OPA828IDR [TI]
高速（45MHz 和 150V/μs）、36V、低噪声 (4nV/√Hz) RRO JFET 运算放大器 | D | 8 | -40 to 125;
| 型号： | OPA828IDR |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 高速（45MHz 和 150V/μs）、36V、低噪声 (4nV/√Hz) RRO JFET 运算放大器 | D | 8 | -40 to 125 放大器 光电二极管 运算放大器 |
| 文件： | 总47页 (文件大小：3441K) |
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OPA828, OPA2828
ZHCSIQ4D –SEPTEMBER 2018 –REVISED DECEMBER 2022
OPAx828 低失调电压、低温漂、低噪声、45MHz、36V JFET 输入
运算放大器
1 特性
3 说明
• 低输入电压噪声密度：
1 kHz 时为4nV/√Hz
• 输入电压噪声：
0.1Hz 至10Hz：60nVRMS
• 低输入偏置电流：
– 0.1pA (DGN)
OPA828 和 OPA2828 (OPAx828) JFET 输入运算放大
器是 OPA627 和 OPA827 的下一代产品，兼具高速
度、高直流精度和高交流性能。这些运算放大器可提供
低失调电压、低温漂、低偏置电流和低噪声，噪声仅为
60nVRMS 0.1Hz 至 10Hz。OPAx828 在 ±4V 至 ±18V
的宽电源电压范围内工作， 每通道电源电流仅为
5.5mA（典型值）。
– 1pA (D)
• 输入失调电压：
– 25μV (DGN)
– 50μV (D)
• 输入温漂：
凭借各种交流特性， 包括 45MHz 增益带宽积
(GBW) 、150V/μs 的压摆率和精密直流特性，
OPAx828 系列非常适合用于各种系统，其中包括高速
和高分辨率数据采集系统（例如 16 位和 18 位混合信
号系统）、跨阻（I/V 转换）放大器、滤波器、精密
±10V 前端和高阻抗传感器接口应用。
– 0.2μV/°C (DGN)
– 0.45μV/°C (D)
• 多路复用器友好型输入
• 增益带宽：45MHz
• 压摆率：150 V/μs
• 14 位稳定时间：120ns
• 过载功率限制器
OPAx828 采用 8 引脚 SOIC 封装和热增强型 8 引脚
HVSSOP PowerPAD™ 集成电路封装。
器件信息
封装(1)
器件型号
通道
• 宽电源电压范围：±4V 至±18V
• 封装：
D（SOIC，8）
OPA828
单通道
双通道
DGN（HVSSOP，
8）
– D 封装：8 引脚SOIC
– DGN 封装：8 引脚HVSSOP
DGN（HVSSOP，
8）
OPA2828
2 应用
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• 数据采集(DAQ)
• 光学模块
• 实验室和现场仪表
• 混合模块（AI、AO、DI、DO）
• 超声波扫描仪
160
140
120
100
80
200
160
120
80
Open Loop Gain
Phase
40
60
0
40
-40
-80
-120
-160
-200
20
0
-20
-40
100m
1
10
100
1k 10k 100k 1M 10M 100M
Frequency (Hz)
开环增益和相位与频率间的关系
失调电压漂移
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
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English Data Sheet: SBOS671
OPA828, OPA2828
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 4
6.4 热性能信息..................................................................4
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 典型特性......................................................................7
7 详细说明.......................................................................... 16
7.1 概述...........................................................................16
7.2 功能方框图................................................................16
7.3 特性说明....................................................................17
7.4 器件功能模式............................................................ 26
8 应用和实施.......................................................................27
8.1 应用信息....................................................................27
8.2 典型应用....................................................................27
8.3 电源相关建议............................................................ 29
8.4 布局...........................................................................30
9 器件和文档支持............................................................... 34
9.1 器件支持....................................................................34
9.2 文档支持....................................................................34
9.3 接收文档更新通知..................................................... 34
9.4 支持资源....................................................................34
9.5 商标...........................................................................34
9.6 静电放电警告............................................................ 34
9.7 术语表....................................................................... 34
10 机械、封装和可订购信息...............................................34
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (December 2018) to Revision D (December 2022)
Page
• 将采用DGN 封装的OPA828 和OPA2828 从预发布更改为量产数据，并增加了相关内容................................1
Changes from Revision B (December 2018) to Revision C (October 2022)
Page
• 向数据表添加了采用DGN（HVSSOP，8）预发布封装的OPA828 和OPA2828 以及相关内容....................... 1
• 在建议运行条件中的“环境温度”行内添加了TA 符号......................................................................................4
• 在建议运行条件中添加了表注............................................................................................................................4
• 从电气特性中删除了VS，与建议运行条件下列出的数据相同...........................................................................5
• 从电气特性中删除了TA，与建议运行条件下列出的数据相同...........................................................................5
• 将章节标题从容性负载和稳定性更改为噪声性能............................................................................................ 21
• 添加了缺失的公式2..........................................................................................................................................21
• 添加了PowerPAD 设计注意事项（仅限DGN 封装） 部分.............................................................................. 32
Changes from Revision A (November 2018) to Revision B (December 2018)
Page
• 首次发布量产数据数据表.................................................................................................................................... 1
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5 引脚配置和功能
NC
–IN
+IN
V–
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V+
–
+
OUT
NC
Not to scale
图5-1. OPA828 D 封装8 引脚SOIC 和DGN 封装8 引脚HVSSOP（顶视图）
表5-1. 引脚功能：OPA828
名称
–IN
+IN
NC
编号
类型
输入
输入
—
说明
2
负（反相）输入
正（同相）输入
无内部连接（可以悬空或接地）
输出
3
1、5、8
OUT
V+
6
7
4
输出
—
正（最高）电源
负电源（最低）
V–
—
封装底部的外露导热焊盘。将散热焊盘焊接到散热电源或接地平面。尽管与芯片电气隔离(>10MΩ)，
但是将散热焊盘连接到V− 或接地端可以更大程度减少到输入引脚的漏电流
散热焊盘(1)
—
—
(1) 仅限DGN 封装。
OUT A
œIN A
+IN A
Vœ
1
2
3
4
8
7
6
5
V+
OUT B
œIN B
+IN B
Not to scale
图5-2. OPA2828 DGN 封装8 引脚HVSSOP（顶视图）
表5-2. 引脚功能：OPA2828
名称
编号
类型
输入
输入
输入
输入
输出
输出
—
说明
2
–IN A
+IN A
负（反相）输入A
正（同相）输入A
负（反相）输入B
正（同相）输入B
输出A
3
6
5
1
7
8
4
–IN B
+IN B
OUT A
OUT B
V+
输出B
正（最高）电源
负电源（最低）
V–
—
封装底部的外露导热焊盘。将散热焊盘焊接到散热电源或接地平面。尽管与芯片电气隔离(>10MΩ)，
但是将散热焊盘连接到V− 或接地端可以更大程度减少到输入引脚的漏电流
散热焊盘(1)
—
—
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
单位
40
±20
单电源
VS
V
电源电压，(V+) –(V–)
双电源
共模(3)
差分(2)
(V–) –0.5
(V+) + 0.5
V
电压
(V+) –(V–)
信号输入引脚
电流(3)
±10
mA
输出短路电流(4)
散热焊盘电压（DGN 封装）
结温(5)
持续
V
(V–) –1
-55
(V–) + 30
150
TJ
°C
Tstg
150
–65
贮存温度
(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些仅仅是应力额定值，并不表示器件在这些条件下以及在建议运行
额定值以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间处于绝对最大额定条件下可能会影响器件的可靠性。
(2) 输入端子不会通过反向并联二极管相互钳制。JFET 输入级支持高达器件电源电压的大差分电压值。
(3) 输入端子被二极管钳制至电源轨。对于摆幅能超过电源轨0.5V 的输入信号，应将其电流限制在10mA 或者更低。
(4) 接地短路，每个封装一个放大器。
(5) 有关器件环境温度和结温的信息，请参阅节8.4.1.1 和节7.3.11。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001，所有引脚(1)
充电器件模式（CDM），符合JEDEC 规范JESD22-C101，所有引脚(2)
±2000
V(ESD)
V
静电放电
±500
(1) JEDEC 文件JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
标称值
最大值
36
单位
8
单电源
VS
V
电源电压，(V+) –(V–)
±4
±18
双通道电源
(V+)+18
125
V
散热焊盘电压（DGN 封装）
环境温度(1)
(V–)
TA
-40
°C
(1) 有关器件环境温度和结温的信息，请参阅节8.4.1.1 和节7.3.11。
6.4 热性能信息
OPA828
OPA2828
热指标(1)
D (SOIC)
8 引脚
121.5
64.3
DGN (HVSSOP)
DGN (HVSSOP)
单位
8 引脚
56.7
74.9
29.2
3.7
8 引脚
49.9
61.6
21.8
1.7
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
65
18
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
64.3
29.1
21.7
ψJB
(1) 有关新旧热指标的信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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6.5 电气特性
在TA = 25°C、(V+) = 15V、(V–) = –15V、VCM = VO = 1/2 Vs，CL = 20pF，RL = 2kΩ连接至1/2 Vs（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
±50
±300
±350
±400
±125
±175
±200
±1.3
±1.5
±0.8
±5.6
±7
TA = 0°C 至85°C
D 封装
TA=-40°C 至+125°C
VOS
µV
输入失调电压
±25
TA = 0°C 至85°C
DGN 封装
TA = –40°C 至125°C
±0.3
±0.45
±0.2
1.4
TA = 0°C 至+85°C
dVOS/dT
PSRR
µV/°C
µV/V
D 封装
输入失调电压漂移
电源抑制比
TA = -40°C 至+125°C
DGN 封装
TA = 0°C 至85°C
8 V ≤VS ≤36 V
±10
TA = -40°C 至+125°C
输入偏置电流
±1
±8
±5
D 封装
±0.2
pA
nA
pA
nA
DGN 封装
IB
输入偏置电流
输入失调电流
输入电压噪声
±400
±3
TA = 0°C 至85°C
TA=-40°C 至+125°C
D 封装
±1
±8
±0.2
±5
DGN 封装
IOS
±500
±1.5
TA = 0°C 至85°C
TA=-40°C 至+125°C
噪声
0.34
0.06
7.5
4.8
4
µVPP
f = 0.1Hz 至10Hz，峰峰值
f = 0.1Hz 至10Hz，RMS
f = 10Hz
EN
µVRMS
eN
f = 100Hz
nV/√Hz
fA/√Hz
输入电压噪声密度
输入电流噪声密度
共模电压
f = 1kHz
iN
f = 1kHz
1.2
输入电压
VCM
V
(V–) + 2.5
108
(V+) –3.5
115
108
dB
dB
dB
dB
dB
dB
D 封装
(V–) + 2.5V < VCM < (V+) –3.5V
103
DGN 封装
D 封装
105
(V–) + 2.5V < VCM < (V+) –3.5V，
TA = 0°C 至85°C
CMRR
共模抑制比
102
DGN 封装
D 封装
103
(V–) + 2.5V < VCM < (V+) –3.5V，
TA = –40°C 至+125°C
100
DGN 封装
输入阻抗
ZID
1012 || 6
1012 || 9
Ω|| pF
Ω|| pF
差分
共模
ZICM
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6.5 电气特性(continued)
在TA = 25°C、(V+) = 15V、(V–) = –15V、VCM = VO = 1/2 Vs，CL = 20pF，RL = 2kΩ连接至1/2 Vs（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
开环增益
120
120
130
130
(V–) + 1.6V< VO < (V+) –1.6V，RL = 600Ω
(V–) + 1.5V < VO < (V+) –1.5V，RL = 10kΩ
(V–) + 1.6V< VO < (V+) –
1.6V，RL = 600Ω
117
118
114
114
TA = 0°C 至85°C
(V–) + 1.5V < VO < (V+) –
1.5V，RL = 10kΩ
AOL
dB
开环电压增益
(V–) + 1.6V< VO < (V+) –
1.6V，RL = 600Ω
TA=-40°C 至+125°C
(V–) + 1.5V < VO < (V+) –
1.5V，RL = 10kΩ
频率响应
VO = 10mVPP，CL = 30pF
VO = 10mVPP，CL = 30pF
VO = 10mVPP，CL = 30pF
45
57
MHz
单位增益频率
相位裕度
度
GBW
SR
45
MHz
增益带宽积
G = +1
150
150
V/µs
ns
VO = 10V 阶跃
压摆率
G = –1
至±0.0244%
（12 位精度）
110
120
8%
稳定时间（输入到输
出）
tS
VO = 10V 阶跃，CL = 30pF，G = –1
至±0.0061%
（14 位精度）
VO = 100mV 阶跃，G =+1、CL
30pF
=
VO = 100mV 阶跃，
G =+1，CL = 30pF
过冲
G = -10
55
0.000028
–130
0.000028
–130
119
ns
%
过载恢复时间
RL = 10kΩ
RL = 600Ω
dB
%
VO = 3.5VRMS、G = +1、
f = 1kHz
THD+N
总谐波失真+ 噪声
dB
f = 100kHz
f = 500 kHz
f = 100kHz
f = 500 kHz
HD2
HD3
dBc
dBc
VO = 5VPP、G = +1
VO = 5VPP、G = +1
二阶谐波失真
三阶谐波失真
90
125
105
SMPTE/DIN 双音，4:1（60Hz 和7kHz），G = 1，
VO = 3VRMS，RL = 2kΩ，9kHz 测量带宽
132
137
dB
dB
二阶互调失真
三阶互调失真
IMD
CCIF 双频（19kHz 和20kHz），G = 1，
VO = 3VRMS、RL = 2kΩ、90kHz 测量带宽
输出
0.9
1.2
1.2
RL = 10kΩ
V
输出电压摆幅
RL = 600Ω
IO
±30
±50
mA
mA
pF
在线性运行的情况下，AOL ≥120dB
输出电流
ISC
CL
短路电流
容性负载驱动
开环输出阻抗
请参阅“典型特性”曲线
ZO
电源
f = 1MHz，IO = 0mA
13.5
Ω
5.5
6.2
7.1
7.9
静态电流（每个放大
器）
IQ
IO = 0A
TA = 0°C 至85°C
mA
TA=-40°C 至+125°C
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6.6 典型特性
TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
表6-1. 图形表
说明
输入电压噪声密度与频率间的关系
。集成输入电压噪声与带宽间的关系
总谐波失真+ 信噪比与频率间的关系
总谐波失真+ 信噪比与输出振幅间的关系
。0.1Hz 至10Hz 噪声
图表
图6-1
图6-2
图6-3
图6-4
图6-5
图6-6、图6-7
图6-8、图6-9
图6-10
图6-11
失调电压生产分配
失调电压温漂产生分布
失调电压与共模电压间的关系
失调电压与电源电压间的关系
失调电压与输出电压间的关系
。失调电压与温度之间的关系
输入偏置和输入失调电流与共模电压间的关系
输入偏置和输入失调电流与温度间的关系
静态电流与输出电压间的关系
静态电流与温度间的关系
输出电压摆幅与输出拉电流间的关系
输出电压摆幅与输出灌电流间的关系
电源抑制比与频率之间的关系
共模抑制比与频率间的关系
电源抑制比与温度间的关系
共模抑制比与温度间的关系
开环增益和相位与频率间的关系
闭环增益与频率间的关系
开环增益与温度间的关系
开环输出阻抗与频率间的关系
小信号过冲与容性负载间的关系，增益= +1
小信号过冲与电容负载间的关系，增益= -1
无相位反转
图6-12
图6-13
图6-14
图6-15
图6-16
图6-17
图6-18
图6-19
图6-20
图6-21
图6-22
图6-23
图6-24
图6-25
图6-26
图6-27
图6-28
图6-29
图6-30
图6-31
图6-32
图6-33
图6-34
图6-35、图6-36
图6-37
图6-38
图6-39
图6-40
图6-41
图6-42
图6-43
正过载恢复
负过载恢复
。小信号阶跃响应
大信号阶跃响应
12 位、14 位稳定时间
短路电流与温度间的关系
压摆率与温度间的关系
压摆率与输出阶跃大小间的关系
最大输出电压与频率间的关系
互调失真
电磁干扰抑制
谐波失真与频率间的关系
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6.6 典型特性
TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
表6-1. 图形表(continued)
说明
图表
通道分离
图6-44
100
10
1
100
10
VRMS
VPP
1
0.1
0.01
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
100m
1
10
100
Frequency (Hz)
1k
10k
100k
Bandwidth (Hz)
噪声带宽= 0.1Hz 至指定频率
图6-2. 集成输入电压噪声与带宽间的关系
图6-1. 输入电压噪声密度与频率间的关系
10-3
10-4
10-5
-100
Gꢀ1, RLoad = 10-k
Gꢀ1, RLoad = 2-k
G−1, RLoad = 10-k
G−1, RLoad = 2-k
-120
-140
100
1k
10k
Frequency (Hz)
图6-4. 总谐波失真+ 信噪比与输出振幅间的关系
图6-3. 总谐波失真+ 信噪比与频率间的关系
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6.6 典型特性(continued)
TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
Time (1 s/div)
VS = ±15V
图6-6. 失调电压生产分配
图6-5. 0.1Hz 至10Hz 噪声
25
20
15
10
5
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0
-125 -100 -75 -50 -25
0
25
50
75 100 125
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
Offset Voltage (µV)
Offset Voltage Drift (ꢀV/ꢁC)
DGN 封装，VS = ±15V
TA = –40°C 至+125°C
图6-7. 失调电压生产分配
图6-8. 失调电压温漂产生分布
170
130
90
−12.5 V
11.5 V
50
10
-30
-70
-110
-150
-15
-10
-5
0
5
10
15
Common-Mode Voltage (V)
VS = ±15V，5 个典型单元
DGN 封装，TA = –40°C 至+125°C
图6-9. 失调电压温漂产生分布
图6-10. 失调电压与共模电压间的关系
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6.6 典型特性(continued)
TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
150
100
50
125
100
75
50
25
0
0
-25
-50
-75
-100
-125
-50
-100
-150
-15
-10
-5
0
5
10
15
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Output Voltage (V)
Power-Supply Voltage (V)
VS = ±15V，5 个典型单元
图6-12. 失调电压与输出电压间的关系
5 个典型芯片
图6-11. 失调电压与电源电压间的关系
400
300
200
100
0
30
20
10
0
-100
-200
-300
-400
-10
-20
-30
IB−
IB+
Ios
-18 -15 -12 -9 -6 -3
0
3
6
9
12 15 18
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
Common-Mode Voltage (V)
Temperature (ꢀC)
图6-14. 输入偏置和输入失调电流与共模电压间的关系
图6-13. 失调电压与温度间的关系
IB−
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IB+
IOS
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
Temperature (ꢀC)
图6-15. 输入偏置和输入失调电流与温度间的关系
图6-16. 静态电流与电源电压间的关系
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TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
8
7.5
7
14
13
12
11
10
9
6.5
6
8
5.5
5
7
TA = -40ꢀC
TA = 25ꢀC
TA = 85ꢀC
TA = 125ꢀC
6
4.5
4
Vs = ꢁ4 V
Vs = ꢁ18 V
5
4
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Output Current (mA)
Temperature (ꢀC)
VS = ±15V
图6-17. 静态电流与温度间的关系
图6-18. 输出电压摆幅与输出拉电流间的关系
-4
140
120
100
80
TA = -40ꢀC
TA = 25ꢀC
TA = 85ꢀC
TA = 125ꢀC
PSRRꢀ
PSRR−
-5
-6
-7
-8
-9
60
-10
-11
-12
-13
-14
40
20
0
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Output Current (mA)
Frequency (Hz)
VS = ±15V
图6-20. 电源抑制比与频率间的关系
图6-19. 输出电压摆幅与输出灌电流间的关系
140
120
100
80
7
6
5
4
3
2
60
1
40
0
20
-1
-2
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
Frequency (Hz)
Temperature (èC)
差分放大器配置，10kΩ电阻
图6-21. 共模抑制比与频率间的关系
图6-22. 电源抑制比与温度间的关系
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TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
2
160
140
120
100
80
200
Open-Loop Gain
Phase
160
120
80
1
0
40
60
0
-1
-2
-3
-4
40
-40
-80
-120
-160
-200
20
0
-20
-40
100m
1
10
100
1k
10k 100k 1M 10M 100M
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
Frequency (Hz)
Temperature (èC)
图6-24. 开环增益和相位与频率间的关系
图6-23. 共模抑制比与温度间的关系
50
40
30
20
10
0
0.4
0.3
0.2
0.1
0
G = ꢀ1
G = −1
G = ꢀ10
G = +100
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-10
-20
100
1k
10k
100k
1M
10M
100M
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
Temperature(oC)
Frequency (Hz)
图6-25. 闭环增益与频率间的关系
图6-26. 开环增益与温度间的关系
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
RISO = 0 W
RISO = 25 W
RISO = 50 W
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Capacitive Load (pF)
增益= +1
图6-28. 小信号过冲与容性负载间的关系
图6-27. 开环输出阻抗与频率间的关系
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6.6 典型特性(continued)
TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
30
Input
Output
RISO = 0 W
27
RISO = 25 W
RISO = 50 W
24
21
18
15
12
9
6
3
0
-3
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
Capacitive Load (pF)
Time (200 ms/div)
增益= +1
增益= -1
图6-30. 无相位反转
图6-29. 小信号过冲与容性负载间的关系
Input
Output
Input
Output
Time (100 ns/div)
Time (100 ns/div)
图6-32. 负过载恢复
图6-31. 正过载恢复
100
80
Input
Output
60
40
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
G = −1
G = +1
Time (100 ns/div)
0
0.5
1
1.5
2
Time (ꢀs)
图6-33. 小信号阶跃响应
图6-34. 大信号阶跃响应
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TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
Falling
Rising
Falling
Rising
Time (100 ns/div)
Time (100 ns/div)
图6-35. 12 位稳定时间
图6-36. 14 位稳定时间
200
175
150
125
100
75
50
25
0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
Temperature (ꢀC)
图6-37. 短路电流与温度间的关系
图6-38. 压摆率与温度间的关系
200
175
150
125
100
75
40
32
24
16
8
VS = ꢀ18 V
VS = ꢀ4 V
50
25
0
0
1k
10k
100k
1M
10M
100M
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Frequency (Hz)
Step Size (V)
缓冲器配置
图6-40. 最大输出电压与频率间的关系
图6-39. 压摆率与输出阶跃大小间的关系
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6.6 典型特性(continued)
TA = 25°C，RL = 2kΩ 连接至1/2 Vs，且VCM = VOUT = 1/2 Vs，VS = ±18V（除非另外说明）
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
-60
120
CCIF
SMPTE
100
80
60
40
20
-80
-100
-120
-140
10M
100M
Frequency (Hz)
1G
10G
0.01
0.1
1
10
Voltage (VRMS
)
图6-42. 电磁干扰抑制
图6-41. 互调失真
10-3
10-4
10-5
10-6
10-7
-100
-120
-140
-160
-180
-20
HD2
HD3
HD4
HD5
-40
-60
-80
-100
-120
1M
10M
Frequency (Hz)
100M
100
1k
10k
100k
Frequency (Hz)
OPA2828，DGN 封装
图6-44. 通道分离
图6-43. 谐波失真与频率间的关系
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7 详细说明
7.1 概述
OPAx828 是低噪声、高速 JFET 输入放大器，可提供超高的精度和准确度。每个器件都会在生产过程中进行激光
修整，从而提供以输入为基准的超低失调电压。同样，还会修整和规定在 –40°C 至+125°C 结温范围内以输入为
基准的失调电压温漂。每个器件还对静态电流进行激光修整，以便尽可能减少动态参数（如以输入为基准的噪声
电压、增益带宽积、压摆率和稳定时间）的器件间差异。OPAx828 充分利用了先进的全新高电压、SiGe 互补
JFET 双极工艺技术，因此，OPAx828 在业内具有出色的低噪声、直流精度和动态性能等特性组合。
7.2 功能方框图
V+
+IN
_
+
JFET
gm
Buffer
_
OUT
+
-IN
GND
V-
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7.3 特性说明
7.3.1 相位反转保护
当输入驱动到超出指定的输入共模范围时，许多运算放大器会发生相位反转。这是同相电路中输入驱动到超出额
定共模电压范围时极为常见的现象，会导致输出反向进入相对的电源轨。OPAx828 具有内部相位反转保护电路。
OPAx828 的输入架构可防止输入共模电压超过指定的最大值和最小值时发生相位反转。OPAx828 输出限制为适
当的电源轨。图7-1 展示了该性能。当输入电压可能超过最小或最大指定限制时，请确保通过内部 ESD 保护二极
管限制最大输入电流。
Input
Output
Time (200 ms/div)
图7-1. 无相位反转
7.3.2 电过应力
针对在印刷电路板 (PCB) 制造、运输或组装期间可能发生的静电放电 (ESD) 事件，OPAx828 具有内部保护机
制。当器件加电运行时，内部ESD 保护二极管在 OPAx828 正常运行期间不会提供保护。ESD 保护电路在输入和
输出引脚到内部电源线之间涉及多个导流二极管，其中二极管在电源ESD 单元（一种吸收器件，位于运算放大器
内部）处相接。该保护电路在电路正常工作时处于未运行状态。如果可能将输入或输出驱动到正电源以上或负电
源以下，则应确保将流过内部二极管的电流限制在 10mA 或更低。在严苛的电气环境下，可能需要外部保护电
路，具体取决于应用要求和环境条件。
V+
+IN
-IN
+
OUT
œ
V-
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图7-2. 等效内部ESD 电路
图 7-3 说明了一个在输入过压条件下保护 OPAx828 输入的示例。在此示例中，OPAx828 的同相输入通过增加一
个外部电阻进行保护。如果输入电压 VIN 超过任一电源电压，则输入 ESD 二极管将会正向偏置大约 0.5V。在这
种情况下，应限制流经正向偏置内部 ESD 二极管的电流；请参阅节 6.1。图 7-3 说明了一个特定示例，其中增加
的输入电阻提供了必要的电流限制，还允许 VIN 输入电压高达 ±25.5V。假设在对称双电源配置下，可以通过以下
公式确定该电路配置的最大输入电压：
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ê VIN = VS + 0.5V +10mAì RIN
(1)
+VS = +15 V
DP
œ
RIN = 1 kΩ
+
OUT
+
VIN
=
25.5 V
œ
DN
GND
-VS = -15 V
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图7-3. 限制输入电流
添加串联输入保护电阻会为电路增加额外的噪声源。小于250Ω的电阻值所产生的额外噪声不足10%。1kΩ电阻
值会增加约40% 的噪声。OPAx828 的等效输入噪声电阻大约为1kΩ。
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7.3.3 多路复用器友好型输入
多路复用是一种在多通道系统中执行数据采集的常用技术，信号链要求非常低。在这种情况下，多路复用器
(MUX) 在采集系统中的作用是在通道之间进行切换，并尽可能快地将每个信号发送到单个数据转换器，从而尽可
能提高系统吞吐量和降低延迟。为了实现精确的处理，将精密放大器放置在多路复用器的下游，以便精确地驱动
模数转换器(ADC)。图7-4 阐明了这一概念。
Input 1
Input 2
MUX
+
Input 3
Input 4
ADC
OPA
œ
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图7-4. 典型的多路复用系统方框图
在典型的多路复用应用中，驱动ADC 的运算放大器的输入端通常会出现大瞬态电压。大输入差分电压在压摆或开
环运行期间很常见，当从一个多路复用器输入切换到另一个时尤其常见。传统的精密放大器通常由一对差分晶体
管组成，借助放大器输入端之间的反并联二极管，可以防范大差分瞬态输入电压。这些反并联二极管可有效地将
输入之间的电压差分限制为一个或两个正向二极管压降，从而保护精密输入器件免受损坏。然而，反并联二极管
确实有很大的缺点，如开启时的大浪涌电流。如果出现无源滤波或高源阻抗，大浪涌电流会对稳定时间造成影
响，从而限制系统的吞吐量并降低信号链的精度。OPAx828 不需要反并联二极管来保护输入 JFET 晶体管，即使
差分输入电压高达±18V，也不会出现大浪涌电流。图7-5 中说明了这些概念。
MUX
+
Traditional
opamp
10 V
+
RSOURCE
+
RMUX
+
+
-10 V
ADC
RSOURCE
œ
MUX
OPA828
10 V
RSOURCE
+
RMUX
-10 V
+
ADC
RSOURCE
œ
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图7-5. 典型的多路复用系统方框图
7.3.4 过载功率限制器
许多应用对运算放大器的功耗有严格的限制；因此，放大器功耗必须保持恒定，即使在输入电压大或输出电压等
于电源轨等故障情况下也是如此。尤其是，OPAx828 等高压摆率放大器会在放大器压摆时暂时增加电源电流。在
压摆增强放大器中，大输入信号的存在会带来一个特定问题，因为大输入信号会在放大器输入端施加大电压。输
入端的这种大电压会激活压摆增强电路，导致电流消耗显著增加。在高电源电压下，大电流消耗可能导致放大器
显著自发热。
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OPAx828 兼具 150V/us 的高压摆率和 5.5mA 的低电源电流。与许多其他放大器一样，这些特性通过压摆增强 方
法实现，可以在放大器压摆时暂时增加放大器的电流消耗。这类压摆情况是通过测量输入引脚上的电压来检测
的。在静态条件下，该电压非常小（等于放大器失调电压）。或者，如果输入电压快速变化，则会在输入端施加
一个大电压，并且放大器输出必须压摆。在OPAx828 上，电源电流逐步增加，并且与施加的输入电压成正比，从
而提供表现良好 的大阶跃响应和出色的 THD。高压摆率可确保输出在大约 300ns 内重新稳定；因此，增加的功
耗会被去耦电容吸收，而且不会对电源造成额外负载。
在OPAx828 中，通过持续监测放大器输入和输出的额外保护电路，可以避免上述电流消耗增加的问题。如果检测
到大输入电压，保护电路会检查输出端电压是否存在快速变化。如果输出电压没有变化（例如，由于输出处于电
源轨），保护电路会在大约 300ns 的延迟后禁用压摆增强电路。过载情况消除后，放大器迅速恢复到正常工作状
态。图 7-6 中展示了这种运行，其中放大器的电源电流是在移除去耦电容的情况下测量的。300ns 后，放大器的
功耗会恢复到静态水平。同时，该放大器仍然具有小于55ns 的出色过载恢复时间。
6
36
30
24
18
12
6
4
Competition
2
OPA828
Input
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
0
-6
Output Railed
-12
-18
Time
图7-6. 过载输出时下的电源电流变化
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7.3.5 噪声性能
图 7-7 所示为采用单位增益配置的运算放大器在使用不同源阻抗时的总电路噪声（无反馈电阻器网络，因此不产
生额外的噪声）。显示了 OPA828 和 OPA211，并计算了总电路噪声。运算放大器本身能够产生电压噪声分量和
电流噪声分量。电压噪声通常按失调电压时变分量建模。电流噪声则按输入偏置电流时变分量建模，并根据不同
的源阻抗生成一个噪声电压分量。因此，特定应用中运算放大器的最低噪声取决于源阻抗。源阻抗较低时，电流
噪声可忽略不计，电压噪声占主导。由于运算放大器的 FET 输入，OPAx828 器件兼具低电压噪声和极低电流噪
声。因此，OPAx828 的电流噪声贡献对于任何实际源阻抗来说忽略不计，这使得 OPAx828 成为高源阻抗应用的
卓越选择。
方程式2 提供了一种简单的方法来计算单位增益缓冲器运算放大器电路的总噪声EO：
2
2
E
=
e
+
i
x R
+ 4kTR
S
(2)
O
N
N
S
其中
• eN = 电压噪声
• iN = 电流噪声
• RS = 源阻抗
• k = 玻尔兹曼常数= 1.38 × 10–23 J/K
• T = 开氏温度(K)
10m
Resistor Noise
OPA828
OPA211
1m
100n
10n
1n
0.1n
1
10
100
1k
10k
100k
1M
Source resistance, RS (W)
图7-7. 采用单位增益缓冲器配置的OPA828 和OPA211 的噪声性能
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7.3.5.1 低噪声
OPAx828 采用先进的 SiGe 精密、高速、高电压、BiFET 晶圆工艺制造。使用了已获专利的晶圆处理技术来降低
与JFET 栅极区域相关的噪声。图7-8 展示了OPAx828 的噪声频谱密度。
100
10
1
100m
1
10
100
Frequency (Hz)
1k
10k
100k
图7-8. 噪声频谱密度与频率间的关系
7.3.6 容性负载和稳定性
OPAx828 的动态特性针对常见的工作条件进行了优化。低闭环增益和高容性负载组合减小了放大器的相位裕度，
可能会出现增益峰值或振荡。因此，高容性负载必须与输出隔离。实现此隔离的最简单方法就是增加一个与输出
串联的小电阻器（例如，等于 50Ω 的 ROUT）。图 7-9 图形显示了小信号过冲和容性负载。请参阅反馈曲线图定
义运算放大器交流性能，详细了解分析技巧和应用电路。
80
G = + 1
G = -1
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-20
30 40 50 6070 100
200 300 400500 700 1000
Capacitive Load (pF)
图7-9. 小信号过冲与容性负载间的关系
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7.3.7 稳定时间
稳定时间是对放大器输出稳定在输入振幅的某个百分比（误差范围）内的度量，用于描述放大器对阶跃输入的响
应。放大器稳定时间由大信号响应和小信号响应构成。大信号响应的特性是上升时间和下降时间，而小信号响应
的特性是过冲和振铃。图7-10 说明了与放大器稳定时间相关的概念和术语。具体来说，稳定时间定义为从应用输
入信号开始，输出稳定到指定误差范围内所需的时间。
Settling Time
Error Band
Overshoot
1+0
1
1-0
0.9
Output
Voltage
ûVOUT
0.1
ût
0
Time
图7-10. 稳定时间
OPAx828 以两种方式尽可能减少高分辨率系统的稳定时间。首先，整合一个内部压摆增强电路，尽可能减少上升
和下降时间，其次，具有宽带宽和出色的相位裕度以及低振铃，可以在极短的时间内实现小信号稳定。OPAx828
在激光生产过程中进行了修整，尽可能减小器件压摆率、带宽和相位裕度方面的器件间差异，从而在所有制造批
次中保持出色的单元间差异。
7.3.8 压摆率
最能说明大信号动态行为的放大器参数是压摆率。压摆率衡量输出电压相对于时间的最大变化率，通常以伏特/微
秒 (V/µs) 为单位表示。通常，在输出从最终值的 10% 摆动到最终值的 90% 的时间内测量压摆率。图 7-10 中说
明的信号压摆率可通过方程式3 得出。
V
-VOUT
(
)
DVOUT
Dt
OUT90
10
Slew Rate =
=
t -t
90
10
(3)
放大器的压摆率受放大器内部架构、放大器静态功率和内部电容的限制。OPAx828 可通过整合压摆增强电路来更
大程度提高压摆率。OPAx828 中使用的专有压摆增强电路可在保持低静态功率水平的同时，产生非常高的压摆
率。内部压摆增强电路会测量 +IN 和–IN 输入引脚之间存在的输入差分电压。如果此输入差分电压足够大，则内
部压摆增强电路会增加放大器的内部偏置电流，从而使输出能够更快压摆。为了提供优异的动态性能，请将电源
旁路电容放置到OPAx828 附近。
如果放大器输入存在大的静态或直流差分电压，OPAx828 会发现该情况，将其视为过载，而不是加快压摆。在这
种情况下，OPAx828 内部偏置电流不会增加，并且静态电流与正常值相比保持不变。
7.3.9 全功率带宽
放大器的全功率带宽描述了在压摆率导致的失真成为主要误差源之前，放大器可以在输出端提供的最大正弦信号
的频率。图7-11 阐明了这一概念。
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图7-11. 压摆率导致的失真
如果放大器的输入被驱动得相隔太远（例如，当连接到反相输入的多路复用器改变通道时），将会启用压摆增强
电路以帮助稳定时间，但可能会导致信号失真。如果需要低失真，则应避免将输入驱动得彼此相隔太远。
OPAx828 具有1.2MHz 全功率带宽和10VPEAK 输出电压。图7-12 说明了作为频率函数的最大输出电压。
40
VS = ꢀ18 V
VS = ꢀ4 V
32
24
16
8
0
1k
10k
100k
1M
10M
100M
Frequency (Hz)
图7-12. 最大输出电压与频率间的关系
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7.3.10 小信号响应
能够非常贴切地描述小信号动态行为的放大器参数是增益带宽积(GBP)、单位增益频率(UGF) 和相位裕度(PM)。
GBP 是确定闭环配置中应用带宽的有用参数。方程式4 可用于近似计算 OPAx828 的闭环带宽。通常，GBP 在放
大器配置为 100 (40dB) 同相增益情况下是一个额定参数。放大器的 GBP 通常假设在整个频率范围内保持恒定，
但在某些速度较高的放大器中，并非如此。OPAx828 一直到 UGF 都具有恒定的 GBP；因此，OPAx828 开环增
益具有恒定的 –20dB/十倍频程斜率（–6dB/倍频程）。UGF 定义为放大器增益超过 1V/V (0dB) 时的频率。图
7-13 说明了GBP 和UGF 的概念。OPAx828 的GBP 和UGF 均为45MHz。
GBP 45MHz
=
Bandwidth =
ACL
ACL
(4)
Gain-Bandwidth Product
Slope = -20 dB/dec
Unity Gain
Frequency
Gain
Bandwidth
图7-13. 增益带宽积和单位增益频率
7.3.11 热关断
OPAx828 通过内部热关断特性来提供热过载保护。当在苛刻的高温工业环境中运行时，关断设计可提供热保护。
这些器件可准确测量芯片上最热位置的结温。当结温达到热关断温度时，会将输出置于高阻抗状态以禁用器件。
此状态可防止进一步发生功耗，使 OPAx828 开始冷却。在结温降低热迟滞量后，OPAx828 会恢复正常运行。如
果导致 OPAx828 发热的输出条件仍然存在，则器件可能再次进入热关断。OPAx828 关断期间的静态电流会降至
约20µA。发现并纠正热关断的原因可以恢复正常的器件运行。当OPAx828 结温超过大约165°C 时，会发生热关
断。在热关断模式下，OPAx828 会在结温降至大约145°C 时恢复正常运行。
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7.3.12 低失调电压温漂
每个OPAx828 都会在生产过程中进行激光修整。通过修整两个温度下的输入失调电压，可在整个温度范围内提供
低输入失调电压温漂。
400
300
200
100
0
-100
-200
-300
-400
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
Temperature (èC)
图7-14. 输入失调电压与温度间的关系
7.3.13 过载恢复
过载恢复的定义是运算放大器输出从饱和状态恢复到线性状态所需的时间。当因高输入电压或高增益导致输出电
压超过额定工作电压时，运算放大器的输出器件将进入饱和区域。器件进入饱和区后，输出器件中的电荷载体必
须有时间恢复到正常状态。当电荷载体恢复至平衡状态后，器件开始以正常压摆率进行转换。因此，传播延迟
（过载情况下）等于过载恢复时间与转换时间之和。OPAx828 的过载恢复时间约为55ns。
7.4 器件功能模式
OPAx828 可在 ±4V 和 ±18V 的电源电压范围内运行。在运行过程中，OPAx828 器件会自发热。器件发热量是电
源电压和负载功耗之间的函数。在重负载条件下和环境温度升高时，OPAx828 进入热关断。当 OPAx828 结温超
过大约165°C 时，会发生热关断。在热关断模式下，OPAx828 会在结温降至大约145°C 时恢复正常运行。
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8 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
8.1 应用信息
OPAx828 结合了低失调电压、低温漂和在宽带宽范围内具有低噪声等特性，因此非常适合用于各种测试设备和数
据采集系统。
8.2 典型应用
8.2.1 SAR ADC 驱动器
利用 OPAx828 的高直流精度和交流性能以及 45MHz 带宽，器件能够快速准确地驱动 16 位逐次逼近寄存器
(SAR) 模数转换器(ADC)。
C3
820 pF
R1
1 k
Vee
15 V
C2
100 nF
R2
4.02 k
R5
13.7 k
–
+
VIN
10 V
OPA828
–
+
+
C1
100 nF
AINP
ADS8860
Cfilt
1 nF
R3
7.15 k
Vbias
R7
13.7 k
AINM
Vcc
15 V
R4
1.1 k
图8-1. OPA828 配置为SAR 驱动器
8.2.1.1 设计要求
此示例的设计要求包括：
• 使用±15V 电源为OPA828 供电
• 放大器输出必须在290ns 内稳定至16 位精度
• 增益= –1/4
• 放大器输出偏置至2V
• 放大器输入= ±10V，输出= 0V 至5V
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8.2.1.2 详细设计过程
图 8-1 展示了 OPA828 经配置可将 ±10V 的宽输入电压范围降到 0V 至 5V。放大器的输出范围根据 ADS8860 16
位1MSPS SAR ADC 的满量程输入范围进行选择。使用了 ±15V 的电源轨，因此放大器可以在整个输入范围内实
现线性摆幅。在此设计中，放大器输出可在所选ADC 的290ns 采集时间内稳定至16 位。
Analog Engineer's Calculator 用于选择设置放大器和ADC 之间信号衰减以及电荷桶所需的电阻和电容。选择输入
和反馈电阻，以便提供–1/4 的增益（例如，在反相配置中实现4 倍衰减)。VBIAS 固定为2V，从而实现0V 至5V
的输出摆幅。图8-2 展示了该电路的仿真稳定时间。为了正常工作，放大器的输出必须在 ADC 采集周期结束前稳
定在 ±½ LSB 范围内。在此示例中，使用 ADS8860 时，放大器的输出必须稳定在 ±38.15µV 范围内。Verror 是放
大器的预期输出与实际输出之差。
在反馈网络中添加了一个 820pF 电容，用于创建截止频率为 194kHz 的低通滤波器。该滤波器可降低 ADC 噪
声，并提高系统的精度。该电路的直流传递函数如图8-3 所示，交流响应如图8-4 所示。
有关将放大器配置为 ADC 驱动器、为电荷桶选择电阻和电容以及其他信号链主题的更多详细信息和培训，请访问
TI 高精度实验室。
8.2.1.3 应用曲线
15
10
5
5
4.5
4
Verror
-0.5 LSB
+0.5 LSB
3.5
3
2.5
2
0
-5
1.5
1
-10
-15
0.5
0
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
Input Voltage (V)
4
6
8
10
0
100
200
300
Time (µs)
400
500
600
图8-3. OPA828 直流传递函数
图8-2. OPA828 输出稳定时间
-5
200
-10
-15
-20
-25
180
160
140
120
100
Gain
Phase
-30
0.01
0.1
1 10
Frequency (kHz)
100
1000
图8-4. OPA828 交流响应
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8.2.2 低通滤波器
R4
2.94 kꢀ
C5
1 nF
œ
R1
590 ꢀ
R3
499 ꢀ
Output
+
Input
C2
39 nF
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图8-5. 典型的OPA828 应用原理图
8.2.2.1 设计要求
本设计示例使用以下参数：
• 增益= 5V/V（反相增益）
• 低通截止频率= 25kHz
• 通带中增益峰值为3dB 的二阶切比雪夫滤波器响应
8.2.2.2 详细设计过程
图8-5 展示了实现低通网络功能的无限增益多反馈电路。方程式5 计算了电压传递函数。
−1/ R R C C
Output
Input
1 3 2 5
s =
(5)
(6)
2
s
+ s/C 1/R + 1/R + 1/R + 1/R R C C
3 4 2 5
2
1
3
4
该电路将产生信号反转。对于该电路，方程式6 可以计算直流增益和低通截止频率：
R
4
Gain =
R
1
1
2π
f =
1/R R C C
3 4 2 5
c
8.2.2.3 应用曲线
20
0
-20
-40
-60
100
1k
10k
Frequency (Hz)
100k
1M
图8-6. 低通滤波器传递函数
8.3 电源相关建议
OPAx828 的额定工作电压为 8V 至36V（±4V 至±18V）；许多规格在 –40°C 至+125°C 的温度下适用。典型特
性曲线中显示了可能会随工作电压或温度的变化而显著变化的参数。
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将0.1μF 旁路电容器置于电源引脚附近，可减少从高噪声电源或高阻抗电源中耦合进来的误差。有关旁路电容放
置的更多详细信息，请参阅布局部分。
8.4 布局
8.4.1 布局指南
为了实现器件的卓越运行性能，请使用良好的印刷电路板(PCB) 布局布线实践，包括以下指导原则：
• 噪声可以通过整个电路的电源引脚，尤其是运算放大器的电源引脚传入模拟电路。通过使用旁路电容器提供模
拟电路的本地低阻抗电源，可减少耦合噪声。
• 在每个电源引脚和接地端之间连接低ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器，放置位置尽量靠近器件。从V+ 到接地端之
间的单个旁路电容适用于单电源应用。
• 将电路中的模拟部分和数字部分单独接地是最简单最有效的噪声抑制方法之一。通常将多层PCB 中的一层或
多层专门作为接地层。接地层有助于散热和减少电磁干扰(EMI) 噪声拾取。确保对数字接地和模拟接地进行物
理隔离，同时应注意接地电流的流动。
• 为了减少寄生耦合，请让输入走线尽可能远离电源或输出走线。如果这些走线不能保持分离，则敏感走线与有
噪声走线垂直相交比平行更好。
• 外部组件的位置应尽量靠近器件。
• 尽可能缩短输入走线的长度。切记：输入走线是电路中最敏感的部分。
• 考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。保护环可显著减少附近走线在不同电势下产生的漏电流。
• 在组装PCB 板之后对其进行清洁，以获得最佳性能。
• 任何精密集成电路都可能因湿气渗入塑料封装中而出现性能变化。在执行任何PCB 水清洁流程之后，将PCB
组件烘干，以去除清洁时渗入器件封装中的湿气。大多数情形下，清洗后在85°C 下低温烘干30 分钟即可。
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8.4.1.1 散热注意事项
正常运行时，OPAx828 会自发热。自发热是每个放大器中都会发生的芯片结温升高的自然现象。这种自发热是多
个因素造成的，包括静态功耗、封装热阻、PCB 布局布线和器件工作条件。
为了确保放大器正常运行而不进入热关断状态，请使用方程式7 来计算近似结（芯片）温：
T = P
D
*QJ
A
+ T
A
J
(7)
例如，方程式8 计算了在25°C 环境温度下空载时OPA828（D 封装）的近似结温。
T = (36V *5.5mA)*121.5èC /W + 25èC
J
T = 49èC
J
(8)
对于高压、精密放大器，如OPAx828，在静态（空载）条件下，结温很容易比环境温度高几十度。如方程式 7 和
方程式 8 所示，结温取决于封装的热性能，如结至环境热阻 (RϴJA) 所示。如果器件随后开始驱动重负载，则结温
可能会上升并触发热关断电路。对于此类负载情况，DGN 封装包含一个可显著降低 RϴJA 的散热焊盘。正确的
PCB 布局布线对于实现这种热行为改进至关重要。图 8-7 和图 8-8 展示了不同封装版本在负载和空载两种条件
下，OPAx828 不进入热关断状态时的最大输出电压与环境温度。
20
16
12
8
20
18
16
14
12
10
8
6
4
4
OPA828D
OPA828D
OPA828DGN
OPA2828DGN
OPA828DGN
OPA2828DGN
2
0
0
80
100
120
140
160
80
100
120
140
160
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图8-7. OPAx828 空载热安全工作区
图8-8. OPAx828 600Ω负载热安全工作区
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8.4.1.2 PowerPAD™ 设计注意事项（仅限DGN 封装）
OPAx828 采用热增强型 PowerPAD 集成电路封装。图 8-9(a) 和 (b) 说明了如何使用安装芯片的下部引线框构建
PowerPAD 封装。图 8-9(c) 展示了这种布置如何导致引线框作为散热焊盘暴露在封装底部。此散热焊盘与芯片发
生直接热接触。因此，通过提供远离散热焊盘的良好导热路径，可实现出色的热性能。
DIE
(a) Side View
Thermal
Pad
DIE
(b) End View
(c) Bottom View
图8-9. 热增强型封装视图
借助 PowerPAD 集成电路封装，一次生产操作即可实现组装管理和散热管理。在表面贴装焊接操作（焊接引线
时）中，必须将散热垫焊接在封装底面上的覆铜区域内。通过在此覆铜区域内使用散热路径，可将封装的热量传
递到接地平面或其他散热器件上。始终需要将散热焊盘焊接到印刷电路板 (PCB)，即使是功耗较低的应用也不例
外。此焊接在引线框芯片垫和 PCB 之间提供必需的散热和机械连接。尽管芯片与裸露的散热焊盘电气隔离
（>10MΩ），但是将焊盘连接到 V–或系统接地平面，可以更大程度减少到输入引脚的潜在漏电流。更多详细信
息，请参阅图8-11。
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8.4.2 布局示例
RF
V+
C1
C2
RG
Input
+
–
Output
V
图8-10. OPA828 原理图表示
Connect a ceramic bypass capacitor (C1)
as close as possible to the pin (V+) to
minimize high-frequency supply noise.
RF
NC
NC
–IN
+IN
V–
C1
RG
V+
OUT
NC
Input
Output
For the DGN package (shown), fill copper directly to the
PowerPAD for optimal thermal conduction. Additionally, use
six small (8 mil) vias to connect the PowerPAD to another
copper layer. Copper-layer voltage must be within the
specified limits (mid-supply GND shown here) and is not
required to be set to the same voltage as V–.
C2
For SOIC or packages without a thermal pad, traces can be
run underneath the body of the package.
Connect a ceramic bypass capacitor (C2)
as close as possible to the pin (V−) to
minimize high-frequency supply noise.
图8-11. OPA828 布局示例
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9 器件和文档支持
9.1 器件支持
9.1.1 开发支持
9.1.1.1 PSpice® for TI
PSpice® for TI 是可帮助评估模拟电路性能的设计和仿真环境。在进行布局和制造之前创建子系统设计和原型解决
方案，可降低开发成本并缩短上市时间。
9.1.1.2 滤波器设计工具
滤波器设计工具是一款简单、功能强大且便于使用的有源滤波器设计程序。利用滤波设计器，用户可使用精选 TI
运算放大器和TI 供应商合作伙伴提供的无源器件来打造理想滤波器设计方案。
设计工具和仿真网页以基于网络的工具形式提供滤波设计工具。用户通过该工具可在短时间内完成多级有源滤波
器解决方案的设计、优化和仿真。
9.2 文档支持
9.2.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，用直观方式补偿跨阻放大器应用报告
9.3 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
9.4 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
9.5 商标
PowerPAD™ and TI E2E™ are trademarks of Texas Instruments.
PSpice® is a registered trademark of Cadence Design Systems, Inc.
所有商标均为其各自所有者的财产。
9.6 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
9.7 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
10 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
Copyright © 2023 Texas Instruments Incorporated
34
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Product Folder Links: OPA828 OPA2828
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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26-Jun-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
OPA2828IDGNR
OPA2828IDGNT
OPA828ID
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
HVSSOP
HVSSOP
SOIC
DGN
DGN
D
8
8
8
8
8
8
2500 RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
2QGJ
2QGJ
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
250
75
RoHS & Green
RoHS & Green
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
OPA828
2RAJ
OPA828IDGNR
OPA828IDGNT
OPA828IDR
HVSSOP
HVSSOP
SOIC
DGN
DGN
D
2500 RoHS & Green
250 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2RAJ
OPA828
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
26-Jun-2023
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
13-Mar-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
OPA2828IDGNR
OPA2828IDGNT
OPA828IDGNR
OPA828IDGNT
OPA828IDR
HVSSOP DGN
HVSSOP DGN
HVSSOP DGN
HVSSOP DGN
8
8
8
8
8
2500
250
330.0
180.0
330.0
180.0
330.0
12.4
12.4
12.4
12.4
12.4
5.3
5.3
5.3
5.3
6.4
3.4
3.4
3.4
3.4
5.2
1.4
1.4
1.4
1.4
2.1
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12.0
12.0
12.0
12.0
12.0
Q1
Q1
Q1
Q1
Q1
2500
250
SOIC
D
2500
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
13-Mar-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
OPA2828IDGNR
OPA2828IDGNT
OPA828IDGNR
OPA828IDGNT
OPA828IDR
HVSSOP
HVSSOP
HVSSOP
HVSSOP
SOIC
DGN
DGN
DGN
DGN
D
8
8
8
8
8
2500
250
356.0
210.0
356.0
210.0
356.0
356.0
185.0
356.0
185.0
356.0
35.0
35.0
35.0
35.0
35.0
2500
250
2500
Pack Materials-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
13-Mar-2023
TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
SOIC
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
OPA828ID
D
8
75
506.6
8
3940
4.32
Pack Materials-Page 3
GENERIC PACKAGE VIEW
DGN 8
3 x 3, 0.65 mm pitch
PowerPAD VSSOP - 1.1 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4225482/A
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PACKAGE OUTLINE
DGN0008H
PowerPADTM VSSOP - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE PACKAGE
C
5.05
4.75
TYP
A
0.1 C
SEATING
PLANE
PIN 1 INDEX AREA
6X 0.65
8
1
2X
3.1
2.9
1.95
NOTE 3
4
5
0.38
8X
0.25
3.1
2.9
0.13
C A B
B
NOTE 4
0.23
0.13
SEE DETAIL A
(0.48) MAX
NOTE 6
EXPOSED THERMAL PAD
(0.205) MAX
NOTE 6
4
5
0.25
GAGE PLANE
1.8
1.1
9
1.1 MAX
8
1
0.15
0.05
0.7
0.4
0 -8
A
20
DETAIL A
TYPICAL
1.71
1.01
4229130/A 10/2022
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Reference JEDEC registration MO-187.
6. Features may differ or may not be present.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
DGN0008H
PowerPADTM VSSOP - 1.1 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
(2)
NOTE 9
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
(1.71)
SOLDER MASK
DEFINED PAD
SYMM
8X (1.4)
(R0.05) TYP
8
8X (0.45)
1
(3)
NOTE 9
SYMM
9
(1.8)
(1.22)
6X (0.65)
5
4
(
0.2) TYP
VIA
SEE DETAILS
(0.55)
(4.4)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 15X
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
NON-SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
15.000
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4229130/A 10/2022
NOTES: (continued)
7. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
8. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
9. Vias are optional depending on application, refer to device data sheet. If any vias are implemented, refer to their locations shown
on this view. It is recommended that vias under paste be filled, plugged or tented.
10. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
DGN0008H
PowerPADTM VSSOP - 1.1 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
(1.71)
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
SYMM
(R0.05) TYP
8X (1.4)
8
1
8X (0.45)
(1.8)
SYMM
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
6X (0.65)
5
4
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
SEE TABLE FOR
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
(4.4)
SOLDER PASTE EXAMPLE
EXPOSED PAD 9:
100% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA
SCALE: 15X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.1
1.91 X 2.01
1.71 X 1.80 (SHOWN)
1.56 X 1.64
0.125
0.15
0.175
1.45 X 1.52
4229130/A 10/2022
NOTES: (continued)
11. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
12. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号：
SI9130DB
5- and 3.3-V Step-Down Synchronous ConvertersWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135LG-T1-E3
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9135_11
SMBus Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9136_11
Multi-Output Power-Supply ControllerWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130CG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130LG-T1-E3
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9130_11
Pin-Programmable Dual Controller - Portable PCsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137DB
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9137LG
Multi-Output, Sequence Selectable Power-Supply Controller for Mobile ApplicationsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
SI9122E
500-kHz Half-Bridge DC/DC Controller with Integrated Secondary Synchronous Rectification DriversWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
VISHAY
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