SI7774DP-T1-GE3 [VISHAY]

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode; N沟道30 V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管


元器件型号：	SI7774DP-T1-GE3
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode N沟道30 V （ D- S）的MOSFET与肖特基二极管晶体肖特基二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
PDF文件：	总13页 (文件大小：508K)
下载文档：	下载PDF数据表文档文件
型号参数：SI7774DP-T1-GE3参数
是否无铅	不含铅
生命周期	Obsolete
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.82
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	80 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	60 A
最大漏极电流 (ID)	60 A
最大漏源导通电阻	0.0038 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-XDSO-C5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	80 A
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1