| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.2 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.6 V | 最大维持电流： | 1 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 0.02 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 20 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 350 A |
| 最高工作温度： | 155 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 0.8 A |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
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PDF下载| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2N891LEADFREE | CENTRAL | Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 获取价格 |
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| 2N892 | ETC | THYRISTOR|GTO|15V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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| 2N893 | ETC | THYRISTOR|GTO|15V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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| 2N899 | ETC | THYRISTOR|GTO|100V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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| 2N90 | UTC | 2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 获取价格 |
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| 2N900 | ETC | THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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| 2N906 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 25MA I(C) | AXIAL | 获取价格 |
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| 2N907 | DIGITRON | TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,20MA I(C),AXIAL | 获取价格 |
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| 2N909 | CENTRAL | Small Signal Transistors | 获取价格 |
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| 2N909 | NJSEMI | SI NPN LO-PWR BJT | 获取价格 |
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概述
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