SI7900AEDN-T1-E3 [VISHAY]

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain; 双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极


元器件型号：	SI7900AEDN-T1-E3
生产厂家：	VISHAY TELEFUNKEN
描述和应用：	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain 双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 PC
PDF文件：	总12页 (文件大小：537K)
下载文档：	下载PDF数据表文档文件
型号参数：SI7900AEDN-T1-E3参数
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
IHS 制造商	VISHAY SILICONIX
包装说明	SMALL OUTLINE, S-XDSO-C5
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	0.9
Samacsys Confidence	4
Samacsys Status	Released
Schematic Symbol
PCB Footprint
Samacsys PartID	5359589
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count	8
Samacsys Part Category	MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category	Other
Samacsys Footprint Name	PowerPAK? 1212-8 Single_2-3
Samacsys Released Date	2019-11-21 16:31:36
Is Samacsys	N
外壳连接	DRAIN
配置	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6 A
最大漏极电流 (ID)	6 A
最大漏源导通电阻	0.026 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-XDSO-C5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	3.1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	30 A
认证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1