TLV3542IDGKR [TI]
双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 | DGK | 8 | -40 to 125;
| 型号： | TLV3542IDGKR |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 | DGK | 8 | -40 to 125 放大器 光电二极管 运算放大器 |
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TLV3541, TLV3542, TLV3544
ZHCSFL4 –OCTOBER 2016
TLV354x 面向成本敏感型系统的 200MHz 轨到轨 I/O
、CMOS 运算放大器
1 特性
3 说明
1
•
•
•
•
•
•
•
面向成本敏感型系统的宽带宽放大器
TLV3541、TLV3542 和 TLV3544 分别为单通道、双
通道和四通道低功耗（每通道电流为 5.2mA）、高
速、单位增益稳定的轨到轨输入/输出运算放大器，设
计用于 所需 带宽较宽的视频及其他应用。
单位增益带宽：200MHz
高转换率：150V/μs
低噪声：7.5 nV/√Hz
轨至轨 I/O
此类器件仅消耗 6.5mA（最大值）电源电流，增益带
宽为 200MHz、转换率为 150V/μs，f = 1MHz 时的低
噪声输入为 7.5nV/√Hz。凭借这种高带宽、高转换率和
低噪声特性组合，TLV354x 系列器件适用于低压高速
信号调节系统。
高输出电流：> 100mA
出色的视频性能：
–
–
差分增益：0.02%，相位差：0.09°
0.1dB 增益平坦度：40MHz
•
•
•
•
低输入偏置电流：3pA
静态电流：5.2mA
热关断
TLV354x 系列运算放大器经过优化，适用于 2.5V
(±1.25V) 至 5.5V (±2.75V) 范围内的单电源或双电源操
作。共模输入范围超出电源供电范围。输出摆幅处于
100mV 电压轨范围内，支持的动态范围较宽。
电源范围：2.5V 至 5.5V
2 应用
TLV354x 器件的额定工作温度范围为 -40°C 至 +125°
C。TLV354x 系列器件可用作多种经济型宽带宽运算
放大器的插入式替换件。
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
高分辨率模数转换器 (ADC) 驱动器放大器
IR 触控
低压高频信号处理
视频处理
器件信息(1)
器件型号
TLV3541
封装
SOIC (8)
封装尺寸（标称值）
3.91mm x 4.90mm
2.90mm × 1.60mm
3.91mm x 4.90mm
3.00mm × 3.00mm
8.65mm x 3.91mm
收发器基站
光网络、可调激光器
光电二极管互阻放大器
条形码扫描仪
快速电流感测放大器
超声波成像
SOT-23 (5)
SOIC (8)
TLV3542
TLV3544
VSSOP (8)
SOIC (14)
薄型小外形尺寸封装
(TSSOP) (14)
5.00mm x 4.40mm
简化电路原理图
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。
V+
TLV3541
V-
-In
VOUT
+In
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.
English Data Sheet: SBOS756
TLV3541, TLV3542, TLV3544
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目录
1
2
3
4
5
6
特性.......................................................................... 1
应用.......................................................................... 1
说明.......................................................................... 1
修订历史记录 ........................................................... 2
引脚配置和功能........................................................ 3
技术规格................................................................... 5
6.1 绝对最大额定值......................................................... 5
6.2 ESD 额定值............................................................... 5
6.3 建议的工作条件......................................................... 5
6.4 热性能信息: TLV3541................................................ 6
6.5 热性能信息：TLV3542 .............................................. 6
6.6 热性能信息：TLV3544 .............................................. 6
6.7 电气特性：VS = 2.7V 至 5.5V 单电源 ....................... 7
6.8 典型特性.................................................................... 9
详细 说明................................................................ 13
7.1 概述......................................................................... 13
7.2 功能框图.................................................................. 13
7.3 特性 说明................................................................. 14
7.4 器件功能模式........................................................... 18
8
9
应用和实现............................................................. 19
8.1 应用信息.................................................................. 19
8.2 典型应用 ................................................................. 19
8.3 系统示例.................................................................. 20
电源相关建议 ......................................................... 21
9.1 输入和 ESD 保护..................................................... 21
10 布局 ....................................................................... 22
10.1 布局准则................................................................ 22
10.2 布局示例................................................................ 22
11 器件和文档支持 ..................................................... 23
11.1 文档支持................................................................ 23
11.2 相关链接................................................................ 23
11.3 接收文档更新通知 ................................................. 23
11.4 社区资源................................................................ 23
11.5 商标....................................................................... 23
11.6 静电放电警告......................................................... 23
11.7 Glossary................................................................ 23
12 机械、封装和可订购信息....................................... 24
7
4 修订历史记录
日期
修订版本
注意
2016 年 10 月
*
初始发行版。
2
Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated
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5 引脚配置和功能
TLV3541：DBV 封装
TLV3541：D 封装
8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装
5 引脚 SOT-23
俯视图
俯视图
OUT
V-
V+
1
2
3
5
4
NC(1)
-IN
+IN
V-
1
2
3
4
8
7
6
5
NC(1)
V+
+IN
-IN
OUT
NC(1)
(1) NC 表示无内部连接。
引脚功能：TLV3541
引脚
I/O
说明
名称
–IN
+IN
NC
DBV (SOT-23)
D (SOIC)
4
3
2
I
反相输入
3
I
同相输入
—
1
1、5、8
—
O
—
—
无内部连接（可以悬空）
输出
OUT
V–
6
4
7
2
负（最低）电源
正（最高）电源
V+
5
TLV3542：DGK 和 D 封装
8 引脚 VSSOP、SOIC
俯视图
OUT A
-IN A
+IN A
V-
V+
1
2
3
4
8
7
6
5
OUT B
-IN B
+IN B
A
B
引脚功能：TLV3542
引脚
I/O
说明
名称
编号
2
–IN A
+IN A
–IN B
+IN B
OUT A
OUT B
V–
I
I
反相输入，通道 A
同相输入，通道 A
反相输入，通道 B
同相输入，通道 B
输出，通道 A
3
6
I
5
I
1
O
O
—
—
7
输出，通道 B
4
负（最低）电源
正（最高）电源
V+
8
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3
TLV3541, TLV3542, TLV3544
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TLV3544：D 和 PW 封装
14 引脚 SOIC、TSSOP
俯视图
OUT A
-IN A
+IN A
V+
OUT D
-IN D
+IN D
V-
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
A
D
+IN B
-IN B
OUT B
+IN C
-IN C
OUT C
B
C
8
引脚功能: TLV3544
引脚
TLV3544
I/O
说明
名称
PW
(TSSOP)
D (SOIC)
–IN A
–IN B
–IN C
–IN D
+IN A
+IN B
+IN C
+IN D
OUT A
OUT B
OUT C
OUT D
V–
2
6
2
I
I
反相输入，通道 A
反相输入，通道 B
反相输入，通道 C
反相输入，通道 D
同相输入，通道 A
同相输入，通道 B
同相输入，通道 C
同相输入，通道 D
输出，通道 A
6
9
9
I
13
3
13
3
I
I
5
5
I
10
12
1
10
12
1
I
I
O
O
O
O
—
—
7
7
输出，通道 B
8
8
输出，通道 C
14
11
4
14
11
4
输出，通道 D
负（最低）电源
正（最高）电源
V+
4
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6 技术规格
6.1 绝对最大额定值
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
7.5
单位
V
电源电压，V+ 至 V−
信号输入端子(2)
电压
(V–) – (0.5)
-10
(V+) + 0.5
10
V
信号输入端子(2)
输出短路(3)
mA
电流
连续
工作温度，TA
-55
-65
150
150
150
°C
°C
°C
温度
结温，TJ
存储温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值下所列值的应力可能会对器件造成永久损坏。这些仅为在应力额定值下的工作情况，对于额定值下的器件的功能性操
作以及在超出推荐的操作条件下的任何其它操作，在此并未说明。在绝对最大额定值条件下长时间运行会影响器件可靠性。
(2) 输入引脚被二极管钳制至电源轨。摆幅超过电源轨 0.5V 的输入信号的电流必须限制在 10mA 或者更少。
(3) 对地短路，每个封装对应一个放大器。
6.2 ESD 额定值
值
单位
人体放电模式 (HBM)，符合 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001(1)
组件充电模式 (CDM)，符合 JEDEC 规范 JESD22-C101(2)
1000
250
V(ESD)
静电放电
V
(1) JEDEC 文档 JEP155 规定：500V HBM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文档 JEP157 规定：250V CDM 能够在标准 ESD 控制流程下安全生产。
6.3 建议的工作条件
在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
2.5
标称值
最大值
5.5
单位
V
VS
电源电压，V– to V+
指定温度范围
-40
125
°C
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6.4 热性能信息: TLV3541
TLV3541
热指标(1)
D (SOIC)
8 引脚
123.8
68.7
DBV (SOT-23)
5 引脚
216.3
单位
RθJA
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
84.3
64.5
43.1
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
23.0
3.8
ψJB
64.0
42.3
RθJC(bot)
不适用
不适用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 (SPRA953)。
6.5 热性能信息：TLV3542
TLV3542
热指标(1)
D (SOIC)
DGK (VSSOP)
8 引脚
175.9
单位
8 引脚
113.9
60.4
RθJA
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
67.8
54.1
97.1
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
17.1
9.3
ψJB
53.6
95.5
RθJC(bot)
不适用
不适用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 (SPRA953)。
6.6 热性能信息：TLV3544
TLV3544
热指标(1)
D (SOIC)
PW (TSSOP)
14 引脚
92.6
单位
14 引脚
83.8
RθJA
结至环境热阻
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
70.7
27.5
59.5
33.6
ψJT
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
11.6
1.9
ψJB
37.7
33.1
RθJC(bot)
不适用
不适用
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅《半导体和 IC 封装热指标》 (SPRA953)。
6
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6.7 电气特性：VS = 2.7V 至 5.5V 单电源
在 TA = 25°C，RF = 0Ω，RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
VOS
输入失调电压
TA = 25°C 时，VS = 5V
±2
±10
mV
dVOS/dT
输入偏移电压与温度间的关系
TA = −40°C 至 +125°C 时，VS = 5V
±4.5
μV/°C
VS = 2.7V 至 5.5V，
VCM = (VS/2) − 0.55V
PSRR
输入偏移电压与电源间的关系
60
70
dB
输入偏置电流
IB
输入偏置电流
3
pA
pA
IOS
噪声
en
输入失调电流
±1
输入电压噪声密度
电流噪声密度
f = 1MHz
f = 1MHz
7.5
50
nV/√Hz
fA/√Hz
in
输入电压范围
VCM
共模电压范围
(V−) − 0.1
(V+)+0.1
V
TA = 25°C 时，VS = 5.5V，–0.1V <
VCM < 3.5V
66
80
68
dB
CMRR
输入阻抗
共模抑制比
TA = 25°C 时，VS = 5.5V，–0.1V <
VCM < 5.6V
56
dB
差模
共模
1013 || 2
1013 || 2
Ω || pF
Ω || pF
开环增益
AOL
TA = 25°C 时，VS = 5V，0.3V < VO
< 4.7V
开环增益
92
108
dB
频率响应
G = +1，VO = 10mV
RF = 25Ω
200
MHz
f−3dB
小信号带宽
G = +2，VO = 10mV
G = +10
90
100
40
MHz
MHz
MHz
V / μs
V/μs
GBW
f0.1dB
增益带宽积
0.1-dB 增益平坦度的带宽
G = +2，VO = 10mV
VS = 5V，G = +1，4V 阶跃
VS = 5V，G = +1，2V 阶跃
150
130
SR
压摆率
G = +1，VO = 200mVPP
10% 至 90%
，
2
11
30
ns
ns
ns
上升和下降时间
G = +1，VO = 2VPP，10% 至 90%
0.1%，VS = 5V，G = +1，
2V 输出阶跃
趋稳时间
0.01%，VS = 5V，G = +1，
2V 输出阶跃
60
5
ns
ns
过载恢复时间
VIN × 增益 = VS
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7
TLV3541, TLV3542, TLV3544
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电气特性：VS = 2.7V 至 5.5V 单电源 (continued)
在 TA = 25°C，RF = 0Ω，RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
频率响应（续）
G = +1，f = 1MHz，VO = 2VPP
RL = 200Ω，VCM = 1.5V
，
，
第二谐波
第三谐波
–75
-83
dBc
dBc
谐波失真
G = +1，f = 1MHz，VO = 2VPP
RL = 200Ω，VCM = 1.5V
差分增益误差
差分相位误差
NTSC，RL = 150Ω
NTSC，RL = 150Ω
0.02%
0.09
-100
-84
°
TLV3542
TLV3544
dB
dB
通道至通道串扰
f = 5MHz
输出
相对于电源轨的电压输出摆幅
输出电流，单路、双路、四路(1)(2)
TA = 25°C 时，VS = 5V，RL = 1kΩ
0.1
0.3
V
mA
mA
Ω
IO
VS = 5V
100
VS = 3V
50
0.05
35
闭环输出阻抗
开环输出电阻
f < 100kHz
RO
Ω
电源
VS
额定电压范围
工作电压范围
2.7
2.5
5.5
5.5
V
V
TA = 25°C，VS = 5V，
IO = 0
IQ
静态电流（每个放大器）
5.2
6.5
mA
温度范围
额定温度范围
-40
-55
-65
125
150
150
°C
°C
°C
(3)
工作温度范围
储存温度
热关断
关断温度
160
140
°C
°C
关断复位温度
(1) 请参阅有关输出电压摆幅与输出电流间的关系（图 13 和 图 14）的典型特性曲线。
(2) 根据设计确定。
(3) 在此温度范围内工作将不会损坏部件。不过，可能出现性能下降。
8
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6.8 典型特性
在 TA = 25°C，VS = 5V，G = +1、RF = 0Ω，RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得，除非另有说明。
3
3
VO = 10 mVpp, RF = 604W
G = +1
0
0
G = +2
G = +5
-3
-3
G = -1
G = -2
G = +10
-6
-6
G = -5
-9
-9
G = -10
-12
-12
-15
-15
100k
1M
10M
100M
1000M
100k
1M
10M
100M
1G
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
C004
RF = 604Ω
VO = 10mVpp
图 2. 反相小信号频率响应
图 1. 同相小信号频率响应
Time (20ns/div)
Time (20ns/div)
图 3. 同相小信号阶跃响应
RL = 10 kΩ
图 4. 同相大信号阶跃响应
3
9
6
0
-3
CL = 100 pF
3
0
RL = 1 kΩ
CL = 47 pF
CL = 5 pF
-6
-3
-6
-9
-12
-15
RL = 100 Ω
RL = 50 Ω
-9
-12
-15
100k
1M
10M
100M
1000M
100k
1M
10M
100M
1000M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
C004
C004
VO = 10mVpp
VO = 10mVpp
G = +1，RF = 0Ω
CL = 0pF
G = +1，RS = 0Ω
图 5. 不同 RL 值对应的频率响应
图 6. 不同 CL 值对应的频率响应
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典型特性 (接下页)
在 TA = 25°C，VS = 5V，G = +1、RF = 0Ω，RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得，除非另有说明。
160
9
For 0.1dB
140
Flatness
CL = 5.6 pF, RS = 0 Ω
6
3
120
100
80
60
40
20
0
0
CL = 47 pF, RS = 140 Ω
CL = 100 pF, RS = 120 Ω
-3
-6
V
R
IN
S
V
TLV3541
O
-9
C
1kW
L
-12
-15
1
1k
100k
1M
10M
100M
1000M
10
100
Capacitive Load (pF)
Frequency (Hz)
C004
G = +1，VO
=
10mVpp
图 7. 推荐的 RS 与电容负载间的关系
图 8. 频率响应与电容负载间的关系
100
80
60
40
20
0
180
160
140
120
100
80
CMRR
Phase
PSRR+
PSRR-
60
40
Gain
20
0
-20
-40
10k
100k
1M
10M
100M
1G
10
100
1k
10k 100k
1M
10M 100M 1G
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图 9. 共模抑制比和电源抑制比与频率间的关系
图 10. 开环增益和相位
10k
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1k
100
10
dP
dG
1
-55 -35 -15
5
25
45
65
85 105 125 135
1
2
3
4
Temperature (°C)
Number of 150W Loads
图 11. 复合视频差分增益和相位
图 12. 输入偏置电流与温度间的关系
10
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典型特性 (接下页)
在 TA = 25°C，VS = 5V，G = +1、RF = 0Ω，RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得，除非另有说明。
3
2
1
0
5
4
3
2
1
0
+25°C
+125°C
-55°C
+125°C
+25°C
-55°C
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Output Current (mA)
Output Current (mA)
图 13.
图 14.
VS = 3V 时输出电压摆幅与输出电流间的关系
VS = 5V 时输出电压摆幅与输出电流间的关系
6
5
4
3
2
1
0
100
10
VS = 5.5V
Maximum Output
Voltage without
Slew Rate-
Induced Distortion
1
VS = 2.7V
0.1
TLV3541
ZO
0.01
100k
1M
10M
100M
1G
1
10
Frequency (MHz)
100
Frequency (Hz)
图 15. 闭环输出阻抗与频率间的关系
图 16. 最大输出电压与频率间的关系
0.5
0.4
0.3
VO = 2VPP
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.4
-0.5
-8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1
0
1
2
3
4
5
6
7 8
0
10
20 30
40
50
60
70
80
90 100
Offset Voltage (mV)
Time (ns)
图 18. 偏移电压产生分布图
图 17. 到 0.1% 的输出趋稳时间
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典型特性 (接下页)
在 TA = 25°C，VS = 5V，G = +1、RF = 0Ω，RL = 1kΩ 且连接至 VS/2 的条件下测得，除非另有说明。
0
-20
-40
TLV4354
-60
TLV2354
-80
-100
-120
100k
1M
10M
100M
1G
Frequency (Hz)
图 19. 通道至通道串扰
12
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7 详细 说明
7.1 概述
TLV354x 是一种为视频、高速及其他应用而设计的 CMOS、轨至轨 I/O、高速、电压反馈 运算放大器。该器件可
作为单路、双路或四路运算放大器使用。
该放大器 采用 100MHz 增益带宽和 150V/μs 转换率，而且具有稳定的单位增益，可作为 +1V/V 电压跟随器运行。
7.2 功能框图
V+
Reference
Current
VIN+
VIN
-
VBIAS1
Class AB
Control
Circuitry
VO
VBIAS2
V-
(Ground)
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7.3 特性 说明
7.3.1 工作电压
TLV354x 的额定电源范围为 2.7V 至 5.5V（±1.35V 至 ±2.75V）。但是，实际的电源电压可能介于 2.5V 至
5.5V（±1.25V 至 ±2.75V）之间。高于 7.5V（绝对最大值）的电源电压会对放大器造成永久性损坏。
典型特性部分介绍了随电源电压或温度而变化的某些参数。
7.3.2 轨至轨输入
TLV354x 的额定输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展了 100mV。此扩展范围由一个互补输入级实现：一个
N 通道输入差分对和一个与之并联的 P 通道差分对，如功能框图所示。当输入电压接近正轨，通常在 (V+) – 1.2V
至高于正电源电压 100mV 之间时，N 通道对有效；而当输入在低于负电源电压 100mV 至大约 (V+) – 1.2V 之间
时，P 通道对打开。在介于 (V+) – 1.5V 和 (V+) – 0.9V 之间的典型值区域内，两个通道对都打开。此 600mV 转换
区域可能会随工艺不同而波动 ±500mV。因此，此转换区域（两个输入级都打开）在低端上的范围介于 (V+)
2.0V 至 (V+) – 1.5V 之间，在高端上的范围高达 (V+) – 0.9V 至 (V+) – 0.4V。
–
双折共源共栅从两个输入对中添加信号，并且将差分信号提供到 AB 类输出级。
7.3.3 轨至轨输出
采用具有共源晶体管的 AB 类输出级来实现轨至轨输出。对于高阻抗负载 (> 200Ω)，输出电压摆幅通常在距离电源
轨 100mV 范围内。在 10Ω 负载下，可在保持高开环增益的同时实现有用输出摆幅。请参阅有关输出电压摆幅与输
出电流间的关系（图 13 和 图 14）的典型特性曲线。
7.3.4 输出驱动
TLV354x 输出级可提供 ±100mA 的持续输出电流，并且在 5V 电源供电的条件下提供大约 2.7V 的输出摆幅，如图
20 中所示。为确保最大可靠性，不建议运行超过 ±100mA 的持续直流电流。请参阅有关输出电压摆幅与输出电流
间的关系（图 13 和 图 14）的典型特性曲线。如需提供大于 ±100mA 的持续输出电流，可将 TLV354x 并行运行，
如图 21 中所示。
R2
+
1kW
V1
5V
-
C1
50pF
1mF
R1
V+
10kW
TLV3541
R3
V-
RSHUNT
10kW
VIN
+
1W
R4
-
1kW
1V In = 100mA
Out, as Shown
Laser Diode
图 20. 激光二极管驱动器
TLV354x 提供高达 200mA 的峰值电流，相当于典型短路电流。因此，还提供了片上热关断电路以保护 TLV354x
免受危险高结温损坏。当达到 160°C 时，保护电路会关断放大器。当结温被冷却至 +140°C 以下时，系统恢复正常
运行。
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特性 说明 (接下页)
R2
10kW
C1
200pF
+5V
1mF
R1
100kW
R5
1W
TLV3542
R3
100kW
+
-
R6
RSHUNT
2V In = 200mA
Out, as Shown
1W
1W
TLV3542
R4
10kW
Laser Diode
图 21. 并行运行
7.3.5 视频
TLV354x 输出级能够驱动标准后设终端 75Ω 视频电缆，如图 22 中所示。通过后设端接的传输线，该器件不能向
其驱动器显示电容负载。正确后设终端 75Ω 电缆并不显示为电容；该器件可为 TLV354x 输出提供 150Ω 电阻负
载。
+5V
Video
In
75W
Video
Output
TLV3541
75W
+2.5V
604W
604W
+2.5V
图 22. 单电源视频线路驱动器
TLV3542 可用作 RGB 图形信号的放大器，通过信号的偏移和交流耦合在视频黑电平处具有零电压。请参阅 图
23。
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特性 说明 (接下页)
604W
+3V
+
1mF
10nF
V+
604W
75W
1/2
Red
75W
R1
Red(1)
TLV3542
R2
V+
R1
Green(1)
75W
1/2
Green
75W
604W
TLV3542
R2
604W
604W
+3V
+
1mF
10nF
V+
604W
75W
Blue
75W
R1
Blue(1)
TLV3541
R2
(1) 源视频信号于接地上方偏移 300mV 以适应运算放大器的摆幅接地功能。
图 23. RGB 电缆驱动器
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特性 说明 (接下页)
7.3.6 驱动模数转换器
TLV354x 系列运算放大器到 0.01% 精度的趋稳时间为 60ns，堪称驱动中高速采样模数转换器和缓冲参考电路的理
想选择。TLV354x 系列不仅提供信号增益，同时还能有效缓冲模数转换器输入电容并实现电荷注入。对于 需要 高
直流精度的应用，TI 建议使用 OPA350 系列。
图 24 展示了驱动模数转换器的 TLV3541。借助采用反相配置的 TLV3541，反馈电阻器的电容器可滤除信号中的
高频噪声。
+5 V
1 kW
10 kW
VIN
VREF
V+
ADS7816, ADS7861,
+In
or ADS7864
TLV3541
12-Bit A/D Converter
+2.5 V
-In
GND
VIN = 2.3 V to 2.7 V signal (2.5 V DC + 400 mVpp AC)
NOTE: A/D converter input = 0 V to VREF
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图 24. 由采用反相配置的 TLV3541 驱动 ADS7816
7.3.7 电容负载和稳定性
TLV354x 系列运算放大器可驱动宽范围的电容负载。不过在某些特定情况下，所有运算放大器都可能会变得不稳
定。在确定稳定性时，运算放大器配置、增益和负载值不过是其中几个要考虑的因素。采用单位增益配置的运算放
大器最容易受到电容负载的影响。电容负载受器件输出电阻和任何其他负载电阻的影响，在小信号响应中生成一个
使相位裕度降低的极点。请参阅有关不同 CL 值对应的频率响应（图 6）的典型特性曲线，了解详细信息。
TLV354x 拓扑可增强驱动电容负载的能力。如采用单位增益，这些运算放大器在大电容负载下表现良好。请参阅有
关推荐的 RS 与电容负载间的关系（图 7）和 频率响应与电容负载间的关系（图 8）的典型特性曲线，了解详细信
息。
增强单位增益配置条件下电容负载驱动能力的方法之一就是给输出串联插入一个 10Ω 到 20Ω 的电阻，如图 25 中
所示。此配置将大幅减少与大电容负载相关的振铃。请参阅有关频率响应与电容负载间的关系（图 8）的典型特性
曲线。但是，如果电阻负载与电容负载并联，RS 会生成一个分压器。这种分压会在输出上引入直流误差并略微减
少输出摆幅。此误差可能微不足道。例如，在 RL = 10kΩ 和 RS = 20Ω 的条件下，在输出上存在大约 0.2% 的误
差。
V+
RS
VOUT
TLV3541
VIN
RL
CL
图 25. 采用单位增益配置的系列电阻器可增强电容负载驱动能力
7.3.8 宽带互阻抗放大器
TLV354x 具有宽带宽、低输入偏置电流、低输入电压和低电流噪声，因此，这款宽带光电二极管互阻抗放大器非常
适合低电压、单电源 应用。低电压噪声十分重要，因为光电二极管电容会在高频时导致电路的有效噪声增益增加。
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特性 说明 (接下页)
如图 26 中所示，互阻抗设计的关键在于 TLV354x 的期望二极管电容（包括 TLV354x 的寄生输入共模和差模输入
电容 (2 + 2) pF）、所需互阻抗增益 (RF) 以及增益带宽积 (GBW) （典型值 100MHz）。在确定好这三个变量后，
可通过设置反馈电容器值 (CF) 来控制频率响应。
CF
< 1pF
(prevents gain peaking)
RF
10MW
+V
l
CD
VOUT
TLV3541
图 26. 互阻抗放大器
为实现平稳二阶巴特沃斯频率响应，必须如公式 1 中所示设置反馈极点：
GBP
4pRFCD
1
=
2pRFCF
(1)
典型表面贴装电阻器具有大约 0.2pF 的寄生电容，必须将其从反馈电容的计算值中扣除。利用公式 2 来计算带宽：
GBP
f
=
Hz
-3dB
2pRFCD
(2)
如果互阻抗带宽非常高，还可以使用高速 CMOS OPA355 (200MHz GBW) 或者 OPA655 (400MHz GBW)。
7.4 器件功能模式
TLV354x 具有双重功能模式，可在电源电压大于 2.5V (±1.25V) 的条件下正常运行。TLV354x 的最大电源电压为
5.5V (±2.75V)。当达到 +160°C 时，保护电路会关断放大器。当结温被冷却至 +140°C 以下时，系统恢复正常运
行。
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8 应用和实现
注
以下 应用 部分的信息不属于 TI 组件规范，TI 不担保其准确性和完整性。客户应负责确定
TI 组件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计是否能够实现，以确保系统功能。
8.1 应用信息
TLV354x 是宽带宽、低噪声、轨至轨输入和输出放大器。这些器件的工作电压介于 2.5V 至 5.5V 之间，单位增益
稳定，适合各类通用 应用。 输入共模电压范围包括两个电源轨，并允许在任何单电源应用中使用 TLV354x 器件。
轨至轨输入和输出摆幅可大幅扩大动态范围（尤其在低电源 应用中），因此该器件是驱动模数转换器 (ADC) 的理
想器件。
TLV354x 系列器件 具有 200MHz 带宽和 150V/μs 转换率，仅有 7.5nV/√Hz 宽带噪声。
8.2 典型应用
运算放大器的典型应用是反相放大器（如 图 27 中所示）。反相放大器在输入端采用正电压，然后输出与输入端反
相的信号，生成相同幅度的负电压。此类放大器以相同的方式使负输入电压在输出端变为正电压。此外，通过选择
输入电阻器 RI 和反馈电阻器 RF，可以增加放大效果。
RF
VSUP+
RI
VOUT
+
VIN
VSUP-
图 27. 应用电路原理图
8.2.1 设计要求
选择的电源电压必须大于输入电压范围和期望输出范围。必须考虑输入共模范围 (VCM) 和相对于电源轨的输出电压
摆幅 (VO) 的限值。例如，此应用将 ±0.5V (1V) 的信号扩展到 ±1.8V (3.6V)。将电源设置在 ±2.5V 就足以适应此应
用。
8.2.2 详细设计流程
使用 公式 3 和 公式 4 来确定反相放大器需要的增益：
VOUT
AV
=
V
IN
(3)
(4)
1.8
AV
=
= -3.6
-0.5
确定所需增益后，请选择 RI 或 RF 的值。由于放大器电路使用毫安级的电流，因此通用 应用 需要选择千欧姆范围
的值。此毫安电流范围确保了该器件不会消耗过多电流。需要权衡的是，大电阻器（十万欧姆级别）消耗的电流最
小，但产生的噪声最大。小电阻器（百欧姆级别）生成的噪声小，但消耗电流大。此示例使用的 RI 为 10kΩ，这意
味着对 RF 使用的值为 36kΩ。这些值是通过 公式 5 确定的：
RF
AV = -
RI
(5)
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典型应用 (接下页)
8.2.3 应用曲线
2
1.5
1
Input
Output
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
Time
图 28. 反相放大器输入和输出
8.3 系统示例
当接收到低电平信号时，经常需要限制即将进入系统的信号的带宽。建立这个受限带宽的最简单的方法是在放大器
的同相端子上放置一个 RC 滤波器，如 图 29 中所示。
RG
RF
R1
VOUT
VIN
C1
1
2pR1C1
f
=
-3 dB
VOUT
VIN
RF
1
1 + sR1C1
=
1 +
(
(
RG
图 29. 单极低通滤波器
20
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系统示例 (接下页)
如果需要更多的衰减，需要多个极点滤波器。对于此任务，可使用 Sallen-Key 滤波器，如图 30 中所示。为了获得
最佳结果，放大器的带宽必须是滤波器频率带宽的八到十倍。不遵守这一准则可能导致放大器出现相移。
C1
R1 = R2 = R
C1 = C2 = C
R1
R2
Q = Peaking factor
(Butterworth Q = 0.707)
VIN
VOUT
C2
1
2pRC
f
=
-3 dB
RF
RF
RG
=
1
2 -
RG
(
(
Q
图 30. 两极低通 Sallen-Key 滤波器
9 电源相关建议
尽管 TLV354x 系列可以在 2.5V 至 5.5V（±1.25V 至 ±2.75V）的电压范围内运行，但其额定电压范围为 2.7V 至
5.5V（±1.35V 至 ±2.75V）；多种技术规格适用于 –40°C 至 +125°C 的温度范围。典型特性中提供的参数可能会随
工作电压或温度的不同而出现显著变化。
CAUTION
电源电压超过 7.5V 可能会对器件造成永久损坏。（请参阅绝对最大额定值表格）。
将 0.1μF 旁路电容器置于电源引脚附近，可在从高噪声电源或高阻抗电源耦合的过程中减少误差。有关旁路电容器
放置的更多详细信息，请参阅布局准则。
9.1 输入和 ESD 保护
TLV354x 系列在所有引脚上均整合了内部静电放电 (ESD) 保护电路。在输入和输出引脚的情况下，这种保护主要
包括连接在输入和电源引脚间的导流二极管。只要电流如绝对最大额定值表中所述限制为 10mA，这些 ESD 保护
二极管还能提供电路内的输入过驱保护。图 31 显示了如何通过将串联输入电阻器添加到被驱动的输入端来限制输
入电流。添加的电阻器会增加放大器输入端的热噪声；在对噪声敏感的应用中，该噪声必须保持在最低 水平的输出
电流传感电阻器和运算放大器而得以实现。
V+
IOVERLOAD
10-mA max
VOUT
Device
VIN
5 kW
图 31. 输入电流保护
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10 布局
10.1 布局准则
为了实现器件的最佳运行性能，应使用良好的印刷电路板 (PCB) 布局规范，包括：
•
噪声可通过全部电路电源引脚以及运算放大器传入模拟电路。通过使用旁路电容器提供模拟电路的本地低阻
抗电源，可减少耦合噪声。
–
在每个电源引脚和接地端之间连接低 ESR 0.1µF 陶瓷旁路电容器，放置位置尽量靠近器件。从 V+ 到接
地端的单个旁路电容器适用于单电源 应用的输出电流传感电阻器和运算放大器而得以实现。
•
将电路的模拟和数字部分单独接地是最简单和最有效的噪声抑制方法之一。多层 PCB 中通常将一层或多层
专门作为接地层。接地层有助于散热和降低电磁干扰 (EMI) 噪声拾取。确保对数字接地和模拟接地进行物理
隔离，同时应注意接地电流。
•
•
为了减少寄生耦合，请让输入走线尽可能远离电源或输出走线。如果这些走线不能保持分离状态，让敏感走
线与有噪声的走线垂直相交比平行相交好得多。
外部组件的位置应尽量靠近器件。请让 RF 和 RG 接近反相输入，以便最大限度减小寄生电容（如图 32 中
所示）。
•
•
尽可能缩短输入走线。切记：输入走线是电路中最敏感的部分。
考虑在关键走线周围设定驱动型低阻抗保护环。这样可显著减少附近走线在不同电势下产生的泄漏电流。
10.2 布局示例
VIN
+
VOUT
RG
RF
(Schematic Representation)
Place components
close to the device and
to each other to reduce
parasitic errors.
Run the input traces
as far away from
the supply lines
as possible.
VS+
RF
N/C
N/C
V+
RG
GND
VIN
GND
œIN
+IN
Vœ
OUTPUT
N/C
Use a low-ESR, ceramic
bypass capacitor.
GND
Use a low-ESR,
ceramic bypass
capacitor.
VOUT
VSœ
Ground (GND) plane on another layer.
图 32. 同相配置的运算放大器电路板布局
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11 器件和文档支持
11.1 文档支持
11.1.1 相关文档
使用 TLV354x 器件时，TI 推荐使用以下参考文档。除非另外注明，否则这些文档均可从 www.ti.com 下载。
•
•
《运算放大器应用 手册》 (SBOA092).
《模拟工程师速查参考》（文献编号：SLYW038）。
11.2 相关链接
表 1 列出了快速访问链接。类别包括技术文档、支持与社区资源、工具和软件，以及申请样片或购买产品的快速链
接。
表 1. 相关链接
器件
产品文件夹
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请单击此处
请单击此处
样片与购买
请单击此处
请单击此处
请单击此处
技术文档
请单击此处
请单击此处
请单击此处
工具和软件
请单击此处
请单击此处
请单击此处
支持和社区
请单击此处
请单击此处
请单击此处
TLV3541
TLV3542
TLV3544
11.3 接收文档更新通知
如需接收文档更新通知，请访问 ti.com 上的器件产品文件夹。点击右上角的提醒我 (Alert me) 注册后，即可每周定
期收到已更改的产品信息。有关更改的详细信息，请查看任意已修订文档中包含的修订历史记录。
11.4 社区资源
下列链接提供到 TI 社区资源的连接。链接的内容由各个分销商“按照原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，
并且不一定反映 TI 的观点；请参阅 TI 的 《使用条款》。
TI E2E™ 在线社区 TI 的工程师对工程师 (E2E) 社区。此社区的创建目的在于促进工程师之间的协作。在
e2e.ti.com 中，您可以咨询问题、分享知识、拓展思路并与同行工程师一道帮助解决问题。
设计支持
TI 参考设计支持 可帮助您快速查找有帮助的 E2E 论坛、设计支持工具以及技术支持的联系信息。
11.5 商标
E2E is a trademark of Texas Instruments.
All other trademarks are the property of their respective owners.
11.6 静电放电警告
这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损
伤。
11.7 Glossary
SLYZ022 — TI Glossary.
This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.
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12 机械、封装和可订购信息
以下页面包括机械、封装和可订购信息。这些信息是指定器件的最新可用数据。这些数据发生变化时，我们可能不
会另行通知或修订此文档。如欲获取此产品说明书的浏览器版本，请参见左侧的导航栏。
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TLV3541IDBVR
TLV3541IDBVT
TLV3541IDR
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SOT-23
SOIC
DBV
DBV
D
5
5
3000 RoHS & Green
250 RoHS & Green
NIPDAU
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
Level-2-260C-1 YEAR
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
17MD
17MD
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAU
NIPDAU
8
2500 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
TL3541
18TE
TLV3542IDGKR
TLV3542IDGKT
TLV3542IDR
VSSOP
VSSOP
SOIC
DGK
DGK
D
8
NIPDAUAG | SN
NIPDAUAG | SN
NIPDAU
8
250
RoHS & Green
18TE
8
2500 RoHS & Green
2500 RoHS & Green
2000 RoHS & Green
TL3542
TLV3544A
TLV3544IDR
SOIC
D
14
14
NIPDAU
TLV3544IPWR
TSSOP
PW
NIPDAU
TLV
3544
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
21-Dec-2022
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF TLV3544 :
Automotive : TLV3544-Q1
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Automotive - Q100 devices qualified for high-reliability automotive applications targeting zero defects
•
Addendum-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
1.45
0.90
B
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
5
(0.1)
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
1.9
(0.15)
4
3
0.5
5X
0.3
0.15
0.00
(1.1)
TYP
0.2
C A B
NOTE 5
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
0
TYP
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214839/G 03/2023
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Refernce JEDEC MO-178.
4. Body dimensions do not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.25 mm per side.
5. Support pin may differ or may not be present.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0005A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
5X (1.1)
1
5
5X (0.6)
SYMM
(1.9)
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214839/G 03/2023
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
www.ti.com
PACKAGE OUTLINE
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SCALE 2.800
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
C
SEATING PLANE
.228-.244 TYP
[5.80-6.19]
.004 [0.1] C
A
PIN 1 ID AREA
6X .050
[1.27]
8
1
2X
.189-.197
[4.81-5.00]
NOTE 3
.150
[3.81]
4X (0 -15 )
4
5
8X .012-.020
[0.31-0.51]
B
.150-.157
[3.81-3.98]
NOTE 4
.069 MAX
[1.75]
.010 [0.25]
C A B
.005-.010 TYP
[0.13-0.25]
4X (0 -15 )
SEE DETAIL A
.010
[0.25]
.004-.010
[0.11-0.25]
0 - 8
.016-.050
[0.41-1.27]
DETAIL A
TYPICAL
(.041)
[1.04]
4214825/C 02/2019
NOTES:
1. Linear dimensions are in inches [millimeters]. Dimensions in parenthesis are for reference only. Controlling dimensions are in inches.
Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed .006 [0.15] per side.
4. This dimension does not include interlead flash.
5. Reference JEDEC registration MS-012, variation AA.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
SEE
DETAILS
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:8X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED
METAL
EXPOSED
METAL
.0028 MAX
[0.07]
.0028 MIN
[0.07]
ALL AROUND
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
D0008A
SOIC - 1.75 mm max height
SMALL OUTLINE INTEGRATED CIRCUIT
8X (.061 )
[1.55]
SYMM
1
8
8X (.024)
[0.6]
SYMM
(R.002 ) TYP
[0.05]
5
4
6X (.050 )
[1.27]
(.213)
[5.4]
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON .005 INCH [0.125 MM] THICK STENCIL
SCALE:8X
4214825/C 02/2019
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
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相关型号：
TLV3542IDGKT
双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 | DGK | 8 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3542IDR
双通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 | D | 8 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3544
四通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3544-Q1
汽车类 250MHz 轨到轨 I/O CMOS 四路运算放大器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3544IDR
四通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 | D | 14 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3544IPWR
四通道 200MHz RRIO CMOS 运算放大器 | PW | 14 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3544QPWRQ1
汽车类 250MHz 轨到轨 I/O CMOS 四路运算放大器 | PW | 14 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3601
TLV3601, TLV3603 325 MHz High-Speed Comparator with 2.5 ns Propagation DelayWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3601-Q1
TLV3601, TLV3603 325 MHz High-Speed Comparator with 2.5 ns Propagation DelayWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3601-Q1_V01
TLV3601-Q1, TLV3603-Q1 325 MHz High-Speed Comparator with 2.5 ns Propagation DelayWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3601-Q1_V02
TLV3601-Q1, TLV3603-Q1 325 MHz High-Speed Comparator with 2.5 ns Propagation DelayWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV3601DBVR
具有推挽输出的 2.5ns 高速轨至轨比较器 | DBV | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
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