| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.05 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 125 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 3 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 2 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 1N5402G-B | DIODES | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER | 获取价格 |
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| 1N5402G-E | GULFSEMI | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A | 获取价格 |
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| 1N5402G-K | TSC | 3A, 50V - 1000V Glass Passivated Rectifier | 获取价格 |
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| 1N5402G-T | DIODES | 3.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER | 获取价格 |
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| 1N5402GH32 | RECTRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | 获取价格 |
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| 1N5402GH36 | RECTRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | 获取价格 |
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| 1N5402GH36-1 | RECTRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | 获取价格 |
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| 1N5402GH36-4 | RECTRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | 获取价格 |
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| 1N5402GM | GULFSEMI | GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE: 50V to 1000V CURRENT: 3.0A | 获取价格 |
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| 1N5402GM24 | RECTRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, | 获取价格 |
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