

From Module2

00

01

10

11

2 bit

DVSS

DVCC

0

1

P1SEL.x= 11

00

01

P1OUT.x

From Module1

From Module2

DVSS

10

11

2 bit

P1SEL.x

EN

D

To module

P1IN.x

P1IE.x

Bus

Keeper

P1 Interrupt

D

S

Q

P1IFG.x

P1.0/UCA0STE/SMCLK/C0/A0/Veref+

P1.1/UCA0CLK/ACLK/C1/A1

Edge

Select

P1.2/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0TRG/C2/A2/Veref-

P1.3/UCA0TXD/UCA0SIMO/C3/A3

P1IES.x

P1.4/UCA0STE/TCK/A4

From JTAG

P1.5/UCA0CLK/TMS/A5

P1.6/UCA0RXD/UCA0SOMI/TB0.1/TDI/TCLK/A6

P1.7/UCA0TXD/UCA0SIMO/TB0.2/TDO/A7/VREF+

To JTAG

仅用于功能表示。

ADC（信号A0 至A7、Veref+ 和Veref-）在MSP430FR2000 器件上不可用。

图9-1. 使用施密特触发器的端口P1 输入/输出

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表9-34. 端口P1 引脚功能

控制位和信号⁽¹⁾

x

引脚名称(P1.x)

功能

P1DIR.x

P1SELx

00

JTAG

N/A

P1.0 (I/O)

UCA0STE

SMCLK

I: 0; O: 1

X

01

N/A

P1.0/UCA0STE/SMCLK/

C0/A0/Veref+

1

0

10

N/A

VSS

0

C0、A0/Veref+⁽²⁾

P1.1 (I/O)

UCA0CLK

ACLK

X

11

0

N/A

I: 0; O: 1

X

01

P1.1/UCA0CLK/ACLK/

C1/A1

1

10

N/A

VSS

0

C1、A1⁽²⁾

P1.2 (I/O)

X

11

00

01

10

11

00

01

11

00

01

11

X

N/A

I: 0; O: 1

P1.2/UCA0RXD/

UCA0SOMI/TB0TRG/

C2/A2/Veref-

UCA0RXD/UCA0SOMI

TB0TRG

X

2

3

4

0

C2、A2/Veref-⁽²⁾

P1.3 (I/O)

X

I: 0; O: 1

P1.3/UCA0TXD/

UCA0SIMO/C3/A3

UCA0TXD/UCA0SIMO

C3、A3⁽²⁾

X

P1.4 (I/O)

I: 0; O: 1

禁用

UCA0STE

X

N/A

P1.4/UCA0STE/TCK/A4

P1.5/UCA0CLK/TMS/A5

A4⁽²⁾

X

禁用

JTAG TCK

X

TCK

P1.5 (I/O)

I: 0; O: 1

00

01

11

X

禁用

UCA0CLK

X

N/A

5

6

A5⁽²⁾

X

禁用

JTAG TMS

P1.6 (I/O)

X

TMS

I: 0; O: 1

00

01

禁用

UCA0RXD/UCA0SOMI

TB0.CCI1A

TB0.1

X

N/A

P1.6/UCA0RXD/

UCA0SOMI/TB0.1/ TDI/

TCLK/A6

0

10

N/A

1

A6⁽²⁾

X

11

X

禁用

JTAG TDI/TCLK

P1.7 (I/O)

X

TDI/TCLK

I: 0; O: 1

00

01

禁用

UCA0TXD/UCA0SIMO

TB0.CCI2A

TB0.2

X

0

N/A

P1.7/UCA0TXD/

UCA0SIMO/TB0.2/

TDO/A7/VREF+

10

N/A

7

1

A7⁽²⁾、VREF+

JTAG TDO

X

11

X

禁用

TDO

(1) X = 无关

(2) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

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9.11.15.2 使用施密特触发器的端口P2 输入/输出

图9-2 展示了端口图。表9-35 总结了引脚功能的选择。

P2REN.x

P2DIR.x

From Module1

From Module2

00

01

10

11

2 bit

DVSS

DVCC

0

1

00

01

P2OUT.x

From Module1

From Module2

DVSS

10

11

2 bit

P2SEL.x

EN

D

To module

P2IN.x

P2IE.x

Bus

Keeper

P2 Interrupt

D

S

Q

P2IFG.x

P2IES.x

P2.0/TB0.1/COUT

P2.1/TB0.2

P2.6/MCLK/XOUT

P2.7/TB0CLK/XIN

Edge

Select

仅用于功能表示。

图9-2. 使用施密特触发器的端口P2 输入/输出

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表9-35. 端口P2 引脚功能

控制位和信号⁽¹⁾

x

引脚名称(P2.x)

功能

P2DIR.x

P2SELx

P2.0 (I/O)

TB0.CCI1A

TB0.1

I: 0; O: 1

00

0

P2.0/TB0.1/COUT

P2.1/TB0.2

0

01

1

COUT

1

10

00

P2.1 (I/O)0

TB0.CCI2A

TB0.2

I: 0; O: 1

1

6

0

01

00

01

1

P2.6 (I/O)

MCLK

I: 0; O: 1

1

P2.6/MCLK/XOUT

VSS

0

XOUT

X

10

00

P2.7 (I/O)

TB0CLK

VSS

I: 0; O: 1

0

1

X

P2.7/TB0CLK/XIN

7

01

10

XIN

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9.12 器件描述符(TLV)

表 9-36 列出了 MSP430FR211x MCU 的器件 ID。表 9-37 列出了 MSP430FR211x MCU 的器件描述符标签长度

值(TLV) 结构的内容。

表9-36. 器件ID

器件ID

器件

1A04h

FA

1A05h

82

MSP430FR2111

MSP430FR2110

MSP430FR2100

MSP430FR2000

FB

82

20

83

21

83

表9-37. 器件描述符

MSP430FR211x

说明

地址

值

1A00h

06h

信息长度

1A01h

1A02h

1A03h

1A04h

1A05h

1A06h

1A07h

1A08h

1A09h

1A0Ah

1A0Bh

1A0Ch

1A0Dh

1A0Eh

1A0Fh

1A10h

1A11h

1A12h

1A13h

1A14h

1A15h

1A16h

1A17h

1A18h

1A19h

1A1Ah

1A1Bh

1A1Ch

1A1Dh

06h

CRC 长度

CRC 值⁽¹⁾

标幺值

信息块

器件ID

请参阅表9-36

硬件版本

标幺值

08h

固件版本

裸片记录标签

裸片记录长度

0Ah

标幺值

晶圆批次ID

芯片记录

芯片X 位置

芯片Y 位置

测试结果

ADC 校准标签

ADC 校准长度

ADC 增益系数

ADC 校准⁽³⁾

ADC 偏移

ADC 1.5V 基准温度30°C

ADC 1.5V 基准温度85°C

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表9-37. 器件描述符(continued)

MSP430FR211x

说明

地址

值

1A1Eh

1A1Fh

1A20h

1A21h

1A22h

1A23h

12h

04h

校准标签

校准长度

标幺值

基准和DCO 校准

1.5V 基准系数

16MHz、温度30°C 时的DCO 抽头设置⁽²⁾

(1) CRC 值包括从0x1A04h 到0x1A77h 的校验和，通过应用CRC-CCITT-16 多项式计算得出：

X¹⁶+ X¹²+ X⁵+ 1

(2) 此值可直接载入CSCTL0 寄存器的DCO 位，以便在室温条件下获取准确的16MHz 频率，尤其是当MCU 退出LPM3 及以下模式时。

如果温度漂移可能导致频率过冲到16MHz 以上，TI 建议使用预分频器降低频率。

(3) ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

9.13 标识

9.13.1 版本标识

器件版本信息作为器件封装顶部标记的一部分显示。特定于器件的勘误表介绍了这些标记。有关此数据表中器件

勘误表的链接，请参阅节11.4。

另外，硬件版本存储在“器件描述符”结构中的“信息块”部分。有关该值的详细信息，请参阅节 9.12 中的“硬

件版本”条目。

9.13.2 器件标识

器件类型可通过器件封装的顶部标记标识。特定于器件的勘误表介绍了这些标记。有关此数据表中器件勘误表的

链接，请参阅节11.4。

另外，器件标识值存储在“器件描述符”结构中的“信息块”部分。有关该值的详细信息，请参阅节 9.12 中的

“器件ID”条目。

9.13.3 JTAG 标识

通过JTAG 接口对MSP430 进行编程中详细介绍了如何通过JTAG 接口进行编程（包括读取和标识JTAG ID）。

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10 应用、实现和布局

备注

以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定

器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。

10.1 器件连接和布局基本准则

本节介绍使用 MSP430 MCU 进行设计时推荐的指导原则。这些准则旨在确保对器件进行适当连接，从而实现供

电、编程、调试用途以及最佳模拟性能。

10.1.1 电源去耦和大容量电容

TI 建议将 10µF 电容器和 100nF 低 ESR 陶瓷去耦电容器的组合连接至 DVCC 引脚。可以使用电容值较大的电

容，但会影响电源轨斜升时间。将去耦电容放置在尽可能靠近其去耦引脚的位置（几毫米范围内）。

DVCC

Digital

Power Supply

Decoupling

+

DVSS

10 µF

100 nF

图10-1. 电源去耦

10.1.2 外部振荡器

根据器件型号（请参阅表 6-1），器件在 LFXT 引脚上仅支持低频晶振 (32kHz)。需要为晶振引脚使用外部旁路电

容。

如果选择了合适的 LFXTBYPASS 模式，还可以向 LFXIN 输入引脚施加符合相应振荡器规范的数字时钟信号。这

种情况下，相关的 LFXOUT 引脚可用于其他用途。如果 LFXOUT 引脚未使用，则必须按照节 7.5 对其进行端

接。

图 10-2 给出了典型的连接图。有关 MSP430 器件晶体振荡器的选择，测试和设计的信息，请参阅 MSP430

32kHz 晶体振荡器。

XIN

XOUT

C_L1

C_L2

图10-2. 典型晶振连接

10.1.3 JTAG

正确连接后，可以使用调试器和硬件JTAG 接口（例如，MSP-FET 或MSP-FET430UIF）在目标板上编程和调试

代码。此外，连接还支持 MSP-GANG 生产编程器，因此，如果需要，还提供了一种对原型板进行编程的简单方

法。图 10-3 展示了 14 引脚 JTAG 连接器与支持 4 线制 JTAG 通信系统内编程和调试所需的目标器件之间的连

接。图10-4 给出了2 线制JTAG 模式(Spy-Bi-Wire) 的连接。

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MSP-FET 和 MSP-FET430UIF 接口模块与 MSP-GANG 的连接是相同的。两者均可为目标板提供 V_CC（通过引

脚 2）。此外，MSP-FET 和 MSP-FET430UIF 接口模块以及 MSP-GANG 都具有 V_CC检测功能，若使用此功

能，则需要替代连接（通过引脚4，而非引脚2）。V_CC感测特性感测出现在目标板上的本地V_CC（即，一个电池

或者其它本地电源）并相应地调节输出信号。图10-3 和图10-4 显示了一个跳线块，此跳线块支持V_CC为目标板

供电的两种模式。如果不需要这种灵活性，可对所需 V_CC连接进行硬接线，从而不需要跳线块。引脚 2 和4 不得

同时连接。

有关JTAG 接口的额外设计信息，请参阅MSP430 硬件工具用户指南。

V_CC

Important to connect

MSP430FRxxx

J1 (see Note A)

DVCC

J2 (see Note A)

R1

47 kW

JTAG

RST/NMI/SBWTDIO

VCC TOOL

TDO/TDI

TDI

TDO/TDI

TDI

2

1

3

VCC TARGET

4

TMS

6

5

TEST

TCK

8

7

TCK

GND

RST

10

12

14

9

11

13

TEST/SBWTCK

DVSS

C1

1 nF

(see Note B)

A. 如果使用一个本地目标电源，那么连接J1。如果使用调试或编程适配器供电，那么连接J2。

B. 如果使用当前TI 工具，那么C1 的上限是1.1nF。

图10-3. 4 线制JTAG 通信的信号连接

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V_CC

Important to connect

MSP430FRxxx

J1 (see Note A)

J2 (see Note A)

DVCC

R1

47 kΩ

(see Note B)

JTAG

VCC TOOL

TDO/TDI

2

1

3

5

7

9

RST/NMI/SBWTDIO

VCC TARGET

4

6

TCK

8

GND

10

12

14

11

13

TEST/SBWTCK

DVSS

C1

1 nF

(see Note B)

A. 如果使用一个本地目标电源，那么连接J1，或者当使用调试或编程适配器供电时，连接J2。

B. JTAG 访问期间，此器件的RST/NMI/SBWTDIO 引脚为2 线制模式用于与器件进行双向通信，并且任何连接到这个信号上的电容都有可

能影响到与器件建立连接的能力。如果使用当前TI 工具，那么C1 的上限是1.1nF。

图10-4. 2 线制JTAG 通信(Spy-Bi-Wire) 的信号连接

10.1.4 复位

复位引脚可配置为复位功能（默认），也可以配置为特殊功能寄存器(SFR) 中的NMI 功能，即SFRRPCR。

在复位模式下，RST/NMI 引脚为低电平有效，对该引脚施加符合复位时序规范的脉冲会引起BOR 型器件复位。

设置 SYSNMI 会引起 RST/NMI 引脚被配置为一个外部 NMI 源。外部 NMI 是边缘敏感的，其边缘是由

SYSNMIIES 选择的。设置NMIIE 能使能外部NMI 的中断。如果发生外部NMI 事件，NMIIFG 会置1。

RST/NMI 引脚可连接上拉电阻或下拉电阻（使能或禁用）。SYSRSTUP 用于选择上拉电阻或下拉电阻，

SYSRSTRE 用于使能（默认）或禁用上拉电阻（默认）或下拉电阻。如果未使用 RST/NMI 引脚，则需要选择并

使能内部上拉电阻，或者使用 10nF 下拉电容将外部 47kΩ 上拉电阻连接至 RST/NMI 引脚。如果所用器件的

Spy-Bi-Wire 接口处于 Spy-Bi-Wire 模式或 4 线制 JTAG 模式，并且使用 FET 接口或 GANG 编程器等 TI 工具，

下拉电容不得超过1.1nF。

有关基准控制寄存器和位的更多信息，请参阅MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南。

10.1.5 未使用的引脚

有关未使用引脚连接的详细信息，请参阅节7.5。

10.1.6 一般布局建议

• 为外部晶振进行正确接地并使用短走线以减小寄生电容。有关建议的布局指南，请参阅MSP430 32kHz 晶体

振荡器。

• 在DVCC、AVCC 和基准引脚（如果已使用）上连接正确的旁路电容器。

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• 避免将任何高频信号引到模拟信号线附近。例如，请使数字开关信号（例如PWM 或JTAG 信号）远离振荡器

电路和ADC 信号。

• 应考虑使用适当等级的ESD 保护，以防止器件发生意外的高压静电放电。请参阅MSP430 系统级ESD 注意

事项，获取相关指南。

10.1.7 注意事项

在上电、断电和器件运行期间，AVCC 和 DVCC 之间的电压差不得超过节 8.1 中规定的限值。如果超出规定的限

值，可能导致器件发生故障，包括对RAM 和FRAM 执行错误的写操作。

10.2 外设和接口的相关设计信息

10.2.1 ADC 外设

备注

ADC 在MSP430FR2000 器件上不可用。

10.2.1.1 部分原理图

图10-5 展示了带有内部或外部电压基准的推荐去耦电路。

DVSS

Using an external

VREF+/VEREF+

positive reference

+

100 nF

10 µF

Using an external

negative reference

VEREF-

+

10 µF

100 nF

图10-5. ADC 接地和噪声注意事项

10.2.1.2 设计要求

与任何高分辨率 ADC 一样，应遵循适当的印刷电路板布局和接地技术，以消除接地环路，不必要的寄生效应和噪

声。

来自ADC 的返回电流流经与其他模拟或数字电路共用的路径时，就会形成接地环路。如果不当心，这个电流会产

生小的有害的偏移电压，该电压可以增加或减少 ADC 的基准电压或输入电压。遵循节 10.1.1 中的通用准则并采

用节10.2.1.1 中显示的连接可避免这种情况的发生。

除了接地之外，因数字开关或开关电源而致电源线路上出现的纹波和噪声尖峰会影响转换结果。德州仪器 (TI) 建

议您选择采用单点连接独立模拟和数字接地层的无噪声设计，以提高精度。

图 10-5 显示了使用外部基准电压时的建议去耦电路。内部基准模块的最大驱动电流如 MSP430FR4xx 和

MSP430FR2xx 系列用户指南的ADC 引脚使能和1.2V 基准设置小节中所述。

基准电压必须是稳定电压才能实现精确测量。采用通用准则中选择的电容值时，可在基准电压进入器件前过滤掉

高频和低频纹波。在这种情况下，使用 10-µF 电容器来缓冲基准引脚和滤除任何低频纹波。100nF 旁路电容器滤

除高频噪声。

10.2.1.3 布局准则

部分原理图（请参阅图 10-5）中显示的组件应放置在应尽量靠近相应器件引脚的位置，以免走线过长，因为这些

组件会在信号上增加额外的寄生电容、电感和电阻。

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避免将模拟输入信号引到高频引脚（例如高频PWM）附近，因为高频开关可能耦合到模拟信号中。

10.3 典型应用

表 10-1 列出的参考设计反映了 MSP430FR211x 系列器件在不同实际应用场景中的使用。请参考这些设计，了解

关于原理图、布局和软件实现的附加指南。有关可用参考设计的最新列表，请参阅特定于器件的产品文件夹或访

问TI 参考设计。

表10-1. 参考设计

设计名称

采用MSP430FR4xx 实现的温度调节装置

链接

TIDM-FRAM-THERMOSTAT

TIDM-FRAM-WATERMETER

采用MSP430FR4xx 实现的水表

TIDM-REMOTE-CONTROLLER-FOR-AC

采用低功耗微控制器实现的空调遥控器

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11 器件和文档支持

11.1 开始

更多有关 MSP430^™系列器件以及有助于开发的工具和库的信息，请访问 MSP430 超低功耗检测和测量 MCU 概

述。

11.2 器件命名规则

为了标示产品开发周期所处的阶段，TI 为所有MSP MCU 器件的器件型号分配了前缀。每个MSP MCU 商用系列

产品都具有以下两个前缀之一：MSP 或 XMS。这些前缀代表了产品开发的发展阶段，即从工程原型 (XMS) 直到

完全合格的生产器件(MSP)。

XMS - 实验器件，不一定代表最终器件的电气规格

MSP - 完全合格的生产器件

XMS 器件在供货时附带如下免责声明：

“开发中的产品用于内部评估用途。”

MSP 器件的特性已经全部明确，并且器件的质量和可靠性已经完全论证。TI 的标准保修证书对该器件适用。

预测显示原型器件 (XMS) 的故障率大于标准生产器件。由于这些器件的预计最终使用故障率尚不确定，德州仪器

(TI) 建议不要将它们用于任何生产系统。请仅使用合格的生产器件。

TI 的器件命名规则还包含具有器件产品系列名称的后缀。此后缀表示温度范围、封装类型和配送形式。图11-1 提

供了解读完整器件名称的图例。

MSP 430 FR 2 111 I PW R

Processor Family

MCU Platform

Memory Type

Series

Distribution Format

Packaging

Temperature Range

Feature Set

Processor Family

MSP = Mixed-Signal Processor

XMS = Experimental Silicon

MCU Platform

Memory Type

Series

430 = TI’s 16-bit MSP430 Low-Power Microcontroller Platform

FR = FRAM

2 = FRAM 2 Series up to 16 MHz without LCD

Feature Set

Variations of the device features; see the Device Comparison section for details

Temperature Range

Packaging

I = –40°C to 85°C

www.ti.com/packaging

Distribution Format

T = Small reel

R = Large reel

No marking = Tube or tray

图11-1. 器件命名规则

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11.3 工具和软件

所有 MSP 微控制器均受多种软件和硬件开发工具的支持。相关工具由 TI 以及多家第三方供应商提供。可从低功

耗MCU 开发套件和软件获取全部信息。

表 11-1 列出了 MSP430FR211x 微控制器的调试特性。请参阅适用于 MSP430 MCU 的 Code Composer Studio

IDE 用户指南，了解有关可用功能的详细信息。

表11-1. 硬件调试特性

四线制

JTAG

两线制

JTAG

断点

(N)

MSP430 架构

LPMx.5 调试支持 EEM 版本

状态序列发生器跟踪缓冲器

范围断点

时钟控制

MSP430Xv2

3

S

有

是

否

无

设计套件与评估模块

适用于MSP430FR23x/21x MCU 的20 引脚目标插座开发板

MSP-TS430PW20 是一款独立的 ZIF 插座目标板，用于通过 JTAG 接口或 Spy Bi-Wire（双线制 JTAG）协议对

MSP430 MCU 系统进行编程和调试。该开发板支持采用 20 引脚或16 引脚的TSSOP 封装（TI 封装代码：PW）

的所有MSP430FR2000、MSP430FR21x 和MSP430FR23x FRAM MCU。

MSP430FR2311 LaunchPad 开发套件

MSP-EXP430FR2311 LaunchPad 开发套件是一款适用于 MSP430FR2000、MSP430FR21x 和 MSP430FR23x

MCU 系列的微控制器开发板。此套件包含对平台进行评估所需要的所有资源，包括用于编程、调试和能量测量的

板载仿真。板载按钮和LED 允许集成简单的用户交互。

MSP430FR4133 LaunchPad 开发套件

MSP-EXP430FR4133 LaunchPad 开发套件是一款适用于 MSP430FR2xx 和 MSP430FR4xx MCU 系列的微控制

器开发板。此套件包含对 MSP430FR2xx 和MSP430FR4xx FRAM 平台进行评估所需要的所有资源，包括用于编

程、调试和能量测量的板载仿真。借助板载按钮和 LED 实现简单的用户交互集成，而借助 BoosterPack^™插件模

块的20 引脚接头，可以使用BoosterPack 模块快速进行用户实验。

MSP-FET 和MSP-TS430PW20 FRAM 微控制器开发套件包

MSP-FET430U20 开发套件包将两种调试工具相结合，支持 MSP430FR2000 、MSP430FR21xx 和

MSP430FR23xx MCU 的 20 引脚 PW 封装（例如 MSP430FR2311IPW20）。所包括的工具是 MSP-

TS430PW20 和MSP-FET。

软件

MSP430Ware^™软件

MSP430Ware 软件集合了所有MSP430 器件的代码示例、产品说明书以及其他设计资源，打包提供给用户。除了

提供已有 MSP430 设计资源的完整集合外，MSP430Ware 软件还包含名为 MSP 驱动程序库的高级 API。借助该

库可以轻松地对MSP430 硬件进行编程。MSP430Ware 软件以CCS 组件或独立软件包两种形式提供。

MSP430FR21xx 代码示例

根据不同应用需求配置各集成外设的每个MSP 器件均具备相应的C 代码示例。

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MSP 驱动程序库

MSP 驱动程序库的抽象 API 提供易用的函数调用，无需直接操纵 MSP430 硬件的位与字节。完整的文档通过具

有帮助意义的 API 指南交付，其中包括有关每个函数调用和经过验证的参数的详细信息。开发人员可使用驱动程

序库函数以尽可能低的费用编写全部项目。

ULP（超低功耗）Advisor

ULP Advisor^™软件是一款工具，用于指导开发人员编写更高效代码，以便充分利用 MSP 和MSP432 微控制器独

特的超低功耗特性。ULP Advisor 的目标人群是微控制器的资深开发者和开发新手，可以根据详尽的 ULP 检验表

检查代码，以便最大限度地减少应用程序的能耗。在编译时，ULP Advisor 会提供通知和备注以突出显示代码中可

以进一步优化的区域，进而实现更低功耗。

IEC60730 软件包

开发 IEC60730 MSP430 软件包是为了帮助客户遵守 IEC 60730-1:2010（家用和类似用途的自动电气控制 - 第 1

部分：一般要求），这类产品包括家用电器、电弧检测器、电源转换器、电动工具、电动自行车和许多其他产

品。IEC60730 MSP430 软件包可以嵌入在 MSP430 上运行的客户应用中，以便帮助简化客户的多功能安全兼容

消费类器件针对IEC 60730-1:2010 B 类的认证工作。

用于MSP 的定点数学运算库

MSP IQmath 和Qmath 库是为C 语言开发者提供的一套经过高度优化的高精度数学运算函数集合，能够将浮点算

法无缝嵌入MSP430 和MSP432 器件的定点代码中。这些例程通常用于计算密集型实时应用，理想执行速度、高

精确度和超低能耗是这些应用的关键。与使用浮点数学算法编写的同等代码相比，使用 IQmath 和 Qmath 库可以

大幅提高执行速度并显著降低能耗。

适用于MSP430 的浮点数学库

TI 在低功耗和低成本微控制器领域锐意创新，为您提供 MSPMATHLIB。此标量函数的浮点数学库，能够充分利

用器件的智能外设，使速度最高达到标准MSP430 数学函数的 26 倍。Mathlib 能够轻松集成到您的设计中。该运

算库免费使用并集成在Code Composer Studio IDE 和IAR Embedded Workbench IDE 中。

开发工具

适用于MSP 微控制器的Code Composer Studio^™集成开发环境

Code Composer Studio (CCS) 集成开发环境(IDE) 支持所有MSP 微控制器器件。CCS 包含一整套用于开发和调

试嵌入式应用程序的嵌入式软件实用程序。它包含优化的 C/C++ 编译器、源代码编辑器、工程构建环境、调试

器、分析器以及多种其他功能。

MSP EnergyTrace^™技术

适用于 MSP430 微控制器的 EnergyTrace 技术是基于电能的代码分析工具，适用于测量和显示应用的电能系统配

置并帮助优化应用以实现超低功耗。

命令行编程器

MSP Flasher 是一款基于 shell 的开源接口，可使用 JTAG 或 Spy-Bi-Wire (SBW) 通信通过 FET 编程器或 eZ430

对MSP 微控制器进行编程。MSP Flasher 可用于将二进制文件（.txt 或.hex 文件）直接下载到 MSP 微控制器，

而无需使用IDE。

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MSP MCU 编程器和调试器

MSP-FET 是一款强大的仿真开发工具（通常称为调试探针），可帮助用户在 MSP 低功耗微控制器 (MCU) 中快

速开发应用。创建MCU 软件通常需要将生成的二进制程序下载到MSP 器件中，从而进行验证和调试。

MSP-GANG 量产编程器

MSP Gang 编程器是一款 MSP430 或 MSP432 器件编程器，可同时对多达八个完全相同的 MSP430 或 MSP432

闪存或 FRAM 器件进行编程。MSP Gang 编程器可使用标准的 RS-232 或 USB 连接与主机 PC 相连并提供灵活

的编程选项，允许用户完全自定义流程。

11.4 文档支持

以下文档介绍了MSP430FR211x 微控制器。www.ti.com 网站上提供了这些文档的副本。

接收文档更新通知

要接收文档更新（包括器件勘误表）通知，请转至 ti.com.cn 上相关器件的产品文件夹（例如 https://www.ti.com/

product/MSP430FR2111）。请单击右上角的“通知我”按钮。点击注册后，即可收到产品信息更改每周摘要（如

有）。有关更改的详细信息，请查阅已修订文档的修订历史记录。

勘误

MSP430FR2111 微控制器勘误表

说明了功能规格的已知例外情况。

MSP430FR2110 微控制器勘误表

说明了功能规格的已知例外情况。

MSP430FR2100 微控制器勘误表

说明了功能规格的已知例外情况。

MSP430FR2000 微控制器勘误表

说明了功能规格的已知例外情况。

用户指南

MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列用户指南

详细介绍了该器件系列提供的模块和外设。

MSP430 FRAM 器件引导加载程序(BSL) 用户指南

MSP430 MCU 上的引导加载程序 (BSL) 允许用户在原型设计、投产和维护等各阶段与 MSP430 MCU 中的嵌入式

存储器进行通信。可编程存储器(FRAM) 和数据存储器(RAM) 均可按要求予以修改。

通过JTAG 接口对MSP430 进行编程

本文档介绍了使用JTAG 通信端口擦除、编程和验证基于闪存和基于FRAM 的MSP430 微控制器系列的存储器模

块所需的功能。此外，该文档还介绍了如何编程所有 MSP430 器件上均具备的 JTAG 访问安全保险丝。此文档介

绍了使用标准四线制JTAG 接口和两线制JTAG 接口（也称为Spy-Bi-Wire (SBW)）的器件访问。

MSP430 硬件工具用户指南

此手册介绍了 TI MSP-FET430 闪存仿真工具 (FET) 的硬件。FET 是针对 MSP430 超低功耗微控制器的程序开发

工具。

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应用报告

MSP430 FRAM 技术–操作方法和最佳实践

FRAM 是一种非易失性存储器技术，其行为与 SRAM 类似，不仅支持大量新应用，还改变了固件的设计方式。该

应用报告从嵌入式软件开发视角概述了 FRAM 技术在MSP430 中的使用方法和最佳实践，其中介绍了如何按照应

用程序特定的代码、常量、数据空间要求实施存储器布局以及如何使用FRAM 优化应用程序的能耗。

MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx 系列的VLO 校准

MSP430FR4xx 和MSP430FR2xx (FR4xx/FR2xx) 系列微控制器(MCU) 提供了各种时钟源，包括一些高速、高精

度时钟以及一些低功耗、低系统成本时钟。用户可以选择以最佳方式权衡了性能、功耗和系统成本的时钟。片上

超低频振荡器 (VLO) 是 FR4xx/FR2xx 系列 MCU 中包含的频率为 10kHz（典型值）的时钟源。VLO 具有超低功

耗，因此广泛用于各种应用。

MSP430 32kHz 晶体振荡器

选择合适的晶体、正确的负载电路和适当的电路板布局是实现稳定的晶体振荡器的关键。该应用报告总结了晶体

振荡器的功能，介绍了用于选择合适的晶体以实现 MSP430 超低功耗运行的参数。此外，还给出了正确电路板布

局的提示和示例。此外，为了确保振荡器在大规模生产后能够稳定运行，还可能需要进行一些振荡器测试，该文

档中提供了有关这些测试的详细信息。

MSP430 系统级ESD 注意事项

随着芯片技术向更低电压方向发展以及设计具有成本效益的超低功耗组件的需求的出现，系统级 ESD 要求变得越

来越苛刻。该应用报告介绍了不同的 ESD 主题，旨在帮助电路板设计人员和 OEM 理解并设计出稳健耐用的系统

级设计。

11.5 支持资源

TI E2E^™支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解

答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。

链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅

TI 的《使用条款》。

11.6 商标

MSP430^™, LaunchPad^™, MSP430Ware^™, Code Composer Studio^™, TI E2E^™, BoosterPack^™, ULP Advisor^™,

适用于MSP 微控制器的Code Composer Studio^™, EnergyTrace^™, and are trademarks of Texas Instruments.

所有商标均为其各自所有者的财产。

11.7 静电放电警告

静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理

和安装程序，可能会损坏集成电路。

ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参

数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。

11.8 术语表

TI 术语表

本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。

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12 机械、封装和可订购信息

下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且

不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。

72

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重要声明和免责声明

TI 提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，不保证没

有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担保。

这些资源可供使用TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的TI 产品，(2) 设计、验

证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他安全、安保或其他要求。这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可

将这些资源用于研发本资源所述的TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。您无权使用任何其他TI 知识产权或任何第三方知

识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成本、损失和债务，TI 对此概不负责。

TI 提供的产品受TI 的销售条款(https:www.ti.com/legal/termsofsale.html) 或ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI

提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改TI 针对TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。重要声明

邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265

PACKAGE OUTLINE

PW0016A

TSSOP - 1.2 mm max height

S

C

A

L

E

2

.

5

0

SMALL OUTLINE PACKAGE

SEATING

PLANE

C

6.6

6.2

TYP

A

0.1 C

PIN 1 INDEX AREA

14X 0.65

16

1

2X

5.1

4.9

4.55

NOTE 3

8

9

0.30

16X

4.5

4.3

NOTE 4

1.2 MAX

0.19

B

0.1

C A B

(0.15) TYP

SEE DETAIL A

0.25

GAGE PLANE

0.15

0.05

0.75

0.50

A

20

0 -8

DETAIL A

TYPICAL

4220204/A 02/2017

NOTES:

1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing

per ASME Y14.5M.

2. This drawing is subject to change without notice.

3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not

exceed 0.15 mm per side.

4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.

5. Reference JEDEC registration MO-153.

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EXAMPLE BOARD LAYOUT

PW0016A

TSSOP - 1.2 mm max height

SMALL OUTLINE PACKAGE

SYMM

16X (1.5)

(R0.05) TYP

16

1

16X (0.45)

SYMM

14X (0.65)

8

9

(5.8)

LAND PATTERN EXAMPLE

EXPOSED METAL SHOWN

SCALE: 10X

METAL UNDER

SOLDER MASK

OPENING

SOLDER MASK

OPENING

METAL

EXPOSED METAL

0.05 MAX

ALL AROUND

0.05 MIN

ALL AROUND

NON-SOLDER MASK

DEFINED

SOLDER MASK

DEFINED

15.000

(PREFERRED)

SOLDER MASK DETAILS

4220204/A 02/2017

NOTES: (continued)

6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.

7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.

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EXAMPLE STENCIL DESIGN

PW0016A

TSSOP - 1.2 mm max height

SMALL OUTLINE PACKAGE

16X (1.5)

SYMM

(R0.05) TYP

16

1

16X (0.45)

SYMM

14X (0.65)

8

9

(5.8)

SOLDER PASTE EXAMPLE

BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL

SCALE: 10X

4220204/A 02/2017

NOTES: (continued)

8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate

design recommendations.

9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.

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PACKAGE OUTLINE

VQFN - 0.9 mm max height

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

RLL0024A

3.1

2.9

B

A

3.1

2.9

PIN 1 INDEX AREA

0.9 MAX

C

SEATING PLANE

0.08 C

0.05

0.00

8X 0.4

8X 0.5

(0.1) TYP

4X (0.05) TYP

6

12

EXPOSED

THERMAL PAD

0.30

0.15

24X

SYMM

25

2

1.8

0.45

0.35

4X

1

PIN 1 ID

(OPTIONAL)

18

24

4X (0.05) TYP

SYMM

0.1

C A B

C

0.25

0.15

16X

0.05

4217760 / C 11/2021

NOTES:

1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing

per ASME Y14.5M.

2. This drawing is subject to change without notice.

3. The package thermal pad must be soldered to the printed circuit board for thermal and mechanical performance.

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EXAMPLE BOARD LAYOUT

VQFN - 0.9 mm max height

RLL0024A

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

1.9)

SYMM

(0.7)

TYP

4X ( 0.25)

20X (0.45)

16X (0.2)

24

18

1

(0.7)

TYP

SYMM

25

(2.65)

(2.95)

8X (0.5)

8X (0.4)

(Ø0.2) TYP

VIA

(R0.05)

TYP

6

12

4X (0.4)

(2.65)

(2.95)

LAND PATTERN EXAMPLE

SCALE: 20X

0.05 MAX

ALL AROUND

0.05 MIN

ALL AROUND

METAL

METAL UNDER

SOLDER MASK

OPENING

SOLDER MASK

OPENING

NON SOLDER MASK

DEFINED

SOLDER MASK

DEFINED

(PREFERRED)

SOLDER MASK DETAILS

4217760 / C 10/2021

NOTES: (continued)

4. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments

literature number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271).

5. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their

locations shown on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.

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EXAMPLE STENCIL DESIGN

VQFN - 0.9 mm max height

RLL0024A

PLASTIC QUAD FLATPACK - NO LEAD

1.71)

SYMM

4X ( 0.25)

18

20X (0.45)

24

1

16X (0.2)

SYMM

(2.65)

(2.95)

25

8X (0.5)

8X (0.4)

METAL

TYP

(R0.05)

TYP

6

12

4X (0.4)

(2.65)

(2.95)

SOLDER PASTE EXAMPLE

BASED ON 0.1 mm THICK STENCIL

EXPOSED PAD

81% PRINTED COVERAGE BY AREA

SCALE: 20X

4217760 / C 10/2021

NOTES: (continued)

6. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate

design recommendations..

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重要声明和免责声明

TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，

不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担

保。

这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验

证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。

这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。

您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成

本、损失和债务，TI 对此概不负责。

TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改

TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。

TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE

邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265


型号：	MSP430FR2111IRLLR
厂家：	TEXAS INSTRUMENTS
描述：	具有 4KB FRAM、1KB SRAM、比较器、10 位 ADC、UART/SPI 和计时器的 16MHz MCU \| RLL \| 24 \| -40 to 85 静态存储器比较器
文件：	总86页 (文件大小：2366K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

MSP430FR2111IRLLR [TI]

相关型号：

SI9130DB

SI9135LG-T1

SI9135LG-T1-E3

SI9135_11

SI9136_11

SI9130CG-T1-E3

SI9130LG-T1-E3

SI9130_11

SI9137

SI9137DB

SI9137LG

SI9122E