MUR815F [YANGJIE]
Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes;
| 型号： | MUR815F |
| 厂家： | 
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC CO., LTD |
| 描述： | Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：164K) |
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RoHS
MUR810F THRU MUR860F
COMPLIANT
超快恢复整流二极管 Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes
■特征 Features
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark
●
●
●
●
Io
8.0A
VRRM
100V~600V
ITO-220AC
玻璃钝化芯片 Glass passivated chip
耐正向浪涌电流能力高
.201(5.1)
MAX
.150(3.8)
.421(10.7)
MAX
.102(2.6)
.140(3.56)
MAX
DIA
High surge forward current capability
.128(3.25)
.085(2.15)
.626(15.9)
.567(14.4)
.177(4.5)
MAX
PIN1
2
.126(3.2)
.08(2.1)
■用途 Applications
● 快速整流用
.071(1.8)
MAX
.035(0.9)
MAX
.559(14.2)
.504(12.7)
.031(0.80)
MAX
High speed switching
.232(5.9)
.142(3.6)
PIN1
CASE
PIN2
■
极限值（绝对最大额定值）
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）
Dimensions in inches and (millimeters)
MUR
810F 815F 820F 840F 860F
参数名称
Item
符号 单位
Symbol Unit
测试条件
Conditions
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
V
A
100
150
200
400 600
正弦半波60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1)
60HZ Half-sine wave, Resistance load,
Tc(Fig.1)
平均整流输出电流
Average Rectified Output Current
Io
8
60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃
60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward Current
IFSM
I2t
A
125
65
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续
时间的积分值
Current Squared Time
A2s
1ms≤t＜8.3ms T =25℃
j
贮存温度
Storage Temperature
Tstg
Tj
-55 ~ +150
-55 ~ +150
℃
℃
结温
Junction Temperature
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）
MUR
参数名称
Item
符号
Symbol
单位
Unit
测试条件
Test Condition
810F 815F 820F 840F 860F
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
VFM
V
I FM =8.0A
0.95
1.25
1.7
反向峰值电流
Peak Reverse Current
T =25℃
IRRM1
IRRM2
10
a
VRM =VRRM
μA
T =125℃
a
500
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
IF=0.5A IRM=1A
IRR=0.25A
Trr
ns
35
50
热阻
结和壳之间
Between junction and case
R
θJ-C
2.0
℃/W
Thermal Resistance
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
S-B112
Rev.1.2, 29-Nov-14
www.21yangjie.com
MUR810F THRU MUR860F
■
特性曲线（典型） Characteristics(Typical)
图2：耐正向浪涌电流曲线
图1：正向电流降额曲线
FIG2:Surge Forward Current Capadility
FIG1:Forward Current Derating Curve
10.0
150
125
100
8.3毫秒正弦半波
8.3ms Single Half Since-Wave
JEDEC Method
9.0
8.0
7.0
6.0
TC measure point
IN DC
75
50
25
0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
1
2
10
20
100
Number of Cycles
周波数
50
0
100
150
200
Tc(℃)
图4：反向电流曲线
图3：正向电压曲线
FIG4:Typical Reverse Characteristics
FIG3:Instantaneous Forward Voltage
100
60
40
Tj=125℃
20
10
MUR810F-MUR820F
MUR840F
10
5.0
MUR860F
1.0
Tj=25℃
1.0
0.1
0.5
0.2
0.1
Ta=25℃
0.01
0
20
40
60
80
100
0
0.2
0.4 0.6
1.4
1.2
1.8 2.0
VF(V)
0.8
1.6
1.0
VRRM(%)
图 ：反向恢复时间试验电路及测试波形示意图
Diagram of circuit and Testing wave form of reverse recovery time
10Ω
50Ω
+0.5
(-)
(+)
(-)
-0.25
1Ω
(+)
-1.0
=7
=1 Ω 22
=10
.
Ω
/
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
S-B112
Rev.1.2, 29-Nov-14
www.21yangjie.com
相关型号：
MUR820
快速恢复二极管Fast Recovery Diodes，超快恢复二极管Ultra Fast Recovery Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。
SIRECTIFIER
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