TPCP8205-H [TOSHIBA]
TRANSISTOR 6500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, THIN, 2-3V1S, 8 PIN, FET General Purpose Small Signal;
| 型号： | TPCP8205-H |
| 厂家： | 
TOSHIBA |
| 描述： | TRANSISTOR 6500 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, THIN, 2-3V1S, 8 PIN, FET General Purpose Small Signal 开关 光电二极管 晶体管 |
| 文件： | 总9页 (文件大小：333K) |
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TPCP8205-H
MOSFET シリコンNチャネルMOS形(U-MOS-H)
TPCP8205-H
1. 用途
•
モータドライブ用
•
携帯電子機器用
2. 特長
(1) 小型, 薄型で実装面積が小さい。
(2) スイッチングスピードが速い。
(3) オン抵抗が低い。: RDS(ON) = 20 mΩ (標準) (VGS = 10 V)
(4) 漏れ電流が低い。: IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 30 V)
(5) 取り扱いが簡単な, エンハンスメントタイプです。: Vth = 1.32.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)
3. 外観と内部回路構成図
1: ソース1
2: ゲート1
3: ソース2
4: ゲート2
5, 6: ドレイン2
7, 8: ドレイン1
PS-8
2012-12-13
Rev.4.0
1
TPCP8205-H
4. 絶対最大定格(注) (特に指定のない限り, Ta = 25)
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース間電圧
ゲート・ソース間電圧
VDSS
VGSS
ID
30
±20
V
ドレイン電流(DC)
(注1)
(注1)
6.5
A
ドレイン電流(パルス)
許容損失(1素子通電時)
許容損失(2素子通電時1素子あたり)
許容損失(1素子通電時)
許容損失(2素子通電時1素子あたり)
アバランシェエネルギー(単発)
アバランシェ電流
IDP
26
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(注2),(注4)
(注2),(注5)
(注3),(注4)
(注3),(注5)
(注6)
PD(1)
PD(2)
PD(1)
PD(2)
EAS
IAR
1.48
1.23
0.58
0.36
10.9
6.5
W
mJ
A
アバランシェエネルギー(連続)
チャネル温度
(注2),(注7)
EAR
Tch
0.032
150
mJ
保存温度
Tstg
-55150
注: 本製品の使用条件(使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷(高温および大電流/
高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック(取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および
個別信頼性情報(信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。
5. 熱抵抗特性
項目ꢀꢀ
記号
最大
単位
チャネル・外気間熱抵抗(1素子通電時)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(t = 5 s)
(注2),(注4)
(注2),(注5)
(注3),(注4)
(注3),(注5)
Rth(ch-a)(1)
Rth(ch-a)(2)
Rth(ch-a)(1)
Rth(ch-a)(2)
84.5
101.6
215.5
347.2
/W
チャネル・外気間熱抵抗(2素子通電時1素子あたり)
チャネル・外気間熱抵抗(1素子通電時)
チャネル・外気間熱抵抗(2素子通電時1素子あたり)
注1:チャネル温度が150を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2:ガラスエポキシ基板 実装例a (図5.1) 使用時
注3:ガラスエポキシ基板 実装例b (図5.2) 使用時
注4:1素子通電時では, 片側の素子だけに電力印加した場合の許容損失値, あるいは熱抵抗値を記載します。
注5:2素子通電時では, それぞれの素子に均等に電力印加した場合の1素子あたりの許容損失値, あるいは熱抵抗値を記
載します。
注6:アバランシェエネルギー(単発) 印加条件
VDD = 24 V, Tch = 25 (初期), L = 0.2 mH, RG = 25 Ω, IAR = 6.5 A
注7:連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
図 5.1 ガラスエポキシ基板実装例a
図 5.2 ガラスエポキシ基板実装例b
注意:この製品はMOS構造です。取り扱いの際には静電気にご注意ください。
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6. 電気的特性
6.1. 静的特性(特に指定のない限り, Ta = 25)
項目
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
ゲート漏れ電流
IGSS
IDSS
VGS = ±20 V, VDS = 0 V
22
20
15
±0.1
10
µA
ドレインしゃ断電流
VDS = 30 V, VGS = 0 V
ドレイン・ソース間降伏電圧
V(BR)DSS ID = 10 mA, VGS = 0 V
V(BR)DSX ID = 10 mA, VGS = -20 V
30
15
1.3
V
ゲートしきい値電圧
Vth
VDS = 10 V, ID = 0.1 mA
VGS = 4.5 V, ID = 3.3 A
VGS = 10 V, ID = 3.3 A
VDS = 10 V, ID = 3.3 A
2.3
29
26
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON)
mΩ
順方向伝達アドミタンス
|Yfs|
7.5
S
6.2. 動的特性(特に指定のない限り, Ta = 25)
項目
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
入力容量
帰還容量
出力容量
Ciss
Crss
Coss
tr
VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz
830
53
pF
177
4.1
10.8
11
スイッチング時間(上昇時間)
図6.2.1参照
ns
スイッチング時間(ターンオン時間)
スイッチング時間(下降時間)
ton
tf
スイッチング時間(ターンオフ時間)
toff
31
図 6.2.1 スイッチング時間の測定回路例
6.3. ゲート電荷量特性(特に指定のない限り, Ta = 25)
項目
ゲート入力電荷量
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
Qg
Qgs1
Qgd
VDD ≈ 24 V, VGS = 10 V, ID = 6.5 A
13.8
3
nC
ゲート・ソース間電荷量1
ゲート・ドレイン間電荷量
2.3
6.4. ソースドレイン間の特性(特に指定のない限り, Ta = 25)
項目ꢀꢀꢀꢀ
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
ドレイン逆電流(パルス)
順方向電圧(ダイオード)
(注8)
IDRP
26
A
V
VDSF
IDR = 6.5 A, VGS = 0 V
-1.2
注8:チャネル温度が150を超えることのない放熱条件でご使用ください。
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7. 現品表示
図 7.1 現品表示
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8. 特性図(注)
図 8.1 ID - VDS
図 8.2 ID - VDS
図 8.3 ID - VGS
図 8.4 VDS - VGS
図 8.5 |Yfs| - ID
図 8.6 RDS(ON) - ID
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図 8.7 RDS(ON) - Ta
図 8.8 IDR - VDS
図 8.9 静電容量- VDS
図 8.10 Vth - Ta
図 8.11 PD - Ta
(最大値(保証値))
図 8.12 ダイナミック入出力特性
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図 8.13 rth - tw
(最大値(保証値))
図 8.14 安全動作領域
(最大値(保証値))
注: 特性図の値は, 特に指定のない限り保証値ではなく参考値です。
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外形寸法図
Unit: mm
質量: 0.017 g (typ.)
パッケージ名称
東芝名称: 2-3V1S
通称名: PS-8
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途”という)に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連
機器、航空宇宙機器、医療機器、車載輸送機器、列車船舶機器、交通信号機器、燃焼爆発制御機
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てください。
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本製品のご使用に際しては、特定の物質の含有使用を規制するRoHS指令等、適用ある環境関連法令を十
分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ
た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
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相关型号：
TPCP8303
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