MT3S06T [TOSHIBA]

MT6L57AE;
MT3S06T
型号: MT3S06T
厂家: TOSHIBA    TOSHIBA
描述:

MT6L57AE

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MT6L57AE  
東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形  
MT6L57AE  
VHF~UHF 帯低雑音増幅用/低電圧動作·低位相雑音タ  
単位: mm  
イプ  
·
超小型·薄型エクストリームスーパーミニ (6ピン) ES6パッケージに 2素  
子を内蔵しています。  
搭載チップ  
Q1: SSM (TESM)  
Q2: SSM (TESM)  
相当する 3 ピン  
(SSM/TESM)  
モールド製品  
MT3S06S  
MT3S04AS  
(MT3S06T)  
(MT3S04AT)  
最大定格 (Ta = 25°C)  
Q1  
Q2  
単位  
JEDEC  
JEITA  
コ レ ク タ ・ ベ ー ス 間 電 圧  
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧  
エ ミ ッ タ ・ ベ ー ス 間 電 圧  
V
V
V
10  
5
10  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
2-2N1C  
1.5  
15  
7
2
V
質量: 0.003 g (標準)  
I
40  
10  
mA  
mA  
C
I
B
P
C
100  
125  
mW  
(1)  
T
°C  
°C  
j
T
-55~125  
stg  
1: Q1Q2 トータルの許容損失  
現品表示  
内部接続  
1
2003-03-28  
                                                 
                                                 
                                                 
                                                 
MT6L57AE  
電気的特性 Q1 (Ta = 25°C)  
最小  
標準  
最大  
単位  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
= 5 V, I = 0  
¾
¾
70  
7
¾
¾
0.1  
1
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
I
= 1 V, I = 0  
C
EBO  
h
= 1 V, I = 5 mA  
¾
140  
¾
FE  
C
f
= 3 V, I = 5 mA  
10  
GHz  
dB  
T
C
ïS ï2 (1)  
= 1 V, I = 5 mA, f = 2 GHz  
¾
4.5  
¾
¾
¾
7.5  
8
¾
21e  
C
ïS ï2 (2)  
= 3 V, I = 7 mA, f = 2 GHz  
¾
21e  
C
NF (1)  
NF (2)  
= 1 V, I = 3 mA, f = 2 GHz  
1.7  
1.6  
0.35  
3
C
dB  
pF  
= 3 V, I = 3 mA, f = 2 GHz  
3
C
C
re  
= 1 V, I = 0, f = 1 MHz  
(2)  
0.75  
E
2:  
C
re  
3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。  
電気的特性 Q2 (Ta = 25°C)  
最小  
標準  
最大  
単位  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
= 5 V, I = 0  
¾
¾
80  
2
¾
¾
0.1  
1
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
I
= 1 V, I = 0  
C
EBO  
h
= 1 V, I = 5 mA  
¾
160  
¾
FE  
C
f
f
(1)  
= 1 V, I = 5 mA  
4.5  
7
T
C
GHz  
dB  
(2)  
= 3 V, I = 7 mA  
5
¾
T
C
ïS ï2 (1)  
= 1 V, I = 5 mA, f = 1 GHz  
¾
7.5  
¾
¾
¾
8.5  
11  
1.3  
1.2  
0.9  
¾
21e  
C
ïS ï2 (2)  
= 3 V, I = 20 mA, f = 1 GHz  
¾
21e  
C
NF (1)  
NF (2)  
= 1 V, I = 5 mA, f = 1 GHz  
2.2  
2
C
dB  
pF  
= 3 V, I = 7 mA, f = 1 GHz  
C
C
re  
= 1 V, I = 0, f = 1 MHz  
(2)  
1.25  
E
2:  
C
re  
3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。  
取り扱い上の注意  
この製品は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際業台・人・はんだごてなどに対し必ず静電対策を講じてくださ  
い。  
2
2003-03-28  

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