光刻胶：市场需求旺盛，规模增长可期

随着人工智能（AI）技术的飞速发展，与之相关的半导体需求呈现出爆发式增长态势。在这样的背景下，高附加值半导体材料产品的销售情况也十分强劲。

2025 年 10 月，富士经济对全球半导体材料市场展开了全面调查，并发布了截至 2030 年的预测结果。数据显示，预计到 2030 年，全球半导体材料市场规模将达到约 700 亿美元，而 2025 年仅为 500 多亿美元。其中，前端材料市场规模将达到 560 亿美元，后端材料市场规模将达到 141 亿美元。可以预见，人工智能相关的尖端半导体需求将在未来一段时间内保持强劲势头。

本次调查涵盖了硅片、光掩模、光刻胶和 CMP 浆料等 26 种前端材料，以及背磨胶带、键合线和封装基板用覆铜板材料等 8 种后端材料。同时，调查还考察了四大主要半导体器件市场，即 SoC（移动）、AI 加速器、NAND 闪存和 DRAM。调查时间为 2025 年 5 月至 8 月。

随着 AI 相关半导体需求的增长，高附加值半导体材料产品的销售也随之水涨船高。预计 2024 年市场将实现正增长，数据中心的持续投资以及对尖端半导体（特别是与 AI 相关的半导体）的旺盛需求，将推动材料市场稳步扩大。

从各工序来看，随着背面布线技术和利用 TSV（硅通孔）的晶圆堆叠技术的不断进步，预计前端工序使用的晶圆数量将会增加，从而带动所有材料的需求增长。尤其是光刻胶、光掩模和硅烷气体，预计将出现显著的增长。键合线在后处理材料中占据较大比重，因此预计 2024 年其需求将大幅增长，部分原因是由于锭价上涨。此外，FC - BGA 封装基板用覆铜板材料以及层间绝缘材料的需求也有望进一步扩大。

本报告重点介绍了三种值得关注的产品市场：光刻胶、CMP 浆料和用于封装基板的覆铜层压材料。

光刻胶是一种特殊的光敏材料，具有独特的光化学反应特性。在微电子制造领域，光刻胶起着至关重要的作用。其主要功能是在光刻过程中形成精确的光刻图案，从而用于制造微电子器件的精细结构。通过合理选择和处理光刻胶，可以实现高精度、高分辨率的微细加工。根据化学成分和特性的不同，光刻胶可分为正胶和负胶。正胶在光照后会发生聚合反应，形成固化区域；而负胶则是在光照后发生解聚反应，形成固化区域。

光刻胶的性能特性包括分辨率、曝光剂的选择、显影过程等多个方面。分辨率是衡量光刻胶性能的关键指标之一，它指的是光刻胶能够实现的最小特征尺寸，直接决定了微电子器件的制造精度。曝光剂的选择需要综合考虑其光敏性和化学稳定性，以确保能够实现高质量的光刻图案。显影过程则是通过特定的化学方法，将光刻胶中未固化的部分去除，从而形成所需的图案。

光刻胶在微电子制造中有着广泛的应用。首先，它是制造集成电路中电路图案的关键材料，能够实现电路的精确连接和功能实现。其次，在光学器件制造领域，如光纤通信中的光波导器件，光刻胶也发挥着不可或缺的作用。此外，光刻胶还被广泛应用于传感器、显示器件等微电子器件的制造过程中。不过，在应用光刻胶时，需要充分考虑制造工艺的要求和设备的兼容性。不同的光刻胶适用于不同的制造工艺和设备，必须根据具体需求进行精准选择。

预计到 2030 年，光刻胶市场规模将达到 36 亿美元，而 2025 年预计为 25 亿美元。2025 年，对尖端 AI 相关逻辑和堆叠 DRAM 宽带存储器 (HBM) 的需求依然非常强劲。展望未来，通用半导体的 g/i - line 和 KrF 应用以及尖端半导体的极紫外 (EUV) 光刻应用预计将实现显著增长。

CMP 浆料（化学机械抛光浆料）是一种专门用于化学机械抛光（CMP）工艺的抛光液，主要应用于集成电路制造过程中，以实现晶圆表面的平坦化。CMP 浆料通常由分散在酸性或碱性溶液中的纳米级磨料组成，能够在化学反应和机械研磨的共同作用下，精确去除材料，从而使晶圆表面达到微米或纳米级的平坦度。根据磨料的不同，CMP 浆料可分为二氧化硅浆料、氧化铈浆料、氧化铝浆料等几大类。

预计到 2030 年，CMP 浆料市场规模将达到 27 亿美元，而 2025 年预计为 20 亿美元。由于存储器和逻辑芯片的生产开工率低于 2025 年的峰值，因此与上一年相比，增长率仅为 5% 左右。从中长期来看，尖端逻辑芯片布线层数的增加、晶体管结构的变化以及 3D NAND 闪存层数的增加等因素，预计将推动 CMP 浆料市场的持续扩张。

“封装基板用覆铜板材料” 市场规模预计在 2025 年达到 15 亿美元，到 2030 年将达到 20 亿美元。2025 年，数据中心服务器和通信设备使用的半导体封装基板材料市场规模显著扩大，预计未来这一增长趋势将持续下去，从而导致对高价位产品的需求进一步增加。