1N5402G-13

更新时间:2025-07-01 14:23:20
品牌:DIODES
描述:Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

1N5402G-13 概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-201AD, 整流二极管

1N5402G-13 规格参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.05应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-201ADJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:125 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):235
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:2 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N5402G-13 数据手册

通过下载1N5402G-13数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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