YFW10N60B2 [YFW]

10A 600V N-channel enhanced field effect transistor;
YFW10N60B2
型号: YFW10N60B2
厂家: DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD    DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD
描述:

10A 600V N-channel enhanced field effect transistor

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N-CHANNEL MOSFET 10N60B  
10A 600V N沟道增强型场效应管  
主要参数:  
ID  
10A  
600V  
0.6Ω  
G.栅极 D.漏极 S.源极  
VDSS  
RDSON-typ(@VGS=10V)  
性能特点:  
开关速度快  
低导通电阻  
低反向传输电容  
低栅极电荷量  
100%单脉冲雪崩能量测试  
提升了dv/dt能力  
机械性能:  
注塑成型封装  
适用任何位置安装  
封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准  
加工焊接峰值最高温度 275°C ;时间丌大于 10s  
封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263  
产品规格分类:  
产品料号  
YFW10N60B2  
YFW10N60B8  
YFW10N60B3  
YFW10N60B3-R  
YFW10N60B9  
封装形式  
TO-220F(0.5mm)  
TO-220F(1.3mm)  
TO-263  
产品印字  
包装方式  
50PCS每管  
50PCS每管  
50PCS每管  
800PCS每盘  
50PCS每管  
10N60BF  
10N60BF  
10N60BS  
10N60BS  
10N60BC  
TO-263  
TO-220C  
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Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.  
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N-CHANNEL MOSFET 10N60B  
极限参数:(除非特殊说明,TC=25°C)  
参数范围  
单位  
参数名称  
符号  
220C  
220F  
263  
漏源电压  
600  
V
V
I
DS  
GS  
D
V
V
±30  
栅源电压  
漏极电流-持续  
漏极脉冲电流(1)  
耗散功率  
10  
A
40  
IDM  
A
W
P
D
130  
40  
130  
单脉冲雪崩能量(1)  
工作结温范围  
贮存温度范围  
芯片对管壳热阻  
芯片对环境的热阻  
580  
E
AS  
mJ  
°C  
150  
T
J
-55 to +150  
3.13  
T
STG  
°C  
0.96  
62.5  
0.96  
62.5  
R
θJC  
θJA  
°C/W  
°C/W  
62.5  
R
电气参数:(除非特殊说明,TC=25°C)  
参数名称  
测试条件  
符号  
BVDSS  
IDSS  
最小值  
典型值  
-
最大值  
单位  
V
漏源击穿电压  
漏源击穿电流  
栅源漏电流  
VGS = 0 V,ID = 250 μA  
VDS = 600V, VGS = 0 V  
VGS = ± 30 V, VDS = 0 V  
VDS = VGS , ID = 250 μA  
VGS = 10 V, ID = 5 A  
600  
-
-
-
1
UA  
nA  
V
-
-
±100  
IGSS  
栅极开启电压  
导通电阻  
VGS(th)  
RDS(on)  
gfs  
2
-
-
4
0.6  
9.5  
1264  
124  
7
0.72  
Ω
正向跨导  
VDS = 15 V, ID = 5 A  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
S
输入电容  
-
Ciss  
VGS = 0 V, VDS = 25 V,  
f = 1MHz  
输出电容  
-
Coss  
pF  
nS  
nC  
反向传输电容  
开启延迟时间(2)  
开启上升时间(2)  
关断延迟时间(2)  
关断下降时间(2)  
栅极电荷量(2)  
栅极-源极电荷量(2)  
棚极-漏极电荷量(2)  
-
Crss  
-
24  
22  
45  
26  
35  
8
td(ON)  
tr  
-
ID = 10A, VDD = 300 V,  
RG= 10Ω  
-
td(OFF)  
tf  
-
-
QG  
ID = 10 A, VDD = 480V,  
VGS = 10 V  
-
QGS  
-
12  
QGD  
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N-CHANNEL MOSFET 10N60B  
-漏二极管特性参数:(除非特殊说明,TC=25°C)  
参数名称  
测试条件  
符号  
IS  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
A
源极电流  
-
-
-
-
-
-
-
10  
40  
1.4  
-
MOS管中源极、漏极构成的  
反偏P-N结  
源极脉冲电流(2)  
-漏二极管压降  
反向恢复时间(2)  
ISM  
VSD  
trr  
A
ISD = 10 A,  
-
V
500  
3
nS  
uC  
ISD = 10 A, VGS = 0 V,  
dIF / dt = 100 A/μs,  
反向恢复电荷(2)  
(注:)  
-
Qrr  
1. 脉冲测试:脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%;  
2. 基本上不受工作温度的影响。  
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N-CHANNEL MOSFET 10N60B  
典型特性区线图  
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N-CHANNEL MOSFET 10N60B  
封装外型尺寸图  
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N-CHANNEL MOSFET 10N60B  
封装外型尺寸图  
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