OPA314AQDBVTQ1 [TI]

Automotive-grade, single, 5.5-V, 3-MHz, low noise (4.6-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125;
OPA314AQDBVTQ1
型号: OPA314AQDBVTQ1
厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述:

Automotive-grade, single, 5.5-V, 3-MHz, low noise (4.6-nV/√Hz), RRIO operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125

放大器 光电二极管
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OPA314-Q1, OPA2314-Q1, OPA4314-Q1  
ZHCSDD7B DECEMBER 2014REVISED JANUARY 2017  
OPAx314-Q1 3MHz、低功耗、低噪声、RRIO1.8V CMOS  
运算放大器  
1 特性  
3 说明  
1
符合汽车类应用的 标准  
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:  
OPAx314-Q1 系列是单通道、双通道和四通道运算放  
大器系列,是新一代的低功耗通用 CMOS 放大器的代  
表。轨至轨输入和输出摆幅、低静态电流(VCC = 5V  
时的典型值为 150μA)、3MHz 的较宽带宽以及超低  
噪声(1kHz 时为 14nV/Hz)等特性使得该器件系列  
对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电  
型 应用 极具吸引力。低输入偏置电流支持 源阻抗高达  
兆欧级 的应用。  
器件温度等级:环境运行温度范围为 -40°C 至  
+125°C  
人体放电模型 (HBM) 分类等级 2  
器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6  
IQ:每通道 150µA  
宽电源电压:1.8V 5.5V  
低噪声: 1kHz 下为 14nV/Hz  
增益带宽:3MHz  
OPAx314-Q1 系列器件采用稳健耐用的设计,方便电  
路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性、容性负  
载高达 300pF,集成 RF EMI 抑制滤波器,在过驱  
条件下不会出现反相并且具有高静电放电 (ESD) 保护  
4kV 人体模型 (HBM))。  
低输入偏置电流:0.2pA  
低失调电压:0.5mV  
单位增益稳定  
内部射频 (RF) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器  
该器件经优化可在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V  
(±2.75V) 的低压下工作,指定工作温度范围为整个扩  
展级温度范围 –40°C +125°C。  
特定温度范围:  
–40°C +125°C  
2 应用  
单通道器件 OPA314-Q1 采用小外形尺寸晶体管  
(SOT)-23 封装,而双通道器件 OPA2314-Q1 采用超  
薄小外形尺寸 (VSSOP) (8) 封装。四通道 OPA4314-  
Q1 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。  
汽车 标准:  
高级驾驶员辅助系统 (ADAS)  
车身电子装置和照明  
电流感测  
器件信息(1)  
电池监测  
器件编号  
OPA314-Q1  
封装  
SOT-23 (5)  
封装尺寸(标称值)  
2.90mm × 1.60mm  
4.90mm x 3.91mm  
5.00mm × 4.40mm  
OPA2314-Q1  
OPA4314-Q1  
VSSOP (8)  
TSSOP (14)  
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
EMIRR 与频率间的关系  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
10M  
100M  
Frequency (Hz)  
1G  
10G  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLOS896  
 
 
 
 
OPA314-Q1, OPA2314-Q1, OPA4314-Q1  
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目录  
7.2 功能框图.................................................................. 19  
7.3 特性 说明................................................................. 19  
7.4 器件功能模式 .......................................................... 20  
应用和实............................................................. 21  
8.1 应用信息 ................................................................. 21  
8.2 典型应用 ................................................................. 22  
电源建议................................................................. 25  
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1  
应用.......................................................................... 1  
说明.......................................................................... 1  
修订历史记录 ........................................................... 2  
引脚配置和功能........................................................ 3  
规格.......................................................................... 6  
6.1 绝对最大额定......................................................... 6  
6.2 ESD 额定............................................................... 6  
6.3 建议运行条件 ............................................................ 6  
6.4 热性能信息:OPA314-Q1......................................... 7  
6.5 热性能信息:OPA2314-Q1....................................... 8  
6.6 热性能信息:OPA4314-Q1....................................... 9  
6.7 电气特性.................................................................. 10  
6.8 典型特性.................................................................. 12  
详细 说明................................................................ 19  
7.1 ......................................................................... 19  
8
9
10 布局 ....................................................................... 26  
10.1 布局指南 ............................................................... 26  
10.2 布局示例................................................................ 26  
11 器件和文档支持 ..................................................... 27  
11.1 文档支持................................................................ 27  
11.2 ....................................................................... 27  
11.3 静电放电警告......................................................... 27  
11.4 术语表 ................................................................... 27  
12 机械、封装和可订购信息....................................... 27  
7
4 修订历史记录  
Changes from Revision A (January 2015) to Revision B  
Page  
已添加 部件编号 OPA4314-Q1 至文................................................................................................................................... 1  
已添加 部件编号 OPA4314-Q1 器件信息........................................................................................................................ 1  
已更改 OPA2314-Q1 封装“SOIC (8)”“VSSOP (8)”(位于器件信息表中).......................................................................... 1  
Added 在整个文档内添加 OPA314-Q1SOT-23 封装)....................................................................................................... 3  
Added 引脚配置和功能 部分中添加 OPA4314-Q1 器件的引脚图 ....................................................................................... 5  
Added 引脚配置和功能 部分中添加引脚功能:OPA4314-Q1”....................................................................................... 5  
Changed 所有热性能信息 表注的格.................................................................................................................................... 7  
Added 为所有热性能信息 表添加脚注..................................................................................................................................... 7  
Added 热性能信息:OPA4314-Q1 .................................................................................................................................... 9  
已更改 EMI 易感性和输入滤波 部分中的应用报告参考的格.............................................................................................. 20  
已更改 封装图以反映 5 引脚 SOT-23 封装的示例(布局示例 部分) .................................................................................. 26  
已更改 相关文档部分的格式.................................................................................................................................................. 27  
已添加 部件编号 OPA4314-Q1 相关链接...................................................................................................................... 27  
Changes from Original (December 2014) to Revision A  
Page  
已更改 器件状态,从产品预览更改为量产数据....................................................................................................................... 1  
2
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5 引脚配置和功能  
OPA314-Q1 DBV 封装  
5 引脚 SOT-23  
俯视图  
引脚功能:OPA314-Q1  
引脚  
I/O  
说明  
名称  
–IN  
+IN  
OUT  
V–  
编号  
4
3
1
2
5
I
反相输入  
I
同相输入  
O
输出  
负电源或接地(对于单电源供电)。  
正电源  
V+  
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3
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OPA2314-Q1 DGK 封装  
8 引脚 VSSOP  
俯视图  
引脚功能:OPA2314-Q1  
引脚  
I/O  
说明  
名称  
编号  
2
–IN A  
+IN A  
–IN B  
+IN B  
OUT A  
OUT B  
V–  
I
I
反相输入,通道 A  
3
同相输入,通道 A  
反相输入,通道 B  
同相输入,通道 B  
输出,通道 A  
6
I
5
I
1
O
O
7
输出,通道 B  
4
负电源或接地(对于单电源供电)。  
正电源  
V+  
8
4
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OPA4314-Q1 DGK 封装  
14 引脚 TSSOP  
俯视图  
引脚功能:OPA4314-Q1  
引脚  
I/O  
说明  
名称  
编号  
2
–IN A  
+IN A  
–IN B  
+IN B  
–IN C  
+IN C  
–IN D  
+IN D  
OUT A  
OUT B  
OUT C  
OUT D  
V–  
I
I
反相输入,通道 A  
3
同相输入,通道 A  
反相输入,通道 B  
同相输入,通道 B  
反相输入,通道 C  
同相输入,通道 C  
反相输入,通道 D  
同相输入,通道 D  
输出,通道 A  
6
I
5
I
9
I
10  
13  
12  
1
I
I
I
O
O
O
O
7
输出,通道 B  
8
输出,通道 C  
14  
11  
4
输出,通道 D  
负电源或接地(对于单电源供电)。  
正电源  
V+  
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6 规格  
6.1 绝对最大额定值  
在自然通风温度范围内测得(除非另有说明)  
(1)  
最小值  
最大值  
7
单位  
V
电源电压  
电压(2)  
电流(2)  
输出短路(3)  
运行温度,TA  
结温,TJ  
信号输入端子  
信号输入端子  
(V–) – 0.5  
(V+) + 0.5  
±10  
V
mA  
mA  
°C  
°C  
°C  
连续  
–40  
–65  
150  
150  
150  
贮存温度,Tstg  
(1) 应力超出绝对最大额定值 下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力额定值,这并不表示器件在这些条件下以及在  
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。在绝对最大额定值条件下长时间运行可能会影响器件可靠性。  
(2) 输入端子被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。  
(3) 对地短路,每个封装对应一个放大器。  
6.2 ESD 额定值  
单位  
人体放电模型 (HBM),符合 AEC Q100-002(1)  
充电器件模型 (CDM),符合 AEC Q100-011  
±2000  
±1000  
V(ESD)  
静电放电  
V
(1) AEC Q100-002 指示应当按照 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行 HBM 应力测试。  
6.3 建议运行条件  
自然通风工作温度范围内(除非另有说明)  
最小值  
标称值  
最大值  
5.5 (±2.75)  
125  
单位  
VS  
TA  
电源电压  
1.8 (±0.9)  
–40  
V
环境工作温度  
°C  
6
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6.4 热性能信息:OPA314-Q1  
OPA314-Q1  
热指标(1)  
DBV (SOT-23)  
5 引脚  
221.7  
单位  
RθJA  
结至环境热阻(2)  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top)  
RθJB  
结至外壳(顶部)热阻(3)  
结至电路板热阻(4)  
144.7  
49.7  
ψJT  
管结至顶部的特征参数(5)  
管结至电路板的特征参数(6)  
结至外壳(底部)热阻(7)  
26.1  
ψJB  
49  
RθJC(bot)  
不适用  
(1) 有关传统和最新热指标的更多信息,请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告。  
(2) JESD51-2a 描述的环境中,按照 JESD51-7 的规定,在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真,从而获得自然对流条件下的结至环  
境热阻抗。  
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳(顶部)热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述,但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 -  
88 中找到相应的说明。  
(4) 结至板热阻,可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。  
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温,可通过 JESD51-2a(第 6 节和第 7 节)介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获  
取该温度。  
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温,可通过 JESD51-2a(第 6 节和第 7 节)介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中  
获取该温度。  
(7) 通过在外露(电源)焊盘上进行冷板测试仿真来获得结至外壳(底部)热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述,但 可在 ANSI SEMI 标  
G30 - 88 中找到相应的说明。  
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6.5 热性能信息:OPA2314-Q1  
OPA2314-Q1  
DGK (VSSOP)  
8 引脚  
热指标(1)  
单位  
RθJA  
结至环境热阻(2)  
138.4  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top)  
RθJB  
结至外壳(顶部)热阻(3)  
结至电路板热阻(4)  
89.5  
78.6  
ψJT  
管结至顶部的特征参数(5)  
管结至电路板的特征参数(6)  
结至外壳(底部)热阻(7)  
29.9  
ψJB  
78.1  
RθJC(bot)  
不适用  
(1) 有关传统和最新热指标的更多信息,请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告。  
(2) JESD51-2a 描述的环境中,按照 JESD51-7 的规定,在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真,从而获得自然对流条件下的结至环  
境热阻抗。  
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳(顶部)热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述,但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 -  
88 中找到相应的说明。  
(4) 结至板热阻,可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。  
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温,可通过 JESD51-2a(第 6 节和第 7 节)介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获  
取该温度。  
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温,可通过 JESD51-2a(第 6 节和第 7 节)介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中  
获取该温度。  
(7) 通过在外露(电源)焊盘上进行冷板测试仿真来获得结至外壳(底部)热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述,但 可在 ANSI SEMI 标  
G30 - 88 中找到相应的说明。  
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6.6 热性能信息:OPA4314-Q1  
OPA4314-Q1  
热指标(1)  
PW (TSSOP)  
14 引脚  
121  
单位  
RθJA  
结至环境热阻(2)  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC(top)  
RθJB  
结至外壳(顶部)热阻(3)  
结至电路板热阻(4)  
49.4  
62.8  
ψJT  
管结至顶部的特征参数(5)  
管结至电路板的特征参数(6)  
结至外壳(底部)热阻(7)  
5.9  
ψJB  
62.2  
RθJC(bot)  
不适用  
(1) 有关传统和最新热指标的更多信息,请参阅《半导体和 IC 封装热指标》应用报告。  
(2) JESD51-2a 描述的环境中,按照 JESD51-7 的规定,在一个 JEDEC 标准高 K 电路板上进行仿真,从而获得自然对流条件下的结至环  
境热阻抗。  
(3) 通过在封装顶部进行冷板测试仿真来获得结至外壳(顶部)热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述,但 可在 ANSI SEMI 标准 G30 -  
88 中找到相应的说明。  
(4) 结至板热阻,可按照 JESD51-8 中的说明在使用环形冷板夹具来控制 PCB 温度的环境中进行仿真来获得。  
(5) 结点至顶部特性参数 ψJT 估算器件在实际系统中的结温,可通过 JESD51-2a(第 6 节和第 7 节)介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中获  
取该温度。  
(6) 结点至电路板特性参数 ψJB 估算器件在实际系统中的结温,可通过 JESD51-2a(第 6 节和第 7 节)介绍的步骤从获得 RθJA 的仿真数据中  
获取该温度。  
(7) 通过在外露(电源)焊盘上进行冷板测试仿真来获得结至外壳(底部)热阻。JEDEC 标准中没有相关测试的描述,但 可在 ANSI SEMI 标  
G30 - 88 中找到相应的说明。  
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6.7 电气特性  
TA = 25°CRL = 10k(连接至 VS / 2),VCM = VS / 2VOUT = VS / 2VS = 1.8V 5.5V(除非另有说明)。过热 一词表示  
温度值超出 TA = –40°C 125°C 的额定温度范围。(1)  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
失调电压  
VOS  
输入失调电压  
VCM=(VS+)-1.3V  
0.5  
1
2.5  
mV  
输入失调电压与温度间的关  
dVOS/dT  
μV/°C  
电源抑制比  
(PSRR)  
与电源间的关系  
VCM=(VS+)–1.3V  
78  
74  
92  
10  
dB  
输入失调电压,过热  
通道分离,直流  
dB  
直流时  
µV/V  
输入电压范围  
VCM  
共模电压范围  
共模抑制比  
(V-)-0.2  
75  
(V+)+0.2  
V
VS=1.8V 5.5V, (VS-)-0.2V<VCM<(VS+)-1.3V  
96  
80  
86  
90  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
CMRR  
(2)  
VS = 5.5VVCM = –0.2V 5.7V  
66  
VS=1.8V(VS-)-0.2V<VCM<(VS+)–1.3V  
VS=5.5V(VS-)-0.2V<VCM<(VS+)-1.3V  
70  
共模抑制比,过热  
73  
(2)  
VS = 5.5VVCM = –0.2V 5.7V  
60  
输入偏置电流  
IB  
输入偏置电流  
±0.2  
±0.2  
±10  
±600  
±10  
pA  
pA  
pA  
pA  
输入偏置电流,过热  
输入失调电流  
IOS  
输入失调电流,过热  
±600  
噪声  
输入电压噪声(峰峰值)  
输入电压噪声密度  
f=0.1Hz 10Hz  
f=10kHz  
5
13  
14  
5
μVPP  
nV/Hz  
nV/Hz  
fA/Hz  
en  
in  
f=1kHz  
输入电流噪声密度  
f=1kHz  
(1) 除非另外注明,否则具有最大或最小规格限值的参数均在 25ºC 下经过 100% 生产检测。过热限值基于特性和统计分析。  
(2) 由设计和特性指定;未经生产测试。  
10  
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电气特性 (continued)  
TA = 25°CRL = 10k(连接至 VS / 2),VCM = VS / 2VOUT = VS / 2VS = 1.8V 5.5V(除非另有说明)。过热 一词表示  
温度值超出 TA = –40°C 125°C 的额定温度范围。(1)  
参数  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
输入电容  
CIN  
差分电压  
共模  
VS = 5V  
VS = 5V  
1
5
pF  
pF  
开环增益  
VS=1.8V0.2V<VO<(V+)-0.2VRL=10kΩ  
VS=5.5V0.2V<VO<(V+)-0.2VRL=10kΩ  
VS=1.8V0.5V<VO<(V+)-0.5VRL=2kΩ(2)  
VS=5.5V0.5V<VO<(V+)-0.5VRL=2kΩ(2)  
VS=5.5V0.2V<VO<(V+)-0.2VRL=10kΩ  
VS=5.5V0.5V<VO<(V+)-0.2VRL=2kΩ  
VS = 5VG = 1RL = 10kΩ  
90  
100  
90  
115  
128  
100  
110  
110  
100  
65  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
AOL  
开环电压增益  
94  
90  
开环电压增益,过热  
相位裕量  
频率响应  
GBW  
SR  
VS=1.8VRL=10kΩCL=10pF  
2.7  
3
MHz  
MHz  
V/μs  
μs  
带宽增益产品  
VS = 5VRL = 10kΩCL = 10pF  
VS = 5VG = 1  
(3)  
压摆率  
1.5  
精度达到 0.1%VS = 5V2V 阶跃,G = 1  
精度达到 0.01%VS = 5V2V 阶跃,G = 1  
VS = 5VVIN × 增益 > VS  
2.3  
tS  
建立时间  
3.1  
μs  
过载恢复时间  
5.2  
μs  
(4)  
THD+N  
总谐波失真 + 噪声  
VS = 5VVO = 1VRMSG = 1f = 1kHzRL = 10kΩ  
0.001%  
输出  
VS=1.8VRL=10kΩ  
VS=5.5VRL=10kΩ  
VS=1.8VRL=2kΩ  
VS=5.5VRL=2kΩ  
VS=5.5VRL=10kΩ  
VS=5.5VRL=2kΩ  
VS = 5V  
5
5
15  
20  
30  
40  
30  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mV  
mA  
Ω
VO  
自电源轨的电压输出摆幅  
15  
22  
相对于电源轨的电压输出摆  
幅,过热  
60  
±20  
570  
ISC  
短路电流  
RO  
开环输出阻抗  
VS=5.5Vf=100Hz  
电源  
VS  
额定电压范围  
1.8  
5.5  
180  
190  
V
VS = 1.8VIO = 0mA  
VS = 5VIO = 0mA  
130  
150  
µA  
µA  
IQ  
每个放大器的静态电流  
每个放大器的静态电流,过  
VS = 5VIO = 0mA  
220  
µA  
µs  
加电时间  
VS = 0V 5V,精度达到 90% IQ 电平  
44  
温度  
额定温度范围  
工作范围  
–40  
-40  
–65  
125  
150  
150  
°C  
°C  
°C  
储存温度  
(3) 表示正或负转换率的较低值。  
(4) 三阶滤波器;-3dB 时的带宽 = 80kHz。  
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6.8 典型特性  
TA = 25°CRL = 10k(连接至 VS / 2),VCM = VS / 2VOUT = VS / 2(除非另有说明)  
1. 特征性能测量  
标题  
开环增益和相位与频率间的关系  
开环增益与温度间的关系  
图表  
1  
2  
静态电流与电源电压间的关系  
3  
静态电流与温度间的关系  
4  
失调电压产生分布图  
5  
失调电压漂移分布图  
6  
失调电压与共模电压间的关系(最大电源)  
失调电压与温度间的关系  
7  
8  
CMRR 和电源抑制比 (PSRR) 与频率间的关系 (RTI)  
CMRR PSRR 与温度间的关系  
0.1Hz 10Hz 输入电压噪声 (5.5V)  
输入电压噪声频谱密度与频率间的关系 (1.8V5.5V)  
输入电压噪声与共模电压间的关系 (5.5V)  
输入偏置和失调电流与温度间的关系  
开环输出阻抗与频率间的关系  
9  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
最大输出电压与频率和电源电压间的关系  
输出电压摆幅与输出电流间的关系(过温)  
G=1-110 时闭环增益与频率间的关系 (1.8V)  
G=1-110 时闭环增益与频率间的关系 (5.5V)  
小信号过冲与负载电容间的关系  
小信号阶跃响应,同相 (1.8V)  
小信号阶跃响应,同相 (5.5V)  
大信号阶跃响应,同相 (1.8V)  
大信号阶跃响应,同相 (5.5V)  
正过载恢复  
负过载恢复  
无相位反转  
通道分离与频率间的关系(双路)  
THD+N 与幅度间的关系(G = 12kΩ10kΩ)  
THD+N 与幅度间的关系(G = –12kΩ10kΩ)  
THD+N 与频率之间的关系(0.5VRMSG = 12kΩ10kΩ)  
EMIRR  
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140  
120  
100  
80  
0
140  
130  
120  
110  
100  
10 kΩ, 5.5 V  
2 kΩ, 5.5 V  
10 kΩ, 1.8 V  
-20  
-40  
-60  
60  
-80  
40  
-100  
-120  
-140  
-160  
20  
0
-20  
1
10  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Frequency (Hz)  
Temperature (°C)  
RL = 10kΩ/10pF  
VS = ±2.5V  
1. 开环增益和相位与频率间的关系  
2. 开环增益与温度间的关系  
180  
170  
160  
150  
140  
130  
120  
110  
100  
90  
160  
155  
150  
145  
140  
135  
130  
125  
120  
VS = 5.5 V  
VS = 1.8 V  
80  
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
5.5  
6
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
Supply Voltage (V)  
Temperature (°C)  
3. 静态电流与电源间的关系  
4. 静态电流与温度间的关系  
12  
10  
8
30  
25  
20  
15  
10  
5
6
4
2
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8  
1
1.2 1.4 1.6 1.8  
2
Offset Voltage Drift (µV/°C)  
Offset Voltage (mV)  
6. 失调电压漂移分布图  
5. 失调电压产生分布图  
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1000  
800  
1500  
1000  
500  
600  
400  
200  
0
0
-200  
-400  
-600  
-800  
-1000  
-500  
-1000  
-1500  
-2  
-1.25  
-2.75  
-0.5  
0
0.5  
1.25  
2
2.75  
-40 -25 -10  
5
20 35 50 65 80 95 110 125  
Common-Mode Voltage (V)  
Temperature (°C)  
典型单元  
VS = ±2.75V  
典型单元  
VS = ±2.75V  
7. 失调电压与共模电压间的关系  
8. 失调电压与温度间的关系  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
104  
PSRR  
CMRR  
–PSRR  
102  
100  
98  
96  
94  
92  
90  
88  
86  
84  
PSRR  
CMRR  
CMRR  
PSRR  
10  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
75  
-50  
-25  
0
25  
50  
100  
125  
Frequency (Hz)  
Temperature (°C)  
VS = ±2.75V  
9. CMRR PSRR 与频率间的关系(以输入为参考)  
10. CMRR PSRR 与温度间的关系  
100  
VS = ±02ꢀ V  
VS = ±±2.7 V  
10  
Time (1 s/div)  
10  
100  
1k  
10k  
100k  
Frequency (Hz)  
11. 0.1Hz 10Hz 输入电压噪声  
12. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系  
14  
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20  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
IOS  
IB  
18  
16  
14  
12  
10  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
5.5  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Common-Mode Input Voltage (V)  
Temperature (°C)  
f = 1kHz  
VS = ±2.75V  
13. 电压噪声与共模电压间的关系  
14. 输入偏置和失调电流与温度间的关系  
100k  
10k  
1k  
6
5
4
3
2
1
0
VS = ±02ꢀ V  
VIN = 5.5 V  
VIN = 3.3 V  
VIN = 1.8 V  
VS = ±±2.7 V  
1
1
10  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
10k  
100k  
Frequency (Hz)  
1M  
10M  
Frequency (Hz)  
RL = 10kΩ  
CL = 10pF  
15. 开环输出阻抗与频率间的关系  
16. 最大输出电压与频率和电源电压间的关系  
40  
20  
0
3
2
G = –1 V/V  
G = 1 V/V  
G = 10 V/V  
1
–40°C  
25°C  
0
125°C  
-1  
-2  
-3  
-20  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
10k  
100k  
Frequency (Hz)  
1M  
10M  
Output Current (mA)  
VS = ±2.75V  
VS = 1.8V  
17. 输出电压摆幅与输出电流间的关系(过热)  
18. 闭环增益与频率间的关系  
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40  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
G = –1 V/V  
G = 1 V/V  
G = 10 V/V  
20  
0
-20  
10k  
100k  
Frequency (Hz)  
1M  
10M  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
Capacitive Load (pF)  
VS = 5.5V  
RL = 10kΩ  
VS = ±2.75V  
G = 1V/V  
19. 闭环增益与频率间的关系  
20. 小信号过冲与负载电容间的关系  
Z
L = 10 pF + 10 kΩ  
L = 100 pF + 10 kΩ  
Z
L = 10 pF + 10 kΩ  
L = 100 pF + 10 kΩ  
Z
Z
VIN  
VIN  
Time (1 µs/div)  
Time (1 µs/div)  
RF = 10kΩ  
VS = ±0.9V  
G = 1V/V  
RF = 10kΩ  
VS = ±2.75V  
G = 1V/V  
21. 小信号脉冲响应(同相)  
22. 小信号脉冲响应(反相)  
1
2
VOUT  
VIN  
VOUT  
VIN  
0.75  
0.5  
1.5  
1
0.25  
0
0.5  
0
-0.25  
-0.5  
-0.75  
-1  
-0.5  
-1  
-1.5  
-2  
Time (1 µs/div)  
Time (1 µs/div)  
RL = 10kΩ  
VS = ±0.9V  
G = 1V/V  
RL = 10kΩ  
VS = ±2.75V  
G = 1V/V  
23. 大信号脉冲响应(同相)  
24. 大信号脉冲响应(反相)  
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3
2.5  
2
1
0.5  
0
Output  
Input  
Output  
Input  
1.5  
1
-0.5  
-1  
0.5  
0
-1.5  
-2  
-0.5  
-2.5  
-3  
-1  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
Time (2 µs/div)  
Time (2 µs/div)  
25. 正过载恢复  
26. 负过载恢复  
-60  
-80  
4
3
VOUT  
VIN  
2
1
-100  
-120  
-140  
0
-1  
-2  
-3  
-4  
100  
1k  
10k  
100k  
1M  
10M  
0
250  
500  
750  
1000  
Frequency (Hz)  
Time (125 µs/div)  
VS = ±2.75V  
28. 通道分离与频率间的关系  
27. 无相位反转  
0.1  
0.01  
0.1  
Load = 10 kΩ  
Load = 2 kΩ  
Load = 10 kΩ  
Load = 2 kΩ  
0.01  
0.001  
0.001  
0.0001  
0.0001  
0.01  
0.1  
1
10  
0.01  
0.1  
1
10  
Output Amplitude (VRMS  
)
Output Amplitude (VRMS)  
f = 1kHz  
VS = ±2.5V  
G = 1V/V  
f = 1kHz  
BW = 80kHz  
VS = ±2.5V  
G = –1V/V  
BW = 80kHz  
29. THD+N 与输出幅度间的关系 (G = 1V/V)  
30. THD+N 与输出幅度间的关系 (G = –1V/V)  
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0.1  
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
Load = 10 kΩ  
Load = 2 kΩ  
0.01  
0.001  
0.0001  
10  
100  
1k  
10k  
100k  
10M  
100M  
Frequency (Hz)  
VS = ±2.5V  
1G  
10G  
Frequency (Hz)  
VS = ±2.5V  
PRF = –10dBm  
VCM = 0V  
VOUT = 0.5VRMS  
BW = 80kHz  
G = 1V/V  
32. 以同相输入为参考的电磁干扰抑制比 (EMIRR IN+) 与频率  
31. THD+N 与频率间的关系  
间的关系  
18  
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7 详细 说明  
7.1 概述  
OPAx314-Q1 是一系列具有低功耗、轨至轨输入和输出的运算放大器。这些器件的工作电压范围为 1.8V 5.5V,  
具有单位增益稳定特性,并且适用于各种通用 应用。。AB 类输出级能够驱动连接至 V+ 和接地间任一点的小于或  
等于 10kΩ 的负载。输入共模电压范围包括两个电源轨,并支持将 OPAx314-Q1 系列器件用于几乎任何单电源应  
用。轨至轨输入和输出摆幅可大幅扩大动态范围(尤其在低电源 应用中),因此这些器件成为了驱动采样模数转换  
(ADC) 的理想之选。  
7.2 功能框图  
V+  
Reference  
Current  
VIN+  
VIN-  
VBIAS1  
Class AB  
Control  
Circuitry  
VO  
VBIAS2  
V-  
(Ground)  
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7.3 特性 说明  
7.3.1 工作电压  
OPAx314-Q1 运算放大器系列在 1.8V 5.5V 的额定电压范围内可保证运行。此外,许多规格在 –40°C 至  
+125°C 温度下适用。典型特性 部分中显示了随工作电压或温度的变化而显著变化的参数。必须使用 0.01μF 陶瓷  
电容器将电源引脚旁路掉。  
7.3.2 轨至轨输入  
OPAx314-Q1 系列器件的输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展了 200mV。此性能由一个互补输入级实现:  
一个 N 沟道输入差分对和一个 P 沟道差分对并联。当输入电压接近正电源轨,通常比正电源高 (V+) – 1.3V 到  
200mV 时,N 沟道对有效。当输入电压为低于负电源轨 200mV 至大约 (V+) – 1.3V 时,P 沟道对处于打开状态。  
存在一个小转换区域,通常为 (V+) – 1.4V (V+)  
– 1.2V,在该区域中两个差分对都处于打开状态。借助于过程变化,这个 200mV 转换区域的变化可高达 300mV。  
因此,此转换区域(两个级都打开)在低端上的范围介于 (V+)-1.7V (V+)-1.5V 之间,在高端上的范围高达 (V+)-  
1.1V (V+)-0.9V 之间。在这个转换区域内,相对于这个区域外的器件运行,PSRRCMRR,失调电压,偏移漂  
移和 THD 有可能降级。  
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特性 说明 (接下页)  
7.3.3 输入和 ESD 保护  
OPAx314-Q1 系列在所有引脚上均整合了内部静电放电 (ESD) 保护电路。就输入和输出引脚而言,这种保护主要  
包括输入引脚和电源引脚之间连接的导流二极管。只要电流如绝对最大额定值 表中所述限制为 10mA,这些 ESD  
保护二极管还能提供电路内的输入过驱保护。33 显示了如何通过将串联输入电阻器添加到被驱动的输入端来限  
制输入电流。添加的电阻器会增加放大器输入端的热噪声;在对噪声敏感的应用中,该值必须保持在最低 值中,该  
值应保持在最低值。  
V+  
IOVERLOAD  
10-mA max  
VOUT  
Device  
VIN  
5 kW  
33. 输入电流保护  
7.3.4 共模抑制比 (CMRR)  
OPAx314-Q1 系列器件的 CMRR 是以多种方式指定的,因此对于给定应用可以使用最佳匹配项;请参阅电气特性  
表。首先,给出了低于转换区域 [VCM<(V+)-1.3V] 的共模范围内器件的 CMRR。当应用需要使用差分输入对中的一  
个时,这个技术规格是器件功能的最好指示。其次,指定了在(VCM  
CMRR。最后的这个值包含转换区域内的变化,如 7所示。  
=
–0.2V  
5.7V)时整个共模范围内的  
7.3.5 EMI 易感性和输入滤波  
各种运算放大器对于电磁干扰 (EMI) 的易感性会有所不同。如果传导 EMI 进入运算放大器,放大器输出中观察到  
的直流失调值在有 EMI 时可能偏离标称值。这个偏离是内部半导体结相关的信号整流引起的。虽然所有的运算放大  
器引脚功能都可能受到 EMI 的影响,但是信号输入引脚可能是最易受影响的。OPAx314-Q1 系列整合了内部输入  
低通滤波器,可降低放大器对 EMI 的响应。这个滤波器提供共模和差分模式滤波。此滤波器针对大约 80MHz (-  
3dB) 的截止频率而设计,具有每十倍频 20dB 的下降率。  
德州仪器 (TI) 已经开发出在 10MHz 6GHz 扩展宽频谱范围内准确测量和量化运算放大器抗扰度的功能。EMI 抑  
制比 (EMIRR) 度量可实现运算放大器与 EMI 抗扰度的直接比较。32 显示了对 OPAx314-Q1 系列执行此测试的  
结果。如需了解详细信息,也可参阅《运算放大器的 EMI 抑制比》应用报告,下载地址为 www.ti.com。  
7.3.6 轨至轨输出  
OPAx314-Q1 系列器件设计为一种微功耗、低噪声运算放大器,可提供强大的输出驱动能力。一个具有共源晶体管  
AB 类输出级被用于实现完全轨到轨输出摆幅功能。对于高达 10kΩ 的电阻负载,无论施加的电源电压是多少,输  
出摆幅通常两个电源轨的 5mV 以内。不同的负载情况会改变放大器在靠近电源轨范围内摆动的能力;请参阅图  
17。  
7.4 器件功能模式  
OPAx314-Q1 系列器件会在连接电源时通电。该器件可根据应用情况作为单电源运算放大器或双电源放大器使用。  
20  
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8 应用和实施  
以下应用部分中的 信息 不属于 TI 组件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客  
户应负责确定组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实施,以确认系统功能正  
常。  
8.1 应用信息  
OPAx314-Q1 系列器件是专为便携式应用而设计的低功耗、轨至轨输入和输出运算 放大器。该器件的工作电压范  
围为 1.8V 5.5V,具有单位增益稳定特性,适用于各种通用 应用。AB 类输出级能够驱动连接至 V+ 和接地间任  
一点的小于或等于 10kΩ 的负载。输入共模电压范围包括两个电源轨,并支持将 OPAx314-Q1 系列器件用于几乎  
任何单电源应用。轨至轨输入和输出摆幅可大幅扩大动态范围(尤其在低电源 应用中),因此该器件是驱动采样模  
数转换器 (ADC) 的理想器件。  
OPAx314-Q1 系列 具有 3MHz 带宽和 1.5V/μs 压摆率,且每个通道仅有 150μA 的电源电流,从而在功耗极低的情  
况下提供良好的交流性能。在直流 应用 中也具有良好性能,其输入噪声电压极低(在 1kHz 时为 14nV/Hz),输  
入偏置电流低 (0.2pA),且输入失调电压为 0.5mV(典型值)。  
8.1.1 一般配置  
当接收到低电平信号时,通常需要限制即将进入系统的信号的带宽。建立这个受限带宽的最简单的方法是在放大器  
的同相端子上放置一个 RC 滤波器,如 34 中所示。  
RG  
RF  
R1  
VOUT  
VIN  
C1  
1
2pR1C1  
f
=
-3 dB  
VOUT  
VIN  
RF  
1
1 + sR1C1  
=
1 +  
(
(
(  
(
RG  
34. 单极点低通滤波器  
如果需要更多的衰减,则需要多极点滤波器。对于此任务,可使用 Sallen-Key 滤波器,如35 中所示。为了获得  
最佳结果,放大器的带宽必须是滤波器频率带宽的八到十倍。不遵守这一准则可能导致放大器出现相移。  
C1  
R1 = R2 = R  
C1 = C2 = C  
R1  
R2  
Q = Peaking factor  
(Butterworth Q = 0.707)  
VIN  
VOUT  
C2  
1
2pRC  
f
=
-3 dB  
RF  
RF  
RG  
=
1
2 -  
RG  
(
(
Q
35. 两极点低通 Sallen-Key 滤波器  
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21  
 
 
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应用信息 (接下页)  
8.1.2 容性负载和稳定性  
OPAx314-Q1  
系列器件旨在用于  
需要驱动  
容性负载的应用。与所有运算放大器一样,在某些特定情况  
下,OPAx314-Q1 可能会变得不稳定。当确定放大器在运行中能否保持稳定时,需要考虑特定运算放大器电路配  
置、布局、增益和输出负载等因素。与在更高噪声增益下工作的放大器相比,采用单位增益 (1V/V) 缓冲器配置并  
驱动容性负载的运算放大器更容易出现不稳定的情况。容性负载与运算放大器输出电阻相结合后,在反馈环路内产  
生一个使相位裕度降级的极点。相位裕量的减小随着容性负载的增加而增加。在单位增益配置下运行  
时,OPAx314-Q1 在纯容性负载高达大约 1nF 时仍然保持稳定。某些超大电容器(CL大于 1μF)的等效串联电阻  
足够改变反馈环路内的相位特性,从而使放大器保持稳定。增加放大器闭环增益使得放大器能够驱动更大的电容。  
如果在电压增益更高时观察放大器的过冲响应,可发现此能力的增长十分明显;请参阅20。  
一个增加运行在单位增益配置中的放大器电容负载驱动能力的技巧是插入一个小电阻器,通常为 10Ω 20Ω,与  
输出串联,如36中所示。这个电阻器大大减少了与大电容负载相关的过冲和振铃。然而,这个技巧的一个可能  
问题是这个增加的串联电阻和任一与负载电容并联的连接电阻会生成一个分压器。此分压器在输出上引入一个减少  
输出摆幅的增益误差。  
V+  
RS  
VOUT  
Device  
VIN  
10 W to  
20 W  
RL  
CL  
36. 增强容性负载驱动能力  
8.2 典型应用  
有些 应用 需要差分信号。 37 显示,简单电路可利用一个 2.7V 的电源将 0.1V 2.4V 的单端输入转换为  
±2.3V 的差分输出。本示例特意限制输出范围以最大限度提高线性度。此电路由两个放大器构成。一个放大器充当  
缓冲器并产生电压 (VOUT+)。另一个放大器反转输入并添加参考电压以生成 VOUT–VOUT+ VOUT– 范围为 0.1V 至  
2.4V。差分电压 VDIFF 是指 VOUT+ VOUT– 之间的差异。此差异将形成一个 2.3V 的差分输出电压范围。  
22  
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典型应用 (接下页)  
R2  
2.7 V  
R1  
œ
VOUTœ  
+
Device  
R3  
+
VREF  
2.5 V  
R4  
V
VDIFF  
+
2.7 V  
+
œ
VOUT+  
Device  
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+
VIN  
37. 单端输入到差分输出的转换原理图  
8.2.1 设计要求  
设计要求如下:  
电源电压:2.7V  
基准电压:2.5V  
输入:0.1V 2.4V  
输出差分:±2.3V  
输出共模电压:1.25V  
小信号带宽:1MHz  
8.2.2 详细设计流程  
37 中,电路接受单端输入信号 VIN,并产生两个输出信号 VOUT+ VOUT–,其中使用两个放大器和基准电压  
V
REFVOUT+ 是第一个放大器的输出,并且是输入信号 VIN 的缓冲版本(如公式 1 所示)。VOUT– 是第二个放大器  
的输出,该放大器使用 VREF 将失调电压添加至 VIN 和反馈以添加反相增益。VOUT– 的传递函数如公式 2 所示。  
VOUT+ = V  
IN  
(1)  
«
÷
÷
R4  
R2  
R2  
R1  
VOUTœ = VREF  
ì
ì 1+  
- V ì  
IN  
R3 + R4 ◊  
R1 ◊  
«
(2)  
差分输出信号 (VDIFF) 是两个单端输出信号(VOUT+ VOUT–)之间的差异。公式 3 显示了 VDIFF 的传递函数。通过  
应用 R1 = R2 R3 = R4 两种条件,传递函数简化为 公式 6。使用此配置,最大输入信号等于基准电压,每个放大  
器的最大输出等于 VREF。差分输出范围为 2 × VREF。此外,共模电压是 VREF 的一半(请参阅公式 7)。  
÷
«
÷
÷
R2  
R4  
R2  
VDIFF = VOUT+ - VOUTœ = V ì 1+  
- V  
ì
ì 1+  
IN  
REF  
R1 ◊  
R3 + R4 ◊  
R1 ◊  
«
«
(3)  
23  
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典型应用 (接下页)  
VOUT+ = V  
IN  
(4)  
(5)  
(6)  
VOUTœ = VREF - V  
IN  
VDIFF = 2 ì V -VREF  
IN  
V
+ VOUTœ  
2
1
2
OUT+  
VCM  
=
=
VREF  
«
÷
(7)  
8.2.2.1 放大器选择  
输入范围的线性是实现良好直流精度的关键。共模输入范围和输出摆幅限制决定了线性度。通常情况下,需要采用  
具有轨至轨输入和输出摆幅的放大器。宽带是此设计的主要考虑因素,因此选择了 OPAx314-Q1 系列,因为它的  
宽带高于 1MHz 的目标带宽。带宽和功耗比可使该器件实现低功耗,且低失调和低漂移可确保精度适中的 应用实  
现良好精度。  
8.2.2.2 无源组件选择  
由于 VOUT– 的传递函数高度依赖于电阻器(R1R2R3 R4),因此应使用低容差的电阻器来最大限度提高性能  
并最大限度减小误差。此设计使用电阻值为 49.9kΩ 且容差为 0.1% 的电阻器。但是,如果系统噪声是关键参数,  
可以选择较低电阻值(6kΩ 或更低)以使整个系统保持低噪声。这样可以确保电阻器噪声低于放大器噪声。  
8.2.3 应用曲线  
2.50  
2.00  
1.50  
1.00  
0.50  
0.00  
2.50  
2.00  
1.50  
1.00  
0.50  
0.00  
0.00  
0.50  
1.00  
1.50  
2.00  
2.50  
0.00  
0.50  
1.00  
1.50  
2.00  
2.50  
Input voltage (V)  
Input voltage (V)  
C027  
C027  
38. VOUT+ 与输入电压间的关系  
39. VOUT– 与输入电压间的关系  
2.50  
2.00  
1.50  
1.00  
0.50  
0.00  
-0.50  
-1.00  
-1.50  
-2.00  
-2.50  
0.00  
0.50  
1.00  
1.50  
2.00  
2.50  
Input voltage (V)  
C027  
40. VDIFF 与输入电压间的关系  
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9 电源建议  
OPAx314-Q1 系列的额定工作电压范围是 1.8V 5.5V±0.9V ±2.75V);许多规格在 –40°C +125°C 的温  
度下适用。典型特性 部分提供的参数可能随工作电压或温度的变化而出现显著变化。  
CAUTION  
电源电压大于 7V 可能对器件造成永久损坏(请参阅绝对最大额定值 表)。  
0.1μF 旁路电容器置于电源引脚附近,提供低阻态回路降低电源从噪声源等耦合来的噪声。有关旁路电容位置的  
详细信息,请参阅布局指南 部分。  
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10 布局  
10.1 布局指南  
为了实现器件的最佳运行性能,应使用良好的 PCB 布局规范,包括:  
噪声可通过全部电路电源引脚以及运算放大器传入模拟电路。旁路电容为局部模拟电路提供低阻抗电源,用  
于降低耦合噪声。  
在每个电源引脚和接地端之间连接低 ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器,放置位置尽量靠近器件。从 V+ 到接  
地端的单个旁路电容器适用于单通道电源 应用。  
将电路的模拟和数字部分单独接地是最简单和最有效的噪声抑制方法之一。多层 PCB 中通常将一层或多层  
专门作为接地层。接地平面有助于散热和降低 EMI 噪声拾取。确保对数字接地和模拟接地进行物理隔离,  
同时应注意接地电流。  
为了减少寄生耦合,请让输入走线尽可能远离电源或输出走线。如果这些走线不能保持分离状态,让敏感走  
线与有噪声的走线垂直相交比平行相交好得多。  
外部组件的位置应尽量靠近器件。使 RF RG 接近反相输入可最大限度地减小寄生电容(如41 所  
示)。  
尽可能缩短输入迹线。切记:输入走线是电路中最敏感的部分。  
考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。这样可显著减少附近走线在不同电势下产生的泄漏电流。  
10.2 布局示例  
Run the input traces  
as far away from  
the supply lines  
as possible.  
VS+  
VIN  
VSœ  
+IN  
V+  
GND  
Use a low-ESR,  
ceramic bypass  
capacitor.  
Vœ  
Use a low-ESR,  
ceramic bypass  
capacitor.  
RG  
OUT  
œIN  
VOUT  
GND  
RF  
Place components  
close to the device  
and to each other to  
reduce parasitic  
errors.  
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41. 同相配置的运算放大器电路板布局  
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11 器件和文档支持  
11.1 文档支持  
11.1.1 相关文档  
请参阅如下相关文档:  
《运算放大器的电磁干扰 (EMI) 抑制比》  
11.1.2 相关链接  
2 列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持和社区资源、工具和软件以及申请样片或购买产品的快速访问  
链接。  
2. 相关链接  
部件  
产品文件夹  
请单击此处  
请单击此处  
请单击此处  
立即订购  
请单击此处  
请单击此处  
请单击此处  
技术文档  
请单击此处  
请单击此处  
请单击此处  
工具和软件  
请单击此处  
请单击此处  
请单击此处  
支持和社区  
请单击此处  
请单击此处  
请单击此处  
OPA314-Q1  
OPA2314-Q1  
OPA4314-Q1  
11.2 商标  
11.3 静电放电警告  
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时,应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中,以防止 MOS 门极遭受静电损  
伤。  
11.4 术语表  
SLYZ022 TI 术语表。  
这份术语表列出并解释术语、缩写和定义。  
12 机械、封装和可订购信息  
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更,恕不另行通知,且  
不会对此文档进行修订。如需获取此产品说明书的浏览器版本,请参阅左侧的导航栏。  
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PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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PACKAGING INFORMATION  
Orderable Device  
Status Package Type Package Pins Package  
Eco Plan  
Lead finish/  
Ball material  
MSL Peak Temp  
Op Temp (°C)  
Device Marking  
Samples  
Drawing  
Qty  
(1)  
(2)  
(3)  
(4/5)  
(6)  
OPA2314AQDRQ1  
OPA314AQDBVRQ1  
OPA314AQDBVTQ1  
OPA4314AQPWRQ1  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
ACTIVE  
SOIC  
D
8
5
2500 RoHS & Green  
3000 RoHS & Green  
NIPDAU  
Level-3-260C-168 HR  
Level-2-260C-1 YEAR  
Level-2-260C-1 YEAR  
Level-2-260C-1 YEAR  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
-40 to 125  
O2314Q  
SOT-23  
SOT-23  
TSSOP  
DBV  
DBV  
PW  
NIPDAU  
NIPDAU  
NIPDAU  
14ZD  
5
250  
RoHS & Green  
14ZD  
14  
2000 RoHS & Green  
4314Q1  
(1) The marketing status values are defined as follows:  
ACTIVE: Product device recommended for new designs.  
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.  
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.  
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.  
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.  
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance  
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may  
reference these types of products as "Pb-Free".  
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.  
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based  
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.  
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.  
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.  
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation  
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.  
(6)  
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two  
lines if the finish value exceeds the maximum column width.  
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information  
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and  
Addendum-Page 1  
PACKAGE OPTION ADDENDUM  
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10-Dec-2020  
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.  
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.  
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.  
Addendum-Page 2  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
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1-Jul-2023  
TAPE AND REEL INFORMATION  
REEL DIMENSIONS  
TAPE DIMENSIONS  
K0  
P1  
W
B0  
Reel  
Diameter  
Cavity  
A0  
A0 Dimension designed to accommodate the component width  
B0 Dimension designed to accommodate the component length  
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness  
Overall width of the carrier tape  
W
P1 Pitch between successive cavity centers  
Reel Width (W1)  
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE  
Sprocket Holes  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
Q1 Q2  
Q3 Q4  
User Direction of Feed  
Pocket Quadrants  
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Package Pins  
Type Drawing  
SPQ  
Reel  
Reel  
A0  
B0  
K0  
P1  
W
Pin1  
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant  
(mm) W1 (mm)  
OPA2314AQDRQ1  
OPA314AQDBVRQ1  
OPA4314AQPWRQ1  
SOIC  
D
8
5
2500  
3000  
2000  
330.0  
178.0  
330.0  
12.4  
9.0  
6.4  
3.3  
6.9  
5.2  
3.2  
5.6  
2.1  
1.4  
1.6  
8.0  
4.0  
8.0  
12.0  
8.0  
Q1  
Q3  
Q1  
SOT-23  
TSSOP  
DBV  
PW  
14  
12.4  
12.0  
Pack Materials-Page 1  
PACKAGE MATERIALS INFORMATION  
www.ti.com  
1-Jul-2023  
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS  
Width (mm)  
H
W
L
*All dimensions are nominal  
Device  
Package Type Package Drawing Pins  
SPQ  
Length (mm) Width (mm) Height (mm)  
OPA2314AQDRQ1  
OPA314AQDBVRQ1  
OPA4314AQPWRQ1  
SOIC  
D
8
5
2500  
3000  
2000  
356.0  
180.0  
356.0  
356.0  
180.0  
356.0  
35.0  
18.0  
35.0  
SOT-23  
TSSOP  
DBV  
PW  
14  
Pack Materials-Page 2  
PACKAGE OUTLINE  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
C
3.0  
2.6  
0.1 C  
1.75  
1.45  
1.45  
0.90  
B
A
PIN 1  
INDEX AREA  
1
2
5
(0.1)  
2X 0.95  
1.9  
3.05  
2.75  
1.9  
(0.15)  
4
3
0.5  
5X  
0.3  
0.15  
0.00  
(1.1)  
TYP  
0.2  
C A B  
NOTE 5  
0.25  
GAGE PLANE  
0.22  
0.08  
TYP  
8
0
TYP  
0.6  
0.3  
TYP  
SEATING PLANE  
4214839/G 03/2023  
NOTES:  
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing  
per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. Refernce JEDEC MO-178.  
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not  
exceed 0.25 mm per side.  
5. Support pin may differ or may not be present.  
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EXAMPLE BOARD LAYOUT  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (1.1)  
1
5
5X (0.6)  
SYMM  
(1.9)  
2
3
2X (0.95)  
4
(R0.05) TYP  
(2.6)  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:15X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
EXPOSED METAL  
EXPOSED METAL  
0.07 MIN  
ARROUND  
0.07 MAX  
ARROUND  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK  
DEFINED  
(PREFERRED)  
SOLDER MASK DETAILS  
4214839/G 03/2023  
NOTES: (continued)  
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
DBV0005A  
SOT-23 - 1.45 mm max height  
SMALL OUTLINE TRANSISTOR  
PKG  
5X (1.1)  
1
5
5X (0.6)  
SYMM  
(1.9)  
2
3
2X(0.95)  
4
(R0.05) TYP  
(2.6)  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL  
SCALE:15X  
4214839/G 03/2023  
NOTES: (continued)  
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
www.ti.com  
PACKAGE OUTLINE  
D0008A  
SOIC - 1.75 mm max height  
SCALE 2.800  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
C
SEATING PLANE  
.228-.244 TYP  
[5.80-6.19]  
.004 [0.1] C  
A
PIN 1 ID AREA  
6X .050  
[1.27]  
8
1
2X  
.189-.197  
[4.81-5.00]  
NOTE 3  
.150  
[3.81]  
4X (0 -15 )  
4
5
8X .012-.020  
[0.31-0.51]  
B
.150-.157  
[3.81-3.98]  
NOTE 4  
.069 MAX  
[1.75]  
.010 [0.25]  
C A B  
.005-.010 TYP  
[0.13-0.25]  
4X (0 -15 )  
SEE DETAIL A  
.010  
[0.25]  
.004-.010  
[0.11-0.25]  
0 - 8  
.016-.050  
[0.41-1.27]  
DETAIL A  
TYPICAL  
(.041)  
[1.04]  
4214825/C 02/2019  
NOTES:  
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.  
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.  
2. This drawing is subject to change without notice.  
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not  
exceed .006 [0.15] per side.  
4. This dimension does not include interlead flash.  
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.  
www.ti.com  
EXAMPLE BOARD LAYOUT  
D0008A  
SOIC - 1.75 mm max height  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
8X (.061 )  
[1.55]  
SYMM  
SEE  
DETAILS  
1
8
8X (.024)  
[0.6]  
SYMM  
(R.002 ) TYP  
[0.05]  
5
4
6X (.050 )  
[1.27]  
(.213)  
[5.4]  
LAND PATTERN EXAMPLE  
EXPOSED METAL SHOWN  
SCALE:8X  
SOLDER MASK  
OPENING  
SOLDER MASK  
OPENING  
METAL UNDER  
SOLDER MASK  
METAL  
EXPOSED  
METAL  
EXPOSED  
METAL  
.0028 MAX  
[0.07]  
.0028 MIN  
[0.07]  
ALL AROUND  
ALL AROUND  
SOLDER MASK  
DEFINED  
NON SOLDER MASK  
DEFINED  
SOLDER MASK DETAILS  
4214825/C 02/2019  
NOTES: (continued)  
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.  
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.  
www.ti.com  
EXAMPLE STENCIL DESIGN  
D0008A  
SOIC - 1.75 mm max height  
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT  
8X (.061 )  
[1.55]  
SYMM  
1
8
8X (.024)  
[0.6]  
SYMM  
(R.002 ) TYP  
[0.05]  
5
4
6X (.050 )  
[1.27]  
(.213)  
[5.4]  
SOLDER PASTE EXAMPLE  
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL  
SCALE:8X  
4214825/C 02/2019  
NOTES: (continued)  
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate  
design recommendations.  
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.  
www.ti.com  
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SI9135LG-T1-E3

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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SI9135_11

SMBus Multi-Output Power-Supply Controller

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