SI7434DP-T1-E3 [VISHAY]

N-CHANNEL 250-V (D-S) MOSFET; N沟道250 -V (D -S )的MOSFET
SI7434DP-T1-E3
元器件型号: SI7434DP-T1-E3
生产厂家: VISHAY TELEFUNKEN    VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用:

N-CHANNEL 250-V (D-S) MOSFET
N沟道250 -V (D -S )的MOSFET

晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲
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型号参数:SI7434DP-T1-E3参数
是否无铅不含铅
生命周期Active
IHS 制造商VISHAY SILICONIX
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级1.55
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)8.4 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)2.3 A
最大漏极电流 (ID)2.3 A
最大漏源导通电阻0.155 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-XDSO-C5
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)5.2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)40 A
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1