IMW65R030M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。IMW65R030M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术，并经过优化，在毫不折衷的情况下，在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最佳可靠性。 此 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，以提供经济高效的性能。
半导体
INFINEON
2153412111
Pre-Crimped Lead Mini-Fit Jr. Female-to-Pigtail, Tin (Sn) Plating, 75.00mm Length, 18 AWG, Red
暂无信息
MOLEX
STM32G041C6T3TR
Arm® Cortex®-M0 32-bit MCU, up to 64 KB Flash, 8 KB RAM, 2x USART, timers, ADC, comm. I/Fs, AES, RNG, 1.7-3.6V
暂无信息
STMICROELECTR
DRV8714-Q1_V03
DRV871x-Q1 Automotive Multi-Channel Smart Half-Bridge Gate Drivers With Wide Common Mode Inline Current Sense Amplifiers
栅
TI
PCE-7127G2-00A1E
LGA1155 Intel® Xeon®/Coreâ¢i3/ Pentium® SHB DDR3/SATA 3.0/USB3.0/ Dual GbE
双倍数据速率
ADVANTECH
STM32G041Y8T6TR
Arm® Cortex®-M0 32-bit MCU, up to 64 KB Flash, 8 KB RAM, 2x USART, timers, ADC, comm. I/Fs, AES, RNG, 1.7-3.6V
暂无信息
STMICROELECTR
