OPA4182IDT [TI]
36V、5MHz、四路、低噪声、零漂移、多路复用器友好型精密运算放大器 | D | 14 | -40 to 125;型号: | OPA4182IDT |
厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述: | 36V、5MHz、四路、低噪声、零漂移、多路复用器友好型精密运算放大器 | D | 14 | -40 to 125 放大器 运算放大器 复用器 |
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OPA182, OPA2182, OPA4182
ZHCSKN0E –NOVEMBER 2019 –REVISED AUGUST 2022
OPAx182 36V、5MHz、低噪声、零漂移、多路复用器友好型精密运算放大器
1 特性
3 说明
• 超高精度:
OPA182、OPA2182 和 OPA4182 (OPAx182) 是超低
噪声、快速稳定、零漂移、高精度运算放大器。这些器
件提供轨到轨输出操作,并具有独特的多路复用友好型
架构和受控启动系统。这些器件还具有出色的交流性
能,以及仅 0.45µV 的失调电压和 0.003µV/°C 的温度
漂移。所有这些特性使 OPAx182 成为数据采集、电池
测试、模拟输入模块、称重秤,以及任何其他需要高直
流精度和低噪声的系统的理想选择。
– 零漂移:0.003μV/°C
– 超低失调电压:4μV(最大值)
• 出色的直流精度:
– CMRR:168dB
– 开环增益:170dB
• 低噪声:
– 1kHz 时,en 为:5.7nV/√Hz
– 0.1Hz 至10Hz 噪声:0.12µVPP
• 出色的动态性能:
– 增益带宽:5MHz
– 压摆率:10V/µs
– 快速稳定:10V 阶跃,0.01%,1.7µs
• 强大设计:
支持多路复用器的输入架构可在施加较大的输入差分电
压时防止产生浪涌电流,从而提高了多通道系统的趋稳
性能。此外,控制启动系统可在升高电源轨电压时抑制
浪涌电流,同时在运输、装卸和组装期间提供强大的
ESD 保护。
该器件的额定温度范围为–40°C 至+125°C。
– 多路复用器友好型输入
– 输入已滤除RFI 和EMI
• 宽电源电压:±2.25V 至±18V,4.5V 至36V
• 静态电流:0.85mA
• 轨至轨输出
• 输入包括负电源轨
封装信息
封装(1)
封装尺寸(标称值)
4.90mm x 3.90mm
2.90mm x 1.60mm
4.90mm x 3.90mm
3.00mm x 3.00mm
8.65mm x 3.91mm
5.00mm x 4.40mm
器件型号
OPA182
D (SOIC, 8)
DBV(SOT-23,5)
D (SOIC, 8)
OPA2182
OPA4182
DGK(VSSOP,8)
D(SOIC,14)
2 应用
• 电池测试
PW(TSSOP,14)预发
布
• 直流电源、交流电源、电子负载
• 数据采集(DAQ)
• 半导体测试
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的封装选项附录。
• 称重计
• 模拟输入模块
• 流量发送器
36
32
28
24
3.4 Mꢀ
18 V
18 V
10 kꢀ
10 kꢀ
Vexc
5 V
œ
OPA2182
Vout
œ
OPA2182
20
Strain Gauge
+
16
12
8
+
œ18 V
œ18 V
4
0
-0.02
-0.0125
-0.005
0.0025
0.01
0.0175
Input Offset Voltage Drift (mV/èC)
OPA2182 桥式传感器应用
OPAx182 温漂
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English Data Sheet: SBOS936
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 器件比较表.........................................................................3
6 引脚配置和功能................................................................. 4
7 规格................................................................................... 6
7.1 绝对最大额定值...........................................................6
7.2 ESD 等级.................................................................... 6
7.3 建议运行条件.............................................................. 6
7.4 热性能信息:OPA182.................................................7
7.5 热性能信息:OPA2182...............................................7
7.6 热性能信息:OPA4182...............................................7
7.7 电气特性......................................................................8
7.8 典型特性....................................................................10
8 详细说明.......................................................................... 18
8.1 概述...........................................................................18
8.2 功能方框图................................................................18
8.3 特性说明....................................................................19
8.4 器件功能模式............................................................ 22
9 应用和实现.......................................................................23
9.1 应用信息....................................................................23
9.2 典型应用....................................................................23
9.3 电源相关建议............................................................ 29
9.4 布局...........................................................................29
10 器件和文档支持............................................................. 31
10.1 器件支持..................................................................31
10.2 文档支持..................................................................31
10.3 接收文档更新通知................................................... 31
10.4 支持资源..................................................................31
10.5 商标.........................................................................32
10.6 Electrostatic Discharge Caution..............................32
10.7 术语表..................................................................... 32
11 机械、封装和可订购信息............................................... 32
4 修订历史记录
注:以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision D (December 2021) to Revision E (August 2022)
Page
• 将OPA182 DBV (SOT-23) 封装从预发布更改为正在供货,并添加了相关内容..................................................1
Changes from Revision C (January 2021) to Revision D (December 2021)
Page
• 添加了OPA182 和OPA4182 量产数据(正在供货)器件和相关内容................................................................1
Changes from Revision B (July 2020) to Revision C (January 2021)
Page
• 将VSSOP-8 (DGK) 封装从预发布更改为量产数据(正在供货).......................................................................1
Changes from Revision A (May 2020) to Revision B (July 2020)
Page
• 向数据表添加了VSSOP-8 (DGK) 预发布封装和相关内容..................................................................................1
• 将容性负载驱动规格从“待定”更改为“请参阅“典型特性””.......................................................................8
Changes from Revision * (December 2019) to Revision A (May 2020)
Page
• 将器件状态从“预告信息(预发布)”更改为“量产数据(正在供货)”.........................................................1
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5 器件比较表
产品
特性
OPA2189
0.4µV 失调电压,0.005µV/°C 温漂,5.2nV/√Hz,轨到轨输出,36V,零漂移,支持多路复用器的CMOS
6µV 失调电压,0.03µV/°C 温漂,8.8nV/√Hz,轨到轨输出,36V,零漂移,支持多路复用器的CMOS
1µV 失调电压,0.001µV/°C 温漂,100µA 静态电流,轨到轨输出,36V,零漂移CMOS
OPA2188
OPA2187
0.25µV 失调电压,0.005µV/°C 温漂,7nV/√Hz,10MHz,true 轨到轨输入/输出,5.5V,零漂移,零交叉
OPA2388
OPA2180
CMOS
120µV,10MHz,5.1nV/√Hz,36V JFET 输入工业运算放大器
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6 引脚配置和功能
V+
OUT
V-
1
2
3
5
4
NC
œIN
+IN
Vœ
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V+
œ
-IN
+IN
OUT
NC
+
图6-2. OPA182 DBV(5 引脚SOT-23)封装,顶视图
Not to scale
图6-1. OPA182 D(8 引脚SOIC)封装,顶视图
表6-1. 引脚功能:OPA182
引脚
类型
说明
DBV
(SOT-23)
D (SOIC)
名称
–IN
2
4
3
输入
输入
—
反相输入
同相输入
+IN
NC
3
1、5、8
未进行内部电路连接;可以悬空。
—
1
OUT
V–
V+
6
4
7
输出
Power
输出通道
负电源
2
5
电源
正电源
OUT A
œIN A
+IN A
Vœ
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
OUT B
œIN B
+IN B
Not to scale
图6-3. D(8 引脚SOIC)和DGK(8 引脚VSSOP)封装,顶视图
表6-2. 引脚功能:OPA2182
引脚
类型
说明
名称
编号
2
–IN A
+IN A
反相输入通道A
同相输入通道A
反相输入通道B
同相输入通道B
输出通道A
输入
输入
输入
输入
输出
输出
Power
3
6
5
1
7
4
8
–IN B
+IN B
OUT A
OUT B
输出通道B
V–
负电源
V+
电源
正电源
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OUT A
-IN A
+IN A
V+
1
2
3
4
5
6
7
14 OUT D
13 -IN D
12 +IN D
11 V-
+IN B
-IN B
OUT B
10 +IN C
9
8
-IN C
OUT C
图6-4. D(14 引脚SOIC)和PW(14 引脚TSSOP,预发布)封装,顶视图
表6-3. 引脚功能:OPA4182
引脚
类型
说明
名称
编号
2
–IN A
+IN A
反相输入通道A
同相输入通道A
反相输入通道B
同相输入通道B
反相输入通道C
同相输入通道C
反相输入通道D
同相输入通道D
输出通道A
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输出
输出
输出
输出
3
6
–IN B
+IN B
5
9
–IN C
+IN C
10
13
12
1
–IN D
+IN D
OUT A
OUT B
OUT C
OUT D
7
输出通道B
8
输出通道C
14
11
4
输出通道D
V–
电源
负电源
V+
Power
正电源
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)(1)
最小值
最大值
单位
40
±20
单电源,VS = (V+)
VS
V
电源电压
双电源,VS = (V+) –(V–)
(V+) + 0.5
(V–) –0.5
共模
V
输入信号电压
(V+) –(V–) +
差分
0.2
±10
mA
电流
输出短路(2)
工作温度
结温
持续
持续
150
150
150
TA
-55
°C
°C
°C
TJ
Tstg
–65
贮存温度
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下
能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用,器件可能不会完全正常运行,这可能影响器件的可靠性、功能
和性能,并缩短器件寿命。
(2) 接地短路,每个封装对应一个放大器。
7.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM),符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准(2)
±4000
V(ESD)
V
静电放电
±1000
(1) JEDEC 文件JEP155 指出:500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出:250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
7.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得(除非另有说明)
最小值
标称值
最大值
单位
V
4.5
36
单电源,VS = (V+)
VS
TA
电源电压
工作温度
±2.25
-40
±18
125
双电源,VS = (V+) –(V–)
°C
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7.4 热性能信息:OPA182
OPA182
热指标(1)
D (SOIC)
DBV (SOT-23)
5 引脚
138.2
单位
8 引脚
112.9
50.8
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
63.8
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
56.2
35.5
10.1
17.1
ΨJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳(底部)热阻
55.4
35.4
ΨJB
RθJC(bot)
不适用
不适用
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
7.5 热性能信息:OPA2182
OPA2182
热指标(1)
D (SOIC)
DGK (VSSOP)
8 引脚
150.2
43.9
单位
8 引脚
108.1
45.8
51.3
7.2
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
71.4
2.9
ΨJT
结至顶部特征参数
50.6
70.0
ΨJB
结至电路板特征参数
结至外壳(底部)热阻
RθJC(bot)
不适用
不适用
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
7.6 热性能信息:OPA4182
OPA4182
D (SOIC)
14 引脚
112.9
热指标(1)
单位
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
50.8
结至外壳(顶部)热阻
结至电路板热阻
56.2
10.1
ΨJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳(底部)热阻
55.4
ΨJB
RθJC(bot)
不适用
(1) 有关新旧热性能指标的更多信息,请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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7.7 电气特性
TA = 25°C,VCM = VOUT = VS/2,且RLOAD = 10kΩ连接至VS / 2(除非另外说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
±0.45
±4
±4
±4
VOS
TA = 0°C 至85°C
µV
输入失调电压
TA=-40°C 至+125°C
OPA182ID、
OPA2182
±0.003
±0.003
±0.003
±0.012
±0.020
±0.012
TA = 0°C 至85°C
OPA182IDBV、
OPA4182ID
dVOS/dT
µV/°C
µV/V
输入失调电压漂移
OPA182ID、
OPA2182
TA=-40°C 至+125°C
TA = -40°C 至+125°C
OPA182IDBV、
OPA4182ID
±0.003
±0.005
±0.005
±0.020
±0.07
±0.05
OPA182
PSRR
电源抑制比
OPA2182、
OPA4182ID
输入偏置电流
±50
±350
±1
pA
nA
pA
nA
TA = 0°C 至85°C
IB
ZIN = 100 kΩ || 500 pF
ZIN = 100 kΩ || 500 pF
输入偏置电流
TA = –40°C 至
+125°C
±7
±140
±700
±2
TA = 0°C 至85°C
IOS
输入失调电流
TA = –40°C 至
±3
+125°C
噪声
18
0.119
5.7
nVRMS
µVPP
En
f = 0.1Hz 至10Hz
输入电压噪声
f = 10Hz
f = 100Hz
f = 1kHz
f = 10kHz
f = 1kHz
5.7
en
nV/√Hz
输入电压噪声密度
5.7
5.7
in
165
fA/√Hz
输入电流噪声密度
共模电压范围
输入电压
(V–) –
(V+) –
VCM
V
0.1
2.5
VS = ±2.25V
120
141
140
168
VS = ±18V,OPA182
(V–) –0.1V ≤VCM ≤(V+) –
2.5V
VS = ±18V,
OPA2182、
OPA4182ID
143
168
CMRR
dB
共模抑制比
VS = ±2.25V
120
140
(V–) –0.1V ≤VCM ≤(V+) –
2.5V,
TA = –40°C 至+125°C
VS = ±18V,
OPA182、OPA2182
(V–) ≤VCM ≤(V+) –2.5V, VS = ±18V,
OPA4182ID
130
TA = –40°C 至+125°C
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7.7 电气特性(continued)
TA = 25°C,VCM = VOUT = VS/2,且RLOAD = 10kΩ连接至VS / 2(除非另外说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输入阻抗
zid
0.1 || 3.7
60 || 2.3
GΩ|| pF
TΩ|| pF
差分输入阻抗
共模输入阻抗
zic
开环增益
VS = ±18V,
(V–) + 0.3V < VO < (V+) –
0.3V,
RLOAD = 10kΩ
150
145
146
150
145
140
170
170
OPA182、OPA2182
OPA4182ID
TA=-40°C 至+125°C
AOL
dB
开环电压增益
VS = ±18V,
(V–) + 0.6V < VO < (V+) –
0.6V,
RLOAD = 2kΩ
170
170
OPA182、OPA2182
OPA4182ID
TA=-40°C 至+125°C
频率响应
UGB
AV = 1
3.6
MHz
MHz
V/µs
单位增益带宽
增益带宽积
GBW
AV = 1000
5
10
SR
增益= 1,10V 阶跃
增益= 1,f = 1kHz,VO = 3.5VRMS
压摆率
THD+N
0.00008%
150
总谐波失真+ 噪声
在直流
OPA2182
dB
串扰
f = 10kHz
120
VS = ±18V,增益=
1,
10V 阶跃
1.3
1.7
达0.1%
VS = ±18V,增益=
1,
tS
µs
ns
建立时间
10V 阶跃,下降
达0.01%
VS = ±18V,增益=
1,
10V 阶跃,上升
3.4
tOR
220
VIN × 增益= VS = ±18V
过载恢复时间
输出
5
20
80
5
15
110
500
15
无负载
RLOAD = 10kΩ
RLOAD = 2kΩ
无负载
正电源轨
自电源轨的电压输出摆
幅
VO
mV
20
80
20
±65
110
500
120
RLOAD = 10kΩ
RLOAD = 2kΩ
负电源轨
TA = –40°C 至+125°C,双电轨
ISC
mA
pF
Ω
短路电流
CLOAD
ZO
请参阅“典型特性”
容性负载驱动
开环输出阻抗
f = 1MHz
320
电源
TA = 25°C
0.85
1
IQ
mA
VS = ±2.25V 至±18V
每个放大器的静态电流
TA = –40°C 至
+125°C
1.1
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7.8 典型特性
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
表7-1. 典型特性图
说明
图表
图7-1
失调电压产生分布
–40°C 至125°C 的失调电压漂移分布
输入偏置电流产生分布图
图7-2
图7-3
图7-4
输入失调电流产生分布
图7-5
失调电压与温度间的关系
图7-6
失调电压与共模电压间的关系
偏移电压与电源电压间的关系
开环增益和相位与频率间的关系
闭环增益与频率间的关系
图7-7
图7-8
图7-9
图7-10
图7-11
输入偏置电流与共模电压间的关系
输入偏置电流和失调电流与温度间的关系
输出电压摆幅与输出电流(拉电流)间的关系
输出电压摆幅与输出电流(灌电流)间的关系
CMRR 和PSRR 与频率间的关系
CMRR 与温度间的关系
图7-12
图7-13
图7-14
图7-15
图7-16
图7-17
图7-18
图7-19
图7-20
图7-21
图7-22
图7-23
图7-24
图7-25、图7-26
图7-27
图7-28
图7-29
图7-30、图7-31
图7-32、图7-33
图7-34
图7-35
图7-36
图7-37
图7-38
PSRR 与温度间的关系
0.1Hz 至10Hz 电压噪声
输入电压噪声频谱密度与频率间的关系
THD+N 比与频率间的关系
THD+N 与输出幅度间的关系
静态电流与电源电压间的关系
静态电流与温度间的关系
开环增益与温度间的关系(10kΩ)
开环输出阻抗与频率间的关系
小信号过冲与容性负载间的关系(10mV 阶跃)
无相位反转
正过载恢复
负过载恢复
小信号阶跃响应(10mV 阶跃)
大信号阶跃响应(10V 阶跃)
建立时间
短路电流与温度间的关系
最大输出电压与频率间的关系
EMIRR 与频率之间的关系
通道分离
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
20
18
16
14
12
10
8
36
32
28
24
20
16
12
8
6
4
4
2
0
-4
0
-0.02
-3
-2
-1
0
1
Offset Voltage (µV)
2
3
4
-0.0125
-0.005
0.0025
0.01
0.0175
Input Offset Voltage Drift (mV/èC)
图7-1. 失调电压生产分配
图7-2. 失调电压漂移分配
27
24
21
18
15
12
9
30
27
24
21
18
15
12
9
6
6
3
3
0
-350
0
-700
-250
-150
-50
Positive Input Bias (pA)
50
150
250
350
-500
-300
-100
Input Offset Current (pA)
100
300
500
700
图7-3. 输入偏置电流产生分布图
图7-4. 输入失调电流产生分布
3
5
__ -40 èC
__ 25 èC
__ 125 èC
4
3
2
1
2
1
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-1
-2
-3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-20
-15
-10
-5
0
5
10
Input Common-mode Voltage (V)
15
20
Temperature (èC)
图7-5. 失调电压与温度间的关系
图7-6. 失调电压与共模电压间的关系
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
1
0.5
0
180
160
140
120
100
80
180
--- 4.5V
Gain
Phase
165
150
135
120
105
90
60
40
75
-0.5
-1
20
60
0
45
-20
10m 100m
30
1
10
100 1k
Frequency (Hz)
10k 100k 1M 10M
0
9
18
Supply Voltage (V)
27
36
图7-8. 开环增益和相位与频率间的关系
图7-7. 偏移电压与电源电压间的关系
60
40
500
__ IBP
__ IBN
400
300
200
100
0
20
0
-100
-200
-300
-400
-500
-20
-40
-60
G = -1
G = +1
G = +10
G = +100
-20
-15
-10
-5
0
5
10
Input Common-Mode Voltage (V)
15
20
100
1k
10k 100k
Frequency (Hz)
1M
10M
图7-10. 输入偏置电流与共模电压间的关系
图7-9. 闭环增益与频率间的关系
IBN (nA)
IBP (nA)
IOS (nA)
5
4
18
17
16
15
14
13
-40 èC
25 èC
85 èC
125 èC
3
2
1
0
12
0
-1
-50
10
20
30
40
50
Output Current (mA)
60
70
80
90
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (èC)
图7-12. 输出电压摆幅与输出电流(拉电流)间的关系
图7-11. 输入偏置电流和失调电流与温度间的关系
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
-12
-13
-14
-15
-16
-17
-18
180
160
140
120
100
80
CMRR
PSRR-
PSRR+
-40 èC
25 èC
85 èC
125 èC
60
40
20
0
10m 100m
1
10
100 1k
Frequency (Hz)
10k 100k 1M 10M
0
10
20
30
40
50
Output Current (mA)
60
70
80
图7-14. CMRR 和PSRR 与频率间的关系
图7-13. 输出电压摆幅与输出电流(灌电流)间的关系
180
0.001
0.01
0.1
180
170
160
150
140
130
120
0.001
0.01
0.1
170
160
150
140
130
120
1
1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature(èC)
Temperature(èC)
图7-15. CMRR 与温度间的关系
图7-16. PSRR 与温度间的关系
100
10
1
1
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
10M
Time (1 s/div)
图7-18. 输入电压噪声频谱密度与频率间的关系
图7-17. 0.1Hz 至10Hz 电压噪声
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
1
-40
1
0.5
-40
G = -1. 10 kW Load
G = -1. 2 kW Load
G = -1. 600 W Load
G = +1. 10 kW Load
G = +1. 2 kW Load
G = +1. 600 W Load
0.2
0.1
0.05
0.1
-60
-60
0.02
0.01
0.005
0.01
-80
-80
0.002
0.001
0.0005
0.001
0.0001
1E-5
-100
-120
-140
-100
-120
G = -1, 10 kW Load
G = -1, 2 kW Load
G = -1, 600 W Load
G = +1, 10 kW Load
G = +1, 2 kW Load
G = +1, 600 W Load
0.0002
0.0001
5E-5
2E-5
1E-5
-140
10
20
200
2k
20k
10m
100m
Output Amplitude (VRMS)
1
Frequency (Hz)
图7-19. THD+N 比与频率间的关系
图7-20. THD+N 与输出幅度间的关系
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
2
1.5
1
4.5V
Vs = ê 18V
Vs = ê 2.25V
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0
9
18
Supply Voltage (V)
27
36
Temperature (èC)
图7-22. 静态电流与温度间的关系
图7-21. 静态电流与电源电压间的关系
190
1000
100
10
180
170
160
150
140
130
120
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.01
1
100
1k
10k 100k
Frequency (Hz)
1M
10M
-50
-25
0
25
50
75
100
125
Temperature (èC)
图7-24. 开环输出阻抗与频率间的关系
图7-23. 开环增益与温度间的关系(10kΩ)
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
80
60
40
20
0
80
60
40
20
0
Riso = 0 W
Riso = 25 W
Riso = 50 W
Riso = 0 W
Riso = 25 W
Riso = 50 W
100
1k
100
1k
Capacitance (pF)
Capacitance (pF)
反相配置
同相配置
图7-25. 小信号过冲与容性负载间的关系
图7-26. 小信号过冲与容性负载间的关系
Input Voltage
Output Voltage
Vin
Vout
Time (100 µs/div)
Time (500 ns/div)
图7-27. 无相位反转
图7-28. 正过载恢复
Vin
Vout
Vin
Vout
Time (500 ns/div)
Time (100 µs/div)
反相配置
图7-29. 负过载恢复
图7-30. 小信号阶跃响应
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
Vin
Vout
Vin
Vout
Time (100 µs/div)
同相配置
Time (10 µs/div)
反相配置
图7-31. 小信号阶跃响应
图7-32. 大信号阶跃响应
Vin
Vout
Falling
Rising
0.01% Settling
Time (10 µs/div)
同相配置
Time (1 µs/div)
图7-33. 大信号阶跃响应
图7-34. 建立时间
100
90
80
70
60
50
40
40
35
30
25
20
15
10
5
Sinking
Sourcing
Vs = ê18 V
Vs = ê2.25 V
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
1
10
100
1k 10k
Frequency (Hz)
100k
1M
10M
Temperature (èC)
图7-35. 短路电流与温度间的关系
图7-36. 最大输出电压与频率间的关系
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7.8 典型特性(continued)
TA = 25°C,VS = ±18V,VCM = VS/2,RLOAD = 10kΩ连接至VS/2,且CL = 100pF(除非另外说明)
140
130
120
110
100
90
0
-20
-40
-60
80
-80
70
-100
-120
-140
-160
60
50
40
30
20
10M
100M
Frequency (Hz)
1G
5G
100
1k
10k 100k
Frequency (Hz)
1M
10M
图7-37. EMIRR 与频率之间的关系
图7-38. 通道分离
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8 详细说明
8.1 概述
OPAx182 系列运算放大器兼具精密的温漂与出色的总体性能,使这些器件成为许多精密应用的理想选择。仅
0.005µV/°C 的精密温漂可在整个温度范围内提供稳定性。此外,这些器件还提供出色的线性性能(具有高
CMRR、PSRR 和 AOL)。与所有放大器一样,具有嘈杂或者高阻抗电源的应用需要放置在靠近器件引脚的去耦
合电容器。在大多数情况下,0.1µF 电容器已足够满足需求。有关详细信息和布局示例,请参阅布局指南部分。
OPAx182 是支持多路复用器的零漂移轨到轨输出运算放大器。这些器件的工作电压范围为 4.5V 至 36V,具有单
位增益稳定特性,是各种通用和精密应用的理想选择。零漂移架构提供超低输入失调电压,并且随温度变化和时
间推移实现接近于零的输入失调电压漂移。该架构选项还提供出色的交流性能,如超低宽带噪声、零闪烁噪声和
在斩波频率以下运行时优秀的失真性能。
8.2 功能方框图
功能框图显示了专有OPAx182 架构的表示形式。
Slew Boost
Circuitry
CCOMP
CLK
CLK
+IN
36-V Differential
Front End
OUT
œIN
GM1
GM2
GM3
CCOMP
Ripple Reduction
Technology
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8.3 特性说明
OPAx182 运算放大器具有多项集成功能,有助于在所有工作条件下保持高精度。这些功能包括相位反转保护、输
入偏置电流时钟馈通和支持多路复用器的输入。
8.3.1 相位反转保护
OPAx182 具有内部相位反转保护功能。当输入驱动超出线性共模范围时,许多运算放大器会发生相位反转。这是
同相电路中输入驱动超出额定共模电压范围时的最常见的现象,会导致输出反向进入相对的电源轨。OPAx182 输
入采用过大的共模电压来防止相位反转。或者,输出被限制至适当的电源轨。图8-1 显示了这个特性。
Vout (V)
Vin (V)
Time (1 ms/div)
C017
图8-1. 无相位反转
8.3.2 输入偏置电流时钟馈通
零漂移放大器(如 OPAx182)在输入端使用开关来校正放大器的固有失调和漂移。来自输入端集成开关的电荷注
入可能会在放大器的输入偏置电流中引入短时瞬态。这些脉冲极短的持续时间可以防止放大,但是这些脉冲可通
过反馈网络与放大器的输出进行耦合。要防止输入偏置电流中的瞬态在放大器的输入端产生额外噪声,最有效方
法是使用低通滤波器(如RC 网络)。
8.3.3 EMI 抑制
OPAx182 通过集成电磁干扰 (EMI) 滤波降低无线通信设备、混合使用模拟信号链和数字元件的高密度电路板等干
扰源产生的 EMI 效应。利用电路设计技术可以提高 EMI 抗扰度;OPAx182 从这些设计改进中受益。德州仪器
(TI) 已经开发出在 10MHz 至 6GHz 宽频谱范围内准确测量和量化运算放大器抗扰度的功能。图 8-2 显示了对
OPAx182 执行此测试的结果。表 8-1 列出了 OPAx182 在实际应用中常见特定频率下的 EMIRR IN+ 值。表 8-1
列出的应用可在下图给出的特定频率或其近似频率下运行。有关详细信息也可参阅运算放大器的 EMI 抑制比 应用
报告,可从www.ti.com 下载此报告。
电磁干扰(EMI) 抑制比(EMIRR) 可用来描述运算放大器的EMI 抗扰性。对许多运算放大器来说,射频信号整流会
导致失调电压变化这一常见不利影响。如果一个运算放大器能更有效地抑制由 EMI 引起的失调电压变化,则需要
该放大器会具有较高的 EMIRR(其大小通过分贝值来量化)。测量 EMIRR 的方法有很多种,但本节提供的是
EMIRR +IN,它专门描述了当射频信号施加到运算放大器的同相输入引脚时的 EMIRR 性能。一般来说,出于以
下三个原因,仅对同相输入进行EMIRR 测试:
• 众所周知,运算放大器输入引脚对EMI 最为敏感,通常比电源引脚或输出引脚能更好地校正射频信号。
• 同相和反相运算放大器输入具有对称的物理布局,并表现出近乎匹配的EMIRR 性能。
• 在同相引脚上测量EMIRR 比在其他引脚上测量更简单,因为在PCB 上可以隔离同相输入端子。这种隔离使得
射频信号可以直接施加到同相输入端子上,而不会与其他组件或连接性PCB 走线之间发生复杂的相互作用。
传导或辐射到任何运算放大器引脚的高频信号都可能导致不利影响,因为放大器环路增益不足,无法校正频谱含
量超出带宽的信号。在输入端、电源或输出端上传导或辐射的 EMI 可能会导致意想不到的直流偏置、瞬态电压或
其他未知的行为。应小心地将敏感的模拟节点与具有噪声的无线电信号以及数字时钟和接口隔离开来。
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OPAx182 的 EMIRR +IN 与频率间的关系图如图 8-2 所示。任何双路和四路运算放大器器件版本(如果可用)具
有几乎相似的EMIRR +IN 性能。OPAx182 增益带宽为5MHz。低于该频率的EMIRR 性能表示存在位于运算放大
器带宽内的干扰信号。
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10M
100M
Frequency (Hz)
1G
5G
图8-2. EMIRR 测试
表8-1. OPAx182 在目标频率下的EMIRR IN+
应用和分配
EMIRR IN+
频率
400MHz
44.9dB
移动无线广播、移动卫星、太空操作、气象、雷达、超高频(UHF) 应用
全球移动通信系统(GSM) 应用、无线电通信、导航、GPS(最高可达1.6GHz)、
GSM、航空移动通信及UHF 应用
900MHz
1.8GHz
2.4GHz
3.6GHz
5GHz
48.4dB
81.7dB
87.9dB
137.2dB
99.2dB
GSM 应用、个人移动通信、宽带、卫星和L 波段(1GHz 至2GHz)
802.11b、802.11g、802.11n、蓝牙®、个人移动通信、工业、科学和医疗(ISM) 无
线频段、业余无线电通信和卫星、S 波段(2GHz 至4GHz)
无线电定位、航空通信和导航、卫星、移动通信、S 波段
802.11a、802.11n、航空通信和导航、移动通信、太空和卫星操作、C 波段(4GHz
至8GHz)
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8.3.4 电气过应力
设计人员经常会问到关于运算放大器耐受电气过应力的问题。这些问题侧重于器件输入,同时也会涉及电源引脚
甚至输出引脚。这些不同的引脚功能均具有由独特的半导体制造工艺和连接到引脚的特定电路确定的电气过应力
限值。此外,这些电路均内置内部静电放电 (ESD) 保护功能,可在产品组装之前和组装过程中保护电路不受意外
ESD 事件的影响。
能够充分了解该基本 ESD 电路以及与电气过载事件的关联性会有所帮助。请参阅图 8-3,了解 OPAx182 中包含
的 ESD 电路的图示(用虚线区域指示)。ESD 保护电路涉及多个电流驱动二极管。这些二极管从输入和输出引
脚方向连接回内部供电线路,并且均连接到运算放大器的内部吸收器件。该保护电路在电路正常工作时处于未激
活状态。
ESD 事件可产生短时高电压脉冲,随后在通过半导体器件放电时转换为短时高电流脉冲。ESD 保护电路设计在运
算放大器核心周围,旨在为其提供电流路径,以防止造成损坏。保护电路吸收的能量将以热量形式耗散。
当ESD 电压作用于两个或多个放大器引脚时,电流将流经一个或多个驱动二极管。根据电流所选路径,该路径上
的吸收器件可能激活。吸收器件具有触发或阈值电压,该电压高于OPAx182 的正常工作电压,但低于器件击穿电
压。超出该阈值后,吸收器件会迅速激活并将电源轨上的电压钳制在安全的水平。
当运算放大器接入某个电路(如图 8-3 中所示)时,ESD 保护元件将保持未激活状态,并且不会介入应用电路的
运行。不过,如果施加的电压超出指定引脚的工作电压范围,可能会引起一些问题。如果出现这种情况,则存在
部分内部 ESD 保护电路可能被偏置并传导电流的风险。任何此类电流都将流经导流二极管路径,但很少涉及吸收
器件。
图8-3 给出了一个具体示例,其中输入电压 (VIN) 高于正电源电压 (V+) 500mV 甚至更多。电路中将发生的大多数
情况取决于电源特性。如果V+ 能够灌入电流,那么上面的一个输入导流二极管就会导通,并将电流传导至+VS。
越来越高的VIN 会带来过高的电流。因此,数据表规范建议将应用的输入电流限制为10mA。
如果电源无法吸收电流,VIN 会开始将电流拉至运算放大器,然后作为正电源电压源进行接管。这种情况比较危
险,因为该电压可能会超出运算放大器的绝对最大额定值。
另一个常见问题是,如果在电源V+ 或V–为0V 时向输入端施加输入信号,放大器如何响应。同样,这个问题取
决于电源在0V 或低于输入信号幅度时的特性。如果电源呈现高阻抗状态,则运算放大器电源电流可由输入源通过
导流二极管进行提供。但该状态并非正常偏置条件,放大器极有可能无法正常工作。如果电源表现为低阻态,则
通过钳位二极管的电流将变得非常大。电流水平取决于输入源的供电能力以及输入路径中的所有电阻。
如果不确定电源对该电流的吸收能力,则必须在电源引脚处添加外部齐纳二极管,如图 8-3 中所示。必须正确选
择齐纳电压,以便二极管不会在正常工作期间导通。不过,齐纳电压必须足够低,以便齐纳二极管在电源引脚电
压上升至超过安全工作电源电压水平时导通。
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TVS(2)
RF
V+
RI
ESD Current-
Steering Diodes
-IN
(3)
OUT
Op Amp
Core
RS
+IN
Edge-Triggered ESD
Absorption Circuit
RL
ID
(1)
VIN
Vœ
TVS(2)
(1) VIN = V+ + 500mV。
(2) TVS:40V > VTVSBR (min) > V+,其中VTVSBR (min) 是瞬态电压抑制器击穿电压的最小额定值。
(3) 过压条件下的建议值为约5kΩ。
图8-3. 与典型电路应用相关的等效内部ESD 电路
8.3.5 支持多路复用器的输入
OPAx182 采用专有的输入级设计,允许在保持高输入阻抗的同时施加输入差分电压。通常情况下,高电压CMOS
或双极结输入放大器具有反向并联二极管,可保护输入晶体管以承受可能超过半导体工艺最大值的高 VGS 电压,
并防止损坏器件。当施加较大的输入阶跃、在通道之间切换或试图使用放大器作为比较器时,可以强制实施高
VGS 电压。有关详细信息,请参阅支持多路复用器的精密运算放大器应用简报。
OPAx182 通过开关输入技术解决了这些问题,该技术可防止在施加较大的差分电压时出现较大的输入偏置电流。
这种输入架构解决了开关或多路复用应用中出现的许多问题,其中 RC 滤波网络的较大中断是由较高电势之间的
快速切换引起的。借助这些设计创新以及内置的压摆率提升和宽带宽,OPAx182 可提供出色的趋稳性能。
OPAx182 也可以用作比较器。差分和共模绝对最大额定值仍然适用(相对于电源)。
8.4 器件功能模式
OPAx182 具有单一功能模式,可在电源电压大于4.5V (±2.25V) 时工作。最大电源电压为36V (±18V)。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围,TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计,以确保系统功能。
9.1 应用信息
OPAx182 运算放大器兼具精密的温漂与出色的总体性能,使这些器件成为许多精密应用的理想选择。仅
0.005µV/°C 的精密温漂可在整个温度范围内提供稳定性。此外,该器件还集出色的 CMRR、PSRR 和 AOL 直流
性能与出色的低噪声运行于一体。与所有放大器一样,具有嘈杂或者高阻抗电源的应用需要放置在靠近器件引脚
的去耦合电容器。在大多数情况下,0.1µF 电容器已足够满足需求。
以下应用示例仅重点介绍了几个可以使用OPAx182 的电路。
9.2 典型应用
9.2.1 应变仪模拟线性化
3.4 Mꢀ
18 V
18 V
10 kꢀ
10 kꢀ
Vexc
5 V
œ
OPA2182
Vout
œ
OPA2182
Strain Gauge
+
+
œ18 V
œ18 V
图9-1. 使用OPA2182 的桥式传感器模拟线性化
9.2.1.1 设计要求
应变仪用于通过在惠斯通电桥配置中使用电阻来测量由于外力引起的变化。惠斯通电桥用于精确测量低至 mΩ 范
围内的极低电阻值。对电桥施加激励电压,测量电桥中间的输出电压。输出电压的总变化相对较小,通常在 mV
范围内。因此,运算放大器用于放大信号。OPA2182 专为实现精密放大而设计。
本设计示例使用以下参数:
• 使用运算放大器线性输出运行范围,通常在AOL 测试条件下指定该范围。共模电压等于共模信号。
• 使用不会给系统增加明显噪声的运算放大器,否则惠斯通电桥的小输出电压将会丢失。
• 由于必须获得输入信号,因此,使用具有低输入失调电压(VOS) 的运算放大器
• 由于必须获得输入信号,因此,使用具有足够开环增益的运算放大器来提供所需的放大
9.2.1.2 详细设计过程
电桥传感器信号流模型如图9-2 中所示。
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图9-2. 电桥传感器信号流模型
电桥传感器被建模为乘法器,来自励磁电压和压力传感器的输入产生输出电压,该输出电压在公式1 中给出:
Vbridge(P,Vexc ) = Vexc ìKp(P)
(1)
Kp 是电桥传感器的灵敏度,通常以 mV/V 为单位指定。P 表示相对于传感器范围的压力,标准化为 0 到 1 的范
围。使用信号流模型中给定的变量求解此方程,并求解Vout,得到公式2:
VOS + V ì GìKp(P)
ref
Vout (P) =
1- GìKlin ìKp(P)
(2)
此公式有三个变量,VOS、G 和 Klin,需要三个公式来求解。要求解这些公式,需要传感器在空载、中量程和满载
条件下的Kp 值。使用这些值,系统可以线性化。
使用已知的Kp 值,Klin 的计算如公式3 所示:
4ìBv ì V
ref
Klin
=
(Vout _high - Vout _low ) - 2ìBv ì(Vout _high + Vout _low
)
(3)
(4)
在此公式中,Bv 表示电桥非线性,其计算方法如公式4 所示:
Kp(1) + Kp(0)
Kp(0.5) -
2
Bv =
Kp(1) - Kp(0)
Bv 根据传感器规格求解,然后使用该公式求解Klin。接下来,使用公式5 和公式6 计算系统增益。
VOS + V ì GìKp(1)
ref
Vout _high
=
1- GìKlin ìKp(1)
(5)
(6)
VOS + V ì GìKp(0)
ref
Vout _high
=
1- GìKlin ìKp(0)
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求解两个公式中的VOS,并将结果合并到公式7 中。
Vout _high(1- GìKlin ìKp(1)) - V ìGìKp(1) = Vout _low(1- GìKlin ìKp(0)) - V ìGìKp(0)
ref
ref
(7)
求解G 给出了公式8。
Vout _high - Vout _low
G =
Kp(1)ì(Klin ì Vout _high + Vref ) -Kp(0)ì(Klin ì Vout _low + V
)
ref
(8)
(9)
现在计算Klin 和G 后,VOS 的求解如公式9 所示。
VOS = Vout _low (1- GìKlin ìKp(0)) - V ìGìKp(0)
ref
对于 KP 为 0.0003mV/V 的传感器,在空载、0.0017mV/V 中量程和 0.00289mV/V 时,相应的非线性约为 4%。
求解Klin、G 和VOS 给出如表9-1 中所示的值。
表9-1. 电桥计算示例
Klin
G
0.173913
323.8178
-0.48573
VOS
9.2.1.3 应用曲线
使用之前使用的相同 KP 值,电桥非线性模拟为 4% 峰值,输出在 0V 至 5V 范围内呈线性,校正后的系统非线性
约为±0.1%。
4
3.5
3
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
2.5
2
1.5
1
1.5
1
0.5
0
0.5
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Linearized Bridge Pressure
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Linearized Bridge Pressure
1
图9-3. 电桥非线性
图9-4. 电桥输出
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
-0.02
-0.04
-0.06
-0.08
-0.1
-0.12
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Linearized Bridge Pressure
1
图9-5. 系统非线性
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9.2.2 罗氏线圈积分器
图9-6 显示了 OPA2182,其被配置为用于罗氏线圈的有源积分器、电平移位器和精确电压参考缓冲器,用于以高
精度间接测量保护继电器的电流。此设计有两条主要信号路径:第一条路径用于精确测量流过罗氏线圈的电流,
第二条高速路径用于检测快速瞬变,例如短路。OPA2182 因其较低的失调电压 (0.45µV) 和温漂 (0.003µV/°C) 而
被选择用于此应用,可更大限度地降低校准要求,并在整个温度范围内保持更高的精度。该器件还具有在包括直
流在内的宽频率范围内的平坦噪声,这提高了来自罗氏线圈的宽输入电流范围内的精度和可重复性。有关此设计
的更多信息,请参阅适用于继电器和断路器的具有更高精度的罗氏线圈有源积分器参考设计。
2.5 V
LDO
(LP2951ACSD/NOPB)
5-V
DC
supply
input
V
+
ÞVE_UNREG
Þ2.5 V
5 V
Charge pump
(TPS60403DBV)
LDO
(TPS72325DBVT)
V
Þ
GND
V+
VÞ
2.5 V
Þ2.5 V
Precision measurement
Level shifter (OPA2182)
Amplifier (OPA2182)
Active integrator (OPA2182)
Precision
measurement
output
RF
R
1
RF
RF
R
1
Rogowski
coil
output
Þ
C
Þ
RI
R
2
+V
Þ
RI
+V
+
+
R
3
+V
+
2.5 V
Þ2.5 V
V+
VÞ
Fast settling
Level shifter (OPA2182)
Active integrator (OPA2182)
Amplifier (OPA2182)
RF
R
1
RF
C
Fast settling
output
RF
R
1
Þ
Þ
RI
R
2
+V
Þ
RI
+
+V
R
3
+
+V
+
5 V
GND
Jumper
selection
Buffer (OPA2182)
GND
Voltage reference
(LM4040AIM3-2.5/NOPB)
REF_2.5 V
Þ
+V
+
TIDA-00777
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图9-6. 可编程电源
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9.2.3 系统示例
9.2.3.1 24 位Δ-Σ差分称重传感器或应变仪传感器信号调节
OPA2182 与ADS1225 一起用于 24 位差分称重传感器或应变仪传感器信号调节系统中。OPA2182 放大器采用双
放大器仪表放大器 (IA) 配置,并具有带限功能以降低噪声并实现高电容驱动。称重传感器由 5V 的激励电压(表
示为VEX)供电,并提供与施力成比例的差分电压。该差分电压可能非常小,并且两个输出都偏置到VEX / 2。
本示例中采用 OPA2182 的原因是其具有出色的输入失调电压 (0.45µV) 和输入失调电压漂移 (0.003µV/°C)、低宽
带噪声(5.7nV/√Hz) 和零闪烁噪声,以及出色的线性度和高输入阻抗。双放大器IA 配置消除了直流偏置并放大了
目标差分信号,而且能驱动 24 位 Δ-Σ ADS1225 模数转换器 (ADC) 进行采集和转换。ADS1225 具有 100SPS
数据速率、单周期趋稳能力,以及使用专用START 引脚进行简单转换控制的功能。
t ® RF
G = 1 +
RG
GND
GND
GND
GND
+
OPAx182
+5 V
+3 V
AVDD
VREFN
VREFP
œ
RTRACE
RTRACE
+15 V
C1
10 µF
DVDD
RF
10 kꢀ
DVDD
R1
1 kꢀ
START
SCLK
+OUT
+SENSE
œSENSE
AINP1
CF
1 µF
DRDY / DOUT
MSP430xxx
or other host
+5 V
RG
50 ꢀ
C2
1 µF
ADS1225
CF
1 µF
R2
1 kꢀ
+3 V
+
Load Cell
MODE
BUFEN
TEMPEN
GND
VEX
AINN1
œ
œOUT
RF
10 kꢀ
GND
GND
C3
10 µF
+15 V
œ
GND
GND
OPAx182
+
GND
图9-7. 24 位差分称重传感器或应变仪传感器信号调节原理图
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9.2.4 可编程电源
图 9-6 显示了配置为使用 16 位电压输出 DAC8581 和 OPA548 高电流放大器的精密可编程电源的 OPAx182。该
应用将数模转换器 (DAC) 电压放大五倍,并处理多种容性负载和电流负载。前端中的 OPAx182 在各种输入和条
件下提供高精度并实现低漂移。请点击以下链接来下载TINA-TI™ 软件文件:可编程电源电路。
C1
500 nF
R1
10 kꢀ
R4
40 kꢀ
R2
1 kꢀ
GND
C2
500 nF
+30V
+15V
œ
R3
10 kꢀ
OPA548
VOUT
œ
OPAx182
+
Output = 25V
DAC8581
+
œ30V
œ15V
Input = 5V
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图9-8. 可编程电源
9.2.5 具有线性化功能的RTD 放大器
有关 图 9-9 的深入分析,请参阅电阻式温度检测器的模拟线性化 模拟设计期刊。请点击以下链接来下载 TINA-TI
™ 软件文件:具有线性化功能的RTD 放大器。
15 V
(5 V)
Out
In
REF5050
1 µF
1 µF
R2
49.1 kΩ
R3
60.4 kΩ
R1
4.99 kΩ
0°C = 0 V
VOUT
OPAx182
200°C = 5 V
R5
105.8 kΩ(1)
RTD
Pt100
R4
1 kΩ
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(1) R5 提供正变化激励以使输出线性化。
图9-9. 具有线性化功能的RTD 放大器
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9.3 电源相关建议
OPAx182 的额定工作电压为 4.5V 至 36V(±2.25V 至 ±18V);多种规格适用于 –40°C 至 +125°C 的温度范
围。典型特性介绍了可能会随工作电压或温度而显著变化的参数。
CAUTION
电源电压大于40V 可能对器件造成永久损坏(请参阅绝对最大额定值)。
将0.1μF 旁路电容器置于电源引脚附近,可减少从高噪声电源或
高阻抗电源中耦合进来的误差。有关旁路电容器位置的更多详细信息,请参阅布局部分。
9.4 布局
9.4.1 布局指南
为了实现器件的最佳工作性能,应使用良好的PCB 布局实践,包括:
• 噪声可通过全部电路电源引脚及运算放大器本身传入模拟电路。旁路电容器通过提供模拟电路的本地低阻抗电
源来减少耦合噪声。
– 在每个电源引脚和接地端之间连接低ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器,放置位置尽量靠近器件。针对单电源应
用,V+ 与接地端之间可以接入单个旁路电容器。
• 将电路中模拟和数字部分单独接地是最简单和最有效的噪声抑制方法之一。多层PCB 上的一层或多层通常专
门用于作为接地平面。接地层有助于散热和减少电磁干扰(EMI) 噪声拾取。确保对数字接地和模拟接地进行物
理隔离,同时应注意接地电流的流动。有关更多详细信息,请参阅PCB 是一个运算放大器设计的组件。
• 为了减少寄生耦合,请让输入走线尽可能远离电源走线或输出走线。如果这些走线不能保持分离,则敏感走线
与有噪声走线垂直相交比平行更好。
• 外部组件的位置应尽量靠近器件。如图9-10 所示,使RF 和RG 靠近反相输入,以更大限度地减小寄生电
容。
• 尽可能缩短输入走线。切记:输入走线是电路中最敏感的部分。
• 考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。保护环可显著减少附近走线在不同电势下产生的漏电流。
• 在电路板组装后清洁PCB。
• 任何精密集成电路都可能因湿气渗入塑料封装中而出现性能变化。在执行任何PCB 水清洁流程之后,将PCB
组件烘干,以去除清洁时渗入器件封装中的湿气。大多数情形下,清洗后在85°C 下低温烘干30 分钟即可。
要获得最低失调电压,请避免在因连接不均质导体形成的热电偶结中产生热电(塞贝克)效应的温度梯度。
• 使用低热电系数条件(避免异种金属)。
• 将组件与电源或其他热源进行热隔离。
• 将运算放大器和输入电路与气流(如冷却风扇气流)隔离。
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9.4.2 布局示例
Place bypass
capacitors as close to
device as possible
(avoid use of vias)
Use ground pours for
shielding the input
signal pairs
GND
C3
C4
+V
R3
C3
C4
R3
INœ
+V
1
NC
œIN
+IN
Vœ
NC
V+
8
7
6
5
1
2
3
4
NC
œIN
+IN
Vœ
NC
V+
8
7
6
5
R1
R2
R1
2
3
4
INœ
œ
OUT
IN+
OUT
NC
OUT
OUT
NC
+
R2
-V
C1
C2
IN+
R4
GND
R4
-V
Place components
C1
C2
Use a low-
ESR,ceramic bypass
capacitor
close to device and to
each other to reduce
parasitic errors
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图9-10. 差分放大器配置的运算放大器电路板布局
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10 器件和文档支持
10.1 器件支持
10.1.1 开发支持
10.1.1.1 PSpice® for TI
PSpice® for TI 是可帮助评估模拟电路性能的设计和仿真环境。在进行布局和制造之前创建子系统设计和原型解决
方案,可降低开发成本并缩短上市时间。
10.1.1.2 TINA-TI™ 仿真软件(免费下载)
TINA-TI™ 仿真软件是一款简单易用、功能强大且基于 SPICE 引擎的电路仿真程序。TINA-TI 仿真软件是 TINA™
软件的一款免费全功能版本,除了一系列无源和有源模型外,此版本软件还预先载入了一个宏模型库。TINA-TI 仿
真软件提供所有传统的SPICE 直流、瞬态和频域分析,以及其他设计功能。
TINA-TI 仿真软件提供全面的后处理能力,便于用户以多种方式获得结果,用户可从设计工具和仿真网页免费下
载。虚拟仪器提供选择输入波形和探测电路节点、电压以及波形的能力,从而构建一个动态的快速启动工具。
备注
必须安装 TINA 软件或者 TINA-TI 软件后才能使用这些文件。请从 TINA-TI™ 软件文件夹中下载免费的
TINA-TI 仿真软件。
10.1.1.3 TI 参考设计
TI 参考设计是由TI 的精密模拟应用专家创建的模拟解决方案。TI 参考设计提供了许多实用电路的工作原理、组件
选择、仿真、完整印刷电路板 (PCB) 电路原理图和布局布线、物料清单以及性能测量结果。TI 参考设计可在线获
取,网址为https://www.ti.com/reference-designs。
10.2 文档支持
10.2.1 相关文档
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• 德州仪器(TI),PCB 是一个运算放大器设计的组件技术简介
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• 德州仪器(TI),在全差分有源滤波器中使用无限增益、MFB 滤波器拓扑技术简介
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• 德州仪器(TI),调优放大器应用简报
• 德州仪器(TI),无铅组件涂层的货架期评估应用报告
• 德州仪器(TI),反馈曲线图定义运算放大器交流性能应用简报
• 德州仪器(TI),运算放大器的EMI 抑制比应用报告
• 德州仪器(TI),电阻式温度检测器的模拟线性化技术简介
• 德州仪器(TI),TI 精密设计TIPD102 高侧电压-电流(V-I) 转换器参考指南
10.3 接收文档更新通知
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改摘要。有关更改的详细信息,请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
10.4 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料,可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
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Product Folder Links: OPA182 OPA2182 OPA4182
OPA182, OPA2182, OPA4182
ZHCSKN0E –NOVEMBER 2019 –REVISED AUGUST 2022
www.ti.com.cn
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范,并且不一定反映 TI 的观点;请参阅
TI 的《使用条款》。
10.5 商标
TINA-TI™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.
TINA™ is a trademark of DesignSoft, Inc.
蓝牙® is a registered trademark of Bluetooth SIG, Inc.
PSpice® is a registered trademark of Cadence Design Systems, Inc.
所有商标均为其各自所有者的财产。
10.6 Electrostatic Discharge Caution
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled
with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
ESD damage can range from subtle performance degradation to complete device failure. Precision integrated circuits may
be more susceptible to damage because very small parametric changes could cause the device not to meet its published
specifications.
10.7 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
11 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更,恕不另行通知,且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本,请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
OPA182IDBVR
OPA182IDBVT
OPA182IDR
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SOT-23
SOIC
DBV
DBV
D
5
5
3000 RoHS & Green
250 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
SN
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
2RXQ
2RXQ
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
SN
8
OP182
OP182
OP2182
26RQ
OPA182IDT
SOIC
D
8
250
75
RoHS & Green
RoHS & Green
OPA2182ID
SOIC
D
8
OPA2182IDGKR
OPA2182IDGKT
OPA2182IDR
OPA4182IDR
OPA4182IDT
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
8
2500 RoHS & Green
250 RoHS & Green
8
26RQ
8
2500 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
OP2182
OP4182
OP4182
SOIC
D
14
14
SOIC
D
250
RoHS & Green
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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28-Nov-2022
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
OPA182IDBVR
OPA182IDBVT
OPA182IDR
SOT-23
SOT-23
SOIC
DBV
DBV
D
5
5
3000
250
178.0
178.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
330.0
9.0
3.3
3.3
6.4
6.4
5.3
5.3
6.4
6.5
6.5
3.2
3.2
5.2
5.2
3.4
3.4
5.2
9.5
9.5
1.4
1.4
2.1
2.1
1.4
1.4
2.1
2.3
2.3
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
9.0
8.0
8
3000
250
12.4
12.4
12.4
12.4
12.8
16.4
16.4
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
16.0
16.0
OPA182IDT
SOIC
D
8
OPA2182IDGKR
OPA2182IDGKT
OPA2182IDR
OPA4182IDR
OPA4182IDT
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
8
2500
250
8
8
2500
3000
250
SOIC
D
14
14
SOIC
D
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
28-Nov-2022
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
OPA182IDBVR
OPA182IDBVT
OPA182IDR
SOT-23
SOT-23
SOIC
DBV
DBV
D
5
5
3000
250
190.0
190.0
366.0
366.0
366.0
366.0
366.0
366.0
366.0
190.0
190.0
364.0
364.0
364.0
364.0
364.0
364.0
364.0
30.0
30.0
50.0
50.0
50.0
50.0
50.0
50.0
50.0
8
3000
250
OPA182IDT
SOIC
D
8
OPA2182IDGKR
OPA2182IDGKT
OPA2182IDR
OPA4182IDR
OPA4182IDT
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
8
2500
250
8
8
2500
3000
250
SOIC
D
14
14
SOIC
D
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
28-Nov-2022
TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
SOIC
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
OPA2182ID
D
8
75
509
7.9
3800
2.81
Pack Materials-Page 3
PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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邮寄地址:Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号:
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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