TAS2780 [TI]
具有 I/V 检测功能、提供扬声器保护的 25W 数字输入、4.5V 至 24V、6A 峰值智能放大器;
| 型号： | TAS2780 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有 I/V 检测功能、提供扬声器保护的 25W 数字输入、4.5V 至 24V、6A 峰值智能放大器 放大器 |
| 文件： | 总98页 (文件大小：2692K) |
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TAS2780
ZHCSP98B –FEBRUARY 2022 –REVISED MARCH 2023
TAS2780 具有扬声器IV 检测功能的数字输入单声道D 类音频放大器
• 无线扬声器
1 特性
3 说明
关键特性
TAS2780 是一款单声道、数字输入 D 类音频放大器，
专为将高峰值功率高效率驱动到扬声器进行了优化。D
类放大器在 18V 电源电压下可向 4Ω 负载提供 25W
的连续功率，且 THD+N 小于 1%。宽输入电压范围和
高输出功率使该放大器具有出色的通用性，能够与电池
或线路供电系统搭配使用。
• 适用于D 类输出级的24V 电源
• Y 桥多级电源架构
• 展频控制
• 超声波输出支持高达40kHz 频率
输出功率：
• 25W，1% THD+N（4Ω，18V）
• 30W 最大输出功率，10% THD+N
TAS2780 可用作常规放大器或与基于主机的扬声器保
护算法搭配使用。集成的扬声器电压和电流检测功能可
通过I2S 返回路径将扬声器状况实时反馈到保护算法。
效率(1% THDN) 和功耗
• 1W 时为83%，4Ω，PVDD = 12V，VBAT1S =
Y 桥电源架构可通过在内部选择电源来实现理想余量，
从而提高放大器效率。具有多个阈值的欠压保护方案能
够在电源出现压降时减少信号路径中的增益。
3.8V
• 1W 时为83%，8Ω，PVDD = 18V，VBAT1S = 5V
• 1W 时为85%，4Ω，PVDD = 18V，VBAT1S = 5V
• 15W 时为89%，4Ω，PVDD = 18V，VBAT1S =
5V
多达八个 TAS2780 器件可通过 I2S/TDM 和I2C/SPI 接
口共用一根公共总线。
• 15W 时为93%，8Ω，PVDD = 18V，VBAT1S =
5V
• 硬件关断模式下电流低于0.5μA
TAS2780 器件采用 30 引脚 HR-QFN 封装，可实现紧
凑的PCB 尺寸。
器件信息(1)
电源和管理：
封装尺寸（标称值）
器件型号
封装
• PVDD：3V 至24V
• VBAT1S：2.7V 至5.5V
• AVDD：1.8V
TAS2780
HR QFN
4mm x 3.5mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
• IOVDD：1.8V/3.3V
3-24 V
1.8 V / 3.3 V
1.8 V
2.7 - 5.5 V
接口和控制：
• 用于回声消除的SDOUT
• I2S/TDM：8 个通道（32 位），运行速率达
96KSPS
VREG
SAR
ADC
SDZ
SDA
SCL
• I2C：可选择地址，超快速模式
• 芯片间通信总线
BST_P
OUT_P
TMP SNS
DAC
IRQZ
OUT_N
BST_N
System
Interface
+
Limiter
+
BOP
ADDR
SDIN
• 44.1kHz 至96kHz 采样率
Class-D Amplifier
with
IV-Sense
SDOUT
VSNS_P
VSNS_N
集成扬声器管理、保护功能和EMI：
FSYNC
IV-SNS
ADCs
SBCLK
ICC
• 针对扬声器保护的实时IV 检测
• 短路和开路负载保护
• 热保护和过流保护
BYP_EN
Pop/Click
Over Current
Over Temp
Protection
PLL
Address Det
Diagnostics
• 带功率限制器的欠压保护
• 过功率和低电池电量保护
• PVDD 和VBAT1S 电源跟踪限制器
• 热折返
原理图
• 后置滤波器反馈
• 输出压摆率控制
2 应用
• 笔记本电脑和台式机
• 智能扬声器
• 平板电脑和手持设备
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值...........................................................4
6.2 ESD 等级.................................................................... 4
6.3 建议运行条件.............................................................. 4
6.4 热性能信息..................................................................5
6.5 电气特性......................................................................5
6.6 I2C 时序要求............................................................. 10
6.7 TDM 端口时序要求....................................................10
6.8 典型特性....................................................................12
7 参数测量信息...................................................................16
8 详细说明.......................................................................... 16
8.1 概述...........................................................................16
8.2 功能模块图................................................................17
8.3 特性说明....................................................................17
8.4 器件功能模式............................................................ 18
8.5 工作模式....................................................................29
8.6 故障和状态................................................................30
8.7 电源时序要求............................................................ 33
8.8 数字输入下拉............................................................ 33
8.9 寄存器映射................................................................33
8.10 SDOUT 公式........................................................... 80
9 应用和实现.......................................................................81
9.1 应用信息....................................................................81
9.2 典型应用....................................................................81
9.3 设计要求....................................................................82
9.4 详细设计过程............................................................ 82
9.5 应用曲线....................................................................82
10 初始化设置.....................................................................84
10.1 初始器件配置- 上电和软件复位..............................84
10.2 初始器件配置- PWR_MODE0................................84
10.3 初始器件配置- PWR_MODE1................................84
10.4 初始器件配置- PWR_MODE2................................85
10.5 初始器件配置- PWR_MODE3................................85
10.6 器件配置- 44.1kHz................................................. 85
10.7 过功率保护- OCP 编程...........................................86
10.8 DSP 环回................................................................ 86
11 电源相关建议................................................................. 87
11.1 电源模式..................................................................87
12 布局............................................................................... 88
12.1 布局指南..................................................................88
12.2 布局示例..................................................................88
13 器件和文档支持............................................................. 90
13.1 接收文档更新通知................................................... 90
13.2 社区资源..................................................................90
13.3 商标.........................................................................90
14 机械、封装和可订购信息...............................................91
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision A (June 2022) to Revision B (March 2023)
Page
• 在绝对最大额定值和建议运行条件中，将-20°C 温度条件脚注的PVDD 更新为24V。...................................4
• 阐释边沿速率寄存器说明。...............................................................................................................................73
• 铁氧体磁珠滤波器的PFFB 功能建议。............................................................................................................ 81
• 添加了启动配置脚本以解决上电时的噪音问题。.............................................................................................. 84
Changes from Revision * (February 2022) to Revision A (June 2022)
Page
• 将器件状态从“预告信息”更改为“量产数据”................................................................................................1
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5 引脚配置和功能
图5-1. 30 引脚HR-QFN 封装- 底视图
表5-1. 引脚功能
引脚
I/O
说明
名称
编号
地址检测引脚。此引脚处的电阻器值选择I2C 地址。请参阅节8.3.1。
模拟电源输入。连接至1.8V 电源，并使用电容器去耦至GND。
D 类负自举。在BST_N 和OUT_N 之间连接一个电容器。
ADDR
23
I
AVDD
24
30
4
P
P
P
O
BST_N
BST_P
BYP_EN
D 类正自举。在BST_P 和OUT_P 之间连接一个电容器。
11
具有开漏输出的低电压信号传输引脚。它可用来启用/禁用外部直流/直流转换器。
器件基板接地。连接至PCB 接地平面。避免在这个引脚和GND 引脚之间使用任何公共路由
电感。
DGND
25
P
DREG
FSYNC
GND
10
14
7
P
I
数字内核稳压器输出。使用一个电容器旁路至GND。不要连接至外部负载。
帧同步时钟。
P
IO
P
模拟接地。连接至PCB 接地平面。
ICC
6
芯片间通信引脚。
IOVDD
20
数字IO 电源。连接至1.8V 或3.3V 电源，并使用电容器去耦至GND。
开漏、低电平有效、中断引脚。如果未使用可选内部上拉电阻，则使用电阻器上拉至
IOVDD。
IRQZ
21
O
NC
8、9、16、17
未连接。
OUT_N
OUT_P
PGND
PVDD
PVDD_SNS
SBCLK
SCL
29
3
O
O
P
P
I
D 类负输出。
D 类正输出。
2
D 类接地。连接至PCB 接地平面。
D 类电源输入。使用电容器去耦。
PVDD 遥感引脚。
28
26
15
18
19
I
串行位时钟。
I2C 时钟引脚。使用电阻器上拉至IOVDD。
I2C 数据引脚。使用电阻器上拉至IOVDD。
I
SDA
IO
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表5-1. 引脚功能(continued)
引脚
I/O
说明
名称
编号
13
SDIN
I
IO
I
串行数据输入。
SDOUT
SDZ
12
串行数据输出。
22
低电平有效硬件关断。
VBAT1S
27
P
I
单节电池电源输入。使用电容器去耦。
电压检测负输入。连接至D 类负输出或在LC 滤波器之后。
电压检测正输入。连接至D 类正输出或在LC 滤波器之后。
VSNS_N
VSNS_P
1
5
I
6 规格
6.1 绝对最大额定值
最小值
-0.3
最大值
单位
V
AVDD
2
电源电压
IOVDD
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
5
V
PVDD
26
6
V
VBAT1S
PVDD - VBAT1S
DREG
V
22
1.5
5
V
V
内部电源电压
IO 电压(1)
以IOVDD 电源为基准
的数字IO
V
-40
-20
-20
-40
-20
-65
85
°C
°C
°C
°C
°C
°C
自然通风条件下的工作温度范围，TA；器件功能正常且可靠，某些性能特征 PVDD 为23V 或更低
可能会降级。
85
PVDD 高于23V
70
自然通风条件下的性能稳定温度范围，TP；可实现所有性能特征。
150
150
150
工作结温，TJ
PVDD 为23V 或更低
PVDD 高于23V
贮存温度，Tstg
(1) 所有数字输入和IO 都具有失效防护功能。
6.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 标准(1)
充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准(2)
±2000
V(ESD)
V
静电放电
±500
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议运行条件
最小值
1.65
3
典型值
最大值
单位
AVDD
1.8
3.3
1.8
1.95
3.6
V
电源电压
电源电压
IOVDD
V
1.65
1.95
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最小值
典型值
最大值
单位
自然通风条件下的最小工作
温度和-20°C 的最小工作结
温
3
24
电源电压（功能）(1)
自然通风条件下的最小工作
温度和-40°C 的最小工作结
温
3
23
24
23
PVDD
V
自然通风条件下的最小工作
温度和-20°C 的最小工作结
温
4.5
4.5
电源电压（性能）
自然通风条件下的最小工作
温度和-40°C 的最小工作结
温
电源电压（功能）(1)
电源电压（性能）
扬声器阻抗
2.7
3.4
3.2
5
5.5
5.5
VBAT1S
V
RSPK
LSPK
Ω
µH
扬声器电感
(1) 器件将保持正常运行，但性能会下降。
6.4 热性能信息
HR_QFN
热指标(1)
单位
30 引脚
47.7
25.2
10.7
0.8
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
10.5
ψJB
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告，SPRA953。
6.5 电气特性
TA = 25°C，PVDD = 18V，VBAT1S = 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1(2)，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说
明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
数字输入和输出
VIH
VIL
0.7×IOVDD
V
V
高电平数字输入逻辑电压阈值 所有数字引脚
低电平数字输入逻辑电压阈值 所有数字引脚
0.3 ×
IOVDD
所有数字引脚（SDA、SCL、IRQZ、BYP_EN 除外）；IOH
= 100µA。
IOVDD–
0.2V
VOH
V
高电平数字输出电压
低电平数字输出电压
低电平数字输出电压
所有数字引脚（SDA、SCL、IRQZ、BY_EN 除外）；IOL
–100µA。
=
VOL
0.2
V
V
0.2 x
IOVDD
VOL(I2C)
VOL(IRQZ)
IIH
SDA 和SCL；IOL = -1mA。
IRQZ，BY_EN；IOL = -1mA。
所有数字引脚；输入= 电源轨。
IRQZ 和BY_EN 开漏输出的
低电平数字输出电压
0.2
V
数字输入的输入逻辑高电平泄
漏电流
-1
1
1
µA
µA
数字输入的输入逻辑低电平泄
漏电流
IIL
所有数字引脚；输入= GND。
–1
CIN
5
pF
数字输入的输入电容
所有数字引脚
RPD
ROS
18
10
置位时IO 引脚的下拉电阻
OUT 至VSNS 电阻器
kΩ，
kΩ，
负载已断开
IO
8
mA
在0.4V（低于电源电压）和0.4V（高于GND）时测得。
输出电流强度
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TA = 25°C，PVDD = 18V，VBAT1S = 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1(2)，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说
明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
放大器性能
THD+N = 10%，VBAT1S = 5V，PWR_MODE0(1)
，
30
25
峰值输出功率
PWR_MODE1(2)
POUT
W
THD+N = 1%，VBAT1S= 5V，PWR_MODE0，
PWR_MODE1
最大持续输出功率
POUT = 1W，VBAT1S= 5V，PWR_MODE1
POUT = 1W，VBAT1S= 5V，PWR_MODE0
85
79
POUT = 3W，VBAT1S= 5V，PWR_MODE0 和
%
系统效率
85
88
PWR_MODE1
POUT = 8W，VBAT1S= 5V，PWR_MODE0 和
PWR_MODE1
POUT = 1W
-84
-84
-83
40
THD+N
IMD
dB
dB
总谐波失真和噪声
互调失真
POUT = 1W，fin = 6.667kHz
ITU-R，19kHz/20kHz，1：1：12.5W
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE0
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE2(3)
A 加权，20Hz - 20kHz，PWR_MODE1
34
空闲声道噪声
32
VN
µV
带有超声波线性调频脉冲的空
闲声道噪声（100us 占空比，
25ms 周期）
A 加权，20Hz - 20kHz，VBAT1S = 5V，PWR_MODE3
(4)，1 VPeak，寄存器0x73 设为E0h
34
384
384
352.8
384
±0.33
110
109
109
110
110
109
0.8
展频模式下的平均频率，CLASSD_SYNC=0
固定频率模式，CLASSD_SYNC=0
固定频率模式，CLASSD_SYNC=1，fs = 44.1，88.2kHz
固定频率模式，CLASSD_SYNC=1，fs = 48，96kHz
空闲模式
FPWM
kHz
D 类PWM 开关频率
VOS
-1.3
1.3
mV
dB
dB
输出失调电压
动态范围
A 加权，-60dBFS
DNR
A 加权，-60dBFS，PWR_MODE2
A 加权，-60dBFS，PWR_MODE0
A 加权，以1% THD+N 输出电平为基准
A 加权，以1% THD+N 输出电平为基准，PWR_MODE2
A 加权，以1% THD+N 输出电平为基准，PWR_MODE0
空闲模式，进入和退出关断，A 加权
fs ≤48kHz
SNR
KCP
信噪比
mV
噗声与嘀哒声
满量程输出电压
最小可编程增益
最大可编程增益
可编程输出电平步长
静音衰减
21
dBV
11
fs ≤48kHz
dBV
21
fs ≤48kHz
0.5
dB
dB
µs
108
器件处于软件关断状态或在正常运行中静音
-1
1
芯片间群延迟
PVDD = 18V + 200mVpp，fripple = 217Hz
PVDD = 18V + 200mVpp，fripple = 1kHz
PVDD = 18V + 200mVpp，fripple = 20kHz
VBAT1S= 3.8V + 200mVpp，fripple = 217Hz
VBAT1S = 3.8V + 200mVpp，fripple = 1kHz
VBAT1S = 3.8V + 200mVpp，fripple = 20kHz
AVDD= 1.8V + 200mVpp，fripple = 217Hz
AVDD = 1.8V + 200mVpp，fripple = 1kHz
AVDD = 1.8V + 200mVpp，fripple = 20kHz
118
110
95
dB
dB
dB
PVDD 电源抑制比
VBAT1S 电源抑制比
AVDD 电源抑制比
114
110
90
105
104
87
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TA = 25°C，PVDD = 18V，VBAT1S = 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1(2)，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说
明）。
参数
测试条件
PVDD，217Hz，100mVpp，输入f=1kHz @ 400mW
VBAT1S，217Hz，100mVpp，输入f=1kHz @ 400mW
AVDD，217Hz，100mVpp，输入f=1kHz @ 400mW
IOVDD 217Hz，100mVpp，输入f=1kHz @ 400mW
无音量斜坡
最小值
典型值
最大值
单位
-120
-120
-80
dB
电源互调
-120
1.12
6.7
从释放软件关断状态的开通时
间
ms
音量斜坡
0.56
6
无音量斜坡
从开始软件关断到放大器高阻
态的关断时间
ms
ms
音量斜坡
退出硬件关断到首个I2C 命令
1
诊断发生器
THD+N
Pout = 1W
-82
2
dB
%
总谐波失真和噪声
频率误差
ferr
使用内部振荡器：DG_CLK = 0
内核温度
传感器
8
-40
150
1
分辨率
位
°C
°C
°C
°C
最小温度测量范围
最大温度测量范围
内核温度分辨率
内核温度精度
-5
5
电压
监测器
12
2
分辨率
位
最小电平
最大电平
V
PVDD 测量范围
23
22.5
±60
2
mV
mV
PVDD 分辨率
PVDD 精度
2V ≤PVDDV ≤23V
最小电平
V
VBAT1S 测量范围
6
最大电平
20
±20
mV
mV
VBAT1S 分辨率
VBAT1S 精度
2.3V ≤VBAT1S ≤6V
TDM 串行音频端口
最小PCM 采样率和FSYNC
输入频率
44.1
96
kHz
最大PCM 采样率和FSYNC
输入频率
0.7056
24.576
最小SBCLK 输入频率
最大SBCLK 输入频率
I2S/TDM 运行
MHz
ns
I2S/TDM 运行
0.5
1
RMS 抖动低于40kHz，能够耐受而不会降低性能
RMS 抖动高于40kHz，能够耐受而不会降低性能
SBCLK 最大输入抖动
I2S 和TDM 模式下每个
FSYNC 的最小SBCLK 周期
数
其他值：24、32、48、64、96、125、128、192、250、
256、384、500
16
周期数
I2S 和TDM 模式下每个
FSYNC 的最大SBCLK 周期
数
其他值：24、32、48、64、96、125、128、192、250、
256、384、500
512
PCM 播放
特征fs ≤48kHz
44.1
48
最小采样率
最大采样率
fs
kHz
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TA = 25°C，PVDD = 18V，VBAT1S = 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1(2)，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说
明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
0.454
fs
通带波纹的频率
通带纹波
-0.15
0.15
dB
20Hz 到LPF 截止频率
≥0.55 fs
60
65
19
dB
阻带衰减
≥1 fs
1/fs
群延迟（包括噪声门）
DC 到0.454 fs，禁用直流阻断器
PCM 播放
特征fs > 48kHz
88.2
96
最小采样率
fs
kHz
最大采样率
fs = 96kHz
0.437
0.459
fs
fs
通带波纹的频率
通带3db 频率
fs = 96kHz
-0.5
0.5
dB
DC 到LPF 截止频率
通带纹波
60
65
35
≥0.56 fs
dB
阻带衰减
≥1 fs
1/fs
群延迟（包括噪声门）
DC 到0.375 fs（适用于96kHz），禁用直流阻断器
扬声器电流感测
分辨率
16
70
-64
5
位
dB
dB
A)
DNR
未加权，相对于0dBFS。
Pout = 15W
动态范围
THD+N
总谐波失真和噪声
满量程输入电流
差分模式增益
频率响应
在-6dBFS 下测量。0dBFS 下重新调节。
0.98
-0.1
1.02
0.1
20Hz - 20kHz
dB
5
1/fs
组延迟
扬声器电压感测
分辨率
16
75
位
dB
DNR
未加权，相对于0dBFS
动态范围
THD+N
Pout = 15W
-71
16
dB
总谐波失真和噪声
满量程输入电压
差分模式增益
频率响应
VPK
0.98
-0.1
1.02
0.1
20Hz - 20kHz
dB
5
1/fs
组延迟
扬声器电压/电流感测之比
Pout ≥40mW 至0.1% THD+N，使用40Hz -40dBFS 导频
音，PWR_MODE0 和PWR_MODE1
-1
1
%
增益线性度
±0.6
300
%
-20°C 至70°C，Pout = 1W
不同温度下的增益误差
ns
V 和I 之间的相位误差
保护电路
BOP_SRC=1
19
142
1.5
6.6
2.6
2
µs
°C
s
首次启动的欠压保护延迟
热关断温度
OTE_RETRY=1
热关断重试
5.5
2
A)
A)
PVDD 的输出过流限值
VBAT1S 的输出过流限值
输出到输出、输出到GND 或输出到PVDD 短路
输出到输出、输出到GND 或输出到VBAT1S 短路
UVLO 被置位
V
V
VBAT1S 欠压锁定阈值
AVDD 欠压锁定阈值
2.16
1.45
1.51
UVLO 被取消置位
UVLO 被置位
UVLO 被取消置位
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TA = 25°C，PVDD = 18V，VBAT1S = 3.8V，AVDD = 1.8V，IOVDD =1.8V，RL = 4Ω+ 15µH，fin = 1kHz，fs = 48kHz，增
益= 21dBV，SDZ = 1，NG_EN=0，EN_LLSR=0，PWR_MODE1(2)，测量时无滤波器，如第7 节中所示（除非另有说
明）。
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
1.13
UVLO 被置位
V
IOVDD 欠压锁定阈值
1.25
UVLO 被取消置位
VBAT1S 内部LDO 欠压锁定
阈值
4
V
UVLO 被置位
典型电流消耗
SDZ = 0，PVDD
SDZ = 0，VBAT1S
SDZ = 0，AVDD
SDZ = 0，IOVDD
0.05
0.01
0.14
0.005
0.05
0.5
µA
硬件关断
软件关断
所有时钟均已停止，PVDD
所有时钟均已停止，VBAT1S
所有时钟均已停止，AVDD
所有时钟均已停止，IOVDD
µA
10.2
0.55
fs = 48kHz，PVDD
0.012
0.13
3
fs = 48kHz，VBAT1S
mA
噪声门模式
fs = 48kHz，AVDD
fs = 48kHz，IOVDD
0.01
0.04
2.2
fs = 48kHz，PVDD
fs = 48kHz，VBAT1S
9.2
fs = 48kHz，AVDD，IV 感测= 启用
fs = 48kHz，AVDD，IV 感测= 禁用
fs = 48kHz，IOVDD
mA
mA
mA
空闲模式- PWR_MODE1
6.8
0.02
3
fs = 48kHz，PVDD
9.2
fs = 48kHz，AVDD，IV 感测= 启用
fs = 48kHz，AVDD，IV 感测= 禁用
fs = 48kHz，IOVDD
空闲模式- PWR_MODE2
空闲模式- PWR_MODE0
6.8
0.02
2.28
2.1
fs = 48kHz，PVDD
fs = 48kHz，VBAT1S
9.2
fs = 48kHz，AVDD，IV 感测= 启用
fs = 48kHz，AVDD，IV 感测= 禁用
fs = 48kHz，IOVDD
6.8
0.02
(1) PWR_MODE0：CDS_MODE=10，VBAT1S_MODE=0
(2) PWR_MODE1：CDS_MODE=00，VBAT1S_MODE=0
(3) PWR_MODE2：CDS_MODE=11，VBAT1S_MODE=1
(4) PWR_MODE3：CDS_MODE=01，VBAT1S_MODE=0
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6.6 I2C 时序要求
TA = 25°C，AVDD = IOVDD = 1.8V（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
标准模式
fSCL
0
4
100
kHz
SCL 时钟频率
tHD;STA
tLOW
tHIGH
tSU;STA
tHD;DAT
tSU;DAT
tr
（重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。
SCL 时钟的低电平周期
μs
μs
μs
μs
μs
ns
4.7
4
SCL 时钟的高电平周期
4.7
重复START 条件的建立时间
数据保持时间：对于I2C 总线器件
数据建立时间
3.45
250
1000
300
ns
SDA 和SCL 上升时间
tf
ns
SDA 和SCL 下降时间
tSU;STO
tBUF
4
STOP 条件的建立时间
μs
μs
pF
4.7
STOP 与START 状态之间的总线空闲时间
每个总线的容性负载
Cb
400
400
快速模式
fSCL
0
kHz
SCL 时钟频率
tHD;STA
tLOW
0.6
1.3
0.6
0.6
0
（重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。
SCL 时钟的低电平周期
μs
μs
μs
μs
μs
ns
tHIGH
SCL 时钟的高电平周期
tSU;STA
tHD;DAT
tSU;DAT
重复START 条件的建立时间
数据保持时间：对于I2C 总线器件
数据建立时间
0.9
100
20 + 0.1 ×
Cb[pF]
tr
tf
300
300
ns
ns
SDA 和SCL 上升时间
SDA 和SCL 下降时间
20 + 0.1 ×
Cb[pF]
tSU;STO
tBUF
0.6
1.3
STOP 条件的建立时间
μs
μs
pF
STOP 与START 状态之间的总线空闲时间
每个总线的容性负载（10pF 至400pF）
Cb
400
超快速模式
fSCL
1000
kHz
SCL 时钟频率
tHD;STA
tLOW
tHIGH
tSU;STA
tHD;DAT
tSU;DAT
tr
0.26
0.5
0.26
0.26
0
（重复）START 条件后的保持时间。在此时间段之后，生成第一个时钟脉冲。
SCL 时钟的低电平周期
μs
μs
μs
μs
μs
ns
SCL 时钟的高电平周期
重复START 条件的建立时间
数据保持时间：对于I2C 总线器件
数据建立时间
50
120
120
ns
SDA 和SCL 上升时间
tf
ns
SDA 和SCL 下降时间
tSU;STO
tBUF
0.26
0.5
STOP 条件的建立时间
μs
μs
pF
STOP 与START 状态之间的总线空闲时间
每个总线的容性负载
Cb
550
6.7 TDM 端口时序要求
TA = 25°C、AVDD = IOVDD = 1.8V，所有输出上的20pF 负载（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
tH(SBCLK)
20
ns
SBCLK 高电平周期
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TA = 25°C、AVDD = IOVDD = 1.8V，所有输出上的20pF 负载（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
tL(SBCLK)
20
ns
SBCLK 低电平周期
tSU(FSYNC)
tHLD(FSYNC)
tSU(SDIN/ICC)
tHLD(SDIN/ICC)
8
8
8
8
ns
ns
ns
ns
FSYNC 设置时间
FSYNC 保持时间
SDIN/ICC 建立时间
SDIN/ICC 保持时间
SBCLK 到SDOUT/ICC SBCLK 的50% 至SDOUT/ICC 的
td(SBCLK_SDOUT/ICC)
30
ns
50%，IOVDD = 1.8V
延迟
tr(SBCLK)
tf(SBCLK)
8
8
ns
ns
SBCLK 上升时间
SBCLK 下降时间
10% - 90% 上升时间
90% - 10% 下降时间
SDA
tBUF
tLOW
th(STA)
tr
SCL
th(STA)
STA
th(DAT)
tHIGH
tsu(STA)
tsu(STO)
STO
tf
tsu(DAT)
STA
STO
图6-1. I2C 时序图
图6-2. TDM 和ICC 时序图
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6.8 典型特性
在 TA = 250C 下测得，fs = 48kHz，D 类开关频率 = 384kHz，输入信号 fIN = 1kHz - 正弦，负载 = 4Ω + 15μH
（除非另有说明）。
0
0
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
-20
-20
-40
-40
-60
-60
-80
-80
-100
-100
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
50
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
50
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-3. THD+N 与输出功率间的关系
图6-4. THD+N 与输出功率间的关系
0
-20
0
-20
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
-40
-40
-60
-60
-80
-80
-100
-100
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
50
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
50
fIN= 6.667kHz
PWR_MODE1
fIN= 6.667kHz
PWR_MODE0
图6-5. THD+N 与输出功率间的关系
图6-6. THD+N 与输出功率间的关系
-75
-65
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
-67
-69
-71
-73
-75
-77
-79
-81
-83
-85
-87
-89
-91
-93
-95
-76
-77
-78
-79
-80
-81
-82
-83
-84
-85
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5.5 V, PVDD = 23 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5.5 V, PVDD = 23 V
10
100
1000
10K 20K
10
100
1000
10K 20K
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
POUT= 0.1W
PWR_MODE1
POUT = 1W
PWR_MODE1
图6-7. THD+N 与频率间的关系
图6-8. THD+N 与频率间的关系
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45
42
39
36
33
30
VBAT = 3.8 V, AVDD and IOVDD = 1.8 V
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
PVDD (V)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-9. ICN 与VBAT 间的关系
图6-10. ICN 与PVDD 间的关系
6.05
6.02
5.99
5.96
5.93
6.15
6.125
6.1
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
6.075
6.05
6.025
6
5.975
5.95
5.925
5.9
5.9
20
20
100
1000
10K 20K 40K
PWR_MODE3
100
1000
Frequency (Hz)
10K 20K
Frequency (Hz)
fs = 96kHz
PWR_MODE1
图6-12. D 类振幅与频率间的关系
图6-11. D 类振幅与频率间的关系
32.5
30
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
THDN = 0.1 %
THDN = 1 %
THDN = 10 %
27.5
25
22.5
20
17.5
15
12.5
10
7.5
5
PVDD = 12 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 21 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
2.5
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24
PVDD (V)
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
VBAT1S = 5V
PWR_MODE0/ PWR_MODE1
PWR_MODE1
图6-13. 输出功率与PVDD 间的关系
图6-14. 效率与输出功率间的关系
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90
80
70
60
50
40
30
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PVDD = 12 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 12 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
20
10
0
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 21 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 21 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
0.02
0.1
1
10
20
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE1
负载= 8Ω
PWR_MODE0
图6-16. 效率与输出功率间的关系
图6-15. 效率与输出功率间的关系
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
120
110
100
90
80
70
60
PVDD = 12 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
AVDD = 1.8 V, PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V
AVDD = 1.95 V, PVDD = 21 V, VBAT = 3.4 V
AVDD = 1.65 V, PVDD = 23 V, VBAT = 2.7 V
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 21 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
50
40
0.02
0.1
1
10
20
20
100
1000
10K 20K
POUT (W)
Frequency (Hz)
PWR_MODE0
负载= 8Ω
PWR_MODE1
图6-17. 效率与输出功率间的关系
图6-18. AVDD PSRR 与频率间的关系
140
130
120
110
100
90
140
130
120
110
100
90
80
80
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
70
70
60
60
20
100
1000
10K 20K
20
100
1000
10K 20K
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
PWR_MODE1
PWR_MODE1
图6-19. VBAT1S PSRR 与频率间的关系
图6-20. PVDD PSRR 与频率间的关系
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1.4
1.2
1
0.6
0.4
0.2
0
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5.5 V, PVDD = 23 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-0.2
-0.4
-0.6
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
-0.8
0.02
0.1
1
10
25
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-21. V/I 增益线性度与输出功率间的关系
图6-22. V/I 增益线性度与输出功率间的关系
1
9.5
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, IOVDD = 1.8 V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
9.3
9.1
8.9
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-20
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
1.6
1.65
1.7
1.75
1.8
1.85
1.9
1.95
2
Temperature (C)
AVDD (V)
PWR_MODE1
PWR_MODE1
图6-23. V/I 线性度与温度间的关系
图6-24. AVDD 空闲电流与AVDD 间的关系
3.5
3
2.5
PVDD = 18 V, AVDD = 1.8 V, IOVDD = 1.8 V
VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V, IOVDD = 1.8 V
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
2.5
2
1.5
2.6
3
3.4
3.8
4.2
4.6
5
5.4
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
VBAT (V)
PVDD (V)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图6-25. VBAT 空闲电流与VBAT 间的关系
图6-26. PVDD 空闲电流与PVDD 间的关系
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7 参数测量信息
该器件的典型特性是使用工作台评估模块 (EVM) 和音频精密分析仪进行测量。使用 PSIA 接口以允许 I2S 接口直
接驱动至音频精密分析仪。
在某些测量（THD+N、ICN、DNR 等）中，D 级输出端子通过差分至单端(D2S) 滤波器连接至音频精密分析仪模
拟输入，如下所示。D2S 滤波器包含一个 120kHz 的二阶无源极和一个仪表放大器。D2S 滤波器确保 TAS2780
高性能 D 类放大器在处理之前对其输出进行滤波和缓冲。这可以防止由于 D 类输出上的 AUX-00XX 滤波器的负
载影响而出现测量误差。
图7-1. 差分到单端(D2S) 滤波器
8 详细说明
8.1 概述
TAS2780 是一个单声道数字输入D 类放大器，为注重高效电池供电和小解决方案尺寸的应用而优化。它将扬声器
IV（电流/电压）检测和电池跟踪限制与欠压保护功能整合在一起。该器件使用TDM/I2S 和I2C 接口运行。
表8-1. 满标度
输入/输出信号
D 类输出
满标度值
21dBV
23V
电压监测器
电流检测
5A
16Vpk
电压检测
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8.2 功能模块图
8.3 特性说明
8.3.1 器件地址选择
TAS2780 使用 TDM/I2S 接口工作。音频输入和输出通过 FSYNC、SBCLK、SDIN 和 SDOUT 引脚以 I2S、左对
齐和TDM 等格式提供。使用I2C 协议通过SDA 和SCL 引脚提供配置和状态。
下表说明了如何配置器件的 I2C 地址。外设地址左移一位，R/W 位设置为 0（例如，{ADDR[6:0],1b0}）。必须使
用容差优于5% 的电阻器来设置地址配置。
表8-2. I2C 地址选择
I2C 地址
0x70
0x72
0x74
0x76
0x78
0x7A
0x7C
0x7E
ADDR 引脚
短接至
GND
470Ω至
GND
470Ω至
AVDD
2.2kΩ 至
GND
2.2kΩ 至
AVDD
10kΩ 至
GND
10kΩ 至
AVDD
短接至AVDD
TAS2780 具有全局 7 位 I2C 地址 0x80。启用后，无论 ADDR 引脚如何设置，器件都会另外响应此地址的 I2C 命
令。这可以在使用多个 TAS2780 器件并在所有器件上对类似设置进行编程时，用于加快器件配置。由于在多器件
写入期间，多个器件均响应 I2C 命令，因此无法使用 I2C ACK/NACK。应使用 I2C CRC 功能确保每个器件正确接
收 I2C 命令。使用全局地址完成对多个器件的写入后，应根据本地地址检查每个器件上 I2C_CKSUM 寄存器的
CRC 值是否正确。 全局 I2C 地址可以使用 I2C_GBL_EN 寄存器位来禁用。当释放 SDZ 引脚时，通过自动采样
ADDR 引脚来检测 I2C 地址。此外，上电后可以通过将 I2C_AD_DET 寄存器位设置为高电平来重新检测地址，并
且将对ADDR 引脚重新采样。
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8.3.2 寄存器组织
使用页和簿方案存储器件配置和系数。每页包含 128 个字节，每个簿包含 256 页。所有器件配置寄存器都存储在
簿 0 中，这是上电时和软件复位后的默认设置。簿和页可以通过第 8.9.70 节中寄存器的 BOOK[7:0] 位和第 8.9.1
节中寄存器的PAGE[7:0] 位进行设置。
备注
从簿 0x00 页 0x04 编程寄存器位需要以四个寄存器为一组（32 位格式）进行，每个字节对应一个寄存
器，最低有效字节对应最高寄存器地址。例如，在编程限制器最大阈值时，在页 0x04 的寄存器 0x0C -
0x0F 中，MSB 将在寄存器0x0C 中，LSB 在寄存器0x0F 中。
8.4 器件功能模式
8.4.1 TDM 端口
TAS2780 提供灵活的串行音频端口。该端口可配置为支持多种格式，包括立体声 I2S、左对齐和 TDM。通过
SDIN 引脚提供单音频播放。SDOUT 引脚用于传输样本流，包括扬声器电压和电流检测、PVDD 电压、内核温度
和通道增益。
TDM 串行音频端口支持多达16 个采样率为44.1/48kHz 的32 位时隙或8 个采样率为88.2/96kHz 的32 位时隙。
有效的 SBCLK 与 FSYNC 之比为 16、24、32、48、64、96、128、192、256 和 512。器件可自动检测时隙
数，无需编程。
默认情况下，TAS2780 会自动检测 PCM 播放采样率。这可以通过将 AUTO_RATE 寄存器位设为高电平来禁用此
功能，以及手动配置该器件。
当 AUTO_RATE 寄存器位为高电平时（禁用 TDM 采样率自动检测），SAMP_RATE[2:0] 和 SAMP_RATIO[3:0]
寄存器位用于配置 PCM 音频采样率。TAS2780 采用强大的时钟故障检测引擎，如果 FSYNC 与配置的采样率不
匹配（如果 AUTO_RATE= 1）或 SBCLK 与 FSYNC 之比不受支持，该引擎将自动降低播放路径的音量（最大限
度地减少可闻失真）。一旦检测到时钟在频率和比率上均有效，器件会自动将播放路径的音量缓慢上升回配置的
音量并恢复播放。
使用自动速率检测时，在 TDM 总线上检测到的采样率和 SBCLK 与 FSYNC 之比会报告给只读寄存器位
FS_RATE[2:0] 和FS_RATIO[3:0]。
TAS2780 支持 12MHz SBCLK 运行。系统将针对 125 或 250 的比率进行检测或应进行手动配置。在此特定比率
中，最后32 位时隙不应用于通过TDM (SDOUT) 或ICC（节8.4.2.10.1）传输数据，因为数据将被截断。
下面的图 8-1 和图 8-2 说明了配置播放端口所需的接收器帧参数。帧以 FSYNC 从高到低或从低到高的转换开始
（由FRAME_START 寄存器位设置）。FSYNC 和SDIN 由SBCLK 使用上升沿或下降沿（由RX_EDGE 寄存器
位设置）进行采样。RX_OFFSET[4:0] 寄存器位定义从 FSYNC 转换到时隙 0 开始的 SBCLK 周期数。这通常设
置为值0（对于左对齐）和1（对于I2S 格式）。
SBCLK
FSYNC
MSB
MSB-1
LSB+1
LSB
SDIN
RX_OFFSET
RX_WLEN
RX_SLEN
图8-1. 左对齐的TDM RX 时隙
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SBCLK
FSYNC
SDIN
Slot 0
Bit 31
Slot0
Bit 0
Slot 1
Bit 31
Slot1
Bit 0
Slot2
Bit 31
RX_OFFSET
Time Slot 0
Time Slot 1
图8-2. TDM RX 时隙
RX_SLEN[1:0] 寄存器位将 RX 时隙的长度设置为 16、24 或 32（默认）位。时隙内音频样本字的长度由
RX_WLEN[1:0] 寄存器位配置为 16、20、24（默认）或 32 位。默认情况下，RX 端口将使时隙内的音频样本左
对齐，但这可以通过 RX_JUSTIFY 寄存器位更改为右对齐。TAS2780 支持单声道和立体声下混音播放
([L+R]/2)。默认情况下，器件将从等于 I2C 基地址偏移量（由 ADDR 引脚设置）的时隙播放单声道。
RX_SCFG[1:0] 寄存器位可用于将播放源覆盖到左时隙、右时隙或由 RX_SLOT_L[3:0] 和 RX_SLOT_R[3:0] 寄存
器位设置的立体声下混频。
如果时隙选择将接收部分或全部置于帧边界之外，则接收器将返回一个空样本，相当于一个数字静音样本。
TDM 端口可以在 SDOUT 引脚上传输多个样本流，包括扬声器电压感测、扬声器电流感测、中断和状态、PVDD
电压、内核温度和通道增益。下面的图8-3 说明时隙与帧开始是对齐的，以及给定样本流如何映射到时隙。
SBCLK
FSYNC
Slot 0
Bit 7
Slot0
Bit 0
Slot 1
Bit 7
Slot1
Bit 0
Slot2
Bit 7
SDOUT
TX_OFFSET
Time Slot 0
Time Slot 1
Ex: V_SENSE[15:0]
图8-3. TDM 端口TX 图
SBCLK 的上升沿或下降沿均可用于在 SDOUT 引脚上传输数据。这可以通过设置 TX_EDGE 寄存器位来配置。
TX_OFFSET[2:0] 寄存器位定义从帧开始到时隙 0 开始的 SBCLK 周期数。TDM 和 ICC TX 可以发送逻辑 0 或高
阻态，具体取决于 TX_FILL 寄存器位的设置。当所有驱动总线的器件都是高阻态时，可选的总线保持器将弱保持
SDOUT 和 ICC 引脚的状态。SDOUT 上只需要一个总线保持器，因此可以通过 TX_KEEPEN 寄存器位禁用此功
能。使用 TX_KEEPLN 寄存器位可以将总线保持器配置为仅将总线保持 1 1LSB 或始终保持。此外，可以使用
TX_KEEPCY 寄存器位将保持器LSB 驱动一个完整周期或半个周期。
TX_FILL 寄存器位用于 I2S 总线上只有一个放大器的单声道系统。当 TX_FILL 寄存器位设置为低电平时，放大器
未使用的所有时隙都将用零填充。
当多个器件位于同一 I2S 总线上时，页 0x01 的 SDOUT_HIZ 寄存器会非常有用。每个器件都不知道总线上其他
器件的时隙配置。需要在系统级别对 SDOUT_HIZ 寄存器进行适当的编程，以确保正确完成设置并且不会在内部
和外部产生任何争用。
每个样本流由一个或两个8 位时隙组成。扬声器电压感测和扬声器电流感测样本流是 16 位精度的，因此它们将始
终使用两个 TX 时隙。PVDD 和 VBAT1S 电压流为 10 位精度，可以在 16 位字中进行左对齐传输（使用两个时
隙），也可以截断为 8 位（前 8 个 MSB）并在单个时隙中传输。这是通过设置 PVDD_SLEN 和 VBAT1S_SLEN
寄存器位来配置的。内核温度和增益均为8 位精度，并在单个时隙中传输。
每个样本流的时隙寄存器定义了MSB 传输开始的位置。默认情况下，VSNS_SLOT[5:0] 寄存器位设置为 2（十进
制），上面的 8 个MSB 将在时隙 2 中传输，下面的 8 个LSB 将在时隙 3 中传输。此样本流可以使用VSNS_TX
寄存器位单独启用或禁用。ISNS_SLOT[5:0] 寄存器位默认设置为 0（十进制），并且可以使用 ISNS_TX 寄存器
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位启用或禁用样本流。流的启用/禁用功能对于管理有限的 TDM 带宽会很有用，因为可能没有必要为总线上的所
有器件传输所有流。
确保主动传输的样本流的时隙分配不产生冲突很重要。这将避免在冲突的位时隙中产生不可预测的传输结果（即
未定义优先级）。
默认情况下，电流和电压值以完整的 16 位测量值传输。IVMON_LEN[1:0] 寄存器位可用于在一个时隙中仅传输 8
个MSB 位或跨多个时隙传输12 个MSB 位值。当主机处理器只能处理24 位I2S/TDM 数据时，使用特殊的12 位
模式。该器件应配置为将电压感测时隙和电流感测时隙关闭 1 个时隙，并将消耗 3 个连续的 8 位时隙。在这种模
式下，器件将发送前12 个MSB 位，然后发送由前一个时隙指定的接下来的12 个MSB 位。
如果时隙选择将传输置于帧边界之外，则发送器将在帧边界截断传输。
VBAT1S、PVDD 和温度测量使用 VBAT1S_SLOT[5:0]、PVDD_SLOT[5:0] 和 TEMP_SLOT[5:0] 寄存器位进行设
置。若要启用每个样本流，寄存器位 VBAT1S_TX、PVDD_TX 和 TEMP_TX 必须设为高电平。时隙长度由
VBAT1S_SLEN 和PVDD_SLEN 寄存器位进行选择。
对于 TDM 最终处理的音频时隙，使能和长度设置使用 AUDIO_SLOT[5:0]、AUDIO_TX 和 AUDIO_SLEN 寄存器
位。
有关时隙状态的信息可以在STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位中找到。将STATUS_TX 寄存器位设置为高电平会启用
状态发送。
通过设置 GAIN_SLOT[5:0] 寄存器位，TX 限制器增益衰减的时隙配置可设置为 0（默认）至 63。 它用于 ICC
（节8.4.2.10），可以通过TDM 总线或ICC 总线。若要使用此功能，需要将寄存器位GAIN_TX 设置为高电平。
8.4.2 播放信号路径
8.4.2.1 高通滤波器
音频播放信号中直流和低频成分过多会损坏扬声器。TAS2780 采用高通滤波器 (HPF) 来防止 PCM 播放路径发生
这种情况。HPF_FREQ_PB[2:0] 寄存器位会设置 HPF 的转折频率。通过将寄存器位设置为 3'b000，为该滤波器
设置旁路。
8.4.2.2 放大器反转
TAS2780 将向 OUT_P 和 OUT_N 引脚输出非反相信号。通过将 AMP_INV 寄存器位设置为高电平，可以生成与
数字输入值反相的输出。
8.4.2.3 数字音量控制和放大器输出电平
通过设置放大器输出电平和数字音量控制(DVC) 来控制从音频输入到扬声器端子的增益。
使用 AMP_LVL[4:0] 寄存器位可对放大器输出电平设置进行编程。节 8.9.9 介绍了放大器电平。数字音量控制
(DVC) 默认设置为 0dB。应该注意的是，由于放大器中存在模拟削波，这些电平可能无法实现，因此它们只能用
于传达增益。
公式(1) 用于计算放大器输出电压：
VAMP= INPUT+ADVC+AAMP
(1)
其中
• VAMP 是以dBV 为单位的放大器输出电压
• INPUT 是相对于0dBFS 的数字输入振幅，以dB 为单位
• ADVC 是数字音量控制设置值，以dB 为单位
• AAMP 是放大器输出电平设置值，以dBV 为单位
通过设置 DVC_LVL[7:0] 寄存器位，DVC 可配置为 0dB 到 -100dB，步长为 0.5dB。大于 C8h 的设置值视作静
音。当数字音量控制发生变化时，器件会根据DVC_RAMP_RATE[1:0] 寄存器位的状态将音量斜升到新设置值。
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如果将DVC_RAMP_RATE[1:0] 位设置为2'b11，则禁用音量斜坡。当系统控制器处理音量斜坡时，此设置可用于
加速启动、关闭和数字音量更改。
D 类放大器采用闭环架构。公式(2) 给出了输出信号削波的近似阈值。
(2)
其中：
• VPK 是最大峰值未削波输出电压（单位为V）
• VSUP 是D 类输出级的电源
• RL 是扬声器负载（单位为Ω）
• RP 是PCB（路由、滤波器）上的寄生电阻（单位为Ω）
• RFET 是功率级总电阻（HS FET、LS FET、检测电阻、键合、封装），单位为Ω
当VBAT1S 提供D 类输出级时，RFET 的典型值为0.5Ω。采用PVDD 电源时，RFET 的典型值为0.25Ω。
8.4.2.3.1 安全模式
安全模式是单一位，将在正向路径中启用18dB 衰减。这与将 DVC_LVL[7:0] 寄存器位设为 24h (-18dB) 类似。当
SMODE_EN 位设为高电平时，DVC_LVL[7:0] 寄存器位将被忽略并禁用音量斜坡。
8.4.2.4 VBAT1S 电源
TAS2780 可在（也可以不在）外部VBAT1S 电源下运行。在没有外部VBAT1S 电源的情况下进行配置时，PVDD
电压将与内部 LDO 一同使用来生成该电源电压。去耦电容仍应按照表9-1 中的建议进行安装。在本例中，从软件
关闭转换之前，VBAT1S_MODE 位应设置为高电平。有关 VBAT1S 电源工作模式的更多详细信息，请参见节
11.1。
8.4.2.5 低压信号传输(LVS)
TAS2780 会监测音频流的绝对值。
当输入最初超过由 LVS_FTH[4:0] 寄存器位设置的编程固定阈值时，D 类音频放大器由 PVDD 电源轨供电。如果
信号电平降至低于该阈值的时间超过由 LVS_HYS[3:0] 位定义的迟滞时间，则 D 类电源将切换到 VBAT1S（请参
阅图8-4）。
LVS_HYS[3:0] 位设置的所有值将确保在 BYP_EN 引脚有效（高电平）前输出剩余的样本。当多个器件的
BYP_EN 引脚连接在一起时，任何需要电源电压高于阈值的器件都会将开漏输出拉至低电平。
当信号电平超过由LVS_FTH[4:0] 位设置的上述编程固定阈值时，D 类电源将切换至PVDD。
通过 LVS_DLY[1:0] 寄存器位对延迟进行编程之后，系统会使开漏 BYP_EN 引脚无效（主动将输出拉至低电
平）。通过CDS_DLY[1:0] 寄存器位对延迟进行编程之后，Y 桥将从VBAT1S 电源切换至PVDD 电源。
固定的LVS 阈值是根据输出信号电平进行设置的，以dBFS 为单位进行测量。
默认情况下，LVS 阈值配置为相对于 VBAT1S 电压的值。LVS_TMODE 位设置为高电平，LVS_RTH[3:0] 寄存器
位设置为3'b010（来自VBAT1S 的0.7V）。
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图8-4. 低压信号传输
当 CDS_MODE[1:0]=11（PWR_MODE2 来自节 11.1）时，可以使用寄存器位 LVS_FTH_LOW[1:0] 来设置 LVS
固定阈值。当 CDS_MODE[1:0]=00（PWR_MODE1 来自节 11.1）时，应使用寄存器位 LVS_FTH[4:0] 来设置固
定阈值。
计算LVS 阈值时不应该考虑BOP、限制器、热折返和热梯度增益衰减。
8.4.2.6 Y 桥
TAS2780 D 类输出使用 Y 桥配置来提高播放期间的效率。LVS (节8.4.2.5) 在内部用于在 PVDD 和VBAT1S 电源
之间进行选择。当PVDD 和VBAT1S 都由外部提供给器件时，通过将CDS_MODE[1:0] 位设置为2'b00 来启用此
功能。在这种情况下，VBAT1S 电源轨必须能够提供功率（最高1W）。
如果未配置为Y 桥模式，即使发生削波，该器件也将仅使用选定的D 类输出电源。该器件可以仅使用PVDD 来提
供 D 类输出。在此配置中，VBAT1S 可以由外部电源提供（寄存器位 VBAT1S_MODE=0）或由内部 LDO 生成
（寄存器位VBAT1S_MODE=1）。在这种情况下，CDS_MODE[1:0] 位应设置为2'b10。
在 VBAT1S 上具有低功耗的 TAS2780 Y 桥仅可用于在接近空闲时以非常低的功率切换到 VBAT1S 电源轨。这将
减少接近空闲时的D 类输出摆幅，并限制VBAT1S 电源的电流要求。对于此模式，将CDS_MODE[1:0] 寄存器设
置为2'b11。
有关对电源工作模式进行编程的详细信息，请参阅节11.1。
在 Y 桥模式下，如果 PVDD 降至低于 (VBAT1S + 2.5V) 电平，那么 Y 桥将停止在电源之间切换，并保持在
PVDD 电源上。
8.4.2.7 噪声门
TAS2780 具有一个噪声门功能，可以监测输入信号，并在信号低于由 NG_LVL[1:0] 位设置的阈值长于由
NG_HYST[2:0] 寄存器位设置的时间时，关闭 D 类音频放大器通道。当信号上升至高于阈值时，D 类音频放大器
会使七个采样通道重新通电，然后传输到音频输入接口的采样信号会到达 D 类音频放大器的 Y 桥。通过将
NG_EN 位设置为高电平来启用此功能。启用之后，不需要额外的外部控制，即可在器件处理延时范围内使通道上
电和断电。通过将NG_DVR_EN 位设置为低电平，也可以在噪声门运行期间使用音量斜坡。
噪声门可以配置为更高的分辨率，代价是要增加 I2C 写入。使用 NGFR_EN 位来启用此模式，并使用寄存器位
NGFR_LVL[23:0] 来设置高分辨率。使用NGFR_HYST[18:3] 寄存器位可设置高分辨率迟滞。
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8.4.2.8 具有欠压保护功能的电源跟踪限制器
TAS2780 包含一个电源跟踪限制器，用于控制失真和欠压保护以减少欠压事件。使用芯片间增益调整 (ICGA)（节
8.4.2.10）功能，可以在多个器件间调整该块导致的增益衰减。由DEV_MAX_ATTN[6:0] 寄存器位设置的最大器
件衰减可用于限制限制器和欠压衰减的组合。
电源跟踪限制器 (STL)（节 8.4.2.8.1）和欠压保护 (BOP)（节 8.4.2.8.2）是独立配置的。如果 STL 和 BOP 需要
降低增益，ICGA（如果已启用）会使多个器件增益保持同步。但是，BOP 将在器件中具有优先权。为了防止
STL 和BOP 同时对系统进行调整，一旦触发BOP，STL 和ICGA 将暂停，直到它完全释放。
通过设置 ICG_MODE 寄存器位，可以将应用于器件的衰减选择为限制器衰减 (ICLA) 和欠压衰减 (ICBA) 的总和
或两者的最大值
8.4.2.8.1 电源跟踪限制器(STL)
TAS2780 会监控PVDD 电源电压和音频信号，以便在音频信号峰值超过可编程阈值时自动降低增益。这有助于防
止削波并在电池充电结束的情况下延长播放时间。
通过将LIM_EN 位寄存器设置为高电平来启用电源跟踪限制器功能。
提供可配置的启动速率、保持时间和释放速率来控制限制器的动态响应（LIM_ATK_RT[3:0]、LIM_HLD_TM[2:0]
和LIM_RLS_RT [3:0] 寄存器位）。
限制器应用的最大衰减水平可通过 LIM_MAX_ATTN[3:0] 寄存器位进行配置。如果限制器模式正在启动并且达到
最大衰减，则增益将不会进一步降低。
当输出信号电平大于限制器阈值时，限制器开始降低增益。限制器可配置为以最小阈值跟踪低于可编程拐点的
PVDD。下面的图 8-5 显示了将限制器配置为限制到一个恒定电平，而不管 PVDD 电平如何。若要实现此行为，
请通过 LIM_TH_MAX[31:0] 寄存器位将限制器最大阈值设置为所需水平。将限制器拐点（ 寄存器位
LIM_INF_PT[31:0]）设置为低于允许的最小 PVDD 设置值。由寄存器位 LIM_TH_MIN[31:0] 设置的限制器最小阈
值不会影响此用例中的限制器行为。
Inflection
Point
LIM_TH_MAX
LIM_TH_MAX
slope
Brown
Out
Brown
Out
BOP_TH
BOP_TH LIM_INF_PT
PVDD (V)
PVDD (V)
图8-5. 具有固定阈值的限制器
图8-6. 具有拐点的限制器
Inflection
Point
1:1
LIM_TH_MAX
LIM_TH_MAX
slope
- x%
Headroom
LIM_TH_MIN
Brown
+ x%
Out
Brown
Out
Headroom
BOP_TH
BOP_TH LIM_INF_PT
PVDD (V)
PVDD (V)
图8-7. 具有动态阈值的限制器
图8-8. 具有拐点和最小阈值的限制器
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图 8-6 显示了如何配置限制器以跟踪低于特定电平的 PVDD 电源，而无需设置最小阈值。将 LIM_TH_MAX[31:0]
寄存器位设置为所需的阈值，并将 LIM_INF_PT[31:0] 寄存器位设置为限制器将开始降低 PVDD 阈值的所需拐
点。LIM_SLOPE[31:0] 寄存器位可用于通过 PVDD 更改限制器跟踪的斜率。PVDD 每下降 1V，默认值 1V/V 就
会将阈值降低 1V。如果需要，可以对更激进的跟踪斜率进行编程。将 LIM_TH_MIN[31:0] 位编程到低于最小
PVDD 可防止限制器在跟踪PVDD 电源时遇到最小阈值降低的情况。
可以使用其他方式配置具有电源跟踪斜率的限制器。通过将 LIM_HR_EN 寄存器位设置为高电平，可以通过设置
LIM_DHR[4:0] 寄存器位，使用 1V/V 斜率将余量指定为电源电压的百分比。例如，如果指定 -10% 的余量，则峰
值输出电压将设置为比PVDD 高10%。在图8-7 所示的这个用例中，从高于电源电压的信号开始限制，并将产生
固定削波。如果指定+10% 的正余量，则峰值输出电压将动态设置为比当前 PVDD 低10%。在这个用例中，将从
低于电源电压的信号电平开始限制，并会防止发生削波。
若要实现仅跟踪 PVDD 达到最小阈值的限制器，请按照前面的示例配置限制器 LIM_TH_MAX [31:0] 和
LIM_SLOPE[31:0] 寄存器位。然后，还要将 LIM_TH_MIN[31:0] 寄存器位设置为所需的最小阈值。低于此最小阈
值的电源电压将不会继续降低信号输出电压。图8-8 展示了这种情况。
通过将寄存器位 LIM_HR_EN 设置为低电平，限制器机制取决于最大/最小阈值、拐点和斜率的设置。一旦将该位
设置为高电平，限制器动态余量将被启用。
当BOP（欠压保护）事件发生时，可以暂停限制器更新（LIM_PDB 寄存器位设置为高电平），直到BOP 完全释
放。这可用于防止两个保护系统之间发生不良的交互。
8.4.2.8.2 欠压保护(BOP)
欠压保护 (BOP) 功能可为专用限制器提供优先输入，以对充电结束时会导致系统级欠压的电源电压瞬态骤降产生
快速响应。当电源电压降至 BOP 阈值以下时，限制器开始以可配置的启动速率降低增益。当电源电压升至 BOP
阈值以上时，限制器将在已设定的保持时间后开始释放。BOP 功能可以通过将 BOP_EN 寄存器位设置为高电平
来启用。根据应用需要，可以使用 BOP_SRC 寄存器位将欠压电源设置为 PVDD (BOP_SRC =1) 或 VBAT1S
(BOP_SRC =0)。应该注意的是，BOP 功能独立于限制器，如果启用，即使电源跟踪限制器被禁用，它也会起作
用。
随着电源电压持续下降，可配置 BOP 通过四个级别来降低增益。BOP 阈值级别 3 通过 BOP_TH3[7:0] 寄存器位
设置，阈值级别 2 通过 BOP_TH2[7:0] 寄存器位设置，级别 1 阈值通过 BOP_TH1[7:0] 位设置，级别 0 通过
BOP_TH0[7:0] 寄存器位设置。
可以单独禁用未使用的 BOP 级别（寄存器位 BOP_DIS0、BOP_DIS1 、BOP_DIS2、 BOP_DIS3），从而灵活
使用一到四这四个级别。为确保正常运行，应从级别3 开始，按顺序禁用各级别。
每个级别都有单独的启动速率（寄存器位 BOP_ATK_RT0[2:0] 至 BOP_ATK_RT3[2:0]）、启动步长（寄存器位
BOP_ATK_ST0[3:0] 至
BOP_ATK_ST3[3:0] ） 、 释 放 速 率 （ 寄 存 器 位
BOP_RLS_RT0[2:0] 至
BOP_RLS_RT3[2:0]）、释放步长（寄存器位 BOP_RLS_ST0[3:0] 至BOP_RLS_ST3[3:0]）、停留时间（寄存器
位 BOP_DT0[2:0] 至 BOP_DT3[2:0]）、保持时间（寄存器位 BOP_HT0[2:0] 至 BOP_HT3[2:0]）、最大衰减
（BOP_MAX_ATTN0[4:0] 至BOP_MAX_ATTN3[4:0]）。
为使器件正常运行，必须满足以下条件：
●BOP_MAX_ATTN0 > BOP_MAX_ATTN1 > BOP_MAX_ATTN2 > BOP_MAX_ATTN3
●BOP_TH 级别3 > BOP_TH 级别2 > BOP_TH 级别1 > BOP_TH 级别0。
使用寄存器 BOP_CFG4、BOP_CFG9、BOP_CFG14、BOP_CFG20 的位 BOP_MAX_ATTN 对衰减水平进行编
程。寄存器BOP_CFG5、BOP_CFG10、BOP_CFG15、BOP_CFG21 用于设置BOP 阈值级别。
在发生 BOP 事件时，TAS2780 也可以通过达到级别 0 来立即静音然后关断器件（如果 BOP_SHDN 寄存器位设
置为高电平） 。为了让器件再次继续播放音频， 它必须在软件/硬件关断状态之间进行切换。如果由
BOP_HT0÷4[2:0] 寄存器位设置的保持时间为 7h（无限），则器件需要在静音或软件/硬件关断状态之间进行切
换，或者寄存器位BOP_HLD_CLR 可以设置为高电平，导致器件退出保持状态并开始释放。该位将自行清除，并
始终读回低电平。
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VBAT
BOP Thresh
BOP Active
BOP Mode
BOP
Attacking
BOP
Holding
Limiter Releasing
(BOP Inactive)
BOP Inactive
BOP Inactive
图8-9. 欠压保护事件
TAS2780 BOP 引擎将跟踪当前级别状态、已使用的最低 BOP 级别和测得的最低 BOP 电源电压。此信息会不断
更新，直到请求为止。若要访问此信息，寄存器 BOP_STAT_HLD 应设置为高电平。这将暂停当前状态
(BOP_STAT_STATE[3:0]) 和最低 BOP 级别 (BOP_STAT_LLVL[2:0]) 寄存器位的更新，以便读回它们。读取完成
后，应将寄存器位 BOP_STAT_HLD 再次设置为低电平，以清除当前 BOP 状态寄存器并根据当前 BOP 状态重新
启用更新。
自上次读取以来的最低 PVDD 测量值可在寄存器位 BOP_STAT_PVDD[9:0] 中获得， 前提条件是
BOP_STAT_HLD 寄存器位在读取前设置为高电平。
如果电源电压的上升速度快于较低级别的释放速度，则不会达到更高 BOP 级别的保持条件（无限或非无限）。具
体来说，能否达到某个级别的无限保持取决于更低级别的释放速率，因此即使设置了无限保持，也可能无法达
到。
8.4.2.9 低电池电量跟踪限制器(LBTL)
VBAT1S 限制器在较低的VBAT1S 电压(< 3.2V) 下使通道增益衰减，以便减少最大电力输送并防止热关断。
通过对VBAT1S 进行SAR 测量，限制器根据下面的公式计算其增益。
LBTL_GAIN (dBV) = 21dBV + VBLIM_GAIN (dBV)
(3)
如果已设定的信号增益（放大器电平和DVC）符合以下条件：
AAMP + ADVC < LBTL_GAIN，
(4)
不会激活LBTL 机制。
来自公式(3) 的VBLIM_GAIN 取决于VBAT1S 电平（请参见下表）。
表8-3. VBLIM_GAIN 与VBAT1S
VBAT1S [V]
VBLIM_GAIN [dBV]
3.2
3.1
3
0
-0.5
-0.75
-1.2
-1.56
-2
2.9
2.8
2.7
信号链中的总增益将是由SPL、BOP 和LBTL 定义的最小增益。
8.4.2.10 芯片间增益调整(ICGA)
TAS2780 支持使用专用的 ICC 功能（节 8.4.2.10.1），在不同的器件或 TDM 输出总线 (SDOUT) 内动态调整
STL 和欠压 BOP。这确保了在限制或欠压事件期间通道间增益的一致性，因为增益的变化取决于音频内容，音频
内容可能因通道而异。每个器件可以配置为与指定数量的其他器件相一致，这样就可以创建仅彼此一致的器件分
组。
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可选择通过 24 位时隙中的 SDOUT 引脚或 ICC 引脚上的每个器件来传输 STL 和 BOP 活动。当启用限制器和欠
压保护时，数据包括一个 11 位字（用于限制器）和一个 13 位字（用于欠压数据）。如果仅启用限制器，则数据
将为12 位字（用于限制器数据）。对于要从ICGA_SLOT[5:0] 寄存器位指定的第一个时隙开始对齐的所有器件，
增益衰减应在相邻时隙中进行传输。只要器件相邻，器件的顺序并不重要。通过 GAIN_SLOT[5:0] 寄存器位来配
置限制器增益衰减的时隙，通过将 GAIN_TX 寄存器位设置为高电平来启用。ICGA_SEN[7:0] 寄存器位指定了应
侦听哪些时隙以进行增益调整。这样就可以将任意数量（两到八个之间）的器件组合在一起。应至少启用其中两
个器件才能进行调整。
若要启用芯片间限制器调整，ICLA_EN 寄存器位应设置为高电平。若要启用芯片间 BOP 调整，ICBA_EN 寄存器
位应设置为高电平。所有器件都应采用完全相同的限制器和欠压保护设置。
8.4.2.10.1 芯片间通信(ICC) 引脚
TAS2780 具有专用的ICC 总线引脚，不消耗TDM 总线上的时隙即可实现增益调整 (ICGA)。ICC 引脚连接至系统
中的所有 TAS2780 器件，并使用寄存器位 GAIN_SLOT[5:0] 来配置时隙。此总线使用 TDM (节 8.4.1) BCLK 和
FSYNC 输入，并且要求使用相同的采样时钟来配置所有器件。ICC 引脚支持来自 SDOUT 引脚（TDM 总线）的
单独总线保持器配置。如果禁用了 ICC 引脚或用于GPIO 功能，则在TDM 总线而不是ICC 引脚上发生 ICGA (节
8.4.2.10)。寄存器位ICC_MODE[2:0] 用于设置ICC 引脚功能。
8.4.2.11 D 类设置
8.4.2.11.1 同步
TAS2780 D 类放大器支持展频 PWM 调制，可通过将 AMP_SS 寄存器位设置为高电平来启用。这有助于降低系
统中的EMI。
默认情况下，D 类放大器的开关频率基于器件中经过修整的内部振荡器。若要同步切换到音频采样率，请将
CLASSD_SYNC 寄存器位设置为高电平。当 D 类与音频采样率同步时，必须根据基于 44.1kHz 或 48kHz 频率的
音频采样率设置RAMP_RATE 寄存器位。
对于 44.1、88.2 和 176.4kHz，请将 RAMP_RATE 位设置为高电平；对于 48、96 和 192kHz，则将此位设置为
低电平。这可确保内部斜坡发生器具有适当的斜率。
8.4.2.11.2 输出压摆率控制
输出压摆率可以使用来自页0x01、寄存器0x4C 的寄存器位EDGE_CTRL[1:0] 进行编程。
默认情况下，如果PVDD 电源低于20V，则输出压摆率会很快。如果PVDD 高于20V，则压摆率会自动变慢。
或者，若要提高EMI 性能，可以通过将EDGE_CTRL[1:0] 位设置为2'b11，在整个PVDD 电源范围内将压摆率设
置为慢速。
8.4.3 SAR ADC
SAR ADC 负责监控 PVDD 电压、VBAT1S 电压和内核温度。这些转换的结果可通过寄存器读回功能
（PVDD_CNV[11:0]、VBAT1S_CNV[11:0] 和TMP_CNV[7:0] 寄存器位）获得。PVDD 和VBAT1S 电压转换也被
限制器和欠压保护模块使用。
默认情况下，当 BOP 源为 VBAT1S (BOP_SRC=0) 或者 BOP 源为 PVDD (BOP_SRC=1) 时，VBAT1S 转换与
PVDD 和温度一同启用。若要禁用VBAT1S 转换，请将位寄存器CONV_VBAT 设置为低电平
ADC 以固定的192kHz 采样率运行，转换时间为5.2µs。
温度的采样率为10K 样本/秒。
PVDD 和VBAT1S 电压以及内核温度是使用页0x00 的寄存器0x52 至0x56 中的公式计算出的。
寄存器位内容应始终从MSB 读取到LSB。
8.4.4 电流和电压(IV) 检测
TAS2780 提供扬声器电压和电流检测测量值，用于实时监控扬声器行为。VSNS_P 和 VSNS_N 引脚应连接在任
何铁氧体磁珠滤波器之后，如果未使用 EMI 滤波器，则应直接连接到 OUT_P 和 OUT_N 接线。V 检测连接消除
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了封装、PCB 互连或铁氧体磁珠滤波器电阻引起的压降误差。V 检测连接还用于后置滤波器反馈（节8.4.5），以
纠正铁氧体磁珠引起的任何压降而导致的增益误差或非线性。需要注意的是，在 VSNS 端子之后的任何互连电阻
都不会被校正，因此建议将VSNS 引脚连接到尽可能靠近负载的位置。
电压和电流检测 ADC 具有直流阻断滤波器。可以调整此滤波器截止频率，也可以使用 HPF_FREQ_REC[2:0] 寄
存器位绕过滤波器。
I 检测和V 检测块可以通过编程以将ISNS_PD 和VSNS_PD 寄存器位设为低电平来上电。断电时，器件将为断电
块返回空样本。
8.4.5 后置滤波器反馈(PFFB)
该器件通过关闭外部滤波器之后的放大器反馈环路来支持后置滤波器反馈。使用器件的 VSNS_N 和 VSNS_P 端
子来应用反馈。可以通过 PFFB_EN 寄存器位来禁用此功能，例如，如果实现了违反放大器环路稳定性的外部滤
波器。禁用PFFB 时，反馈将从器件的OUT_N 和OUT_P 引脚实现内部路由。
在 PFFB 运行模式下，外部滤波器必须满足以下条件：f0 > 10MHz 且 f0/Q > 2.5MHz（f0 和 Q 是外部滤波器的截
止频率和品质因数）。
8.4.6 负载诊断功能
TAS2780 可以检查扬声器端子是否开路或短路。这可用于验证扬声器的连续性或扬声器的轨迹。整个操作由
TAS2780 执行，并在完成时使用 IRQZ 引脚或通过读取 I2C 总线来报告结果。可使用外部音频时钟（寄存器位
LDG_CLK=0）或内部振荡器(LDG_CLK=1) 来执行负载诊断。
使用 LDG_RES_UT[31:0] 和 LDG_RES_LT[31:0] 寄存器位，可配置扬声器开路（上部 - UT）和短路（下部 -
LT）阈值。通过选择由 MODE[2:0] 寄存器位设置的其中一个负载诊断模式来运行诊断。负载诊断可以在转换到有
效运行模式之前运行，或者在完成后独立返回到软件关断模式。当负载诊断运行时，它会在 -35dBFS 下产生
22kHz 频率，持续 100ms，并测量扬声器轨迹的电阻。在由 LDG_AVG[1:0] 寄存器位指定的时间内对结果取平均
值。测得的扬声器阻抗可从LDS_RES_VAL[31:0] 寄存器位读取。
8.4.7 热折返
TAS2780 会监控内核温度，并在内核温度达到设定阈值时自动限制音频信号。建议使用热折返寄存器来配置此保
护机制，因为内部DSP 将对每个寄存器执行必要的计算。
可以通过 TFB_EN 寄存器位来禁用热折返。如果内核温度达到由 TF_TEMP_TH[31:0] 寄存器位设置的值，此功
能将开始衰减音频信号，以防止器件因过热而关断。它将通过在 TF_LIMS[31:0] 寄存器位中设置的值来衰减音频
信号（在由 TF_TEMP_TH[31:0] 寄存器位设置的温度范围内）。热折返启动的固定速率为 0.25dB/ms。可以使用
寄存器位 TF_MAX_ATTN[31:0] 来指定最大衰减。但是，如果器件继续升温，最终将触发过温。在衰减开始释放
之前，针对由寄存器位TF_HOLD_CNT[31:0] 设置的多个样本，衰减将保持。
8.4.8 过功率保护
TAS2780 会监测内部功率 FET 的温度。如果最大持续功率很高且功率 FET 的温度高于阈值，则内部保护电路会
触发热折返，并且如果温度仍在升高，则器件会关闭。
该保护机制基于两个阈值 TH1 和TH2。TH1 阈值设置为比内部带隙测得的温度高 1160C，但不低于2500C。TH1
阈值触发热折返。
TH2 阈值比TH1 高400 C，并会触发热关断。
通过将寄存器0x47、页0x01 的位TG_TH2 和TG_TH1 设置为低电平，可以禁用这两个检测机制。
8.4.9 低电池电量保护
对于低于 3.4V 的 VBAT1S 电源，功率 FET 可以在更高的负载电流下进入饱和状态，因此，连接到 PVDD 的
FET 进入热失控状态会导致器件损坏。
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为了防止损坏，需要根据内部SAR ADC 测得的VBAT1S 电平来调整OCP 限制。下表显示了会调整OCP 的阈值
以及用于对这些阈值进行编程的寄存器设置。
检测到VBAT1S 电源电平低于3.4V 之后，在对寄存器编程之前，器件需要置于软件关断模式或处于空闲模式。
表8-4. OCP 阈值与VBAT
VBAT1S 范围
PVDD OCP 电平
簿/页/寄存器- 新设置
6.6A
6A
VBAT1S ≥3.4V
不适用
B_0/P_0/R_6 - 01
3.1V ≤VBAT1S < 3.4V
2.9V ≤VBAT1S < 3.1V
5.3A
B_0/P_0/R_6 - 02
B_0/P_FD/R_3A - 7D
B_0/P_FD/R_3B - 请参阅节10.7
B_0/P_FD/R_5C - C0
4.3A
2.7V ≤VBAT1S < 2.9V
仅在 VBAT1S 由外部供电的电源模式下才需要对上述 OCP 阈值进行控制，同时，D 类输出打开 PVDD
（PWR_MODE0，PWR_MODE1）。
8.4.10 时钟和PLL
该器件时钟源自 SBCLK 输入时钟。表 8-5 和表 8-6 显示了每个采样率和 SBCLK 与 FSYNC 之比的有效 SBCLK
时钟频率。
表8-5. 支持的SBCLK 频率（基于48kHz 的采样率）
SBCLK 与FSYNC 之比
采样率(kHz)
16
24
32
48
2.304MHz
64
96
125
48kHz
96kHz
768kHz
1.536MHz
1.152MHz
2.304MHz
1.536MHz
3.072MHz
3.072MHz
6.144MHz
4.608MHz
9.216MHz
6MHz
12MHz
4.608MHz
SBCLK 与FSYNC 之比
256
采样率(kHz)
128
192
250
384
500
24MHz
-
512
48kHz
96kHz
6.144MHz
12.288MHz
9.216MHz
18.432MHz
12MHz
24MHz
12.288MHz
24.576MHz
18.432MHz
-
24.576MHz
-
表8-6. 支持的SBCLK 频率（基于44.1kHz 的采样率）
SBCLK 与FSYNC 之比
采样率(kHz)
16
24
32
48
2.1168MHz
64
96
125
44.1kHz
88.2kHz
705.6kHz
1.4112MHz
1.0584MHz
2.1168MHz
1.4112MHz
2.8224MHz
2.8224MHz
5.6448MHz
4.2336MHz
8.4672MHz
5.5125MHz
11.025MHz
4.2336MHz
SBCLK 与FSYNC 之比
256
采样率(kHz)
128
192
250
384
500
512
44.1kHz
88.2kHz
5.6448MHz
11.2896MHz
8.4672MHz
16.9344MHz
11.025MHz
22.05MHz
11.2896MHz
22.5792MHz
16.9344MHz
-
22.05MHz
-
22.5792MHz
-
如果通过 SAMP_RATE[2:0] 寄存器位正确配置了采样率，则只要 SBCLK 与 FSYNC 之比有效，就无需额外配
置。该器件将检测不正确的 SBCLK 频率、SBCLK 与 FSYNC 之比以及播放路径上的音量降低，以便最大限度地
减少可闻失真。检测到时钟错误后，如果 DIS_CLK_HALT 位为低电平，器件将在由 CLK_HALT_TIMER[2:0] 寄
存器位设置的时间后进入低功耗停机模式。此外，如果 CLK_PWR_UD_EN 寄存器位设置为高电平，器件可以在
有效时钟信号上自动进行上电和断电。启用此功能时不应更改器件采样率。在此模式下，DIS_CLK_HALT 位寄存
器应设置为低电平，以使此功能正常运行。
8.4.11 超声波
TAS2780 具有专用电源模式(PWR_MODE3)，可在存在检测、手势识别等高级超声波应用中播放超声波。
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播放超声波时，建议使用以下设置：
在PWR_MODE3 工作模式下，D 类的输出级将由外部VBAT1S 电源轨供电。
8.4.12 回声基准
TAS2780 可以环回DSP 输出。
此功能允许用户执行噪声消除或回声校正算法。
方框图如下图所示。
图8-10. 回声基准环回
可以通过配置 AUDIO_TX 寄存器位来启用回声基准。可以使用 AUDIO_SLEN 和 AUDIO_SLOT[5:0] 寄存器位选
择时隙长度和时隙。
8.5 工作模式
8.5.1 硬件关断
如果 SDZ 引脚为低电平有效，则器件会进入硬件关断模式。在硬件关断模式下，器件会消耗来自 AVDD、
IOVDD、PVDDPVDDH 和 VBAT1S 电源的最小静态电流。在此模式下所有寄存器会丢失状态，且禁用 I2C 通
信。
默认情况下，当SDZ 引脚变为低电平时，在由可配置的关断计时器（寄存器位SDZ_TIMEOUT[1:0]）设置的超时
之后，器件会强制进入硬件关断模式。如果在音频播放过程中 SDZ 为低电平有效，则器件会缓慢降低音频的音
量，停止 D 类开关，关断模拟和数字块，并最终将器件置于硬件关断模式。器件还可以配置为强制硬件关断模
式，在这种情况下，它不会尝试缓慢地禁用音频通道。可以使用SDZ_MODE[1:0] 寄存器位来控制关断模式。
释放SDZ 引脚时，器件会对ADDR 引脚进行采样，并进入软件关断模式。
8.5.2 模式控制和软件复位
TAS2780 模式可以通过写入MODE[2:0] 寄存器位来配置。
通过将 SW_RESET 寄存器位设置为高电平，可以实现软件复位。此位可自行清除。启用之后，即会将所有寄存
器还原为其默认值。
8.5.3 软件关断
软件关断模式会将播放音频所需的所有模拟块关闭，但不会导致器件丢失寄存器状态。
这些寄存器可通过I2C 接口获得。
通过将 MODE[2:0] 寄存器位设置为 3'b010，可以启用软件关断。如果在软件关断有效时正在播放音频，则 D 类
音频放大器将在关断前缓慢降低音量。当软件关断失效后，D 类音频放大器将开始恢复，音量将缓慢升回所设定
的数字音量值。
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8.5.4 静音模式
TAS2780 会通过将 MODE[2:0] 寄存器位设置为 3'b001，缓慢降低 D 类放大器的音量，以达到静音状态。在静音
期间，D 类放大器仍开启，但不传输音频内容。如果取消静音设置，则器件会使音量缓慢升回设定好的数字设置
值。
8.5.5 有效运行模式
在有效运行模式下，D 类切换并播放音频。如果启用，扬声器电压和电流感测可正常运行。将 MODE[2:0] 寄存器
位设置为3'b000 可进入有效运行模式。
8.5.6 诊断模式
TAS2780 具有一个诊断发生器，无需任何PCM 时钟即可使用该诊断发生器。如果DG_CLK 寄存器位设置为低电
平，内部振荡器用于生成由 DG_SIG[4:0] 寄存器位选择的测试模式。对于正弦波生成，应首先设置采样频率 fs
（使用SAMP_RATE[2:0] 寄存器位）。
可使用DG_DC_VAL[31:0] 寄存器位设置诊断模式的可编程直流电平。
若要播放直流诊断音，请将寄存器0x04 中的HPF_FREQ_PB[2:0] 位设置为0h（禁用直流阻断器）。
8.5.7 噪声门模式
在该节描述的这种工作模式下，TAS2780 会监测信号，并在信号低于阈值时关闭D 类音频放大器。
8.6 故障和状态
在上电序列期间，监控 AVDD 引脚的电路将使器件保持在复位状态（包括所有配置寄存器），直到电源有效。在
AVDD 有效且 SDZ 引脚被释放之前，器件不会退出“硬件关断”。一旦 SDZ 被释放，数字内核稳压器将会上
电，从而能够检测工作模式。如果AVDD 低于欠压阈值，系统将立即强制器件进入复位状态。
如果电源低于 PVDD 欠压阈值（由寄存器位 PVDD_UVLO_TH[5:0] 设置），该器件还监控 PVDD 电源并将模拟
内核保持在断电状态。如果TAS2780 处于有效运行状态并发生欠压故障，模拟模块将立即断电以保护器件。这些
故障会被锁存，需要通过硬件或软件关断来清除故障。锁存寄存器将报告欠压故障。
如果器件检测到TDM 时钟出现如下任何故障，则会过渡到软件关断模式：
•无效的SBCLK 与FSYNC 之比
•FSYNC 频率无效
•SBCLK 或FSYNC 时钟停止
检测到 TDM 时钟错误后，器件会尽快过渡到软件关断模式，以限制音频失真的可能性。一旦修复了所有 TDM 时
钟错误，器件音量就会恢复到之前的播放状态。在 TDM 时钟错误期间，如果将时钟错误中断屏蔽寄存器位
IM_TDMCE 设置为低电平，则 IRQZ 引脚将置为低电平。时钟故障在锁存故障状态寄存器（位 IR_TDMCE]）中
也可用于回读。
备注
在对 I2C 进行编程以进入有效运行模式之前，必须有可用的 TDM 时钟。在不存在时钟的情况下进入有
效运行模式将触发时钟错误，器件也将进入软件关断状态，并且将引发与时钟错误相关的中断。
TAS2780 还会监控内核温度和 D 类负载电流，如果其中任何一个超过安全值，就将进入软件关断模式。和 TDM
时钟错误一样，如果故障中断屏蔽寄存器位对于过热和过流设置为低电平，则 IRQZ 引脚将置为低电平。故障状
态也可以在锁存的故障寄存器中进行监控。
内核过热和 D 类过流错误可以是锁存的（例如，器件将进入“软件关断”，直到应用了硬件或软件关断序列），
也可以将它们编程为在规定时间后自动重试。此行为可以在 OTE_RETRY、OCE_RETRY 寄存器位中进行配置
（分别针对过热和过流）。即使在锁存模式下，D 类在出现过热或过流错误后也不会尝试重试，直到重试时间段
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（1.5 秒）结束。这可以防止以快速方式对器件施加重复应力，从而导致器件损坏。如果器件已通过硬件或软件关
断循环，它将仅在重试时间段后开始运行。
默认情况下，所有重试功能都会被禁用。
当退出软件关断模式进入有效运行模式时（例如：MODE[2:0] 位从010b 到000b），如果检测到PVDD 欠压，则
器件将重新进入软件关断模式，并且将标记一个中断 (IL_PUVLO)。若要退出此故障，用户需要使用 MODE[2:0]
位清除中断并在软件关断模式下对器件进行编程，然后再尝试进入运行模式。
如果检测到内部VBAT1S LDO 欠压并标记IL_LDO_UV 中断，则PWR_MODE2 中可能会发生类似情况。
状态寄存器（和 IRQZ 引脚，如果通过状态屏蔽寄存器启用）还指示限制器的行为，包括何时激活限制器、何时
PVDD 低于拐点、何时应用最大衰减、限制器何时处于无限保持状态以及限制器何时静音。
当器件在 PWR_MODE2 下运行时，VBAT1S 引脚由内部 LDO 供电。保护电路会监控该模块，并在发生欠压、过
压或LDO 过载时产生故障。如果触发这些故障之一，器件将进入软件关断模式。
IRQZ 引脚是一个漏极开路输出，在未屏蔽的故障条件下置位为低电平，因此必须通过一个电阻器将其上拉至
IOVDD。提供了一个内部上拉电阻，可以通过将IRQZ_PU 寄存器位设置为高电平来访问（连接到引脚）。
IRQZ 中断配置可以使用IRQZ_PIN_CFG[1:0] 寄存器位进行设置。IRQZ_POL 寄存器位会设置中断极性。
INT_LTCH_CLR 寄存器位允许清除所有中断锁存寄存器位。
仅当器件处于有效运行工作模式时，实时标志寄存器才有效。如果器件因 I2 命令或由于下述任何故障情况而关
断，则有效运行标志将被复位。在这种情况下，锁存标志不会被复位，用户可以读取它们的状态。
表8-7. 故障中断屏蔽
中断
实时寄存器位
锁存寄存器位
屏蔽寄存器位
默认值（1 = 屏
蔽）
IL_TO105
IL_TO115
IL_TO125
IL_TO135
IR_TO105
IR_TO115
IM_TO105
IM_TO115
IM_TO125
IM_TO135
IM_OT
1
1
1
1
0
0
1
温度超过105°C
温度超过115°C
IR_TO125
温度超过125°C
IR_TO135
温度超过135°C
IR_OT
过热错误
器件处于关断状态
器件处于关断状态
器件处于关断状态
IR_OC
IM_OC
过流错误
IR_TDMCE
IR_TDMCEIR
IR_TDNCEFC
IR_TDMCERC
IR_BOPA
IM_TDMCE
TDM 时钟错误
TDM 时钟错误：无效的SBCLK 比率或FS 率
TDM 时钟错误：FS 发生动态更改
TDM 时钟错误：SBCLK FS 之比发生动态更改
BOP 有效
IL_BOPA
IL_BOPL0A
IL_BOPL1A
IL_BOPL2A
IL_BOPL3A
IL_BOPIH
IM_BOPA
IM_BOPL0A
IM_BOPL1A
IM_BOPL2A
IM_BOPL3A
IM_BOPIH
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
IR_BOPL0A
IR_BOPL1A
IR_BOPL2A
IR_BOPL3A
IR_BOPIH
IR_BOPM
BOP 级别0 有效
BOP 级别1 有效
BOP 级别2 有效
BOP 级别3 有效
BOP 无限保持
IL_BOPM
IM_BOPM
BOP 静音
IL_PBIP
IR_PBIP
IM_PBIP
PVDD 低于限制器拐点
IL_LIMA
IR_LIMA
IM_LIMA
限制器运行
限制器最大衰减
PVDD UVLO
IL_LIMMA
IR_LIMMA
IR_PUVLO
IR_VBAT1S_UVLO
IR_OTPCRC
IM_LIMMA
IM_PUVLO
IM_VBAT1S_UVLO
器件处于关断状态
器件处于关断状态
器件处于关断状态
VBAT1S UVLO
OTP CRC 错误
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表8-7. 故障中断屏蔽(continued)
中断
实时寄存器位
锁存寄存器位
屏蔽寄存器位
默认值（1 = 屏
蔽）
IL_VBATLIM
IR_VBATLIM
IR_LDC
IM_VBATLIM
IM_LDC
1
1
VBAT 增益限制器
负载诊断完成
IR_LDMODE[1:0]
IR_PLL_CLK
IM_LDMODE[1:0]
IM_PLL_CLK
11
1
负载诊断模式故障
内部PLL 时钟错误
噪声门运行
器件处于关断状态
IL_NGA
IL_PVBT
IR_PVBT
IR_LDO_OV
IR_LDO_UV
IR_LDO_OL
IR_TDTH2
IR_TDTH1
IM_PVBT
IM_LDO_OV
IM_LDO_UV
IM_LDO_OL
IM_TDTH2
IM_TDTH1
0
1
0
1
0
0
PVDD-VBAT1S 低于阈值
内部VBAT1S LDO 过压
内部VBAT1S LDO 欠压
内部VBAT1S LDO 过载
热检测阈值2
器件处于关断状态
器件处于关断状态
器件处于关断状态
器件处于关断状态
IL_TDTH1
热检测阈值1
8.6.1 TDM 上的故障和状态
当 STATUS_TX 寄存器位设置为高电平时，可以通过 TDM 总线发送故障和器件运行信息。TDM 总线中的间隙位
置可以使用STATUS_SLOT[5:0] 寄存器位进行配置。
表8-8. TDM 信息位
TDM_STATUS[7:0] 位
位信息
上电状态
Y 桥
0 值
已断电(1)
1 值
已上电
0
1
2
3
4
5
6
7
PVDD 有效
VBAT1S 有效
噪声门状态
限制器有效
BOP 有效
过热错误
过流错误
PVDD 状态
正常运行
噪声门有效
未应用限制器或ICLA 衰减
未应用BOP 衰减
无过热
已应用限制器或ICLA 衰减
已应用BOP 衰减
检测到过热(1)
无过流
检测到过流(1)
无PVDD UVLO
检测到PVDD UVLO(1)
(1) 只能在瞬态关闭阶段读取。关断后，TDM 总线不可用。
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8.6.2 温度警告
TAS2780 会监控内核温度并在温度高于105ºC、115ºC、125ºC 和135ºC 时发出警告。
警告可以在寄存器0x47 中实时读取，也可以在页0x00 的寄存器0x4F 中进行锁存。
8.7 电源时序要求
只要SDZ 引脚保持低电平，就没有针对斜升或斜降速率级的电源时序要求。
8.8 数字输入下拉
I2S/TDM 接口引脚和ICC 引脚具有可选的弱下拉电阻器，可防止引脚悬空。寄存器位DIN_PD[4:0] 用于启用/禁用
下拉电阻器。硬件关断期间不启用下拉电阻器。
8.9 寄存器映射
8.9.1 寄存器汇总表格页=0x00
地址
寄存器
说明
章节
0x00
PAGE
器件页
节8.9.6
0x01
0x02
0x03
0x04
0x05
0x06
0x07
0x08
0x09
0x0A
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
0x0F
0x10
0x11
0x12
0x13
0x14
0x15
0x16
0x17
0x18
0x19
0x1A
0x1B
0x1C
0x1D
0x1E
0x1F
0x20
0x21
SW_RESET
MODE_CTRL
CHNL_0
软件复位
节8.9.7
器件运行模式
Y 桥和通道设置
节8.9.8
节8.9.9
DC_BLK0
SAR 滤波器和直流路径阻断器
录音直流阻断器
其他配置1
节8.9.10
节8.9.11
节8.9.12
节8.9.13
节8.9.14
节8.9.15
节8.9.16
节8.9.17
节8.9.18
节8.9.19
节8.9.20
节8.9.21
节8.9.22
节8.9.23
节8.9.24
节8.9.25
节8.9.26
节8.9.27
节8.9.28
节8.9.29
节8.9.30
节8.9.31
节8.9.32
节8.9.33
节8.9.34
节8.9.35
节8.9.36
节8.9.37
节8.9.38
节8.9.39
DC_BLK1
MISC_CFG1
MISC_CFG2
TDM_CFG0
TDM_CFG1
TDM_CFG2
LIM_MAX_ATTN
TDM_CFG3
TDM_CFG4
TDM_CFG5
TDM_CFG6
TDM_CFG7
TDM_CFG8
TDM_CFG9
TDM_CFG10
TDM_CFG11
ICC_CNFG2
TDM_CFG12
ICLA_CFG0
ICLA_CFG1
DG_0
其他配置2
TDM 配置0
TDM 配置1
TDM 配置2
限制器
TDM 配置3
TDM 配置4
TDM 配置5
TDM 配置6
TDM 配置7
TDM 配置8
TDM 配置9
TDM 配置10
TDM 配置11
ICC 模式
TDM 配置12
芯片间限制器调整0
芯片间增益调整1
诊断信号
DVC
数字音量控制
限制器配置0
限制器配置1
欠压保护0
LIM_CFG0
LIM_CFG1
BOP_CFG0
BOP_CFG1
BOP_CFG2
BOP_CFG3
BOP_CFG4
欠压保护1
欠压保护2
欠压保护3
欠压保护4
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0x22
0x23
0x24
0x25
0x26
0x27
0x28
0x29
0x2A
0x2B
0x2C
0x2D
0x2E
0x2F
0x30
0x31
0x32
0x33
0x34
0x35
0x36
0x37
0x38
0x3B
0x3C
0x3D
0x40
0x41
0x42
0x43
0x44
0x47
0x48
0x49
0x4A
0x4B
0x4F
0x50
0x51
0x52
0x53
0x54
0x55
0x56
0x5C
0x5D
0x60
0x63
0x64
BOP_CFG5
BOP_CFG6
BOP_CFG7
BOP_CFG8
BOP_CFG9
BOP_CFG10
BOP_CFG11
BOP_CFG12
BOP_CFG13
BOP_CFG14
BOP_CFG15
BOP_CFG17
BOP_CFG18
BOP_CFG19
BOP_CFG20
BOP_CFG21
BOP_CFG22
BOP_CFG23
BOP_CFG24
NG_CFG0
BOP 配置5
节8.9.40
节8.9.41
节8.9.42
节8.9.43
节8.9.44
节8.9.45
节8.9.46
节8.9.47
节8.9.48
节8.9.49
节8.9.50
节8.9.51
节8.9.52
节8.9.53
节8.9.54
节8.9.55
节8.9.56
节8.9.57
节8.9.57
节8.9.59
节8.9.60
节8.9.61
节8.9.62
节8.9.63
节8.9.64
节8.9.65
节8.9.66
节8.9.67
节8.9.68
节8.9.69
节8.9.70
节8.9.71
节8.9.72
节8.9.73
节8.9.74
节8.9.75
节8.9.76
节8.9.77
节8.9.78
节8.9.79
节8.9.80
节8.9.81
节8.9.82
节8.9.83
节8.9.84
节8.9.85
节8.9.86
节8.9.87
节8.9.88
欠压保护6
欠压保护7
欠压保护8
欠压保护9
BOP 配置10
欠压保护11
欠压保护12
欠压保护13
欠压保护14
BOP 配置15
欠压保护17
欠压保护18
欠压保护19
欠压保护20
BOP 配置21
欠压保护22
测得的最低PVDD
最低BOP 启动速率
噪声门0
NG_CFG1
噪声门1
LVS_CFG0
DIN_PD
低压信号传输
数字输入引脚下拉
中断屏蔽0
INT_MASK0
INT_MASK1
INT_MASK4
INT_MASK2
INT_MASK3
INT_LIVE0
中断屏蔽1
中断屏蔽4
中断屏蔽2
中断屏蔽3
实时中断读回0
实时中断读回1
实时中断读回1_0
实时中断读回2
实时中断读回3
锁存中断读回0
锁存中断读回1
锁存中断读回1_0
锁存中断读回2
锁存中断读回3
锁存中断读回4
SAR VBAT1S 0
SAR VBAT1S 1
SAR PVDD 0
SAR PVDD 1
INT_LIVE1
INT_LIVE1_0
INT_LIVE2
INT_LIVE3
INT_LTCH0
INT_LTCH1
INT_LTCH1_0
INT_LTCH2
INT_LTCH3
INT_LTCH4
VBAT_MSB
VBAT_LSB
PVDD_MSB
PVDD_LSB
TEMP
SAR ADC 转换2
时钟设置和IRQZ
其他配置3
INT_CLK_CFG
MISC_CFG3
CLOCK_CFG
IDLE_IND
时钟配置
空闲通道电流优化
SAR 采样时间
SAR_SAMP
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0x65
0x67
0x68
0x6A
0x6B
0x6C
0x6D
0x6E
0x6F
0x70
0x71
0x73
0x7E
0x7F
MISC_CFG4
TG_CFG0
CLK_CFG
LV_EN_CFG
NG_CFG2
NG_CFG3
NG_CFG4
NG_CFG5
NG_CFG6
NG_CFG7
PVDD_UVLO
DMD
其他配置4
音调发生器
检测时钟比率和采样率
D 类和LVS 延迟
噪声门2
节8.9.89
节8.9.90
节8.9.91
节8.9.92
节8.9.93
节8.9.94
节8.9.95
节8.9.96
节8.9.97
节8.9.98
节8.9.99
节8.9.100
节8.9.101
节8.9.102
噪声门3
噪声门4
噪声门5
噪声门6
噪声门7
UVLO 阈值
DAC 调制器抖动
I2C 校验和
器件簿
I2C_CKSUM
BOOK
8.9.2 寄存器汇总表格页=0x01
地址
寄存器
说明
段
0x17
INIT_0
LSR
初始化
节8.9.103
节8.9.104
节8.9.105
节8.9.106
节8.9.107
节8.9.108
节8.9.109
节8.9.110
节8.9.111
节8.9.112
节8.9.113
节8.9.114
节8.9.115
节8.9.116
节8.9.117
节8.9.118
0x19
0x21
0x35
0x36
0x3D
0x3E
0x3F
0x40
0x41
0x42
0x43
0x44
0x45
0x47
0x4C
调制
INIT_1
INIT_2
INT_LDO
初始化
初始化
内部LDO 设置
时隙控制
时隙控制
时隙控制
时隙控制
时隙控制
时隙控制
时隙控制
时隙控制
时隙控制
热检测启用
压摆率控制
SDOUT_HIZ_1
SDOUT_HIZ_2
SDOUT_HIZ_3
SDOUT_HIZ_4
SDOUT_HIZ_5
SDOUT_HIZ_6
SDOUT_HIZ_7
SDOUT_HIZ_8
SDOUT_HIZ_9
TG_EN
EDGE_CTRL
8.9.3 寄存器汇总表格页=0x04
地址
寄存器
DG_DC_VAL1
说明
章节
0x08
0x09
0x0A
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
0x0F
0x10
0x11
0x12
0x13
诊断直流电平
节8.9.119
节8.9.120
节8.9.121
节8.9.122
节8.9.123
节8.9.124
节8.9.125
节8.9.126
节8.9.127
节8.9.128
节8.9.129
节8.9.130
DG_DC_VAL2
DG_DC_VAL3
DG_DC_VAL4
LIM_TH_MAX1
LIM_TH_MAX2
LIM_TH_MAX3
LIM_TH_MAX4
LIM_TH_MIN1
LIM_TH_MIN2
LIM_TH_MIN3
LIM_TH_MIN4
诊断直流电平
诊断直流电平
诊断直流电平
限制器最大阈值
限制器最大阈值
限制器最大阈值
限制器最大阈值
限制器最小阈值
限制器最小阈值
限制器最小阈值
限制器最小阈值
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0x14
0x15
0x16
0x17
0x18
0x19
0x1A
0x1B
0x1C
0x1D
0x1E
0x1F
0x20
0x21
0x22
0x23
0x24
0x25
0x26
0x27
0x28
0x29
0x2A
0x2B
0x2C
0x2D
0x2E
0x2F
0x40
0x41
0x42
0x43
0x44
0x45
0x46
0x47
0x48
0x49
0x4A
0x4B
0x4C
0x4D
0x4E
0x4F
LIM_INF_PT1
LIM_INF_PT2
LIM_INF_PT3
LIM_INF_PT4
LIM_SLOPE1
LIM_SLOPE2
LIM_SLOPE3
LIM_SLOPE4
TF_HLD1
限制器拐点
节8.9.131
节8.9.132
节8.9.133
节8.9.134
节8.9.135
节8.9.136
节8.9.137
节8.9.138
节8.9.139
节8.9.140
节8.9.141
节8.9.142
节8.9.143
节8.9.144
节8.9.145
节8.9.146
节8.9.147
节8.9.148
节8.9.149
节8.9.150
节8.9.151
节8.9.152
节8.9.153
节8.9.154
节8.9.155
节8.9.156
节8.9.157
节8.9.158
节8.9.159
节8.9.160
节8.9.161
节8.9.162
节8.9.163
节8.9.164
节8.9.165
节8.9.166
节8.9.167
节8.9.168
节8.9.169
节8.9.170
节8.9.171
节8.9.172
节8.9.173
节8.9.174
限制器拐点
限制器拐点
限制器拐点
限制器斜率
限制器斜率
限制器斜率
限制器斜率
TFB 最大保持
TFB 最大保持
TFB 最大保持
TFB 最大保持
TFB 释放速率
TFB 释放速率
TFB 释放速率
TFB 释放速率
TFB 限制器斜率
TFB 限制器斜率
TFB 限制器斜率
TFB 限制器斜率
TFB 阈值
TF_HLD2
TF_HLD3
TF_HLD4
TF_RLS1
TF_RLS2
TF_RLS3
TF_RLS4
TF_SLOPE1
TF_SLOPE2
TF_SLOPE3
TF_SLOPE4
TF_TEMP_TH1
TF_TEMP_TH2
TF_TEMP_TH3
TF_TEMP_TH4
TF_MAX_ATTN1
TF_MAX_ATTN2
TF_MAX_ATTN3
TF_MAX_ATTN4
LD_CFG0
TFB 阈值
TFB 阈值
TFB 阈值
TFB 增益衰减
TFB 增益衰减
TFB 增益衰减
TFB 增益衰减
负载诊断电阻阈值上限
负载诊断电阻阈值上限
负载诊断电阻阈值上限
负载诊断电阻阈值上限
负载诊断电阻阈值下限
负载诊断电阻阈值下限
负载诊断电阻阈值下限
负载诊断电阻阈值下限
D 类效率
LD_CFG1
LD_CFG2
LD_CFG3
LD_CFG4
LD_CFG5
LD_CFG6
LD_CFG7
CLD_EFF_1
CLD_EFF_2
CLD_EFF_3
CLD_EFF_4
LDG_RES1
LDG_RES2
LDG_RES3
LDG_RES4
D 类效率
D 类效率
D 类效率
负载诊断电阻值
负载诊断电阻值
负载诊断电阻值
负载诊断电阻值
8.9.4 寄存器汇总表格页=0xFD
地址
寄存器
说明
段
0x3E
INIT_3
初始化
节8.9.175
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8.9.5 注释和说明
注意：所有以斜体字描述的寄存器位都可以在有效运行模式下进行编程。
说明：R/W = 读取/写入；R = 只读；-n = 复位后的值
8.9.6 PAGE（页=0x00 地址=0x00）[复位=00h]
位
字段
类型
RW
复位
说明
7-0
PAGE[7:0]
0h
设置器件页。
00h = 页0
01h = 页1
...
FFh = 页255
8.9.7 SW_RESET（页=0x00 地址=0x01）[复位=00h]
位
7-1
0
字段
保留
类型
R
复位
0h
说明
保留
SW_RESET
RW
0h
软件复位。位可自行清除。
0b = 不复位
1b = 复位
8.9.8 MODE_CTRL（页=0x00 地址=0x02）[复位=1Ah]
位
字段
类型
RW
RW
RW
复位
说明
BOP 输入源和PVDD UVLO
7
BOP_SRC
0h
0b = 禁用VBAT1S 输入和PVDD UVLO。
1b = 启用PVDD 输入和PVDD UVLO。
6-5
4
0h
保留
保留
电流检测为
0b = 运行
1b = 关断
ISNS_PD
1h
电压感测为
0b = 运行
1b = 关断
3
VSNS_PD
MODE[2:0]
RW
RW
1h
2h
器件运行模式。
000b = 不具有静音功能的运行
001b = 具有静音功能的运行
010b = 软件关断
011b = 器件正常上电后进行负载诊断
100b = 完成独立负载诊断后，这些位自动复位到010b
101b = 诊断发生器模式
2-0
110b-111b = 保留
8.9.9 CHNL_0（页=0x00 地址=0x03）[复位=28h]
位
字段
类型
复位
说明
D 类开关模式
00b = Y 桥，VBAT1S 上的高功率
01b = D 类仅VBAT1S 电源
10b = D 类仅PVDD 电源
11b = Y 桥，VBAT1S 上的低功率
7-6
CDS_MODE[1:0]
RW
0h
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位
5-1
0
字段
类型
RW
RW
复位
14h
0h
说明
@48ksps
11dBV
@96 ksps
9dBV
设置
00h
01h
02h
03h
04h
05h
06h
07h
08h
09h
0Ah
0Bh
0Ch
0Dh
0Eh
0Fh
10h
11h
12h
13h
14h
11.5dBV
12.0dBV
12.5dBV
13.0dBV
13.5dBV
14.0dBV
14.5dBV
15.0dBV
15.5dBV
16.0dBV
16.5dBV
17.0dBV
17.5dBV
18.0dBV
18.5dBV
19dBV
9.5dBV
10dBV
10.5dBV
11dBV
11.5dBV
12dBV
12.5dBV
13dBV
13.5dBV
14dBV
AMP_LEVEL[4:0]
14.5dBV
15dBV
15.5dBV
16dBV
16.5dBV
17dBV
19.5dBV
20dBV
17.5dBV
18dBV
20.5dBV
21dBV
18.5dBV
19dBV
其他：保留
保留
保留
8.9.10 DC_BLK0（页=0x00 地址=0x04）[复位=21h]
位
字段
类型
复位
说明
VBAT1S 电源
7
VBAT1S_MODE
RW
0h
0b = 外部供电
1b = 通过PVDD 在内部生成
IRQZ 内部上拉使能。
0b = 禁用
6
IRQZ_PU
RW
0h
1b = 启用
AMP_SS
低EMI 展频为
0b = 禁用
1b = 启用
*当展频和同步模式都启用时，同步模
式优先
5
RW
R
1h
0h
4-3
保留
保留
正向路径直流阻断器
0h = 禁用（旁路滤波器）
1h = 2Hz
2h = 50Hz
3h = 100Hz
4h = 200Hz
2-0
HPF_FREQ_PB[2:0]
RW
1h
5h = 400Hz
6h = 800Hz
7h = 保留
* 对于44.1/88.2kHz 采样率，请将上面的值除以1.0884
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8.9.11 DC_BLK1（页=0x00 地址=0x05）[复位=41h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-4
RW
4h
保留
热折返为
0b = 禁用
1b = 启用
3
TFB_EN
RW
0h
录音路径直流阻断器
0h = 禁用（旁路滤波器）
1h = 2Hz
2h = 50Hz
3h = 100Hz
4h = 200Hz
2-0
HPF_FREQ_REC[2:0]
RW
1h
5h = 400Hz
6h = 800Hz
7h = 保留
* 对于44.1/88.2kHz 采样率，请将上面的值除以1.0884
8.9.12 MISC_CFG1（页=0x00 地址=0x06）[复位=00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
0h
保留
过流事件后重试。
5
4
3
2
OCE_RETRY
OTE_RETRY
PFFB_EN
RW
RW
RW
RW
0h
0h
0h
0h
0b = 禁用
1b = 启用，计时器结束后重试。
过热事件后重试。
0b = 禁用
1b = 启用，计时器结束后重试。
后置滤波器反馈为
0b = 禁用（使用OUT_N 和OUT_P 引脚）
1b = 启用（使用VSNS_N 和VSNS_P 引脚）
启用安全模式时，在通道增益上增加18dB 的衰减。安全模式为
0b = 禁用
SMODE_EN
1b = 启用
OC 阈值控制
0h = 标称值
1-0
OC_CTRL[1:0]
RW
0h
1h = 比标称值低10%
2h = 比标称值低20%
3h = 比标称值低30%
8.9.13 MISC_CFG2（页=0x00 地址=0x07）[复位=20h]
位
字段
类型
复位
说明
SDZ 模式配置。
00b = 超时后关断
01b = 立即强制关断
10b-11b = 保留
7-6
SDZ_MODE[1:0]
RW
0h
SDZ 超时值
00b = 2ms
01b = 4ms
10b = 6ms
11b = 23.8ms
5-4
SDZ_TIMEOUT[1:0]
RW
2h
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位
字段
类型
复位
说明
数字音量控制斜坡速率
00b = 每1 个样本0.5dB
01b = 每4 个样本0.5dB
10b = 每8 个样本0.5dB
11b = 禁用音量斜坡
3-2
DVC_RAMP_RATE[1:0]
RW
0h
I2C 全局地址为
0b = 禁用
1b = 启用
1
0
I2C_GBL_EN
I2C_AD_DET
RW
RW
0h
0h
重新检测I2C 外围地址（自行清除位）。
0b = 正常检测
1b = 上电后重新检测地址
8.9.14 TDM_CFG0（页=0x00 地址=0x08）[复位=09h]
位
字段
类型
复位
说明
反相音频放大器输出
0b = 正常
7
AMP_INV
RW
0h
1b = 反相
CLASSD_SYNC
*当展频和同步模式都启用时，同步模
式优先
D 类同步模式
0b = 未同步到音频时钟
1b = 已同步到音频时钟
6
RW
0h
CLASSD_SYNC = 1 时，采样率基于44.1kHz 或48kHz
5
4
RAMP_RATE
AUTO_RATE
RW
RW
0h
0h
0b = 48kHz
1b = 44.1kHz
自动检测TDM 采样率
0b = 启用
1b = 禁用
TDM 总线的采样率
000b - 011b = 保留
100b = 44.1/48kHz
101b = 88.2/96kHz
110b - 111b = 保留
3-1
0
SAMP_RATE[2:0]
FRAME_START
RW
RW
4h
1h
TDM 帧开始极性
0b = FSYNC 上低到高
1b = FSYNC 上高到低
8.9.15 TDM_CFG1（页=0x00 地址=0x09）[复位=02h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
时隙内的TDM RX 样本对齐方式
0b = 左对齐
1b = 右对齐
6
5-1
0
RX_JUSTIFY
RX_OFFSET[4:0]
RX_EDGE
RW
RW
RW
0h
1h
0h
TDM RX 帧开始到时隙0 偏移量- 从FSYNC 转换开始的
SBCLK 周期数
TDM RX 捕捉时钟极性
0b = SBCLK 的上升沿
1b = SBCLK 的下降沿
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8.9.16 TDM_CFG2（页=0x00 地址=0x0A）[复位=0Ah]
位
字段
类型
复位
说明
将电流和电压数据长度设为
00b = 16 位
01b = 12 位
10b = 8 位
11b = 保留
7-6
IVMON_LEN[1:0]
RW
0h
TDM RX 时隙选择配置
00b = 时隙等于I2C 地址偏移的单声道
01b = 左单声道
10b = 右单声道
11b = 立体声下混频(L+R)/2
5-4
3-2
1-0
RX_SCFG[1:0]
RX_WLEN[1:0]
RX_SLEN[1:0]
RW
RW
RW
0h
2h
2h
TDM RX 字长
00b = 16 位
01b = 20 位
10b = 24 位
11b = 32 位
TDM RX 时隙长度
00b = 16 位
01b = 24 位
10b = 32 位
11b = 保留
8.9.17 LIM_MAX_ATTN（页=0x00 地址=0x0B）[复位=80h]
位
字段
类型
RW
R
复位
说明
限制器最大衰减
0h = 1dB
1h = 2dB
2h = 3dB
...
0Eh = 15dB
0Fh = 保留
7-4
3-0
LIM_MAX_ATTN[3:0]
8h
0h
保留
保留
8.9.18 TDM_CFG3（页=0x00 地址=0x0C）[复位=10h]
位
字段
类型
复位
说明
TDM RX 右声道时隙。
7-4
RX_SLOT_R[3:0]
RW
1h
3-0
RX_SLOT_L[3:0]
RW
0h
TDM RX 左声道时隙。
8.9.19 TDM_CFG4（页=0x00 地址=0x0D）[复位=13h]
位
字段
类型
复位
说明
当TX_KEEPEN 启用时，TDM 和ICC TX SDOUT LSB 数据将
被驱动整个/半个周期
0b = 完整周期
7
TX_KEEPCY
RW
0h
1b = 半个周期
当TX_KEEPEN 启用时，TDM 和ICC TX SDOUT 将在以下时间
内保持总线
6
5
TX_KEEPLN
TX_KEEPEN
RW
RW
0h
0h
0b = 1 LSB 周期
1b = 始终
TDM 和ICC TX SDOUT 总线保持器启用
0b = 禁用总线保持器
1b = 启用总线保持器
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位
字段
类型
复位
说明
TDM 和ICC TX SDOUT 未使用位字段填充
0b = 发送0
4
TX_FILL
RW
1h
1b = 发送高阻态
3-1
0
TX_OFFSET[2:0]
TX_EDGE
RW
RW
1h
1h
TDM TX 帧开始到时隙0 的偏移
TDM TX 启动时钟极性
0b = SBCLK 的上升沿
1b = SBCLK 的下降沿
8.9.20 TDM_CFG5（页=0x00 地址=0x0E）[复位=42h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
TDM TX 电压感测传输
0b = 禁用
1b = 启用
6
VSNS_TX
RW
RW
1h
2h
5-0
VSNS_SLOT[5:0]
TDM TX 电压感测时隙
8.9.21 TDM_CFG6（页=0x00 地址=0x0F）[复位=40h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
TDM TX 电流感测传输
0b = 禁用
1b = 启用
6
ISNS_TX
RW
RW
1h
0h
5-0
ISNS_SLOT[5:0]
TDM TX 电流感测时隙
8.9.22 TDM_CFG7（页=0x00 地址=0x10）[复位=04h]
位
字段
类型
复位
说明
TDM TX VBAT1S 时隙长度
0b = 截断至8 位
7
VBAT1S_SLEN
RW
0h
1b = 左对齐至16 位
TDM TX VBAT1S 传输
0b = 禁用
1b = 启用
6
VBAT1S_TX
RW
RW
0h
4h
5-0
VBAT1S_SLOT[5:0]
TDM TX VBAT1S 时隙
8.9.23 TDM_CFG8（页=0x00 地址=0x11）[复位=05h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
TDM TX 温度传感器传输
0b = 禁用
1b = 启用
6
TEMP_TX
RW
RW
0h
5h
5-0
TEMP_SLOT[5:0]
TDM TX 温度传感器时隙
8.9.24 TDM_CFG9（页=0x00 地址=0x12）[复位=06h]
位
字段
类型
复位
说明
TDM TX PVDD 时隙长度
0b = 截断至8 位
7
PVDD_SLEN
RW
0h
1b = 左对齐至16 位
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位
字段
类型
复位
说明
TDM TX PVDD 传输
6
PVDD_TX
RW
0h
0b = 禁用
1b = 启用
5-0
PVDD_SLOT[5:0]
RW
6h
TDM TX PVDD 时隙
8.9.25 TDM_CFG10（页=0x00 地址=0x13）[复位=08h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
TDM TX 状态传输
0b = 禁用
6
STATUS_TX
RW
0h
1b = 启用
TDM TX 状态时隙
状态时隙位描述：
*Bit7- PVDD 状态（模拟块关断后无法读取）
0b = 未检测到PVDD UVLO
1b = 检测到PVDD UVLO
*Bit6 -过流状态（模拟块关闭后无法读取）
0b = 未检测到OC
1b = 检测到OC
*Bit5- 过热状态（模拟块关闭后无法读取）
0b = 未检测到OT
1b = 检测到OT
*Bit4- BOP 状态
0b = 未检测到BOP
1b = 检测到BOP
5-0
STATUS_SLOT[5:0]
RW
8h
*Bit3- 信号失真限制器状态
0b = 未应用失真限制器或ICLA 增益
1b = 因失真限制器/ICLA 而完成增益衰减
*Bit2- 噪声门状态
0b = 处于正常模式的器件
1b = 处于噪声门模式的器件
*Bit1- D 类功率级状态
0b = D 类电源开关已连接到PVDD
1b = D 类电源开关已连接到VBAT1S
*Bit0- 上电状态（模拟块关闭后无法读取）
0b = 器件已关断
1b = 器件处于有效运行状态
8.9.26 TDM_CFG11（页=0x00 地址=0x14）[复位=0Ah]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
TDM/ICC TX 限制器增益衰减传输
0b = 禁用
1b = 启用
6
GAIN_TX
RW
RW
0h
Ah
5-0
GAIN_SLOT[5:0]
TDM/ICC TX 限制器增益衰减时隙
8.9.27 ICC_CNFG2（页=0x00 地址=0x15）[复位=00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-5
R
0h
保留
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位
字段
类型
RW
R
复位
0h
说明
选择ICC 引脚功能
0h = ICC 引脚增益调整
1h = 保留
2h = ICC 引脚缓冲区已禁用
3h = ICC 引脚是通用输入
4h = ICC 引脚是通用输出
5h-7h = 保留
4-2
1-0
ICC_MODE[2:0]
0h
保留
保留
8.9.28 TDM_CFG12（页=0x00 地址=0x16）[复位=12h]
位
字段
类型
复位
说明
说明
说明
TDM 音频时隙长度
0b = 16 位
1b = 24 位
7
AUDIO_SLEN
RW
0h
TDM 音频输出发送
0b = 禁用
1b = 启用
6
AUDIO_TX
RW
RW
0h
5-0
AUDIO_SLOT[5:0]
12h
TDM TX 状态时隙
8.9.29 ICLA_CFG0（页=0x00 地址=0x17）[复位=0Ch]
位
字段
类型
RW
RW
RW
复位
芯片间欠压增益调整
0b = 禁用
1b = 启用
7
ICBA_EN
0h
6-1
0
ICGA_SLOT[5:0]
ICLA_EN
6h
芯片间增益调整起始时隙
芯片间限制器调整增益
0b = 禁用
1b = 启用
0h
8.9.30 ICLA_CFG1（页=0x00 地址=0x18）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+7*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
7
ICGA_SEN[7]
RW
0h
0b = 禁用
1b = 启用
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+6*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
6
5
4
3
ICGA_SEN[6]
ICGA_SEN[5]
ICGA_SEN[4]
ICGA_SEN[3]
RW
RW
RW
RW
0h
0h
0h
0h
0b = 禁用
1b = 启用
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+5*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
0b = 禁用
1b = 启用
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+4*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
0b = 禁用
1b = 启用
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+3*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
0b = 禁用
1b = 启用
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ZHCSP98B –FEBRUARY 2022 –REVISED MARCH 2023
位
字段
类型
复位
说明
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+2*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
2
1
0
ICGA_SEN[2]
RW
0h
0b = 禁用
1b = 启用
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+1*3。启用时，限制器将在调整组中
包括此时隙。
ICGA_SEN[1]
ICGA_SEN[0]
RW
RW
0h
0h
0b = 禁用
1b = 启用
时隙等于ICGA_SLOT[5:0]+0。启用时，限制器将在调整组中包
括此时隙。
0b = 禁用
1b = 启用
8.9.31 DG_0（页=0x00 地址=0x19）[复位=0Dh]
位
字段
类型
复位
说明
启用噪声栅极时推荐使用ICGA 功能
0b = 禁用功能
7
ICGA_NG_EN
RW
0h
1b = 启用功能
诊断生成的时钟源
6
5
DG_CLK
RW
RW
0h
0h
0b = 内部振荡器
1b = 外部SBCLK 和FSYNC
器件衰减
ICG_MODE
0b = BOP 和限制器衰减添加在一起
1b = BOP 或限制器的最大衰减
为DG MODE 选择音调频率
00h = 零输入（空闲通道）
01h = -6dBFS 正直流
02h = -6dBFS 负直流
03h = -12dBFS 正直流
04h = -12dBFS 负直流
05h = -18dBFS 正直流
06h = -18dBFS 负直流
07h = -24dBFS 正直流
08h = -24dBFS 负直流
09h = -30dBFS 正直流
0Ah = -30dBFS 负直流
0Bh = -6dBFS fs/4
4-0
DG_SIG[4:0]
RW
Dh
0Ch = -4.8dBFS fs/6
0Dh = 0dBFS 1kHz 正弦
0Eh = 使用B0_P4 的可编程直流，寄存器0x08 至0x0B
0Fh-1Fh = 保留
8.9.32 DVC（页=0x00 地址=0x1A）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
数字音量控制
00h = 0dB
01h = -0.5dB
02h = -1dB
...
7-0
DVC_LVL[7:0]
RW
0h
C8h = -100dB
其他：静音
8.9.33 LIM_CFG0（页=0x00 地址=0x1B）[复位=62h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
R
1h
保留
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位
字段
类型
复位
说明
限制器动态余量
0b = 禁用
5
LIM_HR_EN
RW
1h
1b = 启用
限幅器启动速率
00h = 20μs/dB
01h = 40μs/dB
02h = 80μs/dB
03h = 160μs/dB
04h = 320μs/dB
05h = 640μs/dB
06h = 1280μs/dB
07h = 2560μs/dB
08h = 5120μs/dB
09h = 10240μs/dB
10h = 20480μs/dB
11h = 40960μs/dB
12h = 81920μs/dB
13h = 163840μs/dB
其他： 保留
4-1
LIM_ATK_RT[3:0]
RW
1h
限制器为
0b = 禁用
1b = 启用
0
LIM_EN
RW
0h
8.9.34 LIM_CFG1（页=0x00 地址=0x1C）[复位=32h]
位
字段
类型
复位
说明
在BOP 期间，限制器将
0b = 运行
7
LIM_PDB
RW
0h
1b = 暂停
限制器释放速率
0h = 保留
1h = 4ms/dB
2h = 8ms/dB
3h = 16ms/dB
4h = 32ms/dB
5h = 64ms/dB
6h = 128ms/dB
7h = 256ms/dB
8h = 512ms/dB
9h = 1024ms/dB
Ah = 2048ms/dB
Bh = 4096ms/dB
Ch = 8192ms/dB
其他： 保留
6-3
LIM_RLS_RT[3:0]
RW
6h
限制器保持时间
0h = 保留
1h = 10ms
2h = 25ms
3h = 50ms
2-0
LIM_HLD_TM[2:0]
RW
2h
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms
7h = 1000ms
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8.9.35 BOP_CFG0（页=0x00 地址=0x1D）[复位=40h]
位
字段
类型
复位
说明
以PVDD 百分比表示的限制器最大余量
00h = -20
01h = -17.5
02h = -15
..
7-3
LIM_DHR[4:0]
RW
8h
0Fh = 17.5
10h = 20
其他= 保留
2
1
R
0h
0h
保留
保留
当达到BOP 级别0 时，器件
0b = 基于级别0 设置的衰减
1b = 静音后跟器件关断
BOP_SHDN
RW
欠压保护
0b = 禁用
1b = 启用
0
BOP_EN
RW
0h
8.9.36 BOP_CFG1（页=0x00 地址=0x1E）[复位=32h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 无限保持清除（自行清除）
0b = 不清除
7
BOP_HLD_CLR
RW
0h
1b = 清除
限制器和BOP 组合的器件最大衰减
00h = 0dB
01h= -1dB
02h = -2dB
03h = -3dB
..
6-0
DEV_MAX_ATTN[6:0]
RW
32h
2Eh = -46dB
2Fh-7Fh = 禁用
8.9.37 BOP_CFG2（页=0x00 地址=0x1F）[复位=02h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别3 停留时间
0h = 0μs
1h = 100μs
2h = 250μs
7-5
BOP_DT3[2:0]
RW
0h
3h = 500μs
4h = 1000μs
5h = 2000μs
6h = 4000μs
7h = 8000μs
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位
4-1
0
字段
类型
RW
R
复位
说明
BOP 级别3 启动步长
0h = -0.0625dB
1h = -0.5dB
2h = -0.8958dB
3h = -1.2916dB
4h = -1.6874dB
5h = -2.0832dB
6h = -2.479dB
7h = -2.8748dB
8h = -3.2706dB
9h = -3.6664dB
Ah = -4.0622dB
Bh = -4.458dB
Ch = -4.8538dB
Dh = -5.2496dB
Eh = -5.6454dB
Fh = -6dB
BOP_ATK_ST3[3:0]
1h
0h
保留
保留
8.9.38 BOP_CFG3（页=0x00 地址=0x20）[复位=06h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别3 启动速率
0h= 2.5μs
1h = 5μs
2h = 10μs
7-5
BOP_ATK_RT3[2:0]
RW
0h
3h = 25μs
4h = 50μs
5h = 100μs
6h = 250μs
7h = 500μs
BOP 级别3 释放步长
0h = 0.0625dB
1h = 0.5dB
2h = 0.8958dB
3h = 1.2916dB
4h = 1.6874dB
5h = 2.0832dB
6h = 2.479dB
4-1
BOP_RLS_ST3[3:0]
RW
3h
7h = 2.8748dB
8h = 3.2706dB
9h = 3.6664dB
0Ah = 4.0622dB
0Bh = 4.458dB
0Ch = 4.8538dB
0Dh = 5.2496dB
0Eh = 5.6454dB
0Fh = 6dB
0
R
0h
保留
保留
8.9.39 BOP_CFG4（页=0x00 地址=0x21）[复位=2Ch]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别3 释放速率时间
0h= 5ms
1h = 10ms
2h = 25ms
7-5
BOP_RLS_RT3[2:0]
RW
1h
3h = 50ms
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms
7h = 1000ms
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位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别3 最大衰减
00h = 0dB
01h = -1dB
02h = -2dB
..
4-0
BOP_MAX_ATTN3[4:0]
RW
0Ch
0Ch = -12dB
..
1Eh = -30dB
1Fh = -31dB
8.9.40 BOP_CFG5（页=0x00 地址=0x22）[复位=4Ch]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别3 阈值(V)
设置
00h
01h
02h
.....
BOP_SRC=0（VBAT1S 电源）
BOP_SRC=1（PVDD 电源）
2.7
2.75
2.8
5.5
5.55
5.6
.....
.....
38h
39h
.....
5.5
8.3
7-0
BOP_TH3[7:0]
RW
4Ch
8.35
.....
保留
保留
保留
保留
保留
保留
保留
5Ah
.....
10
.....
FDh
FEh
FFh
18.15
18.2
18.25
8.9.41 BOP_CFG6（页=0x00 地址=0x23）[复位=20h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别3 保持时间
0h = 0ms
1h = 10ms
2h = 100ms
3h = 250ms
4h =500ms
7-5
BOP_HT3[2:0]
RW
1h
5h = 1000ms
6h = 2000ms
7h = 无限（可以通过使用BOP_HLD_CLR 位来退出）
BOP 级别3
0b = 启用
1b = 禁用
4
BOP_DIS3
RW
0h
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位
字段
类型
复位
说明
BOP 当前状态- 将BOP_STAT_HLD 位设为高电平以保持更新和
有效读回
0h = 空闲
1h = 启动级别3
2h = 启动级别2
3h = 启动级别1
4h = 启动级别0
5h = 保持级别3
6h = 保持级别2
7h = 保持级别1
8h = 保持级别0
9h = 释放级别3
Ah = 释放级别2
Bh = 释放级别1
Ch = 释放级别0
Dh-Fh = 保留
3-0
BOP_STAT_STATE[3:0]
R
0h
8.9.42 BOP_CFG7（页=0x00 地址=0x24）[复位=02h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别2 停留时间
0h = 0μs
1h = 100μs
2h = 250μs
7-5
BOP_DT2[2:0]
RW
0h
3h = 500μs
4h = 1000μs
5h = 2000μs
6h = 4000μs
7h = 8000μs
BOP 级别2 启动步长
0h = -0.0625dB
1h = -0.5dB
2h = -0.8958dB
3h = -1.2916dB
4h = -1.6874dB
5h = -2.0832dB
6h = -2.479dB
7h = -2.8748dB
8h = -3.2706dB
9h = -3.6664dB
Ah = -4.0622dB
Bh = -4.458dB
Ch = -4.8538dB
Dh = -5.2496dB
Eh = -5.6454dB
Fh = -6dB
4-1
BOP_ATK_ST2[3:0]
RW
1h
0
R
0h
保留
保留
8.9.43 BOP_CFG8（页=0x00 地址=0x25）[复位=06h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别2 启动速率
0h = 2.5μs
1h = 5μs
2h = 10μs
7-5
BOP_ATK_RT2[2:0]
RW
0h
3h = 25μs
4h = 50μs
5h = 100μs
6h = 250μs
7h = 500μs
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位
字段
类型
RW
R
复位
说明
BOP 级别2 释放步长
0h = 0.0625dB
1h = 0.5dB
2h = 0.8958dB
3h = 1.2916dB
4h = 1.6874dB
5h = 2.0832dB
6h = 2.479dB
7h = 2.8748dB
8h = 3.2706dB
9h = 3.6664dB
Ah = 4.0622dB
Bh = 4.458dB
Ch = 4.8538dB
Dh = 5.2496dB
Eh = 5.6454dB
Fh = 6dB
4-1
BOP_RLS_ST2[3:0]
3h
0
0h
保留
保留
8.9.44 BOP_CFG9（页=0x00 地址=0x26）[复位=32h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别2 释放速率时间
0h= 5ms
1h = 10ms
2h = 25ms
7-5
BOP_RLS_RT2[2:0]
RW
1h
3h = 50ms
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms
7h = 1000ms
BOP 级别2 最大衰减
00h = 0dB
01h = -1dB
02h = -2dB
..
4-0
BOP_MAX_ATTN2[4:0]
RW
12h
12h = -18dB
..
1Eh = -30dB
1Fh = -31dB
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8.9.45 BOP_CFG10（页=0x00 地址=0x27）[复位=46h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别2 阈值(V)
设置
00h
01h
02h
.....
BOP_SRC=0（VBAT1S 电源）
BOP_SRC=1（PVDD 电源）
2.7
2.75
2.8
5.5
5.55
5.6
.....
.....
38h
39h
.....
5.5
8.3
7-0
BOP_TH2[7:0]
RW
46h
8.35
.....
保留
保留
保留
保留
保留
保留
保留
5Ah
.....
10
.....
FDh
FEh
FFh
18.15
18.2
18.25
8.9.46 BOP_CFG11（页=0x00 地址=0x28）[复位=20h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别2 保持时间
0h = 0ms
1h = 10ms
2h = 100ms
3h = 250ms
4h = 500ms
5h = 1000ms
6h = 2000ms
7-5
BOP_HT2[2:0]
RW
1h
7h = 无限（可以通过使用BOP_HLD_CLR 位来退出）
BOP 级别2
0b = 启用
1b = 禁用
4
BOP_DIS2
RW
R
0h
0h
3-0
保留
保留
8.9.47 BOP_CFG12（页=0x00 地址=0x29）[复位=02h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别1 停留时间
0h = 0μs
1h = 100μs
2h = 250μs
7-5
BOP_DT1[2:0]
RW
0h
3h = 500μs
4h = 1000μs
5h = 2000μs
6h = 4000μs
7h = 8000μs
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位
字段
类型
RW
R
复位
说明
BOP 级别1 启动步长
0h = -0.0625dB
1h = -0.5dB
2h = -0.8958dB
3h = -1.2916dB
4h = -1.6874dB
5h = -2.0832dB
6h = -2.479dB
7h = -2.8748dB
8h = -3.2706dB
9h = -3.6664dB
Ah =-4.0622dB
Bh = -4.458dB
Ch = -4.8538dB
Dh = -5.2496dB
Eh = -5.6454dB
Fh = -6dB
4-1
BOP_ATK_ST1[3:0]
1h
0
0h
保留
保留
8.9.48 BOP_CFG13（页=0x00 地址=0x2A）[复位=06h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别1 启动速率
0h = 2.5μs
1h = 5μs
2h = 10μs
7-5
BOP_ATK_RT1[2:0]
RW
0h
3h = 25μs
4h = 50μs
5h = 100μs
6h = 250μs
7h = 500μs
BOP 级别1 释放步长
0h = 0.0625dB
1h = 0.5dB
2h = 0.8958dB
3h = 1.2916dB
4h = 1.6874dB
5h = 2.0832dB
6h = 2.479dB
7h = 2.8748dB
8h = 3.2706dB
9h = 3.6664dB
Ah =4.0622dB
Bh = 4.458dB
Ch = 4.8538dB
Dh = 5.2496dB
Eh = 5.6454dB
Fh = 6dB
4-1
BOP_RLS_ST1[3:0]
RW
3h
0
R
0h
保留
保留
8.9.49 BOP_CFG14（页=0x00 地址=0x2B）[复位=38h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别1 释放速率时间
0h= 5ms
1h = 10ms
2h = 25ms
7-5
BOP_RLS_RT1[2:0]
RW
1h
3h = 50ms
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms
7h = 1000ms
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位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别1 最大衰减
0h = 0dB
1h = -1dB
2h = -2dB
..
4-0
BOP_MAX_ATTN1[4:0]
RW
18h
18h = -24dB
..
1Eh = -30dB
1Fh = -31dB
8.9.50 BOP_CFG15（页=0x00 地址=0x2C）[复位=40h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别1 阈值(V)
设置
00h
01h
02h
.....
BOP_SRC=0（VBAT1S 电源）
BOP_SRC=1（PVDD 电源）
2.7
2.75
2.8
5.5
5.55
5.6
.....
.....
38h
39h
.....
5.5
8.3
7-0
BOP_TH1[7:0]
RW
40h
8.35
.....
保留
保留
保留
保留
保留
保留
保留
5Ah
.....
10
.....
FDh
FEh
FFh
18.15
18.2
18.25
8.9.51 BOP_CFG17（页=0x00 地址=0x2D）[复位=20h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别1 保持时间
0h = 0ms
1h = 10ms
2h = 100ms
3h = 250ms
4h =500ms
7-5
BOP_HT1[2:0]
RW
1h
5h = 1000ms
6h = 2000ms
7h = 无限（可以通过使用BOP_HLD_CLR 位来退出）
BOP 级别1
0b = 启用
1b = 禁用
4
BOP_DIS1
RW
R
0h
0h
3-0
保留
保留
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8.9.52 BOP_CFG18（页=0x00 地址=0x2E）[复位=02h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别0 停留时间
0h = 0μs
1h = 100μs
2h = 250μs
3h = 500μs
4h = 1000μs
5h = 2000μs
6h = 4000μs
7h = 8000μs
7-5
BOP_DT0[2:0]
RW
0h
BOP 级别0 启动步长
0h = -0.0625dB
1h = -0.5dB
2h = -0.8958dB
3h = -1.2916dB
4h = -1.6874dB
5h = -2.0832dB
6h = -2.479dB
7h = -2.8748dB
8h = -3.2706dB
9h = -3.6664dB
Ah =-4.0622dB
Bh = -4.458dB
Ch = -4.8538dB
Dh = -5.2496dB
Eh = -5.6454dB
Fh = -6dB
4-1
BOP_ATK_ST0[3:0]
RW
1h
0
R
0h
保留
保留
8.9.53 BOP_CFG19（页=0x00 地址=0x2F）[复位=06h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别0 启动速率
0h= 2.5μs
1h = 5μs
2h = 10μs
7-5
BOP_ATK_RT0[2:0]
RW
0h
3h = 25μs
4h = 50μs
5h = 100μs
6h = 250μs
7h = 500μs
BOP 级别0 释放步长
0h = 0.0625dB
1h = 0.5dB
2h = 0.8958dB
3h = 1.2916dB
4h = 1.6874dB
5h = 2.0832dB
6h = 2.479dB
7h = 2.8748dB
8h = 3.2706dB
9h = 3.6664dB
Ah =4.0622dB
Bh = 4.458dB
Ch = 4.8538dB
Dh = 5.2496dB
Eh = 5.6454dB
Fh = 6dB
4-1
BOP_RLS_ST0[3:0]
RW
3h
0
R
0h
保留
保留
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8.9.54 BOP_CFG20（页=0x00 地址=0x30）[复位=3Eh]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别0 释放速率时间
0h= 5ms
1h = 10ms
2h = 25ms
7-5
BOP_RLS_RT0[2:0]
RW
1h
3h = 50ms
4h = 100ms
5h = 250ms
6h = 500ms
7h = 1000ms
BOP 级别0 最大衰减。
0h = 0dB
1h = -1dB
2h = -2dB
..
4-0
BOP_MAX_ATTN0[4:0]
RW
1Eh
Ch = -12dB
..
1Eh = -30dB
1Fh = -31dB
8.9.55 BOP_CFG21（页=0x00 地址=0x31）[复位=37h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别0 阈值(V)
设置
00h
01h
02h
.....
BOP_SRC=0（VBAT1S 电源）
BOP_SRC=1（PVDD 电源）
2.7
2.75
2.8
5.5
5.55
5.6
.....
.....
38h
39h
.....
5.5
8.3
7-0
BOP_TH0[7:0]
RW
37h
8.35
.....
保留
保留
保留
保留
保留
保留
保留
5Ah
.....
10
.....
FDh
FEh
FFh
18.15
18.2
18.25
8.9.56 BOP_CFG22（页=0x00 地址=0x32）[复位=20h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 级别0 保持时间
0h = 0ms
1h = 10ms
2h = 100ms
3h = 250ms
4h =500ms
7-5
BOP_HT0[2:0]
RW
1h
5h = 1000ms
6h = 2000ms
7h = 无限（可以通过使用BOP_HLD_CLR 位来退出）
BOP 级别0
0b = 启用
1b = 禁用
4
BOP_DIS0
RW
RW
0h
0h
3-1
保留
保留
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位
字段
类型
复位
说明
保持BOP_STAT_STATE[3:0]、BOP_STAT_LLVL[2:0] 和
BOP_STAT_PVDD[9:0] 寄存器位的BOP 状态。当该位被设置回
低电平时，状态寄存器将被复位，更新将继续。
0b= 保持更新禁用，状态寄存器回读无效
0
BOP_STAT_HLD
RW
0h
1b= 保持更新启用，状态寄存器回读有效
8.9.57 BOP_CFG23（页=0x00 地址=0x33）[复位=FFh]
位
字段
类型
复位
说明
自上次读取后测得的最低PVDD。在读取之前将
BOP_STAT_HLD 设置为高电平。直到器件中没有启用SAR，如
果器件处于PWR_MODE2，该寄存器将在PVDD (FFh) 上回读
默认值，否则当器件处于PWR_MODE1 时，它将在VBAT (FFh)
上回读默认值。注：PVDD 的默认值为23V，VBAT1S 的默认值
为6V。
7-0
BOP_STAT_PVDD[9:2]
R
FFh
8.9.58 BOP_CFG24（页=0x00 地址=0x34）[复位=E6h]
位
字段
类型
复位
说明
自上次读取后测得的最低PVDD。在读取之前将
BOP_STAT_HLD 设置为高电平。直到器件中没有启用SAR，如
果器件处于PWR_MODE2，该寄存器将在PVDD (3h) 上回读默
认值，否则当器件处于PWR_MODE1 时，它将在VBAT (3h) 上
回读默认值。注：PVDD 的默认值为23V，VBAT1S 的默认值为
6V。
7-6
BOP_STAT_PVDD[1:0]
R
3h
自上次读取后启动的最低BOP 级别。在读取之前将
BOP_STAT_HLD 设置为高电平。
0h = 启动级别0 为最低启动级别
1h = 启动级别1 为最低启动级别
2h = 启动级别2 为最低启动级别
3h = 启动级别3 为最低启动级别
4h = 自上次读取后未启动任何BOP
5h - 7h = 保留
5-3
BOP_STAT_LLVL[2:0]
R
4h
CDS_MODE = 3h 时LVS 的阈值
0h = -121.5dBFS
2-1
0
LVS_FTH_LOW[1:0]
RW
R
3h
0h
1h= -101.5dBFS（默认）
2h= -81.5dBFS
3h = -71.5dBFS
保留
保留
8.9.59 NG_CFG0（页=0x00 地址=0x35）[复位=BDh]
位
字段
类型
复位
说明
噪声门进入迟滞计时器
0h = 400μs
1h = 600μs
2h = 800μs
3h = 2ms
7-5
NG_HYST[2:0]
RW
5h
4h = 10ms
5h = 50ms
6h = 100ms
7h = 1000ms
噪声门音频阈值电平
0h = -90dBFS
4-3
NG_LVL[1:0]
RW
3h
1h= -100dBFS
2h = -110dBFS
3h = -120dBFS
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位
2
字段
类型
RW
RW
复位
1h
说明
噪声门
NG_EN
0b = 禁用
1b= 启用
1-0
1h
保留
保留
8.9.60 NG_CFG1（页=0x00 地址=0x36）[复位=ADh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
2h
保留
噪声门上的音量斜坡控制
0b = 启用
1b = 禁用
5
4
NG_DVR_EN
RW
R
1h
0h
保留
保留
PVDD 至VBAT1S 迟滞时间
0h - 9h = 保留
Ah = 1ms
Bh = 10ms
Ch = 20ms
3-0
LVS_HYS[3:0]
RW
Dh
Dh = 50ms
Eh = 75ms
Fh = 100ms
8.9.61 LVS_CFG0（页=0x00 地址=0x37）[复位=A8h]
位
字段
类型
RW
RW
复位
说明
低电压信号传输检测阈值
0b = 固定
1b = 相对于VBAT1S 电压
7
LVS_TMODE
1h
6
1h
保留
保留
当CDS_MODE = 0h 时LVS 的阈值
00h = -18.5dBFS
01h = -18.25dBFS（默认）
02h = -18dBFS
03h = -17.75dBFS
04h = -17.5dBFS
..
4-0
LVS_FTH[4:0]
RW
8h
08h = -16.5dBFS
..
1Eh = -11dBFS
1Fh = -10.75dBFS
8.9.62 DIN_PD（页=0x00 地址=0x38）[复位=03h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
RW
0h
保留
适用于ICC 的弱下拉
0b = 禁用
1b = 启用
6
5
4
DIN_PD[4]
DIN_PD[3]
DIN_PD[2]
RW
RW
RW
0h
0h
0h
适用于SDOUT 的弱下拉
0b = 禁用
1b = 启用
适用于SDIN 的弱下拉
0b = 禁用
1b = 启用
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位
字段
类型
复位
说明
适用于FSYNC 的弱下拉
3
DIN_PD[1]
RW
0h
0b = 禁用
1b = 启用
适用于SBCLK 的弱下拉
0b = 禁用
1b = 启用
2
DIN_PD[0]
RW
RW
0h
3h
1-0
保留
保留
8.9.63 INT_MASK0（页=0x00 地址=0x3B）[复位=FCh]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 静音中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
7
IM_BOPM
RW
1h
Bop 无限保持中断。
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
6
5
4
3
2
1
0
IM_BOPIH
IM_LIMMA
IM_PBIP
IM_LIMA
IM_TDMCE
IM_OC
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
1h
1h
1h
1h
1h
0h
0h
限制器最大衰减中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
PVDD 低于限制器拐点中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
限制器有效运行中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
TDM 时钟错误中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
过流错误中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
过热错误中断
0b = 无屏蔽
1b = 屏蔽
IM_OT
8.9.64 INT_MASK1（页=0x00 地址=0x3C）[复位=BFh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
2h
保留
负载诊断完成
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
5
IM_LDC
RW
RW
1h
3h
扬声器负载
0h = 无屏蔽
4-3
IM_LDMODE[1:0]
1h = 屏蔽开路负载检测
2h = 屏蔽短路负载检测
3h = 屏蔽两者
2-11
0
RW
RW
1h
1h
保留
保留
增益限制器有效运行中断
0h = 无屏蔽
IM_VBATLIM
1h = 屏蔽
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8.9.65 INT_MASK4（页=0x00 地址=0x3）[复位=DFh]
位
字段
类型
RW
RW
RW
RW
复位
说明
内部PLL 衍生时钟错误屏蔽
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
7
IM_PLL_CLK
1h
6
1h
保留
保留
VBAT1S 欠压
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
5
IM_VBAT1S_UVLO
0h
4-0
1Fh
保留
保留
8.9.66 INT_MASK2（页=0x00 地址=0x40）[复位=F6h]
位
字段
类型
复位
说明
温度超过105ºC 中断。
0h = 无屏蔽
7
IM_TO105
RW
1h
1h = 屏蔽
温度超过115ºC 中断。
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
6
5
4
3
2
1
0
IM_TO115
IM_TO125
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
1h
1h
1h
0h
1h
1h
0h
温度超过125ºC 中断。
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
温度超过135ºC 中断。
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
IM_TO135
内部VBAT1S LDO 欠压
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
IM_LDO_UV
IM_LDO_OV
IM_LDO_OL
IM_PUVLO
内部VBAT1S LDO 过压
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
内部VBAT1S LDO 过载
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
PVDD UVLO 中断。
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
8.9.67 INT_MASK3（页=0x00 地址=0x41）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
热检测阈值2
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
7
IM_TDTH2
RW
0h
热检测阈值1
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
6
5
4
IM_TDTH1
IM_PVBT
IM_BOPA
RW
RW
RW
0h
0h
0h
PVDD - VBAT1S 低于阈值
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
BOP 有效运行中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
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位
字段
类型
复位
说明
检测到BOP 电平3 中断
3
2
1
0
IM_BOPL3A
RW
0h
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
检测到BOP 电平2 中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
IM_BOPL2A
IM_BOPL1A
IM_BOPL0A
RW
RW
RW
0h
0h
0h
检测到BOP 电平1 中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
检测到BOP 电平0 中断
0h = 无屏蔽
1h = 屏蔽
8.9.68 INT_LIVE0（页=0x00 地址=0x42）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 静音导致的中断
0h = 无中断
7
IL_BOPM
R
0h
1h = 中断
BOP 无限保持导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
2
1
0
IL_BOPIH
IL_LIMMA
IL_PBIP
IL_LIMA
IL_TDMCE
IL_OC
R
R
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
0h
0h
限制器最大衰减导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
PVDD 低于限制器拐点导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
限制器有效运行导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
TDM 时钟错误导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
过流错误导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
过温错误导致的中断
0h = 无中断
IL_OT
1h = 中断- 器件处于关断状态
8.9.69 INT_LIVE1（页=0x00 地址=0x43）[复位=00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
OTP CRC 错误标志导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
6
5-3
2
IL_OTPCRC
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
保留
保留
噪声门有效运行标志
0h = 未检测到噪声门
1h = 检测到噪声门
IL_NGA
1
保留
保留
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位
字段
类型
复位
说明
增益限制器
0h = 无中断
1h = 中断
0
IL_VBATLIM
R
0h
8.9.70 INT_LIVE1_0（页=0x00 地址=0x44）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
内部PLL 时钟错误
0h = 无中断
7
IL_PLL_CLK
R
0h
1h = 中断- 器件处于关断状态
6
R
0h
保留
保留
VBAT1S 欠压
5
IL_VBAT1S_UVLO
R
0h
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
4-0
R
0h
保留
保留
8.9.71 INT_LIVE2（页=0x00 地址=0x47）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
温度超过105ºC
0h = 无中断
1h = 中断
7
IL_TO105
R
0h
温度超过115ºC
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
2
1
0
IL_TO115
IL_TO125
R
R
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
0h
0h
温度超过125ºC
0h = 无中断
1h = 中断
温度超过135ºC
0h = 无中断
1h = 中断
IL_TO135
VBAT1S 内部LDO 欠压
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
IL_LDO_UV
IL_LDO_OV
IL_LDO_OL
IL_PUVLO
VBAT1S 内部LDO 过压
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
VBAT1S 内部LDO 过载
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
PVDD UVLO
0h = 无中断
1h = 中断- 器件处于关断状态
8.9.72 INT_LIVE3（页=0x00 地址=0x48）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
热检测阈值2 有效运行标志
0h = 无中断
7
IL_TDTH2
R
0h
1h = 中断- 器件处于关断状态
热检测阈值1 有效运行标志
0h = 无中断
6
IL_TDTH1
R
0h
1h = 中断
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位
字段
类型
复位
说明
PVDD -VBAT1S 低于阈值标志
5
4
3
2
1
0
IL_PVBT
R
0h
0h = 无中断
1h = 中断
BOP 有效运行标志
0h = 无中断
1h = 中断
IL_BOPA
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
检测到BOP 级别3 标志
0h = 无中断
1h = 中断
IL_BOPL3A
IL_BOPL2A
IL_BOPL1A
IL_BOPL0A
检测到BOP 级别2 标志
0h = 无中断
1h = 中断
检测到BOP 级别1 标志
0h = 无中断
1h = 中断
检测到BOP 级别0 标志
0h = 无中断
1h = 中断
8.9.73 INT_LTCH0（页=0x00 地址=0x49）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
BOP 静音导致的中断
0h = 无中断
7
IR_BOPM
R
0h
1h = 中断
BOP 无限保持导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
IR_BOPIH
IR_LIMMA
IR_PBIP
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
限制器最大衰减导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
PVDD 低于限制器拐点导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
限制器有效运行导致的中断
0h = 无中断
IR_LIMA
1h = 中断
TDM 时钟错误导致的中断（可以在INT_LTCH4 寄存器中看到的
时钟错误的类型）
0h = 无中断
2
IR_TDMCE
R
0h
1h = 中断
过流错误导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
1
0
IR_OC
IR_OT
R
R
0h
0h
过热错误导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
8.9.74 INT_LTCH1（页=0x00 地址=0x4A）[复位=00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
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位
字段
类型
复位
说明
OTP CRC 错误标志导致的中断
6
IR_OTPCRC
R
0h
0h = 无中断
1h = 中断
负载诊断完成导致的中断
0h = 未完成
1h = 已完成
5
IR_LDC
R
R
0h
0h
负载诊断模式故障状态导致的中断
0h = 正常负载
1h = 检测到开路负载
2h =检测到短路负载
3h = 保留
4-3
IR_LDMODE[1:0]
2-1
0
R
R
0h
0h
保留
保留
增益限制器中断
0h = 无中断
1h = 中断
IR_VBATLIM
8.9.75 INT_LTCH1_0（页=0x00 地址=0x4B）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
内部PLL 时钟错误
0h = 无中断
7
IR_PLL_CLK
R
0h
1h = 中断
6
R
0h
保留
保留
VBAT1S 欠压
0h = 无中断
1h = 中断
5
IR_VBAT1S_UVLO
R
0h
4-0
R
0h
保留
保留
8.9.76 INT_LTCH2（页=0x00 地址=0x4F）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
温度超过105ºC
0h = 无中断
1h = 中断
7
IR_TO105
R
0h
温度超过115ºC
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
2
1
IR_TO115
IR_TO125
R
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
0h
温度超过125ºC
0h = 无中断
1h = 中断
温度超过135ºC
0h = 无中断
1h = 中断
IR_TO135
内部VBAT1S LDO 欠压
0h = 无中断
1h = 中断
IR_LDO_UV
IR_LDO_OV
IR_LDO_OL
内部VBAT1S LDO 过压
0h = 无中断
1h = 中断
内部VBAT1S LDO 过载
0h = 无中断
1h = 中断
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位
字段
类型
复位
说明
PVDD UVLO
0h = 无中断
1h = 中断
0
IR_PUVLO
R
0h
8.9.77 INT_LTCH3（页=0x00 地址=0x50）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
热检测阈值2
0h = 无中断
1h = 中断
7
IR_TDTH2
R
0h
热检测阈值1
0h = 无中断
1h = 中断
6
5
4
3
2
1
0
IR_TDTH1
IR_PVBT
R
R
R
R
R
R
R
0h
0h
0h
0h
0h
0h
0h
PVDD-VBAT1S 低于阈值导致的中断
0h = 无中断
1h = 中断
BOP 有效运行标志
0h = 无中断
1h = 中断
IR_BOPA
检测到BOP 级别3
0h = 无中断
1h = 中断
IR_BOPL3A
IR_BOPL2A
IR_BOPL1A
IR_BOPL0A
检测到BOP 级别2
0h = 无中断
1h = 中断
检测到BOP 级别1
0h = 无中断
1h = 中断
检测到BOP 级别0
0h = 无中断
1h = 中断
8.9.78 INT_LTCH4（页=0x00 地址=0x51）[复位=00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-3
R
0h
保留
TDM 时钟错误类型= 无效的SBCLK 比率或采样率
0b = 在TDM 时钟错误期间未检测到
1b = 在TDM 时钟错误期间检测到
2
1
0
IR_TDMCEIR
IR_TDMCEFC
IR_TDMCERC
R
R
R
0h
0h
0h
TDM 时钟错误类型= 采样率动态变化
0b = 在TDM 时钟错误期间检测到
1b = 在TDM 时钟错误期间未检测到
TDM 时钟错误类型= SBCLK 比率动态变化
0b = 在TDM 时钟错误期间未检测到
1b = 在TDM 时钟错误期间检测到
8.9.79 VBAT_MSB（页=0x00 地址=0x52）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
返回SAR ADC VBAT1S 转换MSB。
{hex2dec(VBAT1S_CNV[11:0])}/128
7-0
VBAT1S_CNV[11:4]
R
0h
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8.9.80 VBAT_LSB（页=0x00 地址=0x53）[复位=00h]
位
字段
类型
R
复位
0h
说明
返回SAR ADC VBAT1S 转换LSB。
{hex2dec(VBAT1S_CNV[11:0])}/128
7-4
3-0
VBAT1S_CNV[3:0]
R
0h
保留
保留
8.9.81 PVDD_MSB（页=0x00 地址=0x54）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
返回SAR ADC PVDD 转换MSB。
{hex2dec(PVDD_CNV[11:0])}/64
7-0
PVDD_CNV[11:4]
R
0h
8.9.82 PVDD_LSB（页=0x00 地址=0x55）[复位=00h]
位
字段
类型
R
复位
0h
说明
返回SAR ADC PVDD 转换LSB。
{hex2dec(PVDD_CNV[11:0])}/64
7-4
3-0
PVDD_CNV[3:0]
R
0h
保留
保留
8.9.83 TEMP（页=0x00 地址=0x56）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
返回SAR ADC 温度传感器转换。{hex2dec(TMP_CNV[7:0])} -
95
7-0
TMP_CNV[7:0]
R
0h
8.9.84 INT_CLK_CFG（页=0x00 地址=0x5C）[复位=19h]
位
字段
类型
复位
说明
基于时钟的器件上电/断电功能
0h = 禁用
7
CLK_PWR_UD_EN
RW
0h
1h = 启用
时钟暂停计时器
6
DIS_CLK_HALT
RW
RW
0h
3h
0h = 在检测到时钟错误之后，启用时钟暂停检测
1h = 在检测到时钟错误之后，禁用时钟暂停检测
时钟暂停计时器值
0h = 820μs
1h = 3.27ms
2h = 26.21ms
3h = 52.42ms
4h = 104.85ms
5h = 209.71ms
6h = 419.43ms
7h = 838.86ms
5-3
CLK_HALT_TIMER[2:0]
清除中断锁存寄存器
0h = 不清除
1h = 清除（自行清除位）
2
INT_LTCH_CLR
RW
RW
0h
1h
IRQZ 中断配置IRQZ 将断言
0h = 任何未屏蔽的实时中断
1h = 任何未屏蔽的已锁存的中断
1-0
IRQZ_PIN_CFG[1:0]
2h = 任何未屏蔽的实时中断事件，一次2ms - 4ms
3h = 任何未屏蔽的已锁存的中断，每4ms 中断2ms - 4ms
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8.9.85 MISC_CFG3（页=0x00 地址=0x5D）[复位=80h]
位
字段
类型
RW
RW
复位
说明
用于中断的IRQZ 引脚极性
0h = 高电平有效(IRQ)
1h = 低电平有效(IRQZ)
7
IRQZ_POL
1h
6-4
0h
保留
保留
此寄存器选择在哪个BOP 电平下，当BOP_SRC=0 时，Y 桥和
BYP_EN 垫需要转换到PVDD
0h = 当检测到BOP LVL0 时转换到PVDD
1h = 当检测到BOP LVL1 或LVL0 时转换到PVDD
2h = 当检测到BOP LVL2 或LVL1 或LVL0 时转换到PVDD
3h = 当检测到BOP LVL3 或LVL2 或LVL1 或LVL0 时转换到
PVDD
3-2
YB_BOP_CTRL[1:0]
RW
0h
1-0
RW
0h
保留
保留
8.9.86 CLOCK_CFG（页=0x00 地址=0x60）[复位=0Dh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
R
0h
保留
AUTO_RATE = 1（禁用）时的SBCLK 与FSYNC 之比
00h = 16
01h = 24
02h = 32
03h = 48
04h = 64
05h = 96
06h = 128
07h = 192
08h = 256
09h = 384
0Ah = 512
0Bh = 125
0Ch = 250
0Dh = 500
0Eh - 0Fh = 保留
5-2
SAMP_RATIO[3:0]
RW
3h
1-0
RW
1h
保留
保留
8.9.87 IDLE_IND（页=0x00 地址=0x63）[复位=48]
位
字段
类型
RW
RW
复位
0h
说明
空闲通道D 类输出电流优化
0h = 用于15μH 及以上的电感器
1h = 用于5μH 电感器
7
IDLE_IND
6-0
48h
保留
保留
8.9.88 SAR_SAMP（页=0x00 地址=0x64）[复位=84h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
2h
保留
采样时间和ADC 滤波器频率
0h = 1.3μs，滤波器禁用
1h = 4.1μs，300kHz
2h = 12.1μs，150KHz
3h = 24.2μs, 50KHz
5-4
3-0
SAR_SAMP_TIME[1:0]
RW
RW
0h
4h
保留
保留
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8.9.89 MISC_CFG4（页=0x00 地址=0x65）[复位=08]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-4
RW
0h
保留
负载诊断的时钟源
0h = 外部TDM
1h = 内部振荡器
3
LDG_CLK
RW
1h
V/I 数据的平均持续时间
0h = 5ms
2-1
0
LDG_AVG[1:0]
RW
RW
0h
0h
1h = 10ms
2h = 50ms
3h =100ms
保留
保留
8.9.90 IDLE_CFG（页=0x00 地址=0x67）[复位=00h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-2
R
00h
保留
空闲通道迟滞计时器。
0h = 50ms
1-0
ID_CH_HYST_TIME[1:0]
RW
0h
1h = 100ms
2h = 200ms
3h = 1000ms
8.9.91 CLK_CFG（页=0x00 地址=0x68）[复位=7Fh]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
检测到的SBCLK 与FSYNC 之比。
00h = 16
01h = 24
02h = 32
03h = 48
04h = 64
05h = 96
06h = 128
07h = 192
6-3
FS_RATIO[3:0]
R
Fh
08h = 256
09h = 384
0Ah = 512
0Bh = 125
0Ch = 250
0Dh = 500
0Eh = 保留
0F = 无效的比率
2-0
FS_RATE[2:0]
R
7h
检测到TDM 总线的采样率。
0h - 3h = 保留
4h = 44.1/48kHz
5h = 88.2/96kHz
6h = 保留
7h = 错误条件
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8.9.92 LV_EN_CFG（页=0x00 地址=0x6A）[复位=12h]
位
字段
类型
复位
说明
D 类Y 桥开关相对于输入信号的延迟(1/fs)
0h = 8.1（NG 启用，48ksps），6.1（NG 禁用，48ksps）
0h = 12.6（NG 启用，96ksps），9.6（NG 禁用，96ksps）
1h = 7.1（NG 启用，48ksps），5.1（NG 禁用，48ksps）
1h = 10.6（NG 启用，96ksps），7.6（NG 禁用，96ksps）
2h = 6.1（NG 启用，48ksps），4.1（NG 禁用，48ksps）
2h = 8.5（NG 启用，96ksps），5.6（NG 禁用，96ksps）
3h = 5.6（NG 启用，48ksps），3.6（NG 禁用，48ksps）
3h = 7.6（NG 启用，96ksps），4.6（NG 禁用，96ksps）
7-6
CDS_DLY[1:0]
RW
0h
BYP_EN 信号传输相对于输入信号的延迟(1/fs)
0h = 7.8（NG 启用，48ksps），5.8（NG 禁用，48ksps）
0h = 12.1（NG 启用，96ksps），9.1（NG 禁用，96ksps）
1h = 6.8（NG 启用，48ksps），4.8（NG 禁用，48ksps）
1h = 10.1（NG 启用，96ksps），7.1（NG 禁用，96ksps）
2h = 5.8（NG 启用，48ksps），3.8（NG 禁用，48ksps）
2h = 8.1（NG 启用，96ksps），5.1（NG 禁用，96ksps）
3h = 5.1（NG 启用，48ksps），3.1（NG 禁用，48ksps）
3h = 6.6（NG 启用，96ksps），3.6（NG 禁用，96ksps）
5-4
LVS_DLY[1:0]
RW
1h
低压信号传输(LVS) 的相对阈值。余量来自VBAT1S 电源。
0h = 0.5V
1h = 0.6V
2h = 0.7V
...
3-0
LVS_RTH[3:0]
RW
2h
Eh = 1.9V
Fh = 2V
8.9.93 NG_CFG2（页=0x00 地址=0x6B）[复位=43h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0h
保留
当BOP 源是PVDD 时转换VBAT1S
0h = 无VBAT1S 转换
1h = 由SAR 执行VBAT1S 转换
6
CONV_VBAT
RW
RW
RW
RW
1h
0h
0h
3h
5-3
2
保留
保留
噪声门精细分辨率寄存器模式
0h = 禁用
1h = 启用
NGFR_EN
1-0
保留
保留
8.9.94 NG_CFG3（页=0x00 地址=0x6C）[复位=00h]
噪声门高分辨率阈值达到NGLVL(dBFS) 电平的可编程位；默认为-110dBFS。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
NGFR_LVL[23:16]
RW
00h
dec2hex{round{ 10^(NGLVL)/20)]*2^23}
8.9.95 NG_CFG4（页=0x00 地址=0x6D）[复位=00h]
噪声门高分辨率阈值达到NGLVL(dBFS) 电平的可编程位；默认为-110dBFS。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
NGFR_LVL[15:8]
RW
00h
dec2hex{round{ 10^(NGLVL)/20)]*2^23}
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8.9.96 NG_CFG5（页=0x00 地址=0x6E）[复位=1Ah]
噪声门高分辨率阈值达到NGLVL(dBFS) 电平的可编程位；默认为-110dBFS。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
NGFR_LVL[7:0]
RW
1Ah
dec2hex{round{ 10^(NGLVL)/20)]*2^23}
8.9.97 NG_CFG6（页=0x00 地址=0x6F）[复位=00h]
噪声门高分辨率迟滞达到NGHYS(ms) 值的可编程位。
建议设置为高于1ms。
位
字段
类型
复位
说明
dec2bin[(NGHYS*fs),19]
fs=采样率以kHz 为单位
7-0
NGFR_HYST[18:11]
RW
0h
8.9.98 NG_CFG7（页=0x00 地址=0x70）[复位=96h]
噪声门高分辨率迟滞达到NGHYS(ms) 值的可编程位。
建议设置为高于1ms。
位
字段
类型
复位
说明
dec2bin[(NGHYS*fs),19]
fs=采样率以kHz 为单位
7-0
NGFR_HYST[10:3]
RW
96h
示例：
NGFR_HYST[15:0] 是19 位处理的结果，丢弃最后三位(000)
对于50ms 和48ksps，公式为：
dec2bin[50*48,19]=dec2bin[2400,19]=0000000100101100000
(5)
结果：寄存器0x6F 中的01h 和寄存器0x70 中的2Ch。
8.9.99 PVDD_UVLO（页=0x00 地址=0x71）[复位=02h]
当使用Y 桥（例如PWR_MODE1）时，PVDD UVLO 阈值需要设置为比VBAT1S 电平高2.5V。
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-6
RW
0h
保留
PVDD UVLO 阈值
00h = 1.753V
01h = 2.09V
02h = 2.428V
...........
5-0
PVDD_UVLO_TH[5:0]
RW
02h
3Fh = 23V
8.9.100 DMD（页=0x00 地址=0x73）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
DAC MSB 和LSB DEM 启用/禁用控制
0h = MSB 启用，LSB = 启用
1h = MSB 启用，LSB = 禁用
7-6
DEM_CTRL[1:0]
R
0h
2h = MSB 禁用，LSB = 启用
3h = MSB 禁用，LSB = 禁用- 推荐用于超声波用例
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位
字段
类型
RW
R
复位
0h
说明
DAC MSB 调制器抖动控制
0h = 启用
5
DIS_DITH
1h = 禁用- 推荐用于超声波用例
4-0
00
保留
保留
8.9.101 I2C_CKSUM（页=0x00 地址=0x7E）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
返回I2C 校验和。写入此寄存器会将校验和复位为写入值。此寄
存器在所有器件簿和页上的其他寄存器进行写操作时更新。
7-0
I2C_CKSUM[7:0]
RW
0h
8.9.102 BOOK（页=0x00 地址=0x7F）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
7-0
BOOK[7:0]
RW
0h
设置器件Book。
00h = Book 0
01h = Book 1
...
FFh = Book 255
8.9.103 INIT_0（页面= 0x01 地址= 0x17）[复位= D0h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-5
RW
6h
保留
D 类比较器对低功耗的依赖性
0h = 禁用
4
CMP_HYST_LP
RW
1h
1h = 启用
空闲通道与SAR 的交互作用
0h = 启用
1h = 禁用
3
SAR_IDLE
RW
RW
0h
0h
2-0
被保留
保留
8.9.104 LSR（页=0x01 地址=0x19）[复位=40h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7
R
0b
保留
调制
0h = LSR
6
EN_LLSR
RW
R
1h
1h = 线性LSR
5-0
00h
保留
保留
8.9.105 INIT_1（页面= 0x01 地址= 0x21）[复位= 08h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-4
R
0h
保留
D 类比较器电压迟滞
0h = 启用
1h = 禁用
3
HSCMP_EN
RW
R
0h
0h
2-0
保留
保留
8.9.106 INIT_2（页面= 0x01 地址= 0x35）[复位= 75h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-4
R
7h
保留
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位
字段
类型
复位
说明
说明
3-0
BIAS_NOISE
RW
5h
用于改善噪声的设置
8.9.107 INT_LDO（页=0x01 地址=0x36）[复位=08h]
位
字段
类型
RW
R
复位
内部LDO 设置
0h = 通过页面0x00h 的寄存器04h 完成设置
1h = 强制使用外部电源，禁用VBAT1S LDO
2h = 强制使用内部LDO
7-6
5-0
INT_LDO_SET[1:0]
0h
3h = 保留
08h
保留
保留
8.9.108 SDOUT_HIZ_1（页=0x01 地址=0x3D）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙7 的“0”输出控制强制降至0。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ1[7:0]
RW
00h
8.9.109 SDOUT_HIZ_2（页=0x01 地址=0x3E）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙15 的“0”输出控制强制降至8。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ2[7:0]
RW
00h
8.9.110 SDOUT_HIZ_3（页=0x01 地址=0x3F）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙23 的“0”输出控制强制降至16。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ3[7:0]
RW
00h
8.9.111 SDOUT_HIZ_4（页=0x01 地址=0x40）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙31 的“0”输出控制强制降至24。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ4[7:0]
RW
00h
8.9.112 SDOUT_HIZ_5（页=0x01 地址=0x41）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙39 的“0”输出控制强制降至32。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ5[7:0]
RW
00h
8.9.113 SDOUT_HIZ_6（页=0x01 地址=0x42）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙47 的“0”输出控制强制降至40。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ6[7:0]
RW
00h
8.9.114 SDOUT_HIZ_7（页=0x01 地址=0x43）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙55 的“0”输出控制强制降至48。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ7[7:0]
RW
00h
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8.9.115 SDOUT_HIZ_8（页=0x01 地址=0x44）[复位=00h]
位
字段
类型
复位
说明
将时隙63 的“0”输出控制强制降至56。如果时隙不符合有效
SBLK 与FSYNC 之比的要求，则将该寄存器编程为零。
7-0
SDOUT_HIZ8[7:0]
RW
00h
8.9.116 SDOUT_HIZ_9（页=0x01 地址=0x45）[复位=00h]
位
字段
类型
RW
RW
复位
说明
控制将“0”发送到未使用的时隙
0h = 所有未使用的时隙都将传输“Hi-Z”
1h = 未使用的时隙可以根据在页0x01 的寄存器0x3D 到0x44
中进行的编程传输“0”
7
SDOUT_FORCE_0_CNT_EN
0h
6-0
00h
保留
保留
8.9.117 TG_EN（页=0x01 地址=0x47）[复位=AB]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-2
R
2Ah
保留
热阈值2
0h = 禁用
1h = 启用
1
0
TG_TH2
TG_TH1
RW
RW
1h
1h
热阈值1
0h = 禁用
1h = 启用
8.9.118 EDGE_CTRL（页=0x01 地址=0x4C）[复位=00h]
位
字段
保留
类型 复位
说明
7-3
0h
保留
2-1 EDGE_CTRL[1:0]
RW
0h
输出压摆率
00b = 根据PVDD 范围自动调整压摆率
01b = 保留
10b = 保留
11b = 用于整个PVDD 范围的慢速压摆率
0
RW
0h
保留
保留
8.9.119 DG_DC_VAL1（页=0x04 地址=0x08）[复位=40h]
针对DC_VAL(dBFS) 所需电平的可编程DG 位。
位
字段
类型
复位
说明
dec2hex{256*round[10^(DC_VAL/20)*2^23]}
7-0
DG_DC_VAL [31:24]
RW
40h
8.9.120 DG_DC_VAL2（页=0x04 地址=0x09）[复位=26h]
针对DC_VAL(dBFS) 所需电平的可编程DG 位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
DG_DC_VAL [23:16]
RW
26h
dec2hex{256*round[10^(DC_VAL/20)*2^23]}
8.9.121 DG_DC_VAL3（页=0x04 地址=0x0A）[复位=40h]
针对DC_VAL(dBFS) 所需电平的可编程DG 位。
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位
字段
类型
复位
说明
7-0
DG_DC_VAL [15:8]
RW
40h
dec2hex{256*round[10^(DC_VAL/20)*2^23]}
8.9.122 DC_DG_VAL4（页=0x04 地址=0x0B）[复位=00h]
针对DC_VAL(dBFS) 所需电平的可编程DG 位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
DG_DC_VAL [7:0]
RW
00h
dec2hex{256*round[10^(DC_VAL/20)*2^23]}
8.9.123 LIM_TH_MAX1（页=0x04 地址=0x0C）[复位=68h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MAX(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MAX[31:24]
RW
68h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MAX*2^18]}
8.9.124 LIM_TH_MAX2（页=0x04 地址=0x0D）[复位=00h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MAX(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MAX[23:16]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MAX*2^18]}
8.9.125 LIM_TH_MAX3（页=0x04 地址=0x0E）[复位=00h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MAX(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MAX[15:8]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MAX*2^18]}
8.9.126 LIM_TH_MAX4（页=0x04 地址=0x0F）[复位=00h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MAX(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MAX[7:0]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MAX*2^18]}
8.9.127 LIM_TH_MIN1（页=0x04 地址=0x10）[复位=28h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MIN(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MIN[31:24]
RW
28h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MIN*2^18]}
8.9.128 LIM_TH_MIN2（页=0x04 地址=0x11）[复位=00h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MIN(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MIN[23:16]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MIN*2^18]}
8.9.129 LIM_TH_MIN3（页=0x04 地址=0x12）[复位=00h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MIN(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MIN[15:8]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MIN*2^18]}
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8.9.130 LIM_TH_MIN4（页=0x04 地址=0x13）[复位=00h]
将限制器最大阈值设置为LIM_TH_MIN(V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_TH_MIN[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round [LIM_TH_MIN*2^18]}
8.9.131 LIM_INF_PT1（页=0x04 地址=0x14）[复位=56h]
将限制器拐点设置为LIM_INF_PT(V) 值的可编程位。设置限制器拐点。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_INF_PT[31:24]
RW
56h
dec2hex{256*round [LIM_IN_PT*2^18]}}
8.9.132 LIM_INF_PT2（页=0x04 地址=0x15）[复位=66h]
将限制器拐点设置为LIM_INF_PT(V) 值的可编程位。设置限制器拐点。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_INF_PT[23:16]
RW
66h
dec2hex{256*round [LIM_IN_PT*2^18]}}
8.9.133 LIM_INF_PT3（页=0x04 地址=0x16）[复位=66h]
将限制器拐点设置为LIM_INF_PT(V) 值的可编程位。设置限制器拐点。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_INF_PT[15:8]
RW
66h
dec2hex{256*round [LIM_IN_PT*2^18]}}
8.9.134 LIM_INF_PT4（页=0x04 地址=0x17）[复位=00h]
将限制器拐点设置为LIM_INF_PT(V) 值的可编程位。设置限制器拐点。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_INF_PT[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round [LIM_IN_PT*2^18]}}
8.9.135 LIM_SLOPE1（页=0x04 地址=0x18）[复位=10h]
将限制器斜率设置为LIM_SLOPE (V/V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_SLOPE[31:24]
RW
10h
dec2hex{256*round [LIM_SLOPE*2^20]}
8.9.136 LIM_SLOPE2（页=0x04 地址=0x19）[复位=00h]
将限制器斜率设置为LIM_SLOPE (V/V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_SLOPE[23:16]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_SLOPE*2^20]}
8.9.137 LIM_SLOPE3（页=0x04 地址=0x1A）[复位=00h]
将限制器斜率设置为LIM_SLOPE (V/V) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_SLOPE[15:8]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_SLOPE*2^20]}
8.9.138 LIM_SLOPE4（页=0x04 地址=0x1B）[复位=00h]
将限制器斜率设置为LIM_SLOPE (V/V) 值的可编程位。
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位
字段
类型
复位
说明
7-0
LIM_SLOPE[7:0]
RW
00h
dec2hex{256*round [LIM_SLOPE*2^20]}
8.9.139 TF_HLD1（页=0x04 地址=0x1C）[复位=00h]
将热折返保持计数设置为TF_HLD[s] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_ HOLD_CNT[31:24]
RW
00h
dec2hex[256*round (TF_HLD*9600)]
8.9.140 TF_HLD2（页=0x04 地址=0x1D）[复位=00h]
将热折返保持计数设置为TF_HLD[s] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_HOLD_CNT23:16]
RW
00h
dec2hex[256*round (TF_HLD*9600)]
8.9.141 TF_HLD3（页=0x04 地址=0x1E）[复位=64h]
将热折返保持计数设置为TF_HLD[s] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_HOLD_CNT[15:8]
RW
64h
dec2hex[256*round (TF_HLD*9600)]
8.9.142 TF_HLD4（页=0x04 地址=0x1F）[复位=00h]
将热折返保持计数设置为TF_HLD[s] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_HOLD_CNT[7:0]
RW
00h
dec2hex[256*round (TF_HLD*9600)]
8.9.143 TF_RLS1（页=0x04 地址=0x20）[复位=40h]
将热折返限制器释放速率设置为TF_RLS[dB/100us] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_REL_RATE[31:24]
RW
40h
dec2hex{256*round[10^(TF_RLS/20)*2^22]}
8.9.144 TF_RLS2（页=0x04 地址=0x21）[复位=BDh]
将热折返限制器释放速率设置为TF_RLS[dB/100us] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_REL_RATE[23:16]
RW
BDh
dec2hex{256*round[10^(TF_RLS/20)*2^22]}
8.9.145 TF_RLS3（页=0x04 地址=0x22）[复位=B8h]
将热折返限制器释放速率设置为TF_RLS[dB/100us] 值的可编程位。
位
字段
类型
RW
复位
B8h
说明
7-0
TF_REL_RATE[15:8]
dec2hex{256*round[10^(TF_RLS/20)*2^22]}
8.9.146 TF_RLS4（页=0x04 地址=0x23）[复位=00h]
将热折返限制器释放速率设置为TF_RLS[dB/100us] 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_REL_RATE[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round[10^(TF_RLS/20)*2^22]}
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8.9.147 TF_SLOPE1（页=0x04 地址=0x24）[复位=04h]
将热折返限制器衰减斜率设置为TF_SLOPE(V/0C) 值的可编程位。
假定输入电平为0dB，增益为21dB。由于rms 到峰值的转换，额外增加了3dB（总共24dB）。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_LIMS[31:24]
RW
04h
dec2hex{256*round {[TF_SLOPE/(10^24/20)]*2^23}
8.9.148 TF_SLOPE2（页=0x04 地址=0x25）[复位=08h]
将热折返限制器衰减斜率设置为TF_SLOPE(V/0C) 值的可编程位。
假定输入电平为0dB，增益为21dB。由于rms 到峰值的转换，额外增加了3dB（总共24dB）。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_LIMS[23:16]
RW
08h
dec2hex{256*round {[TF_SLOPE/(10^24/20)]*2^23}
8.9.149 TF_SLOPE3（页=0x04 地址=0x26）[复位=89h]
将热折返限制器衰减斜率设置为TF_SLOPE(V/0C) 值的可编程位。
假定输入电平为0dB，增益为21dB。由于rms 到峰值的转换，额外增加了3dB（总共24dB）。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_LIMS[15:8]
RW
89h
dec2hex{256*round {[TF_SLOPE/(10^24/20)]*2^23}
8.9.150 TF_SLOPE4（页=0x04 地址=0x27）[复位=00h]
将热折返限制器衰减斜率设置为TF_SLOPE(V/0C) 值的可编程位。
假定输入电平为0dB，增益为21dB。由于rms 到峰值的转换，额外增加了3dB（总共24dB）。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_LIMS[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round {[TF_SLOPE/(10^24/20)]*2^23}
8.9.151 TF_TEMP_TH1（页=0x04 地址=0x28）[复位=39h]
将热折返温度阈值设置为TF_TEMP(0C) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_TEMP_TH[31:24]
RW
39h
dec2hex{256*round [TF_TEMP*(2^15)]}
8.9.152 TF_TEMP_TH2（页=0x04 地址=0x29）[复位=80h]
将热折返温度阈值设置为TF_TEMP(0C) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_TEMP_TH[23:16]
RW
80h
dec2hex{256*round [TF_TEMP*(2^15)]}
8.9.153 TF_TEMP_TH3（页=0x04 地址=0x2A）[复位=00h]
将热折返温度阈值设置为TF_TEMP(0C) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_TEMP_TH[15:8]
RW
00h
dec2hex{256*round [TF_TEMP*(2^15)]}
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8.9.154 TF_TEMP_TH4（页=0x04 地址=0x2B）[复位=00h]
将热折返温度阈值设置为TF_TEMP(0C) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_TEMP_TH[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round [TF_TEMP*(2^15)]}
8.9.155 TF_MAX_ATTN1（页=0x04 地址=02C）[复位=2Dh]
将热折返最大增益衰减设置为TF_ATTN(dB) 衰减值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_MAX_ATTN[31:24]
RW
2Dh
dec2hex{256*round [(10^(-TF_ATTN/20)*2^23]}
8.9.156 TF_MAX_ATTN2（页=0x04 地址=0x2D）[复位=6Ah]
将热折返最大增益衰减设置为TF_ATTN(dB) 衰减值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_MAX_ATTN(23:16]
RW
6Ah
dec2hex{256*round [(10^(-TF_ATTN/20)*2^23]}
8.9.157 TF_MAX_ATTN3（页=0x04 地址=0x2E）[复位=86h]
将热折返最大增益衰减设置为TF_ATTN(dB) 衰减值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
TF_MAX_ATTN[15:7]
RW
86h
dec2hex{256*round [(10^(-TF_ATTN/20)*2^23]}
8.9.158 TF_MAX_ATTN4（页=0x04 地址=0x2F）[复位=00h]
将热折返最大增益衰减设置为TF_ATTN(dB) 衰减值的可编程位。
位
字段
类型
RW
复位
说明
7-0
TF_MAX_ATTN[7:0]
0h
dec2hex{256*round [(10^(-TF_ATTN/20)*2^23]}
8.9.159 LD_CFG0（页=0x04 地址=0x40）[复位=03h]
将负载诊断电阻阈值上限设置为LD_RES_UT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_UT[31:24]
RW
03h
dec2hex{256*round (LDG_RES_UT*(5/16)*2^14)}
8.9.160 LD_CFG1（页=0x04 地址=0x41）[复位=20h]
将负载诊断电阻阈值上限设置为LD_RES_UT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_UT[23:16]
RW
20h
dec2hex{256*round (LDG_RES_UT*(5/16)*2^14)}
8.9.161 LD_CFG2（页=0x04 地址=0x42）[复位=00h]
将负载诊断电阻阈值上限设置为LD_RES_UT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_UT[15:7]
RW
00h
dec2hex{256*round (LDG_RES_UT*(5/16)*2^14)}
8.9.162 LD_CFG3（页=0x04 地址=0x43）[复位=00h]
将负载诊断电阻阈值上限设置为LD_RES_UT(Ω) 值的可编程位。
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位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_UT[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round (LDG_RES_UT*(5/16)*2^14)}
8.9.163 LD_CFG4（页=0x04 地址=0x44）[复位=00h]
将负载诊断电阻阈值下限设置为LD_RES_LT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_LT[31:24]
RW
0h
dec2hex{256*round (LDG_RES_LT*(5/16)*2^14)}
8.9.164 LD_CFG5（页=0x04 地址=0x45）[复位=20h]
将负载诊断电阻阈值下限设置为LD_RES_LT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_LT[23:16]
RW
20h
dec2hex{256*round (LDG_RES_LT*(5/16)*2^14)}
8.9.165 LD_CFG6（页=0x04 地址=0x46）[复位=00h]
将负载诊断电阻阈值下限设置为LD_RES_LT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_LT[15:8]
RW
00h
dec2hex{256*round (LDG_RES_LT*(5/16)*2^14)}
8.9.166 LD_CFG7（页=0x04 地址=0x47）[复位=00h]
将负载诊断电阻阈值下限设置为LD_RES_LT(Ω) 值的可编程位。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_LT[7:0]
RW
0h
dec2hex{256*round (LDG_RES_LT*(5/16)*2^14)}
8.9.167 CLD_EFF_1（页=0x04 地址=0x48）[复位=6Ch]
针对LV_EN 相对阈值D 类效率的可编程位。它表示为一个百分比(EFF)，默认为0.85。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
RW
6Ch
dec2hex[256*round (EFF*2^23)]
D 类效率[31:24]
8.9.168 CLD_EFF_2（页=0x04 地址=0x49）[复位=CCh]
针对LV_EN 相对阈值D 类效率的可编程位。它表示为一个百分比(EFF)，默认为0.85。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
RW
CCh
dec2hex[256*round (EFF*2^23)]
D 类效率[23:16]
8.9.169 CLD_EFF_3（页=0x04 地址=0x4A）[复位=CDh]
针对LV_EN 相对阈值D 类效率的可编程位。它表示为一个百分比(EFF)，默认为0.85。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
RW
CDh
dec2hex[256*round (EFF*2^23)]
D 类效率[15:8]
8.9.170 CLD_EFF_4（页=0x04 地址=0x4B）[复位=00h]
针对LV_EN 相对阈值D 类效率的可编程位。它表示为一个百分比(EFF)，默认为0.85。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
RW
00h
dec2hex[256*round (EFF*2^23)]
D 类效率[7:0]
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8.9.171 LDG_RES1（页=0x04 地址=0x4C）[复位=00h]
诊断模式负载电阻测量值用Ω表示。读取值为0xUUVVXXYY，最后一个字节将被丢弃。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_VAL[31:24]
R
0h
(16/5)*{hex2dec (0xUUVVXX)]/2^14}
8.9.172 LDG_RES2（页=0x04 地址=0x4D）[复位=00h]
诊断模式负载电阻测量值用Ω表示。读取值为0xUUVVXXYY，最后一个字节将被丢弃。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_VAL[23:16]
R
0h
(16/5)*{hex2dec (0xUUVVXX)]/2^14}
8.9.173 LDG_RES3（页=0x04 地址=0x4E）[复位=00h]
诊断模式负载电阻测量值用Ω表示。读取值为0xUUVVXXYY，最后一个字节将被丢弃。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_VAL[15:7]
R
0h
(16/5)*{hex2dec (0xUUVVXX)]/2^14}
8.9.174 LDG_RES4（页=0x04 地址=0x4F）[复位=00h]
诊断模式负载电阻测量值用Ω表示。最后一个字节将被丢弃。
位
字段
类型
复位
说明
7-0
LDG_RES_VAL[7:0]
R
0h
丢弃此字节
8.9.175 INIT_3（页面= 0xFD 地址= 0x3E）[复位= 45h]
位
字段
保留
类型
复位
说明
7-4
RW
4h
保留
DMIN 优化设置
3-0
OPT_DMIN[3:0]
RW
5h
8.10 SDOUT 公式
以下公式可用于转换在SDOUT 上读取的数据。
PVDD (V)= 23* [Hex2Dec(SDOUTdata)]/2^PVDD_SlotLength
(6)
(7)
(8)
默认情况下，PVDD_SlotLength = 8。
VBAT1S (V)= 8* [Hex2Dec(SDOUTdata)]/2^VBAT1S_SlotLength
默认情况下，VBAT1S_SlotLength = 8。
TEMP (0C)= 256*[Hex2Dec(SDOUTdata)]/2^TEMP_SlotLength - 95
TEMP_SlotLength = 8。
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9 应用和实现
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户应负责确定各组件
是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计实现，以确保系统功能正常。
9.1 应用信息
TAS2780 是一款具有集成式 I/V 检测功能的数字输入 D 类音频功率放大器。I2S 音频数据由主机处理器提供。该
器件以I2S 格式提供I/V 数据。I2C 总线用于配置和控制。
9.2 典型应用
图9-1. 典型应用- 数字音频输入
表9-1. 推荐的外部元件
规格
元件
说明
最小值
X7R
典型值
最大值
单位
类型
VBAT1S 去耦电容器- VBAT1S 外部电源
(PWR_MODE0/1/3)
10
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
10
C1
X7R
X7R
类型
VBAT1S 去耦电容器- VBAT1S 内部生成
(PWR_MODE2)
1
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
10
类型
C2
C3
100
10
nF
V
VBAT1S 去耦电容器
PVDD 去耦电容器
电容，容差为20%
额定电压
X7R
22
类型
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
30
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表9-1. 推荐的外部元件(continued)
元件
说明
规格
最小值
典型值
最大值
单位
X7R
类型
C4
100
nF
V
PVDD 去耦电容器
AVDD 去耦电容器
DREG 去耦电容器
IOVDD 去耦电容器
自举电容器
电容，容差为20%
额定电压
30
X7R
4.7
6
类型
C5
C6
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
X7R
类型
1
1
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
6
X7R
类型
C7
µF
V
电容，容差为20%
额定电压
6
X7R
类型
100
120
nF
V
C8、C9
电容，容差为20%
额定电压
6
7
100MHz 时的阻抗
直流电阻
Ω
EMI 滤波电感器是可选的。TAS2780 器件支
Lf1、Lf2（可选） 持无滤波器D 类运行。如果使用铁氧体磁珠
EMI 滤波器，则建议使用PFFB 功能。
0.095
Ω
A)
直流电流
EMI 滤波电容器是可选的。如果使用了
Cf1、Cf2（可选）
1
nF
电容
CF1、CF2，则设计必须使用Lf2、Lf3
RF
CF
1
降噪滤波电阻器
降噪滤波电容器
电阻器，20% 容差
电容，容差为20%
额定电压
kΩ，
nF
V
10/RF(kΩ)
30
9.3 设计要求
对于这个设计示例，请使用节9.2 中显示的参数。
表9-2. 设计参数
设计参数
示例值
音频输入
数字音频，I2S
数字音频，I2S
电流和电压数据流
单声道或立体声配置
单声道
25W
1% THD+N、RL = 4Ω时的最大
输出功率
9.4 详细设计过程
9.4.1 单声道/立体声配置
在应用中，假定器件在单声道模式下工作。请参阅节 8.3.1，了解有关更改 TAS2780 的 I2C 地址的信息，以便支
持立体声运行。单声道或立体声配置不会影响器件性能。
9.4.2 EMI 无源器件
TAS2780 支持展频以最大限度地降低 EMI。它可以在D 类输出上包含无源器件。图9-1 中的无源器件Lf1、Lf2、
Cf1 和 Cf2 具有表 9-1 中所提供的推荐规格。必须正确选择输出滤波器的无源器件以保持放大器的稳定性。详细
信息，请参阅节8.4.5。
9.5 应用曲线
在TA = 250C 下测得，fSPK_AMP = 384kHz，输入信号fIN = 1kHz - 正弦，负载= 4Ω+ 15μH（除非另有说明）。
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0
-55
-60
VBAT = 3.8 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.8 V, PVDD = 12 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5 V, PVDD = 18 V
VBAT = 3.4 V, PVDD = 21 V
VBAT = 5 V, PVDD = 21 V
-20
-40
-60
-80
-65
-70
-75
-80
-85
-90
-95
-100
-105
-100
0.001
0.01
0.1
POUT (W)
1
10
50
20
100
1000
10K 20K
Frequency (Hz)
PWR_MODE1
POUT= 15W
PWR_MODE1
图9-2. THD+N 与输出功率间的关系
图9-3. THD+N 与输出功率间的关系
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PVDD = 12 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 21 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 12 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 3.8 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 18 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
PVDD = 21 V, VBAT = 5 V, AVDD = 1.8 V
0.02
0.1
1
10
25
0.02
0.1
1
10
25
POUT (W)
POUT (W)
PWR_MODE1
PWR_MODE0
图9-4. 效率与输出功率间的关系
图9-5. 效率与输出功率间的关系
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10 初始化设置
10.1 初始器件配置- 上电和软件复位
需要使用下面的I2C 序列：
• 上电时，当SDZ = 1 时（从硬件关断进入软件关断）；
• 当器件处于软件关断或运行模式并且用户运行软件复位命令时：寄存器0x01 的位[0] = 1。
###### Pre-Reset Configuration
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 37 3A #Bypass
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access page
w 70 06 C1 #Set Dmin
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 19 C0 #Force modulation
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access page
w 70 06 D5 #Set Dmin
###### Software Reset
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 7F 00 #Book 0x00
w 70 01 01 #Software Reset
d 01 #1 ms Delay
###### Post-Reset Configuration
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 37 3A #Bypass
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access page
w 70 06 C1 #Set Dmin
w 70 06 D5 #Set Dmin
10.2 初始器件配置- PWR_MODE0
以下I2C 序列是在PWR_MODE0 中初始化器件的一个示例。
w 70 00 00 # Page 0x00
w 70 0E 44 #TDM tx vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM tx isns transmit enable with slot 0
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 21 00 #Disable Comparator Hysterisis
w 70 17 C8 #SARBurstMask=0
w 70 19 00 #LSR Mode
w 70 35 74 #Noise minimized
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page 0xFD
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access Page 0xFD
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 03 A8 #PWR_MODE0 selected
w 70 71 03 #PVDD UVLO set to 2.76V
w 70 02 80 #Play audio, power up with playback, IV enabled
10.3 初始器件配置- PWR_MODE1
以下I2C 序列是在PWR_MODE1 中初始化器件的一个示例。
w 70 00 00 # Page 0x00
w 70 0E 44 #TDM tx vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM tx isns transmit enable with slot 0
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w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C8 #SARBurstMask=0
w 70 21 00 #Disable Comparator Hysterisis
w 70 19 00 #LSR Mode
w 70 35 74 #Noise minimized
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page 0xFD
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access Page 0xFD
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 02 00 #Play audio, power up with playback, IV enabled
10.4 初始器件配置- PWR_MODE2
以下I2C 序列是在PWR_MODE2 中初始化器件的一个示例。
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 0E 44 #TDM tx vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM tx isns transmit enable with slot 0
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C0 #SARBurstMask=0
w 70 19 00 #LSR Mode
w 70 21 00 #Disable Comparator Hysterisis
w 70 35 74 #Noise minimized
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page 0xFD
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access Page 0xFD
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 03 E8 #PWR_MODE2
w 70 04 A1 #Int LDO mode
w 70 71 0E #PVDD UVLO 6.5V
w 70 02 80 #Power up audio playback with I,V enabled
10.5 初始器件配置- PWR_MODE3
以下I2C 序列是在PWR_MODE3 中初始化器件的一个示例，适合超声波应用。
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 0E 44 #TDM tx vsns transmit enable with slot 4
w 70 0F 40 #TDM tx isns transmit enable with slot 0
w 70 00 01 #Page 0x01
w 70 17 C8 #SARBurstMask=0
w 70 19 00 #LSR Mode
w 70 21 00 #Disable Comparator Hysterisis
w 70 00 FD #Page 0xFD
w 70 0D 0D #Access Page 0xFD
w 70 3E 4A #Optimal Dmin
w 70 0D 00 #Remove access Page 0xFD
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 03 68 #PWR_MODE3
w 70 73 E0 #DEM dither disable
w 70 02 00 #Play audio, power up with playback, IV enabled
10.6 器件配置- 44.1kHz
以下I2C 序列是将TAS2780 器件初始化到44.1kHz 采样率的一个示例。
###### Configure Channel
w 70 60 21 # SBLK to Fs ratio = 256 / 8 TDM Slots
w 70 08 39 # 44.1KHz, Auto TDM off, Frame start High to Low
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w 70 09 03 # Offset = 1, Sync on BCLK falling edge
w 70 0A 0A # TDM slot by address, Word = 24 bit, Frame = 32 bit
w 70 0C 20 # Right Ch = TDM slot 2, Left Ch = TDM slot 0
w 70 0D 33 # TX bus keeper, Hi-Z, Offset 1, TX on Falling edge
10.7 过功率保护- OCP 编程
以下I2C 序列将对2.7V ≤VBAT1S ≤2.9V 情况下的过流保护进行编程。
w 70 00 FD #
w 70 0D 0D #
w 70 5C C0 #
w 70 3A 7D #
r 70 3B 01 #
#Record the value read from register 3B: XY
w 70 3B XZ # Z=Y-2
w 70 0D 00 #
w 70 00 00 #
10.8 DSP 环回
以下I2C 序列将为回声基准启用DSP 环回。
#####DSP Echo Reference Loopback
w 70 00 00 #Page 0x00
w 70 7F 00
w 70 16 C0 #Audio TX slot programmed to 0
w 70 0E 00 #Disable V sense
w 70 0F 00 #Disable I sense
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11 电源相关建议
只要SDZ 引脚保持低电平，电源轨之间的电源序列就可以按任何顺序应用。一旦所有电源稳定，SDZ 引脚就可以
设置为高电平以初始化器件。硬件或软件复位后，对器件执行的附加命令应延迟至少 1ms，以允许加载OTP 存储
器（参见节10）。
当 VBAT1S 在内部产生时（见节 11.1），建议器件在进入硬件关断模式之前先进入软件关断模式。这可确保
VBAT1S 引脚使用内部5kΩ下拉电阻器进行放电（硬件关断模式下不存在）。
11.1 电源模式
TAS2780 可在VBAT1S 和PVDD 电源下运行，或仅在PVDD 或VBAT1S 电源下运行。下表根据用户需要显示了
不同的电源运行模式。
表11-1. 器件配置和电源模式
VBAT1S 模式
电源模式
输出开关模式
供电条件
器件配置
用例和器件功能
VBAT1S_MODE=0
CDS_MODE[1:0]=10
PVDD 上的高功
率
PVDD 是用于提供输出功率的唯一电
源。
PWR_MODE0
PVDD>VBAT1S
外部
VBAT1S 用于根据配置的电平和余量提
供输出功率。当音频信号超过设定的阈
值时，D 类输出切换到PVDD。
VBAT1S_MODE=0
CDS_MODE[1:0]=00
Y 桥- VBAT1S
上的高功率
PWR_MODE1
PWR_MODE2
PWR_MODE3
PVDD
PVDD
外部
内部
外部
PVDD 是唯一电源。VBAT1S 由内部
LDO 提供，用于在接近空闲通道电平的
信号下供电。当音频信号电平超过
100dBFS（默认）时，D 类输出切换到
PVDD。
VBAT1S_MODE=1
CDS_MODE[1:0]=11
Y 桥- VBAT1S
上的低功率
可以强制器件在低功率电源轨工作模式
下运行。例如，这可用于不播放音频时
的低功耗超声波线性调频脉冲。
VBAT1S_MODE=0
CDS_MODE[1:0]=01
VBAT1S
VBAT1S
当 VBAT1S 在外部时（PWR_MODE0、PWR_MODE1），如果 PVDD 降至低于（VBAT1S + 2.5V）电平，那么
Y 桥将停止在电源之间切换并保持在PVDD 电源上。
在 PWR_MODE2 中，用户需要确保 PVDD 电源电平至少比内部产生的 VBAT1S 电压高 2.5V，以便充分利用 Y
桥运行模式。若要启用电压保护， 应将 PVDD 电源的欠压阈值设置为 7.3V 以上（ 使用寄存器位
PVDD_UVLO[5:0]）。这将确保在内部产生4.8V 的VBAT1S 时，PVDD 电源至少比VBAT1S 高2.5V。
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12 布局
12.1 布局指南
所有电源轨都应具有低ESR 陶瓷电容器旁路，如节9.2 中所示和所述。
若要创建至 PGND、DGND 和 GND 的低阻抗连接，并最大限度地减小接地噪声，应在布局中使用具有多个填充
导热环氧树脂通孔的接地平面。
对于此器件，应遵循特定布局设计建议：
• 为承载大电流的信号使用宽迹线：PVDD、VBAT1S、PGND、DGND、GND 和扬声器OUT_P、OUT_N。
• 应直接连接PGND 引脚并短接到接地平面。
• DGND 引脚应直接连接到接地平面。
• 将VSNS_P 和VSNS_N 连接至尽可能靠近扬声器的位置。
• 如果在输出端使用了EMI 铁氧体，则EMI 铁氧体滤波器和扬声器之间应连接VSNS_P 和VSNS_N。
• VSNS_P 和VSNS_N 布线应与开关信号（接口信号、扬声器输出、自举引脚）隔开并进行屏蔽。
• 将自举电容器放置在尽可能靠近BST 引脚的位置。
• 应将PVDD 和VBAT1S 的去耦电容器尽可能靠近引脚放置（请参阅图12-1）。
12.2 布局示例
下图说明了图9-1 中指定的关键元件的放置。
图12-1. 布局和元件放置- 顶层
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图12-2. 布局和元件放置- 底层
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13 器件和文档支持
13.1 接收文档更新通知
若要接收文档更新通知，请导航至 ti.com.cn 上的器件产品文件夹。单击右上角的通知我进行注册，即可每周接收
产品信息更改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
13.2 社区资源
13.3 商标
所有商标均为其各自所有者的财产。
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14 机械、封装和可订购信息
以下页面包含机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。数据如有变更，恕不另行通知，
且不会对此文档进行修订。如需获取此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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16-Mar-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TAS2780RYAR
ACTIVE
VQFN-HR
RYA
30
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 85
TAS2780
Samples
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
Addendum-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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16-Mar-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
TAS2780RYAR
VQFN-
HR
RYA
30
3000
330.0
12.4
3.8
4.3
1.5
8.0
12.0
Q1
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
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16-Mar-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
VQFN-HR RYA 30
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
367.0 367.0 35.0
TAS2780RYAR
3000
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK- NO LEAD
RYA0030A
A
3.6
3.4
B
PIN 1 INDEX AREA
4.1
3.9
C
1 MAX
.05
.00
0.08 C
0.5
13X
2X (0.25) TYP
0.3
0.55
0.35
0.6
0.6
0.4
2X
(0.1) TYP
0.9
0.7
0.4
7X
10
15
9
1.7048
1.2798
0.8798
16
2X (0.17) TYP
0.5202
2X
0.3202
0.25
0.15
26X
0.4798
0.0798
0.0 PKG
0.3202
0.7202
0.1
C
C
A B
0.05
0.825
0.625
1.1202
0.6798
0.4798
1.5452
0.3
0.2
4X
2X
1
0.1
C A B
24
0.05
C
30
3X
25
PIN 1 ID
(OPTIONAL)
2X (0.33) TYP
0.9
0.7
0.5
0.3
2X
0.3
0.2
4X
2X (0.15) TYP
0.1
0.05
C A B
C
4226086/A 07/2020
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK- NO LEAD
RYA0030A
0.925
13X (0.6)
(1.9)
30
25
(1.8101)
(1.7375)
(1.7)
2X (0.7798)
24
1
(1.5452)
(1.1202)
(0.7202)
(0.3202)
(0.0798)
(0.4798)
(0.8798)
(1.2798)
10X (1)
26X (0.2)
(0) PKG
(R0.05) TYP
(1.7)
16
9
(1.7048)
(1.8899)
4X (0.25)
2X (0.6202)
10
4X (0.25)
15
2X (0.6)
(0.65)
(0.7)
2X (0.7)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE: 18X
0.05 MAX
0.05 MIN
ALL AROUND
ALL AROUND
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4226086/A 07/2020
NOTES: (continued)
3. For more information, see Texas Instruments literature number SLUA271 (www.ti.com/lit/slua271) .
4. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
VQFN-HR - 1 mm max height
PLASTIC QUAD FLATPACK- NO LEAD
RYA0030A
0.925
13X (0.6)
(1.9)
(1.8101)
(1.7375)
30
25
(1.7)
2X (0.7798)
11X (1)
1
(1.5327)
24
(1.1202)
(0.7202)
(0.3202)
(0.0798)
(0.4798)
(0.8798)
(1.2798)
26X (0.2)
(0) PKG
(R0.05) TYP
(1.6923)
(1.7)
16
9
(1.8899)
4X (0.225)
10
4X (0.225)
15
2X (0.6)
(0.65)
(0.7)
2X (0.6202)
2X (0.7)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.1 mm THICK STENCIL
PRINTED SOLDER COVERAGE BY AREA UNDER PACKAGE
PADS 1,9, 16, 24: 92%
SCALE: 18X
4226086/A 07/2020
NOTES: (continued)
5.
Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
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