BC850CMTF [UTC]

NPN Epitaxial Silicon Transistor; NPN外延硅晶体管


型号：	BC850CMTF
厂家：	Unisonic Technologies
描述：	NPN Epitaxial Silicon Transistor NPN外延硅晶体管晶体晶体管开关光电二极管
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BC846 ... BC850

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

NPN

Version 2006-06-02

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC847

BC850

BC848

BC849

BC846

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CEO

V_CBO

V_EB0

P_tot

I_C

65 V

80 V

45 V

50 V

30 V

5 V

6 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

100 mA

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

I_CM

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 10 µA

Group A

Group B

Group C

h_FE

–

150

270

–

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

Group A

Group B

Group C

h_FE

110

200

420

180

290

520

220

450

800

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

V_CEsat

–

90 mV

200 mV

250 mV

600 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

V_BEsat

–

700 mV

900 mV

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

BC846 ... BC850

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

V_BE

580 mV

–

660 mV

–

700 mV

720 mV

Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom

V_CB= 30 V, (E open)

V_CE= 30 V, T_j= 125°C, (E open)

I_CB0

–

15 nA

5 µA

Emitter-Base cutoff current

V_EB= 5 V, (C open)

I_EB0

–

100 nA

Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA, f = 100 MHz

Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität

V_CB= 10 V, I_E=i_e= 0, f = 1 MHz

Emitter-Base Capacitance – Emitter-Basis-Kapazität

V_EB= 0.5 V, I_C= i_c= 0, f = 1 MHz

Noise figure – Rauschzahl

f_T

300 MHz

3.5 pF

9 pF

–

6 pF

–

C_CBO

C_EB0

V_CE= 5 V, I_C= 200 µA, R_G= 2 kΩ

f = 1 kHz, Δf = 200 Hz

BC846 ... BC848

BC849 ... BC850

–

2 dB

1.2 dB

10 dB

4 dB

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

R_thA

< 420 K/W ¹)

Recommended complementary PNP transistors

Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren

BC856 ... BC859

BC846B = 1B

Marking of available current gain

groups per type

Stempelung der lieferbare Stromverstärkungs-

gruppen pro Typ

BC846A = 1A

BC847A = 1E

BC848A = 1J

BC847B = 1F

BC848B = 1K

BC849B = 2B

BC850B = 2F

BC847C = 1G

BC848C = 1L

BC849C = 2C

BC850C = 2G

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

http://www.diotec.com/

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