TMK325B7335KMHP
Multilayer Ceramic Capacitors (High dielectric type) for Automotive / Industrial Applications
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TAIYO YUDEN
NRS6045T6R3MMGK8
SMD Power Inductors for Telecommunications Infrastructure and Industrial Equipment / Medical Devices (NR series S type)
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TAIYO YUDEN
IMW120R020M1H
采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
开关 栅 DC-DC转换器 双极性晶体管 功率因数校正 二极管 栅极
INFINEON
BP35A1
BP35A1是支持适用于智能社区的国际无线通信规格标准“Wi-SUN（Wireless Smart Utility Network)”的920MHz区间的特定小功率无线模块。通过内置32bit高功率微控制器，可搭载至各种HEMS设备。适用于HEMS的Wi-SUN对应固件、已获得日本国内无线电法认证，是非常便于客户使用的模块。
通信 无线 无线模块 控制器 微控制器
ROHM
