NDS331N
2025-11-10 10:04:24
摘要：NDS331N 是 onsemi（安森美半导体） 推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效开关电源、负载驱动及功率管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽式工艺，兼具低导通电阻、快速开关特性和高可靠性，适用于低电压、高电流控制场景。
什么是NDS331N？
NDS331N 采用紧凑型 SOT-223 封装，在有限空间内可提供优良的功率散热能力。该器件的低导通电阻可有效降低能量损耗，从而提高系统整体效率。凭借其快速的开关响应和出色的电气特性，NDS331N 常用于 DC-DC 转换器、马达控制、电源负载开关及便携式设备等领域。
NDS331N产品图片
NDS331N中文参数
| 产品型号 | NDS331N |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 20 V 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 162 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
NDS331N主要特点
N 沟道增强型 MOSFET
导通电阻低、开关速度快
驱动电压低，兼容逻辑电平控制
高可靠性、热稳定性好
SOT-223 封装，散热性能优良
符合 RoHS 环保标准
NDS331N典型应用
DC-DC 降压与升压转换器
电池管理与充电电路
电源负载开关
马达驱动与功率放大
便携式与消费电子产品
NDS331N引脚图及功能
NDS331N工作原理
NDS331N 通过在栅极施加正电压来控制源极与漏极之间的电流导通。当栅极电压超过阈值时，MOSFET 进入导通状态，以低阻抗路径传输电流；当栅极电压撤销时，器件迅速关断，实现高效的开关控制。其低栅电荷特性确保在高频应用中具备较高的开关效率。
NDS331N用什么型号替代？
IRLML2502（低压、小封装替代）
AO3400A（相似电气特性）
2N7002K（低功率应用）
Si2302DS（高性价比替代型号）
BSS138（逻辑电平替代型号）