IPL65R115CFD7
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R115CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。 作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器件的栅极电荷更低，关断性能更优异且反向恢复电荷更少，因此可显著提高效率与功率密度，额外提升 50V 的击穿电压。
电站 栅 服务器 电信 栅极
INFINEON
STM32G031G4T6TR
Arm® Cortex®-M0 32-bit MCU, up to 64 KB Flash, 8 KB RAM, 2x USART, timers, ADC, comm. I/Fs, 1.7-3.6V
暂无信息
STMICROELECTR
STM32G47PCU6TR
Arm® Cortex®-M4 32-bit MCUFPU, up to 512 KB Flash, 170 MHz / 213DMIPS, 128 KB SRAM, rich analog, math accelerator
静态存储器
STMICROELECTR
STM32G47MCY3XXX
Arm® Cortex®-M4 32-bit MCUFPU, up to 512 KB Flash, 170 MHz / 213DMIPS, 128 KB SRAM, rich analog, math accelerator
静态存储器
STMICROELECTR
PUMD13-Q
NPN/PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 47 kΩProduction
暂无信息
NEXPERIA
STM32G47MEI3TR
Arm® Cortex®-M4 32-bit MCUFPU, up to 512 KB Flash, 170 MHz / 213DMIPS, 128 KB SRAM, rich analog, math accelerator
静态存储器
STMICROELECTR
MSP430F6735AIPZR
具有 3 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、128KB 闪存和 4KB RAM 的单相位计量 SoC | PZ | 100 | -40 to 85
时钟 CD 闪存
TI
