SMZ10B
更新时间：2025-04-27 17:49:29
品牌：DIOTEC
描述：Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 2W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2
概述
规格参数
数据手册SMZ10B 概述
Zener Diode, 10V V(Z), 2%, 2W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MELF-2 齐纳二极管
SMZ10B 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-PELF-R2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.78 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-213AB |
| JESD-30 代码： | O-PELF-R2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 2 W |
| 标称参考电压： | 10 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER | 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2% | 工作测试电流： | 50 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
SMZ10B 数据手册
通过下载SMZ10B数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
PDF下载SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
2 W
10...200 V
DO-213AB
0.12 g
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.
Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
SMZ-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C
TA = 25°C
Ptot
2 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
PZSM
60 W
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
<45 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
<15 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
2
1
2
Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffiz.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
SMZ10B
SMZ11B
SMZ12B
SMZ13B
SMZ15B
SMZ16B
SMZ18B
SMZ20B
SMZ22B
SMZ24B
SMZ27B
SMZ30B
SMZ33B
SMZ36B
SMZ39B
SMZ43B
SMZ47B
SMZ51B
SMZ56B
SMZ62B
SMZ68B
SMZ75B
SMZ82B
SMZ91B
SMZ100B
SMZ110B
SMZ120B
SMZ130B
SMZ150B
SMZ160B
SMZ180B
SMZ200B
9.79
10.79
11.79
12.68
14.68
15.68
17.58
19.58
21.58
23.48
26.48
29.38
32.3
35.2
38.1
42.0
46.0
49.9
54.8
60.7
66.5
73.4
80.3
89.1
97.9
108
10.21
11.21
12.21
13.32
15.32
16.32
18.42
20.42
22.42
24.52
27.52
30.62
33.8
36.8
39.9
44.0
48.0
52.1
57.2
63.3
69.5
76.6
83.7
92.9
102.1
112
50
50
50
50
50
25
25
25
25
25
25
25
25
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
5
2 (<4)
4 (<7)
+5…+9
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+5…+10
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+6…+11
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+7…+12
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+8…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
+9…+13
> 5
189
172
157
142
128
117
105
94
> 5
4 (<7)
> 7
5 (<10)
> 7
5 (<10)
> 10
> 10
> 10
> 10
> 12
> 12
> 14
> 14
> 17
> 17
> 20
> 20
> 24
> 24
> 28
> 28
> 34
> 34
> 41
> 41
> 50
> 50
> 60
> 60
> 75
> 75
> 90
> 90
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
6 (<15)
86
7 (<15)
78
7 (<15)
69
8 (<15)
63
8 (<15)
57
16 (<40)
20 (<40)
24 (<45)
24 (<45)
25 (<60)
25 (<60)
25 (<80)
25 (<80)
30 (<100)
30 (<100)
40 (<200)
60 (<200)
80 (<250)
80 (<250)
90 (<300)
100 (<300)
110 (<350)
120 (<350)
150 (<350)
53
49
43
40
37
33
30
28
25
23
21
5
19
5
18
118
122
5
16
127
133
5
15
147
153
5
13
157
163
5
12
176
184
5
11
196
204
5
10
1
Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
120
[%]
10
18
24
30
36
43
51 56
62
68
75
82
91
100
100
IZmax
80
60
IZT
Tj = 25°C
40
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
20
Ptot
0
0
TA
100
150
50
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
102
[A]
10
Tj = 125°C
Tj = 25°C
1
10-1
IF
30a-(1a-1.1v)
10-2
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
[pF]
VR = 0V
VR = 4V
VR = 20V
VR = 40V
Cj
[V]
VZ
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3
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