SN6507 [TI]
适用于隔离式电源且具有占空比控制功能的低发射 36V 推挽式变压器驱动器;
| 型号： | SN6507 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 适用于隔离式电源且具有占空比控制功能的低发射 36V 推挽式变压器驱动器 变压器 驱动 驱动器 |
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SN6507
ZHCSND6A –MARCH 2022 –REVISED JUNE 2022
SN6507 适用于隔离式电源且具有占空比控制功能的低发射36V 推挽式变压器
驱动器
1 特性
3 说明
• 用于隔离变压器的推挽式驱动器
• 宽输入电压范围：3V 至36V
– 输入电压容差高达60V
– 用于线路调节的占空比控制
• 具有可编程电流限制的0.5A 开关
• 宽开关频率范围：100kHz 至2MHz
SN6507 是一款高压、高频推挽式变压器驱动器，以小
尺寸解决方案提供隔离电源。该器件具有推挽式拓扑结
构的简单性、低 EMI 和磁通消除等优点，可防止变压
器饱和。采用占空比控制技术来减少宽输入范围的元件
数量，同时选择高开关频率来缩小变压器尺寸，从而进
一步节省空间。
– 与小尺寸变压器兼容
– 可编程开关频率
– 外部时钟同步选项
该器件集成了控制器和两个异相切换的0.5A NMOS 电
源开关。其输入工作范围通过精密欠压锁定进行编程。
该器件通过过流保护 (OCP) 、可调节欠压锁定
(UVLO)、过压锁定 (OVLO)、热关断 (TSD) 和先断后
通型电路来防止出现故障条件。
• 低噪声和发射
– 对称推挽式拓扑
– 展频时钟
可编程软启动 (SS) 可尽可能减少浪涌电流，并为满足
关键的上电要求提供电源时序。展频时钟 (SSC) 和引
脚可配置的压摆率控制 (SRC) 进一步降低了辐射和传
导发射，以满足超低EMI 要求。
– 引脚可配置压摆率控制
• 保护特性
– 可调节欠压锁定(UVLO)
– 可编程过流保护(OCP)
– 过压锁定(OVLO)
SN6507 可采用 10 引脚 HVSSOP DGQ 封装。该器件
的运行温度范围为–55°C 至125°C。
– 热关断(TSD)
• 宽温度范围：-55°C 至125°C
• 可编程软启动，可减小浪涌电流
• 带有散热焊盘的10 引脚HVSSOP (DGQ) 封装
封装信息
封装(1)
封装尺寸（标称值）
器件型号
HVSSOP（10 引
脚）
SN6507
3.00mm × 3.00mm
2 应用
• 光伏逆变器，保护继电器
• 工厂自动化
• 楼宇自动化
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• 医疗仪器
• 电机驱动器： IGBT 和SiC 栅极驱动器电源
• 用于控制器局域网(CAN)、RS-485、RS-422、
RS-232、SPI、I2C、低功耗LAN 的隔离电源
VIN
CIN
VOUT
EN/UVLO
DC
SW1
Optional
COUT
SR
VCC
SS/ILIM
CLK
SW2
GND
RLIM
CSS
RDC RSR
GND
Optional
简化版原理图
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SLLSFM0
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议工作条件.............................................................. 4
6.4 热性能信息..................................................................4
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 开关特性......................................................................7
6.7 典型特性，SN6507 ....................................................8
7 参数测量信息.....................................................................9
8 详细说明.......................................................................... 10
8.1 概述...........................................................................10
8.2 功能方框图................................................................10
8.3 特性说明....................................................................11
8.4 器件功能模式............................................................ 17
9 应用和实现.......................................................................19
9.1 应用信息....................................................................19
9.2 典型应用....................................................................20
9.3 电源相关建议............................................................ 28
9.4 布局...........................................................................28
10 器件和文档支持............................................................. 30
10.1 文档支持..................................................................30
10.2 接收文档更新通知................................................... 30
10.3 社区资源..................................................................30
10.4 商标.........................................................................30
11 机械、封装和可订购信息............................................... 30
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision * (March 2022) to Revision A (June 2022)
Page
• 将器件状态更新为“量产数据”......................................................................................................................... 1
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5 引脚配置和功能
DGQ PACKAGE
(TOP VIEW)
SW2
1
10
9
SW1
GND
VCC
2
GND
Thermal
Pad
(11)
3
SS/ILIM
CLK
8
7
EN/UVLO
DC
4
5
SR
6
图5-1. DGQ 封装， 10 引脚HVSSOP （顶视图）
表5-1. 引脚功能
引脚
说明
类型(1)
名称
编号
第一个功率MOSFET 的开漏输出，开关1。通常连接到中心抽头变压器的任一外部端子。由于大
电流流经这些引脚，因此其外部引线应保持较短。
SW1
1
O
内部控制电路和功率MOSFET 的接地连接。引脚2 和引脚9 在PCB 上必须短接以优化发射和效
率。
GND
VCC
2
3
GND
P
VCC 引脚是电源和模拟电路的主要电源引脚。在电源开关的开启和关闭期间会产生短时大电流脉
冲。
使能输入和欠压锁定(UVLO) 编程引脚。
• 如果引脚电压高于EN_UVLO 阈值，则该器件被启用并在VCC 高于VCC_UVLO 阈值时开始
开关。
EN/UVLO
4
I
• 如果该引脚短接至VCC，则当VCC 高于VCC_UVLO 阈值时，器件会自启动。
• 如果该引脚悬空，或引脚电压低于EN_UVLO 阈值，则器件停止开关。
用于补偿输入变化的占空比控制引脚。该引脚上连接到GND 的电阻器可设置占空比。如果未使
用，则将引脚悬空，此时占空比被设置为默认值(48%)。在SYNC 模式下会禁用占空比控制。
5
6
I
I
直流
用于进一步优化发射性能的压摆率控制引脚。该引脚通过将一个电阻器连接到GND 来调整SW1 和
SW2 的压摆率。如果该引脚悬空，则器件以默认压摆率进行开关。
SR
该引脚用于将器件与外部时钟同步（SYNC 模式）或通过将引脚通过电阻器接地来对开关频率进行
编程。如果短接至GND，则器件将以默认频率（典型值为1MHz）进行开关。如果悬空，该器件将
停止开关。
CLK
7
I
多功能软启动(SS) 和电流限制(ILIM) 输入引脚。
• 需要使用一个连接到GND 的电容器来设置输出软启动时间和输入浪涌电流。
• 需要使用一个连接到GND 的电阻器来通过可编程电流限制保护器件。
SS/ILIM
GND
8
9
I
内部控制电路和功率MOSFET 的接地连接。引脚2 和引脚9 在PCB 上必须短接以优化发射和效
率。
GND
第二个功率MOSFET 的开漏输出，开关2。通常连接到中心抽头变压器的任一外部端子。由于大
电流流经这些引脚，因此其外部引线应保持较短。
SW2
10
11
O
GND 引脚（引脚2 和引脚9）必须电气连接到印刷电路板上的电源板（引脚11）才能正常工作。
PowerPAD
GND
(1) I = 输入，O = 输出，P = 电源，GND = 接地
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6 规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内（除非另有说明）(1)。
最小值
–0.5
–0.5
–0.5
最大值
单位
电源电压(2)
电压
VCC
60
V
EN/UVLO
VCC + 0.5
V
V
6
85
SS/ILIM、CLK、DC
电压
SW1, SW2
V
输出开关电压
峰值输出开关电流
结温，TJ
1.6
150
150
A
I(D1)Pk、I(D2)Pk
-55
-65
°C
°C
储存温度范围，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不意味着器件在这些条件下或在建议工作条件以外的任何其他
条件下能够正常运行。如果超出建议工作条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠
性、功能和性能，并缩短器件寿命。
(2) 所有电压值均是以本地接地端子(GND) 为基准的峰值电压值。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)
充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准(2)
±4000
V(ESD)
V
静电放电
±1500
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议工作条件
最小值
标称值
最大值
36
单位
VCC
SW1、ISW2
3
V
输入电压
3V < VCC < 6V
6V < VCC < 36V
0.4
A
I
输出开关电流- 初级侧
0.5
TA
125
150
10
°C
°C
µF
kΩ
kΩ
kΩ
–55
-55
0.05
18
环境温度
TJ
结温
CSS
RILIM
RSR
RCLK
SS/ILIM 引脚上的软启动电容器
SS/ILIM 引脚上的限流电阻器
SR 引脚上用于压摆率控制的电阻器
CLK 引脚上用于可编程频率的电阻器
261
21
4.8
4
111
6.4 热性能信息
SN6507
热指标(1)
DGQ (HVSSOP)
单位
10 引脚
48.2
61.6
18.4
1.7
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
18.3
5.8
ψJB
RθJC(bottom)
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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6.5 电气特性
最小和最大限值适用于建议的结温范围，除非另有说明。除非另有说明，否则所有典型值都是TA = 25°C、VCC = 24V、CLK
FSW = 1MHz 且VEN/UVLO=2.5V 条件下的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源电流
VIN 电源电流(3V < VC C < 36V)，不包括开关驱
动电流
Icc
3
4
mA
VEN/UVLO = 2.5V，RL = 50Ω
ISHUTDOWN
0.8
2.5
0.7
µA
µA
VIN 关断电流
VEN/UVLO = 0V，RL = 50Ω
ILKG(SS/ILIM)
使能和UVLO
SS/ILIM 引脚上的漏电流
VEN/UVLO = 0V，SS/ILIM 的电压= 5V
VCCUVLO-
2.8
2.9
V
VCC 正向UVLO 阈值
V
CC 上升，EN/UVLO 短接至VCC
CC 下降，EN/UVLO 短接至VCC
RISING
VCCUVLO-
2.5
0.1
1.4
2.67
0.12
1.5
V
V
V
VCC 负向UVLO 阈值
VCC UVLO 阈值迟滞
V
FALLING
VCCUVLO-HYS
EN/UVLO 短接至VCC
EN/UVLO 上升
ENUVLO-
1.6
EN/UVLO 正向UVLO 阈值
RISING
ENUVLO-
1.25
0.14
1.35
0.15
1.45
V
V
EN/UVLO 负向UVLO 阈值
EN/UVLO UVLO 阈值迟滞
EN/UVLO 下降
FALLING
ENUVLO-HYS
功率级
RL = 50Ω（连接至VCC），上拉电阻器测试电路
配置
DMM
0
0.45
298
%
SW1 和SW2 之间的平均导通时间不匹配
输出开关导通电阻
R(ON)
1
VCC = 24V，ISW1、ISW2 = 0.5A
Ω
RL = 50Ω（连接至VCC），VCC = 12V；RSR
9.6kΩ（默认值），上拉电阻器测试电路配置
=
=
V(SLEW)
V/µs
SW1 和SW2 上的电压压摆率
RL = 50Ω（连接至VCC），VCC = 12V；RSR
9.6kΩ（默认值），上拉电阻器测试电路配置
V(SLEW)
CLK
369
V/µs
SW1 和SW2 上的电压压摆率
RL = 50Ω，RCLK = 0kΩ，上拉电阻器测试电路配
置
FSW
780
200
1000
1296
kHz
kHz
D1、D2 平均开关频率（默认值）
CLK 引脚上的外部时钟频率
CLK 引脚上应用的外部时钟，用于SYNC 模式。
SW1/SW2 以外部CLK 频率的1/2 进行开关
F(SYNC)
4000
1.8
VCLK(High)
VCLK(Low)
1.6
1.2
V
V
CLK 引脚逻辑高电平阈值
CLK 引脚逻辑低电平阈值
1.0
软启动
ISS
275
µA
µF
SS 外部电容器充电电流
SS 外部电容器范围
0.05
5
CSS 范围
电流限制
ILIM
1.00
0.56
0.06
1.30
0.79
0.10
1.59
1.02
0.14
A
A
A
SW1 和SW2 电流限制
SW1 和SW2 电流限制
SW1 和SW2 电流限制
RLIM = 18.2kΩ，5V < VCC < 36V
RLIM = 30.1kΩ，5V < VCC < 36V
RLIM = 261kΩ，5V < VCC < 36V
ILIM
ILIM
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最小和最大限值适用于建议的结温范围，除非另有说明。除非另有说明，否则所有典型值都是TA = 25°C、VCC = 24V、CLK
FSW = 1MHz 且VEN/UVLO=2.5V 条件下的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
DC CONTROL
48
48
%
%
D
sw1、Dsw2
sw1、Dsw2
SW1 和SW2 上的开关占空比
SW1 和SW2 上的开关占空比
DC 引脚悬空（默认），FSW = 300KHz，时序图
外部CLK（SYNC 模式），FSW = 300KHz，时序
图
D
输入OVLO
VCCOVLO-
36.9
38.7
40.5
40.0
V
输入过压锁定上升阈值
V
CC 上升
RISING
VCCOVLO-
36.5
0.47
38.2
0.57
V
V
输入过压锁定下降阈值
输入过压锁定迟滞
V
V
CC 下降
FALLING
VCCOVLO-HYS
CC 迟滞电压
热关断
TSD+
170
135
32
184
147
37
198
159
42
°C
°C
°C
TSD 开启温度
TSD 关断温度
TSD 迟滞
TJ 上升
TJ 下降
TSD-
TSD-HYST
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6.6 开关特性
最小和最大限值适用于建议的结温范围，除非另有说明。除非另有说明，否则所有典型值都是TA = 25°C、VCC = 24V、CLK
FSW = 1MHz 且VEN/UVLO=2.5V 条件下的典型值。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
使能和UVLO
TEN_glitch
5
µs
EN 干扰滤波器
功率级
在0.5VCC，RL = 50Ω、FSW = 1MHz、RSR
9.6kΩ（或默认值）时测量时序图
=
tBBM
70
ns
先断后合时间
软启动
CSS = 0µF，从EN = 高电平到SW1 和SW2 提供
的全驱动电流
tPWRUP
300
400
30
µs
µs
加电时间
加电时间
CSS = 0µF，从EN = 低电平到MOSFET 关断
（SW1 和SW2 上没有任何电流）
tPWRDN
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6.7 典型特性，SN6507
16
15.9
15.8
15.7
15.6
15.5
15.4
15.3
15.2
15.1
15
17
16.95
16.9
16.85
16.8
16.75
16.7
16.65
16.6
16.55
16.5
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
Load current (A)
Load current (A)
SN6507 + Wurth 750319696
VIN = 24V
SN6507 + Wurth 750319692
VIN = 12V
图6-2. 输出电压与负载电流之间的关系
图6-1. 输出电压与负载电流之间的关系
91
90.5
90
92
90
88
86
84
82
80
78
76
74
89.5
89
88.5
88
87.5
87
86.5
86
85.5
0.1
0.15
0.2
0.25
Load current (A)
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
Load current (A)
SN6507 + Wurth 750319692
VIN = 12V
SN6507 + Wurth 750319696
VIN = 24V
图6-3. 效率与负载电流之间的关系
图6-4. 效率与负载电流之间的关系
1077500
1077000
1076500
1076000
1075500
1075000
1074500
1074000
1073500
10
9.5
9
8.5
8
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140
Temperature (C)
0
250 500 750 1000 1250 1500 1750 2000 2250
Fsw (kHz)
RCLK = 0kΩ
图6-6. ICC 与开关频率间的关系
图6-5. 开关频率与自然通风温度间的关系
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7 参数测量信息
VIN
10 µF
VOUT
SW1
VCC
EN/UVLO
DC
Enable
10 µF
0.1 µF
Adjustable RDC
Adjustable RSR
SR
0.1 µF
10 µF
SS/ILIM
CLK
Adjustable RILIM and CSS
Adjustable CLK
SW2
GND
GND
图7-1. 输出测量电路
1/fsw
tr
Q1 On
Q2 Off
Q1 Off
Q2 On
tf
tBBM
图7-2. 时序图
RL
EN/UVLO SW1
DC
Adjustable RDC
Adjustable RSR
VIN
SR
VCC
10 µF
SS/ILIM
CLK
Adjustable RILIM and CSS
Adjustable CLK
RL
SW2
GND
GND
图7-3. 上拉电阻器测试电路配置
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8 详细说明
8.1 概述
SN6507 是一款具有两个集成 n 沟道功率 MOSFET 的 36V、0.5A 推挽式变压器驱动器。该器件专为低成本、小
尺寸、低EMI 隔离式直流/直流电源而设计。
该器件包含一个振荡器，用于为栅极驱动电路馈送信号。栅极驱动电路由分频器和先断后合 (BBM) 逻辑组成，并
提供了两个互补的输出信号，这两个信号会交替开启和关闭两个输出NMOS 晶体管。随后的先断后合逻辑在两个
信号的高脉冲之间插入一个死区时间，以避免变压器初级绕组的两端短路。产生的输出信号驱动隔离变压器和整
流器，将输入电压转换为隔离式输出电压。
为了提高宽输入应用的性能，该器件实现了占空比控制 (DCC) 功能，该功能可以动态调整占空比以补偿输入变
化。如果输入变化处于一定的范围之内，则无需预先调节。或者，即使在输入变化超出调节范围的宽输入条件
下，该器件也可以减小次级侧LDO 尺寸和节省功率损耗。宽开关频率范围可实现更高的效率和更小的输出纹波，
并在选择变压器时实现尺寸优化。
变压器驱动器具有多种保护功能，用于确保稳健运行，例如可编程过流保护 (OCP)、输入 OVP、输入 UVLO 和
TSD。该器件通过利用过压比较器来更大限度地减少过多的输出过压瞬变。当过压比较器被激活时，MOSFET 被
关断并被阻止开启，直到过压情况消失。该器件对两个 MOSFET 实施过载保护，这有助于控制变压器电流并避免
变压器饱和。如果结温高于热关断跳闸点，该器件也会关断。可编程软启动周期可降低启动和故障恢复期间的浪
涌电流。
对于超低EMI 应用，压摆率控制功能提供了设计灵活性和简单性，可通过电阻器可编程选项进一步改善发射。
8.2 功能方框图
VCC
Internal
Bias
LDO
Bandgap
SW1
SW2
+
–
+
–
UVLO
TSD
Thermal
Detection
VREF_OV
VREF_UVLO
RENT
OVP
EN/UVLO
+
Control Logic
MOSFET
Driver
EN
VREF_EN
–
RENB
External
CLK Detect
OCP
CLK
RCLK
÷2
ILIM
IBIAS
MUX
Oscillator with SSC and
Duty Cycle Control
Soft Start
ILIM Sensor
SS
SS/ILIM
DC
GND
SR
GND
RDC
RSR
RILIM
CSS
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8.3 特性说明
8.3.1 推挽式转换器
推挽式转换器需要使用带有中心抽头的变压器将电力从初级传输到次级。当 Q1 导通时，VIN 驱动电流通过初级的
下半部分流入接地端，从而在初级的下端产生相对于中心抽头处VIN 电位的负电压电位。
CR
CR
1
1
V
V
OUT
OUT
C
C
R
R
L
L
V
V
IN
IN
CR
CR
2
2
Q
Q
Q
Q
1
2
1
2
图8-1. 推挽式转换器的开关周期
同时，初级上半部分的电压使得初级上端相对于中心抽头为正，以保持先前建立的流过 Q2（现在已变为高阻抗）
的电流。两个电压源（每个都等于 VIN）以串联方式连接，在初级的开路端产生相对于接地为 2 × VIN 的电压电
位。
按照点规定，在初级上出现的相同电压极性也出现在次级上。因此，次级上端的正电位正向偏置二极管 CR1。从
次级上端开始的次级电流流过CR1，对电容器C 进行充电，并通过负载阻抗RL 返回到中心抽头。
当 Q2 导通时，Q1 变为高阻抗并且初级和次级的电压极性会反转。现在初级的下端呈现出具有相对于接地为 2 ×
VIN 电位的开路端。在这种情况下，CR2 正向偏置，而 CR1 反向偏置，电流从次级下端流过 CR2，为电容器充电
并通过负载返回到中心抽头。
8.3.2 磁芯磁化
图 8-2 展示了推挽式转换器的理想磁化曲线，其中 B 为磁通密度，H 为磁场强度。当 Q1 导通时，磁通量被从 A
推至 A'，当 Q2 导通时，磁通量被从 A' 拉回至 A。磁通量差和磁通密度差与初级电压 VP 和时间 tON 之积成正
比，这适用于初级侧：B ≈VP × tON。
B
V
V
P
IN
A’
H
R
V
DS
DS
A
V
= V +V
P DS
IN
图8-2. 通过RDS(on) 的正温度系数进行的磁芯磁化和自调节
该伏秒 (V-t) 乘积很重要，因为它决定了每个开关周期中的磁芯磁化强度。如果两个相位的 V-t 乘积不相同，则磁
通密度摆动不平衡会导致偏离 B-H 曲线的原点。如果没有恢复平衡，则偏移在每个后续周期中都会增加，并且变
压器会缓慢地向饱和区域移动。
幸运的是，由于 MOSFET 的导通电阻具有正温度系数，因此 SN6507 的输出 FET 对 V-t 不平衡具有自校正作
用。在导通时间稍长的情况下，流过FET 的持久电流会逐渐对晶体管进行加热，从而导致RDS-on 增加。然后，较
高的电阻会导致漏源电压VDS 上升。由于初级电压是恒定输入电压VIN 与MOSFET 上的电压降 VP = VIN –VDS
之间的差值，因此VP 会逐渐降低，V-t 平衡会恢复。
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8.3.3 占空比控制
SN6507 实现了占空比控制功能，通过 DC 引脚上的电阻器在一定程度上提供线路调节。通过使 DC 引脚电压成
为输入的函数，占空比将随着VIN 进行调整，因此VOUT 可以保持恒定。与固定占空比变压器驱动器相比，该动态
占空比控制功能通过对输出进行伪调节来降低宽 VIN 变化的 LDO 功率损耗。对于输入变化处于一定范围内的应
用，该功能可以消除后置稳压 LDO。占空比控制的另一个好处是降低变压器成本和缩小尺寸，因为变压器初级侧
的输入范围有限。
VCC
IL
ILOAD
CIN
EN/UVLO
DC
SW1
VCC
RLOAD
COUT
SR
RDC
SS/ILIM
CLK
SW2
GND
RLIM
CSS
GND
RCLK
图8-3. 占空比控制原理图
方程式1 展示了如何计算DC 引脚电阻器阻值，其中RDC 和RCLK 都以kΩ 为单位。
R
= 0.816 × D × VCC × R
+ 1 − 1
(1)
DC
CLK
对于RCLK 短接到GND 的固定振荡器情况，应在上述公式中使用RCLK 值9.6kΩ 来计算RDC。
占空比控制可以补偿高达 ±35% 的输入变化，其中可以实现 ±5% 以内的线路调节。为达到该范围，建议标称 VIN
处的占空比以 25% (D = 0.25) 为中心。变压器匝数比需要将该占空比纳入计算，以确保在所有 VIN 电压下实现预
期的输出电压电平，如节9.2.2.5 所述。
占空比控制功能支持高达一定的占空比和 VIN 范围。最小占空比由功率 FET 栅极电容的充电和放电时间决定，而
最大占空比受到死区时间（典型值为70ns）的限制。例如，在1MHz 下，可调节占空比介于 10% 和43% 之间。
如果超过上述占空比范围，那么线路调节可能会饱和，输入补偿不再起作用。同时，如果占空比低于最低规格，
则器件可能会在重负载下达到电流限制。占空比功能适用的VIN 范围为6V 至36V。
为了启用占空比控制功能，输出侧需要一个电感器。输出电感器的选择应确保电感器电流不会进入不连续导通模
式(DCM)，这意味着电感器电流斜坡在任何时候都不应降至零。因此，最小电感LMIN 的计算条件是器件处于连续
导通模式 (CCM)，其中负载直流电流小于电感器上电流斜坡幅度的一半。因此，LMIN 是负载电流和开关频率的函
数，如以下公式所示，其中Iload 以A 为单位，fSW 以Hz 为单位，D 是以小数表示的占空比（对于25% 占空比，
使用0.25），Lmin 以H 为单位。
1 − 2 × D × V
4 × I
/V
IN TYP IN MAX
L
= V
×
(2)
MIN
OUT
× f
LOAD MIN
SW
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SW1
SW2
SW2 on
SW1 on
ISW
TON
TOFF
IL
ILPK
ILOAD
Iripple
0
图8-4. 连续导通模式(CCM) 下的波形
SW1
SW2
SW1 on
SW2 on
ISW
TON
TOFF
IL
ILPK
ILOAD
Iripple
0
图8-5. 不断续导通模式(DCM) 下的波形
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可编程开关频率
SN6507 具有一个用于设置功率级的开关频率的内部振荡器。由于两个电源开关异相，因此振荡器频率是每个电
源开关实际开关频率的两倍。占空比固定为 70ns 死区时间，以避免击穿。如果启用了占空比功能，则占空比是可
变的。请参阅节8.3.3。
SN6507 具有 100kHz 至 2MHz 的宽开关频率范围，可通过一个连接至 GND 的电阻器 (RCLK) 进行引脚编程。下
表列出了用于实现特定工作频率 (fSW) 的 RCLK 阻值在选择开关频率时，需要在电源效率与容性和感性元件尺寸之
间进行权衡。例如，当以更高的开关频率工作时，变压器和电感器的尺寸会减小，从而实现更小的设计尺寸和更
低的成本。不过，更高的频率会增加开关损耗，从而降低整体电源效率。
表8-1. 建议的1% RCLK 值和fSW 查找表
RCLK
111kΩ
fSW（典型值）
105 kHz
523 kHz
21kΩ
1.07 MHz
2.13 MHz
9.6kΩ
4.1kΩ
0kΩ（短接至GND）
默认值(1MHz)
图 8-6 还可用于通过外部电阻器阻值 RCLK 来估算可编程开关频率 fSW，其中 RCLK 以 kΩ 为单位，fSW 以 kHz 为
单位：
2000
1000
500
100
4
6
8 10
30
50
70 90 110
RCLK (k)
图8-6. RCLK 范围的近似SN6507 开关频率FSW
如果CLK 引脚短接至 GND，则器件以其默认频率FSW 进行开关。CLK 引脚悬空不是有效的工作状态，会导致器
件停止开关，直到出现外部时钟信号。
8.3.4 扩频时钟
辐射发射是大电流开关电源中的一个重要问题。由于数字时钟信号的周期性，能量集中在一个特定的频率及其奇
次谐波中，从而导致 EMI 问题。SN6507 实现了展频时钟 (SSC) 以减少数字时钟信号的辐射发射。该器件会调制
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其内部时钟，使发射能量分布在多个频率间隔中。该功能可以极大地提高整个电源块的发射性能，从而使系统设
计人员从隔离式电源设计的一个主要问题中解脱出来。
8.3.5 压摆率控制
为了在效率方面优化 EMI，SN6507 设计为允许电阻器 (RSR) 选择功率 FET 开启的驱动器的强度。如下面的图
8-7 所示，开关边沿的压摆率可通过该电阻器进行控制。通过压摆率控制滚降谐波可以消除许多应用中对屏蔽和共
模扼流圈的需求。
压摆率控制的 EMI 优势可能会导致效率略微降低和峰值电流 (ISW_SR) 略微增大。当该功能减慢栅极电容的充电和
放电时，FET 的延长转换时间会增加每个开关周期期间的转换损耗。这会增加功率耗散，从而降低效率并加剧热
问题。这将限制压摆率的降低幅度。另一项成本是每个周期的峰值电流会增加。这是因为缓慢的边沿减少了导通
时间(ION_SR)，最终峰值电流(ISW_SR) 将增加，以在每个周期向负载提供相同的平均电流。
VSW
SR1
SR2
TON_SR2
TON_SR1
ISW_SR2
ISW_SR1
ISW
图8-7. 压摆率控制方案
可以通过 RSR 对不同 VIN 下的压摆率进行编程。较高的 RSR 值会将 SN6507 配置为在 VCC 电平上具有较慢的压
摆率，而较低的 RSR 值会将 SN6507 配置为具有较快的压摆率。下面的表8-2 列出了 12V 和24V 情况下 VCC 与
压摆率之间的关系。由于压摆率与开关频率无关，因此必须注意，在高频率下，压摆率应该足够快，以最大限度
地向负载提供输出功率。如果 SR 引脚悬空，压摆率将被设置为默认值。如果 SR 引脚短接至 GND，则被视为故
障情况，器件将停止开关。
表8-2. 压摆率控制查找表
VCC (V)
RSR (kΩ)
典型压摆率(V/μs)
5
5
5
5
4.8
337
263
224
悬空（默认设置）
15
21
198
424
298
237
199
583
369
273
218
12
12
12
12
24
24
24
24
4.8
悬空（默认设置）
15
21
4.8
悬空（默认设置）
15
21
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8.3.6 保护特性
SN6507 受到多种保护功能的保护，以提高系统级的稳健性和可靠性。这些保护功能包括可编程输入欠压保护
(UVLO)、输入过压保护(OVP)、可编程过流保护(OCP) 和过热保护(TSD)。
8.3.6.1 过压保护(OVP)
由于 SN6507 是开环变压器驱动器，因此实现了过压保护功能以防止输出电压上升过高。过压保护阈值是一个固
定值，无法对其进行编程。如果VCC 引脚电压超过过压上升阈值，则器件会在 550ns（典型值）响应时间后停止
开关。要从过压事件中恢复，输入电压必须降至OVP 下降阈值以下。
8.3.6.2 过流和短路保护(OCP)
SN6507 通过两个 NMOS 开关的逐周期电流限制来防止发生过流情况。软启动期间禁用 OCP。软启动完成后，
OCP 启用，阈值设置为编程的值。会检测到开关电流并将其与通过 SS/ILIM 引脚上的外部电阻器 RILIM 编程的电
流阈值进行比较。下面的表8-3 列出了 RILIM 的常见电流限制阈值(ILIM) 及其对应的电阻器阻值。不建议将该器件
的ILIM/SS 引脚悬空。
表8-3. 建议的1% RILIM 值
RILIM
18kΩ
20kΩ
22kΩ
24kΩ
27kΩ
30kΩ
35kΩ
40kΩ
50kΩ
62kΩ
85kΩ
127kΩ
261kΩ
ILIM（典型值）
1.3 A
1.2 A
1.1A
1.0A
900 mA
800mA
700 mA
600mA
500mA
400mA
300mA
200mA
100mA
如果由于短路而导致隔离式输出端出现极端过载的情况，则器件的行为如下：
• 在发生瞬态过载或短路情况时，如果SS/ILIM 引脚上产生的电压骤降低于2.5V（典型值），则器件将其视为
“软短路”情况。在软短路中，转换器进入间断模式：在达到编程的OCP 阈值时，驱动器将关闭100ns（典
型值），然后重试驱动。如果OCP 再次跳闸，则循环继续。该重试在SW1 和SW2 的整个TON 时间内持续
发生，直到OCP 不跳闸或触发“硬短路”。在OCP 重试事件期间，两个FET 都关闭，瞬态峰值电流可能会
高于OCP 限制。
• 如果电压骤降超过2.5V（典型值），则器件将其视为“硬短路”情况。硬短路OCP 阈值固定为5A（典型
值）。如果硬短路状态持续时间超过200μs，则表明系统处于严重的短路故障状态，清除短路之后，器件会
将软启动电容器完全放电并进入软启动。请注意，触发硬短路OCP 的响应时间为65ns（典型值）。
8.3.6.3 欠压锁定(UVLO)
启动和关断由 EN/UVLO 引脚和 VCC 引脚进行控制。要使器件保持关断模式，请向 EN/UVLO 引脚施加低于
ENUVLO 的电压。在关断模式下，静态电流小于 0.8µA（典型值）。如果 EN/UVLO 引脚的电压高于 ENUVLO，但
VIN 仍低于 VCCUVLO，则 SW 节点处于不活动状态。一旦 VIN 高于 VCCUVLO，只要 EN/UVLO 电压高于 1.5V，
芯片就开始正常开关。
可以通过三种方法来启用器件操作。最简单的方法是将 EN/UVLO 引脚连接到 VCC 引脚，从而在 VCC 引脚电压
高于 VCCUVLO 电平时允许器件自启动。不过，许多应用受益于与提供的内部 UVLO 不同的输入 UVLO 电平。因
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此，另一种方法是采用如下图所示的使能电阻分压器网络，该网络建立了可编程 UVLO 阈值。第三种方法是连接
一个外部逻辑输出来驱动该引脚，从而允许用户定义的系统电源时序。
EN/UVLO 引脚具有 5µs（典型值）干扰滤波器，有助于避免由于噪声耦合而导致的错误开启和关闭。它还带有内
部下拉设计，以确保在引脚悬空时器件处于关断模式。
使用EN/UVLO 引脚的可编程UVLO
VIN
RENT
EN/UVLO
RENB
GND
可以使用以下公式来计算电阻器阻值，其中输入开启阈值 VIN_UVLO 是所需的典型启动输入电压，ENUVLO 的典型
值为1.5V，RENT 和RENB 以Ω 为单位。
R
ENT
V
= 1 +
× EN
(3)
IN_UVLO
UVLO
R
ENB
8.3.6.4 热关断(TSD)
当 IC 结温超过 180°C（典型值）时，热关断通过关闭内部开关来防止器件达到极端结温。在 TSD 中，开关立即
停止，以防止内部MOSFET 在高环境温度工作条件下或由于高开关电流的自发热而发生故障。要从热关断情况中
恢复，结温必须低于过热保护下降阈值。当结温降至低于147°C（典型值）时，会启用功率FET 开关。
8.4 器件功能模式
该器件的功能模式分为启动模式、运行模式和关闭模式。
8.4.1 启动模式
当 VCC 引脚电压上升至 VCCUVLO 并且 EN/UVLO 引脚电压超过 ENUVLO 时，内部振荡器开始工作。输出级开始
开关，但SW1 和SW2 的漏极信号振幅尚未达到其最大值。
8.4.1.1 软启动
SN6507 器件支持软启动功能。上电或 EN/UVLO 引脚从低电平转换为高电平时，输出功率 FET 的栅极驱动在一
段时间内逐渐从 0V 增加到最大驱动强度。软启动可防止来自 VCC 的高浪涌电流，同时为大型次级侧去耦电容器
充电，并防止上电期间次级电压过冲。
可以使用以下公式通过SS/ILIM 引脚上的电容器和电阻器来计算上升至峰值开关电流的软启动时间。
C
SS
T
=
(4)
SS
0.6
275μA −
R
ILIM
在软启动期间禁用过流保护。为了确保在软启动和稳态之间平稳转换，建议使用容值介于 50nF 和 5µF 之间的
CSS，并使用容值小于CSS 容值的10 倍的输出电容器COUT。
8.4.2 工作模式
当 EN 引脚电压高于 ENUVLO、VIN 引脚电压高于 VCCUVLO 且软启动完成时，SN6507 驱动器处于工作模式。在
正常工作模式下，开关频率是固定的，由CLK 引脚电阻器或外部时钟信号决定。
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8.4.3 关断模式
该器件具有专用的EN/UVLO 引脚，可在不使用时将器件置于极低功耗模式以节省电力。EN/UVLO 引脚具有一个
内部下拉电阻器，可在未驱动时使器件保持禁用状态。当禁用或 VCC < 2.8V 时，两个漏极输出 SW1 和 SW2 均
为三态。
8.4.4 SYNC 模式
SN6507 具有 CLK 引脚，可用于将器件与系统时钟同步，进而与其他 SN6507 器件同步，以便系统可以控制器件
的准确开关频率。在SYNC 模式下，CLK 频率被二分频以驱动功率FET 的栅极。图9-2 展示了相应的时序图。
如果在一段时间(tCLKTIMER) 内不存在有效的外部时钟，则器件可能会自动从SYNC 模式切换到内部或电阻器CLK
模式。同样，当器件从内部或电阻器控制的 CLK 模式转换到 SYNC 模式时，五个 CLK 周期延迟之后才会检测到
外部CLK。
当器件处于 SYNC 模式时，不支持占空比控制和 SSM，因此，建议在 SYNC 模式下将 DC 引脚悬空以减小解决
方案尺寸。
请注意，建议VCC 引脚在CLK 引脚之前上电。否则外部时钟的初始状态应该是高阻态。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各元件
是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确认系统功能。
9.1 应用信息
SN6507 是一款采用推挽式拓扑的变压器驱动器，专为低成本、小尺寸、隔离式直流/直流转换器而设计。该器件
包含一个振荡器，用于为栅极驱动电路馈送信号。栅极驱动电路由分频器和先断后合 (BBM) 逻辑组成，并提供了
两个互补的输出信号，这两个信号会交替开启和关闭两个输出晶体管。
SW1
SW2
Q1
Q2
S
S
fOSC
MOSFET
Driver
BBM
Logic
Freq
Divider
CLK
GND
图9-1. 先断后合操作的方框图
CLK
S
S
G1
Q1 On
Q2 Off
Q1 Off
G2
Q2 On
SW1
SW2
tBBM
tBBM
tBBM
图9-2. 先断后合操作的输出时序
振荡器的输出频率由异步分频器进行分频，该分频器提供了两个 50% 占空比的互补输出信号 S 和S。后续的先断
后合逻辑会在这两个信号的高电平脉冲之间插入一个死区时间。得到的输出信号G1 和G2 为输出晶体管Q1 和Q2
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提供了栅极驱动信号。如图 9-2 所示，必须存在一个较短的时间，在此期间，这两个信号都应处于低电平且两个
晶体管都处于高阻抗状态，然后其中一个栅极才会呈现逻辑高电平。该较短的时间称为先断后合时间，必须存在
该时间，以避免初级侧的两端发生短接。
9.2 典型应用
该部分讨论了两个应用案例。一个案例是针对具有压摆率控制的固定输入。另一个案例是针对具有占空比控制的
宽范围输入。
VIN = 24V
LDO
1:N
RENT
10µF
VOUT = 15V
VIN
VOUT
EN/UVLO
DC
SW1
VCC
10µF
10µF
0.1µF
FB
SR
SS/ILIM
CLK
SW2
GND
RENB
RSR
RCLK
RILIM
CSS
GND
图9-3. 具有压摆率控制的固定输入的典型应用原理图
VIN = 18V-30V
LDO
1:N
RENT
10µF
L
VOUT = 15V
VIN
VOUT
EN/UVLO
DC
SW1
VCC
10µF
10µF
0.1µF
FB
SR
SS/ILIM
CLK
SW2
GND
RENB
RCLK
RDC
RILIM
CSS
GND
图9-4. 具有占空比控制的宽范围输入的典型应用原理图
9.2.1 设计要求
本设计示例使用表9-1 中所列的参数作为设计参数。
表9-1. 设计参数
参数
注释
示例值
24V ± 2%
固定VIN
固定输入情况下的输入电压
18V（最小值）
24 V（典型值）
30V（最大值）
宽范围VIN
宽输入情况下的输入电压范围
fSW
VOUT
ILOAD
ILIM
1MHz ± 10%
15V
开关频率
输出电压
200mA
500mA
9V
负载电流
峰值电流限制
欠压锁定
UVLO
SS
2ms
软启动时间
9.2.2 详细设计过程
本节介绍了使用 SN6507 变压器驱动器的详细设计过程。以下有关元件选择的建议聚焦于设计具有高电流驱动能
力的高效推挽式转换器。讨论了两种情况：具有占空比控制的宽输入范围，以及具有固定输入电压的紧凑型设
计。
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通过 5 个简单的步骤来讨论 SN6507 的引脚配置，然后讨论外部元件的选择，包括二极管、电容器、电感器、
LDO 和变压器。
9.2.2.1 引脚配置
以下是一个如何通过5 个简单的步骤配置SN6507 引脚的示例。
步骤1：设置开关频率
首先，使用表8-1 通过RCLK 设置驱动器开关频率。
例如：RCLK = 9.6kΩ 或短接至GND，设置大约1MHz 的fSW 典型值。
步骤2：设置输入UVLO
EN/UVLO（欠压锁定）引脚用于设置驱动器开始开关的最小输入电压。可以通过方程式3 来计算电阻分压器值。
例如，如果输入阈值(VON) 预计为9V，则电阻器计算结果为RENT/RENB = 5。
因此，电阻器阻值的选择结果为：
RENT= 5kΩ，RENB= 1kΩ
要使器件在默认 UVLO 阈值（典型值为 2.8V）下自启动，用户可以跳过第 2 步，直接将 EN/UVLO 引脚短接至
VCC。
步骤3 ：设置电流限制和软启动时间
可以根据表 8-3 通过 SS/ILIM 引脚上的电阻器来设置电流限制。在过流保护系统运行期间，峰值电流可能非常
高，直到故障被清除。
例如，要将电流限制设置为500mA（典型值），建议的RILIM 为50kΩ。
确定RILIM 后，将RILIM 代入方程式4，软启动时间计算结果为：
C
SS
T
=
SS
0.6
50k
275μA −
以2ms（典型值）软启动时间为例，SS/ILIM 引脚上的电容器CSS = 0.5uF。
请注意，SS/ILIM 引脚上需要连接RILIM 和CSS 以确保该器件稳健运行。应避免缺少RC 连接或使引脚悬空。
步骤4 ：设置占空比
对于固定输入情况，不需要占空比功能。可以通过使 DC 引脚悬空来跳过该步骤，以便器件以默认的最大占空比
（典型值为48%）运行。最大占空比由开关周期和死区时间（典型值为70ns）确定，以避免两个电源开关重叠。
对于宽输入情况，可以通过在 DC 引脚上连接电阻器 RDC 和在输出侧连接一个电感器来启用占空比功能。节
9.2.2.4 介绍了如何选择电感器。
为了实现最大输入补偿，DC 在典型 VCC (24V) 下设置为接近 0.25（25% 占空比）。通过在方程式 1 中代入 DC
= 0.25、VCC = 24V 和RILIM = 50，可计算得出RDC 为240kΩ，其中RILIM 和RDC 以kΩ 为单位。
9.2.2.2 LDO 选择
SN6507 是一款没有负载调节功能的开环变压器驱动器。输出电压可能在很宽的负载电流范围内变化。因此，如
果需要高精度、独立于负载的电源，强烈建议在输出侧部署低压降稳压器(LDO)。
合适的低压降稳压器的最低要求为：
• 其电流驱动能力应略高于应用的规定负载电流，以防止LDO 降至稳压范围以下。因此，对于200mA 的负载电
流，应选择200mA 至300mA 的LDO。虽然具有更高驱动能力的稳压器是可以接受的，但它们通常也具有更
高的压降电压，这会降低转换器的整体效率。
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• 指定负载电流下的内部压降电压VDO 应尽可能低，以保持效率。对于低成本300mA LDO，在300mA 下
600mV 的VDO 很常见。不过，请注意，该较低的值通常是在室温条件下指定的，在整个温度范围内可能会增
加2 倍，这会相应地提高所需的最小输入电压。
• 防止稳压器降至线路调节范围以下所需的最小输入电压由以下公式给出：
VI-min = VDO-max + VO-max
(5)
这意味着为了确定最坏情况下的VI，用户必须取LDO 数据表中规定的用于额定输出电流（即200mA）的VDO
和VO 最大值并将其相加。还规定推挽式整流器在规定负载电流下的输出电压等于或高于VI-min。如果不是这
样，LDO 将丧失线路调节功能，输入端的任何变化都会直接传递到输出端。因此，在低于VI-min 时，输出电压
会跟随输入，调节器的行为就像一个简单的导体。
• 最大稳压器输入电压必须高于空载时的整流器输出。在这种情况下，没有次级电流反射回初级，因此使RDS-on
上的电压降可以忽略不计，并允许整个转换器输入电压在初级上下降。此时，次级达到其最大电压
VS-max = VIN-max × N
(6)
其中 VIN-max 为最大转换器输入电压，n 为变压器匝数比。因此，为了防止 LDO 损坏，稳压器的最大输入电压必
须高于VS-max。表9-2 列出了推挽式转换器中常用的各种匝数比的最大次级电压。
表9-2. 各种推挽配置所需的最大LDO 输入电压
推挽式转换器
LDO
VI-max [V]
25
VIN-max [V]
25
VS-max [V]
配置
匝数比(N)
1.38:1
18
19
24VIN 至15VOUT
12VIN 至15VOUT
12.5
1:1.5
25
9.2.2.3 二极管选型
整流二极管应始终具有低正向电压，以便为转换器输出提供尽可能高的电压。不过，当 SN6507 用于高频开关应
用时，二极管还必须具有低总电容、短恢复时间和大于负载电流的额定电流。肖特基二极管满足这些要求，因此
强烈建议在SN6507 推挽式转换器设计中使用肖特基二极管。
必要的二极管反向电压额定值 VR 由变压器次级侧电压加上任何电压振铃决定。不过，电压振铃很难预测，因为它
取决于多种因素，例如回路电阻、变压器的漏电感和二极管结电容。根据经验，二极管额定电压应大于变压器匝
数比乘以最大输入电压的 1.5 倍。由于两个次级绕组跨接在整流桥上，因此需要系数二，从而产生二极管的最大
直流阻断电压额定值：
Diode V > 1 . 5 × 2 × N × V
(7)
R
IN MAX
对于高效率设计，可以使用具有低正向电压 VF 和二极管电容 CT 的二极管，例如可以使用 BAT165E6327HTSA1
或等效产品以实现高效率 15V 输出。这些寄生效应和反向恢复等二极管参数会影响系统效率并可能影响发射。对
于低发射设计，可以使用低发射二极管，例如可以使用 PMEG200G20ELRX 或等效产品以实现高达100V 的低发
射输出。
9.2.2.4 电容器和电感器选型
电容器选型
推挽式转换器电路中的电容器通常是片式多层陶瓷芯片 (MLCC) 电容器。与许多高速 CMOS IC 一样，该器件需
要一个100nF 的旁路电容器。确保该电容器放置在距SN6507 VCC 引脚2mm 的范围内。
在快速开关瞬态期间，变压器初级侧中心抽头处的输入大容量电容器支持流入初级绕组的大电流。为实现最小的
纹波，应使该电容器处于 1μF 至 10μF 的范围内，最好是 10μF。将该电容器放置在靠近变压器初级绕组中心
抽头的位置，以尽量减小引线电感。如果放置在 PCB 的与变压器相反的一侧，则可以在同一层并靠近变压器中心
抽头放置一个额外的 100nF 电容器。为这些电容器与变压器中心抽头之间的每个连接使用两个并联过孔，以确保
实现低电感路径。
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整流器输出端的大容量电容器可使输出电压变得平滑。在 1μF 至 10μF 的范围内设置该电容器。为避免在从软
启动到稳态的转换过程中达到 OCP，建议输出电容器 COUT 小于连接到 SS/ILIM 引脚的 CSS 的 10 倍。否则，如
果由于 CSS 值较小而导致软启动时间较短，则输出电容器仅被部分充电，并且在器件退出软启动模式后的第一个
开关周期中会出现高电流尖峰。
如果在嘈杂的环境中工作，则可以将值处于 1nF 和4.7nF 之间的可选电容器连接到SN6507 的控制引脚以进行滤
波。
如果使用 LDO，则不一定需要在 LDO 输入端增加一个小电容。不过，良好的模拟设计实践表明使用 47nF 至
100nF 的较小值可以改善稳压器的瞬态响应和噪声抑制。
如果使用 LDO，则 LDO 输出端的附加电容器会缓冲稳压输出电源，以供后续隔离器和收发器电路使用。输出电
容器的选择取决于数据表中规定的 LDO 稳定性要求。不过，在大多数情况下，4.7μF 至10μF 范围内的低 ESR
陶瓷电容器可以满足这些要求。
电感器选型
电感器仅用于占空比功能。可以通过方程式 2 计算最小电感器感值 (LMIN)。更高的电感可以实现更佳的调节和更
低的电压纹波，但相应地需要尺寸更大的电感器。理想电感值是通过考虑调节性能和尺寸之间的折衷来确定的。
例如，当 VOUT = 15V、VIN TYP = 15V、VIN MAX = 18V、ILOAD MIN = 250mA、fSW = 1MHz、D = 0.25 时，计算得
出的最小电感是50μH。
1 − 2 × 0 . 25 × 15V/18V
L
= 15V ×
= 8 . 75μH
(8)
MIN
4 × 0.25A) × 1MHz
9.2.2.5 变压器选型
9.2.2.5.1 V-t 积计算
为了防止变压器饱和，其V-t 乘积必须大于器件施加的最大V-t 乘积：在指定输入电压下，该电压在最低频率的一
半周期内施加到初级的最长时间。对于使用占空比控制的设计，可以通过在最低开关频率的四分之一周期内施加
的典型电压来计算器件施加的最大V-t。对于使用由 RCLK 设置的时钟频率的系统，可以估算 fmin 比节 可编程开关
频率中相应 RCLK 的典型或近似开关频率值 fSW 低 15%。对于 CLK 引脚连接至 GND 的系统，应使用节 6 中的指
定 FSW。因此，对于固定输入，可以通过方程式 9 来确定变压器的最小 V-t 乘积；对于使用占空比控制的宽范围
输入，可以通过方程式10 来进行确定：
V
T
IN max
max
2
Vt
≥ V
×
=
(9)
min
min
IN max
IN typ
2 × f
min
V
T
IN typ
max
Vt
≥ V
×
=
(10)
4
4 × f
min
固定输入示例：
对于 fSW(min) 为 780kHz、电源 VIN = 24V（容差为 ±10%）的固定输入系统，通过方程式 9 可得出最小 V-t 乘积
为：
26 . 4V
2 × 780kHz
Vt
≥
= 16 . 9 Vμs
(11)
min
宽范围输入示例：
假设fSW(min) 为780kHz，电源VIN(typ) 为24V，通过方程式10 可得出最小V-t 乘积为：
24V
Vt
≥
= 7 . 7 Vμs
4 × 780kHz
(12)
min
尽管在 Vt 范围内所有这些变压器都可以由该器件驱动，但在做出最终决定之前必须考虑其他重要因素，例如隔离
电压、变压器功率和匝数比。
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9.2.2.5.2 匝数比估算
上一节已经确定所选变压器的 V-t 乘积必须为 15Vμs。不过，在搜索制造商网站以寻找合适的变压器之前，用户
仍需要了解允许推挽式转换器在指定的电流和温度范围内正常运行的最小匝数比。该最小变压比表示为最小次级
电压与最小初级电压之比乘以将变压器典型效率97% 考虑在内的校正因数：
VP-min = VIN-min - VDS-max
(13)
V
S-min 必须足够大，以允许整流二极管上的最大压降 VF-max 并且仍然为稳压器提供足够的输入电压以保持稳压。
由节9.2.2.2 可知，该最小输入电压是已知的，通过添加VF-max 可以提供最小次级电压，如下所示：
VS-min = VF-max + VDO-max + VO-max
(14)
V
F
V
DO
V
V
O
I
V
R
S
L
V
V
IN
P
V
DS
R
Q
DS
图9-5. 通过Nmin = 1.03 × VS-min/VP-min 来确定所需的最小匝数比
然后，可用的最小初级电压 VP-min 计算包括从最小转换器输入电压 VIN-min 中减去器件的最大可能漏源电压
VDS-max
：
VP-min = VIN-min –VDS-max
(15)
(16)
(17)
(18)
不过，VDS-max 是数据表中指定电源的最大RDS(on) 和ID 值的乘积：
VDS-max = RDS-max × IDmax
然后将方程式16 插入方程式15 可得到：
VP-min = VIN-min - RDS-max x IDmax
将方程式17 和方程式14 插入方程式13 可得出最小匝数比，如下所示：
V
+ V
DO − max
+ V
× I
F − max
O − max
D − max
N
= 1.03 ×
min
V
− R
IN − min
DS − max
提供了有关计算方法的示例。一个示例是针对无占空比控制的固定输入情况。另一个示例是针对有或无占空比控
制的宽范围输入情况。
固定输入示例：
对于使用整流二极管 PMEG200G20ELRX 和 LM317A LDO 的固定 24V VIN 至 15V VOUT 转换器，针对 500mA
负载电流和85°C 最大温度的数据表值为VF-max = 0.5V、
VDO-max = 0.7V、VO-max = 15.15V。
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然后假设转换器输入电压来自具有最大 ±2% 精度的 24V 稳压电源，则 VIN-min = 23.52V。最后，24V 下的漏源电
阻和漏极电流的最大值来自数据表，其中RDS-max = 1Ω，ID-max = 0.5A。
将上述值插入上述公式可得出最小匝数比为：
0.5 V + 0.7 V + 15.1 V
23.52 V − 1 Ω × 0.5 A)
N
= 1.03 ×
= 0.72
(19)
min
宽范围输入示例：
• 无占空比控制的宽范围输入
对于具有宽输入范围但无占空比控制的转换器设计，匝数比需要考虑最小输入电压。
假设使用相同的二极管和LDO，则计算结果为VF-max = 0.5V、VDO-max = 0.7V、VO-max = 15.15V。
18V 至 30V 的输入范围使 VIN-min = 18V。18V 至 30V 的输入范围（典型值为 24V）使 VIN-min = 18V。将相同的
RDS-max = 1Ω和ID-max = 0.5A 代入上述公式可得出最小匝数比为：
0.5 V + 0.7 V + 15.1 V
18 V − 1 Ω × 0.5 A)
N
= 1.03 ×
= 0.96
(20)
min
• 具有占空比控制的宽范围输入
对于具有宽输入范围的转换器设计，占空比功能可用于补偿输入变化。但必须注意确保高匝数比不会导致初级电
流超过器件的指定电流限制。
V
+ V
DO − max
+ V
× I
F − max
O − max
1
N
= 1.03 ×
×
(21)
min
V
− R
2D
IN − typ
DS − max
D − max
typ
假设使用相同的二极管和LDO，则VF-max = 0.5V、VDO-max = 0.7V、VO-max = 15.15V。
建议用户在 VIN-typ 典型值 = 24V 时设置 DC = 25%。将相同的 RDS-max = 1Ω 和 ID-max = 0.5A 代入上述公式可得
出最小匝数比为：
0.5 V + 0.7 V + 15.1 V
24 V − 1 Ω × 0.5 A)
1
N
= 1.03 ×
×
= 1.38
(22)
min
2 × 0.25
9.2.2.6 低发射设计
对于需要低水平辐射和传导发射的隔离式电源设计，以下建议有助于最大限度地减少 SN6507 及其周围元件的发
射：
• 确保使用具有低寄生效应（例如漏电感和寄生电容）的推挽式隔离变压器。
• 使用低发射整流二极管，例如PMEG200G20ELRX 或等效产品。
• 将SN6507 配置为最慢的压摆率设置。
• 在隔离变压器的次级侧包含一个缓冲电路。
图 9-6 展示了遵循这些建议并符合 CISPR 32 标准的 SN6507 的辐射发射数据。使用这些配置可能都会影响系统
级效率。可以使用SN6507DGQEVM 来评估这些设计选项。
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9.2.3 应用曲线
VIN = 24V
VOUT = 15 V
ILOAD = 500 mA
图9-6. 符合CISPR 32 标准的SN6507 EVM 辐射发射（采用低EMC 设计配置）
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9.2.4 系统示例
9.2.4.1 更高的输出电压设计
该器件可以驱动推挽式转换器，这些转换器通过不同的整流器拓扑提供双倍输出电压或双极输出。图9-7 至图9-9
展示了其中一些拓扑及其各自的开路输出电压。
n
n
V
VOUT = +n·VIN
V
=2n·V
IN
V
IN
OUT
IN
图9-8. 无中心抽头次级的桥式整流器执行电压加倍
VOUT = -n·VIN
图9-7. 具有中心抽头次级的桥式整流器可实现双极输出
V
=4n·V
IN
OUT
n
V
IN
图9-9. 无中心接地和中心抽头次级的半波整流器执行两次电压加倍，因此使VIN 变为原来的四倍
9.2.4.2 市售变压器
表 9-3 展示了适用于 SN6507 的建议商用变压器设计。这些器件型号或同等产品经过优化，可与 SN6507 配合使
用。
表9-3. 适用于SN6507 的建议中心抽头式变压器
应用
匝数比
(1:N)
V-t 乘积最
小值
隔离
(VRMS)
尺寸(mm)（L、W、
H）
器件型号1
(Vμs)
0.73
0.71
15
30
2.5k
2.5k
2.5k
Wurth 750319696
（8.5、12.87、5.16）
（10.3、12.07、5.97）
Coilcraft TX1-ZB1459-
BE
24V →15V
0.73
0.75
25
25
Bourns SM91207L-E
（11.8、13.2、11.1）
（10.3、13.2、12.5）
Pulse PAG6356.086NLT
3.75kΩ
Coilcraft TX1-ZB1445-
CE
1.4
22
2.5k
（10.3、12.07、5.97）
12V →15V
24V →30V
1.4
1.2
22
15
2.5k
2.5k
Wurth 750319692
（8.5、12.87、5.16）
（11.8、13.2、11.1）
Bourns SM91208L-E
Coilcraft TX1-ZC1891-
AE
1.4
30
2.5k
（10.3、12.07、5.97）
1.4
2.6
30
22
2.5k
2.5k
Wurth 750319948
Wurth 750319949
（8.5、12.87、5.16）
（8.5、12.87、5.16）
12V →30V
24V →24V
Coilcraft TX1-ZC1892-
AE
2.8
22
15
2.5k
2.5k
（10.3、12.07、5.97）
（8.5、12.87、5.16）
1.09
Wurth 750319697
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表9-3. 适用于SN6507 的建议中心抽头式变压器(continued)
应用
匝数比
(1:N)
V-t 乘积最
小值
隔离
(VRMS)
尺寸(mm)（L、W、
H）
器件型号1
(Vμs)
0.55
0.625
0.27
0.25
2.13
1.13
0.5
15
50
2.5k
Wurth 750319695
Pulse PAG6356.085NLT
Wurth 750319694
（8.5、12.87、5.16）
（10.3、13.2、12.5）
（8.5、12.87、5.16
（10.3、13.2、12.5）
（8.5、12.87、5.16）
（8.5、12.87、5.16）
（8.5、12.87、5.16）
（10.3、13.2、12.5）
24V →12V
24V →5V
3.75kΩ
2.5k
15
50
Pulse PAG6356.082NLT
Wurth 750319693
3.75kΩ
2.5k
7.5
7.5
7.5
50
12V →24V
12V →12V
12V →5V
2.5k
Wurth 750319691
2.5k
Wurth 750319690
0.125
Pulse PAG6356.081NLT
24V →3.3V
3.75kΩ
1. 并非所有建议的器件型号都经过德州仪器(TI) 的验证。请参阅最新的变压器规格以确定与SN6507 的兼容
性。
9.3 电源相关建议
该器件设计为在介于 3V 和 36V 之间的标称输入电源电压范围内工作。如果输入电源距离器件超过几英寸，则应
在尽可能靠近器件 VCC 引脚的位置连接一个 0.1μF 旁路电容器，并在靠近变压器中心抽头引脚的位置连接一个
10μF 电容器。
9.4 布局
9.4.1 布局指南
• VIN 引脚必须通过低ESR 陶瓷旁路电容器缓冲至接地。建议的电容器容值范围为1μF 至10μF。电容器必须
具有10V 最小值的额定电压和X5R 或X7R 电介质。
• 理想位置最靠近电路板入口处的VIN 和GND 引脚，以尽量减小由旁路电容器接头、VIN 端子和GND 引脚形成
的环路面积。有关PCB 布局示例，请参阅图9-10。
• 器件SW1 和SW2 引脚与变压器初级端之间的接头以及器件VCC 引脚与变压器中心抽头之间的接头必须尽可
能接近，以尽可能减小引线电感。
• 器件VCC 引脚和变压器中心抽头之间的接头必须通过低ESR 陶瓷旁路电容器缓冲至接地。建议的电容器容值
范围为1μF 至10μF。电容器必须具有16V 最小值的额定电压和X5R 或X7R 电介质。
• 必须使用两个过孔将器件GND 引脚连接到PCB 接地平面，以尽可能减小电感。
• 电容器和接地平面的接地连接应使用两个过孔，以尽可能减小电感。
• 整流二极管应该是具有低正向电压和低电容的肖特基二极管，以最大限度地提高效率。
• VOUT 引脚必须通过低ESR 陶瓷旁路电容器缓冲至ISO 接地。建议的电容器容值范围为1μF 至10μF。
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9.4.2 布局示例
图9-10. 2 层板的布局示例
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10 器件和文档支持
10.1 文档支持
10.1.1 相关文档
请参阅以下相关文档：
• 德州仪器(TI)，《数字隔离器设计指南》
• 德州仪器(TI)，隔离相关术语
• 德州仪器(TI)，如何在隔离式CAN 系统中隔离信号和电源TI 技术手册
• 德州仪器(TI)，如何隔离RS-485 系统的信号和电源TI 技术手册
• 德州仪器(TI)，如何隔离I2C 的信号和电源TI 技术手册
• 德州仪器(TI)，如何减少推挽式隔离电源中的发射TI 应用手册
• 德州仪器(TI)，适用于三相逆变器的小型增强型隔离式IGBT 栅极驱动参考设计TI 设计
• 德州仪器(TI)，SN6507DGQEVM 适用于隔离式电源评估模块的低发射、500mA 推挽式变压器驱动器TI EVM
用户指南
10.2 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的提醒我进行注册，即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
10.3 社区资源
10.4 商标
所有商标均为其各自所有者的财产。
11 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OUTLINE
DGQ0010D-C01
PowerPADTM - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
7
0
0
PLASTIC SMALL OUTLINE
C
5.05
4.75
TYP
SEATING PLANE
PIN 1 ID
AREA
A
0.1 C
8X 0.5
10
1
3.1
2.9
NOTE 3
2X
2
5
6
0.27
0.17
10X
3.1
2.9
1.1 MAX
0.08
C A B
B
NOTE 4
0.23
0.13
TYP
SEE DETAIL A
EXPOSED
THERMAL PAD
NOTE 6
4
5
2.22
1.69
0.25
GAGE PLANE
8
1
0.15
0.05
0.7
0.4
0 - 8
1.83
1.45
DETAIL A
TYPICAL
4226759/A 04/2021
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Reference JEDEC registration MO-187, variation BA-T.
6. The thermal pad design could vary depending on manufacturing site.
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Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
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31
Product Folder Links: SN6507
SN6507
www.ti.com.cn
ZHCSND6A –MARCH 2022 –REVISED JUNE 2022
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DGQ0010D-C01
PowerPAD TM - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
(2.2)
NOTE 9
(1.83)
SOLDER MASK
DEFINED PAD
SOLDER MASK
OPENING
SEE DETAILS
10X (1.45)
10X (0.3)
1
10
(1.3)
(2.22)
TYP
SOLDER MASK
OPENING
SYMM
(3.1)
NOTE 9
8X (0.5)
6
5
(R0.05) TYP
SYMM
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
(
0.2) TYP
VIA
(1.3) TYP
(4.4)
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4226759/A 04/2021
NOTES: (continued)
7. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
8. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
9. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
numbers SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002) and SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004).
10. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
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Product Folder Links: SN6507
SN6507
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ZHCSND6A –MARCH 2022 –REVISED JUNE 2022
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DGQ0010D-C01
PowerPAD TM - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
(1.83)
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
10X (1.45)
10X (0.3)
1
10
(2.22)
SYMM
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
8X (0.5)
5
6
(R0.05) TYP
SEE TABLE FOR
SYMM
(4.4)
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
SOLDER PASTE EXAMPLE
EXPOSED PAD
100% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA
SCALE:15X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.1
2.05 X 2.48
1.83 X 2.22 (SHOWN)
1.67 X 2.03
0.125
0.150
0.175
1.55 X 1.88
4226759/A 04/2021
NOTES: (continued)
11. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
12. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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Copyright © 2022 Texas Instruments Incorporated
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33
Product Folder Links: SN6507
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
2-Nov-2022
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
SN6507DGQR
ACTIVE
HVSSOP
DGQ
10
2500 RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
-55 to 125
6507
Samples
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
9-Aug-2022
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
SN6507DGQR
HVSSOP DGQ
10
2500
330.0
12.4
5.3
3.4
1.4
8.0
12.0
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
9-Aug-2022
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
HVSSOP DGQ 10
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
366.0 364.0 50.0
SN6507DGQR
2500
Pack Materials-Page 2
GENERIC PACKAGE VIEW
DGQ 10
3 x 3, 0.5 mm pitch
PowerPADTM HVSSOP - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
Images above are just a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4224775/A
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
DGQ0010H
PowerPADTM - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
3
.
7
0
0
PLASTIC SMALL OUTLINE
C
5.05
4.75
TYP
SEATING PLANE
PIN 1 ID
AREA
A
0.1 C
8X 0.5
10
1
3.1
2.9
NOTE 3
2X
2
5
6
0.27
0.17
10X
3.1
2.9
1.1 MAX
0.08
C A B
B
NOTE 4
0.23
0.13
TYP
SEE DETAIL A
(0.61)
NOTE 6
(0.17) NOTE 6
(0.2) NOTE 6
(0.08)
NOTE 6
4
5
0.25
GAGE PLANE
2.22
1.92
0.15
0.05
0.7
0.4
8
0 - 8
1
DETAIL A
TYPICAL
1.75
1.45
EXPOSED
THERMAL PAD
4226735/B 05/2022
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm per side.
5. Reference JEDEC registration MO-187, variation BA-T.
6. Features may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DGQ0010H
PowerPADTM - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
(2.2)
NOTE 10
(1.75)
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
DEFINED PAD
SEE DETAILS
10X (1.45)
10X (0.3)
1
10
(1.3)
TYP
(2.22)
SOLDER MASK
OPENING
SYMM
(3.1)
NOTE 10
8X (0.5)
6
5
(R0.05) TYP
SYMM
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
(
0.2) TYP
VIA
(1.3) TYP
(4.4)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
SOLDER MASK
OPENING
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4226735/B 05/2022
NOTES: (continued)
7. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
8. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
9. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
numbers SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002) and SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004).
10. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DGQ0010H
PowerPADTM - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
(1.75)
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
10X (1.45)
10X (0.3)
1
10
(2.22)
SYMM
BASED ON
0.125 THICK
STENCIL
8X (0.5)
5
6
(R0.05) TYP
SEE TABLE FOR
SYMM
(4.4)
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
SOLDER PASTE EXAMPLE
EXPOSED PAD
100% PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA
SCALE:15X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.100
0.125
0.150
0.175
1.96 X 2.48
1.75 X 2.22 (SHOWN)
1.6 X 2.03
1.48 X 1.88
4226735/B 05/2022
NOTES: (continued)
11. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
12. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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