齐纳二极管
| 图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
| 015AZ10 |  |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ10-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ10-X(TH3FT) | |
齐纳二极管 | Zener Diode | |
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| 015AZ10-Y | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ10-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ11 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ11-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ11-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ12 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ12-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ12-Y | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ12-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ13 | |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ13-Y | |
齐纳二极管 | DIODE 13.225 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ15 | |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ16 | |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ16-X | |
齐纳二极管 | DIODE 15.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ16-Y | |
齐纳二极管 | DIODE 16.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ18 | |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ18-X | |
齐纳二极管 | DIODE 17.28 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ18-Y | |
齐纳二极管 | DIODE 17.945 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ18-Z | |
齐纳二极管 | DIODE 18.615 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | |
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| 015AZ2.0-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.0-X(TL3FT) | |
齐纳二极管 | Zener Diode | |
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| 015AZ2.0-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.2 | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.2-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.2-Z | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.4-X | |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
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| 015AZ2.4-X(TH3FT) | |
齐纳二极管 | Zener Diode | |
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齐纳二极管 热门型号
- BZX55C100
- BZX55C82
- BZX55C91
- ZM4741A-GS08
- BZX85C13-TR
- GLL4740A-E3/97
- BZX85C5V6-TR
- GLL4741A-E3/97
- GLL4735A-E3/97
- GLL4746A-E3/97
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- GLL4759-E3/97
- GLL4749A-E3/97
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- GLL4758A-E3/97
- GLL4762A-E3/97
- GLL4736A-E3/97
- SMZJ3795B-M3/5B
- SMZJ3789B-M3/5B
- SMZJ3795B-M3/52
- SMZJ3789B-M3/52
- SMZJ3797BHM3_A/I
- SMZG3804B-M3/52
- ZM4760A-GS08
- ZM4761A-GS08
- ZM4759A-GS08
- GLL4759A-E3/96
- GLL4741A-E3/96
- GLL4756-E3/96
- GLL4745-E3/96
- GLL4743-E3/96
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- GLL4751A-E3/96
- GLL4750A-E3/96
- GLL4750-E3/96
- GLL4755A-E3/96
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- GLL4747-E3/96
- GLL4741-E3/96
- GLL4740-E3/96
- GLL4736A-E3/96
- GLL4762-E3/96
- SMZJ3796BHE3_A/I
- SML4746HE3_A/H
- SML4756AHE3_A/I
- SMZJ3790BHE3_A/H
- SML4748HE3_A/I
- SML4757HE3_A/I
- BZX84C56-TP
- 1N5374B-TP
- MMBZ5235B-TP
- MMBZ5240B-TP
- MMBZ5222B-TP
- MMBZ5242B-TP
- MMBZ5257B-TP
- BZT52C6V2TQ-13-F
- BZT52C4V3TQ-7-F
- BZX84C7V5W-7-F
- DIODEZENER8.7V500MWSOD123
- DIODEZENER4.3V500MWSOD123
- DIODEZENER5.6V500MWSOD123
- DIODEZENERARRAY18VSOT23-3
- DIODEZENERARRAY5.6VSOT23-3
- BZT52C9V1-13-F
- CMOZ2V4TRPBFREE
- CMOZ10LTRPBFREE
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- CMHZ4625TRPBFREE
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- 1N4474BKPBFREE
- 1N4469BKPBFREE
- 1N4479TRPBFREE
- 1N4477BKPBFREE
- 1N4466TRPBFREE
什么是齐纳二极管
- 齐纳二极管（Zener diode），也被称为稳压二极管，是一种广泛应用于电子设备和系统中的半导体器件，它具有单向导电性和响应速度快等特点，在各种高速电路、低噪声放大器和功率调制器等领域得到了广泛应用。
齐纳二极管的工作原理主要基于PN结的反向击穿特性。在PN结中，当反向电压增加到一定值时，会发生反向击穿现象，此时反向电阻骤然降低，电流急剧增加，但电压基本保持不变。齐纳二极管正是利用这一特性，通过精确控制反向击穿电压，实现稳定的电压输出。
具体来说，当齐纳二极管处于反向偏置状态时，PN结中的电场方向由N区指向P区。随着反向电压的增加，PN结中的电场强度逐渐增强，导致空间电荷区中的电子和空穴被加速并撞击原子，产生新的电子和空穴。这些新产生的电子和空穴又会进一步撞击原子，形成连锁反应，即雪崩倍增效应。当反向电压增加到一定程度时，雪崩倍增效应会导致反向电流急剧增加，PN结发生反向击穿。此时，尽管电流在很大范围内变化，但齐纳二极管两端的电压却基本稳定在反向击穿电压附近，从而实现稳压功能。