首页 |元器件品牌 | PCB在线计价/下单
首页 > 二极管 > 齐纳二极管 > ZPD8B2

ZPD8B2

更新时间：2025-03-21 10:56:50
品牌：DIOTEC
描述：Zener Diodes

PDF下载

中文翻译

免费 PCB/SMT

ZPD8B2 概述

Zener Diodes 齐纳二极管

ZPD8B2 规格参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-35包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：0.9外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-35
JESD-30 代码：O-LALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：8.2 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
最大电压容差：2%工作测试电流：5 mA
Base Number Matches：1

ZPD8B2 数据手册

通过下载ZPD8B2数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

PDF下载
ZPD2.7 ... ZPD75 (500 mW)  
ZPD2.7 ... ZPD75 (500 mW)  
Silicon Planar Zener Diodes  
Silizium-Planar-Zener-Dioden  
Version 2013-04-23  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
500 mW  
Nominal Z-voltage  
Nominale Z-Spannung  
2.7...75 V  
Ø 1.9±0.1  
Glass case  
~ DO-35  
Glasgehäuse  
~ (SOD-27)  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.13 g  
Equivalent SMD-version  
ZMM1 ... ZMM75  
Äquivalente SMD-Ausführung  
Ø max 0.5  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen  
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
ZPD-series  
500 mW 1)  
Power dissipation  
Verlustleistung  
TA = 25°C  
Ptot  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 300 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
< 240 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
23  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperatere at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
The ZPD1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.  
The cathode, indicated by a band, has to be connected to the negative pole.  
2
3
Die ZPD1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index  
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit einem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
ZPD2.7 ... ZPD75 (500 mW)  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Zener voltage 2)  
Dynamic resistance  
Diff. Widerstand  
Temp. Coeffic.  
of Z-voltage  
…der Z-Spannung  
Reverse volt.  
Sperrspanng.  
IR = 100 nA  
Z-current 1)  
Z-Strom 1)  
TA = 25°C  
Zener-Spannung 2)  
IZ = 5 mA  
rzj [Ω] at f = 1 kHz  
Vzmin [V]  
Vzmax [V]  
2.9  
3.2  
3.5  
3.8  
4.1  
4.6  
5.0  
5.4  
6.0  
6.6  
7.2  
7.9  
8.7  
9.6  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32  
IZ = 5 mA  
IZ = 1 mA  
αVZ [10-4 /°C]  
–9…–4  
VR [V]  
–
IZmax [mA]  
172  
156  
143  
132  
122  
109  
100  
93  
ZPD2.7  
ZPD3.0  
ZPD3.3  
ZPD3.6  
ZPD3.9  
ZPD4.3  
ZPD4.7  
ZPD5.1  
ZPD5.6  
ZPD6.2  
ZPD6.8  
ZPD7.5  
ZPD8.2  
ZPD9.1  
ZPD10  
ZPD11  
ZPD12  
ZPD13  
ZPD15  
ZPD16  
ZPD18  
ZPD20  
ZPD22  
ZPD24  
ZPD27  
ZPD30  
ZPD33  
ZPD36  
ZPD39  
ZPD43  
ZPD47  
ZPD51  
ZPD56  
ZPD62  
ZPD68  
ZPD75  
2.5  
2.8  
3.1  
3.4  
3.7  
4.0  
4.4  
4.8  
5.2  
5.8  
6.4  
7.0  
7.7  
8.5  
9.4  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
75 (< 83)  
80 (< 95)  
80 (< 95)  
80 (< 95)  
80 (< 95)  
70 (< 85)  
60 (< 78)  
30 (< 60)  
10 (< 40)  
5 (< 10)  
< 500  
< 500  
< 500  
< 500  
< 500  
< 500  
< 500  
< 480  
< 400  
< 200  
< 150  
< 50  
–9…–3  
–
–8…–3  
–
–8…–3  
–
–7…–3  
–
–6…–1  
–
–5…+2  
–
–3…+4  
> 0.8  
> 1  
–2…+6  
83  
–1…+7  
> 2  
76  
4.5 (< 8)  
4 (< 7)  
+2…+7  
> 3  
69  
+3…+7  
> 5  
63  
4.5 (< 7)  
5 (< 10)  
< 50  
+4…+7  
> 6  
57  
< 50  
+5…+8  
> 7  
52  
5.2 (< 15)  
6 (< 20)  
< 70  
+5…+8  
> 7.5  
> 8.5  
> 9  
47  
< 70  
+5…+9  
43  
7 (< 20)  
< 90  
+6…+9  
39  
9 (< 25)  
< 110  
< 110  
< 170  
< 170  
< 220  
< 220  
< 220  
< 250  
< 250  
< 250  
< 250  
< 300  
< 500  
< 700  
< 700  
< 750  
< 800  
< 850  
< 900  
+7…+9  
> 10  
> 11  
> 12  
> 14  
> 15  
> 17  
> 18  
> 20  
> 22  
> 24  
> 26  
> 28  
> 30  
> 33  
> 36  
> 39  
> 44  
> 48  
> 52  
35  
11 (< 30)  
13 (< 40)  
18 (< 50)  
20 (< 50)  
25 (< 55)  
28 (< 70)  
30 (< 80)  
35 (< 80)  
40 (< 80)  
40 (< 90)  
50 (< 90)  
60 (< 100)  
70 (< 110)  
80 (< 125)  
90 (< 135)  
100 (< 150)  
110 (< 200)  
120 (< 250)  
+7…+9  
32  
+8…+9.5  
+8…+9.5  
+8…+10  
+8…+10  
+8…+10  
+8…+10  
+8…+10  
+8…+10  
+8…+10  
+10…+12  
+10…+12  
+10…+12  
+10…+12  
+10…+12  
+10…+12  
+10…+12  
+10…+12  
29  
26  
24  
21  
20  
17  
16  
31  
35  
14  
34  
38  
13  
37  
41  
12  
40  
46  
11  
44  
50  
10  
48  
54  
9
52  
60  
8
58  
66  
8
64  
72  
7
70  
79  
6
1
Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite  
2
http://www.diotec.com/  
© Diotec Semiconductor AG  
 
ZPD2.7 ... ZPD75 (500 mW)  
120  
103  
[%]  
[mA]  
102  
100  
80  
Tj =100°C  
60  
T =25°C  
j
10  
40  
1
20  
IFAV  
0
IF  
10-1  
0
TA  
100  
150  
50  
[°C]  
0
VF  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
[V] 1.4  
1
Rated forward current versus ambient temperature )  
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )  
Forward characteristics (typical values)  
Durchlasskennlinien (typische Werte)  
1
3
10  
150  
T =25°C  
j
2.7 3.3 3.8  
4.7  
T =25°C  
j
f =1.0MHz  
8,2  
5,6  
6,8  
VR =1V  
[mA]  
100  
6,2  
7,5  
9,1  
[pF]  
VR =2V  
IZmax  
2
10  
VR =1V  
50  
IZ  
VR =2V  
10  
IZ = 5 mA  
0
4
5
7
0
VZ  
2
3
6
8
[V]  
10  
Typical breakdown characteristic– tested with pulses  
Typische Abbruchspannung– gemessen mit Impulsen  
C j  
1
[V]  
1
VZ  
10  
100  
60  
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)  
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)  
[mA]  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
18  
24  
30  
36  
43  
51 56  
62  
68  
75  
IZmax  
Tj = 25°C  
IZ  
5
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80 VZ  
Typical breakdown characteristic – tested with pulses  
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
3

ZPD8B2 相关器件

型号 制造商 描述 价格 文档
ZPD8V2 SEMTECH SILICON PLANAR ZENER DIODES 获取价格
ZPD8V2 NJSEMI Diode Zener Single 8.2V 6% 500mW 2-Pin DO-35 获取价格
ZPD8V2 SWST 稳压二极管 获取价格
ZPD8V2B SWST 稳压二极管 获取价格
ZPD9.1 EIC ZENER DIODES 获取价格
ZPD9.1 DIOTEC Silicon-Planar-Zener-Diodes 获取价格
ZPD9.1 GOOD-ARK 获取价格
ZPD9.1 JINANJINGHENG SILICON PLANAR ZENER DIODES 获取价格
ZPD9.1 VISHAY ZENER DIODES 获取价格
ZPD9.1 SEMTECH SILICON PLANAR ZENER DIODES 获取价格

ZPD8B2 相关文章

  • 探究驱动器、开关与激光二极管对提升激光雷达性能的作用
    2025-02-26
    101
  • 利用数字预失真技术打造超精准信号发生器
    2025-02-26
    109
  • 英伟达挑战欧盟反垄断调查：起诉质疑Run:ai收购案的调查
    2025-02-26
    77
  • 英特尔18A工艺良率仅20%~30%，下半年量产计划面临挑战
    2025-02-26
    78

    • 热门型号

  • 1N5930
  • 1N5942B
  • 1N4001
  • MBR3050CT
  • RTA02-8D
  • 4116T
  • 5KP43A/4
  • 1N5260A
  • MC79L05
  • BZX85C30
  • 9510-G
  • W2PE-54WZ-P
  • 1N6063
  • 2SA673
  • 20IMX35
    • Hi,有什么可以帮您？ 在线客服 或 微信扫码咨询
  • 概述
  • 规格参数
  • 数据手册
    • 2025 ICPDF网 联系我们和版权申明:QQ 272164286