
图片 | 型号 | 文档 | 类别 | 描述 | 品牌 | 供应商 | |
015AZ10 | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ10-X | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ10-X(TH3FT) | ![]() |
齐纳二极管 | Zener Diode | ![]() |
|||
015AZ10-Y | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ10-Z | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ11 | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ11-X | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ11-Z | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ12 | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ12-X | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ12-Y | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ12-Z | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ13 | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ13-Y | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE 13.225 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ15 | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ16 | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ16-X | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE 15.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ16-Y | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE 16.2 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ18 | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ18-X | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE 17.28 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ18-Y | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE 17.945 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ18-Z | ![]() |
齐纳二极管 | DIODE 18.615 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, ESC, 1-1G1A, 2 PIN, Voltage Regulator Diode | ![]() |
|||
015AZ2.0-X | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ2.0-X(TL3FT) | ![]() |
齐纳二极管 | Zener Diode | ![]() |
|||
015AZ2.0-Z | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ2.2 | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ2.2-X | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ2.2-Z | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ2.4-X | ![]() |
齐纳二极管 | TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type 东芝二极管硅外延平面型 |
![]() |
|||
015AZ2.4-X(TH3FT) | ![]() |
齐纳二极管 | Zener Diode | ![]() |
齐纳二极管 热门型号
- 1N5263B
- 1N5262B
- 1N5261B
- 1N5260B
- 1N5259B
- 1N5258B
- 1N5257B
- 1N5256B
- 1N5255B
- 1N5254B
- 1N5253B
- 1N5252B
- 1N5251B
- 1N5250B
- 1N5249B
- 1N5248B
- 1N5247B
- 1N5246B
- 1N5245B
- 1N5244B
- 1N5243B
- 1N5242B
- 1N5241B
- 1N5240B
- 1N5229B
- 1N5228B
- 1N5227B
- 1N5226B
- 1N5225B
- 1N5224B
- 1N5223B
- 1N5222B
- 1N5221B
- SZN5931DSMS
- SZ5D19SMS
- SZ5D19SM
- SZ5D19
- SZ5D18SMS
- SZ5D18SM
- SZ5D18
- SZ5C18SM
- SZN4471CSMS
- SZN6330SMS
- SZN6330DSMS
- SZN6330CSMS
- SZN5073DSM
- SZN5073CSM
- SZN5073BSM
- SZN5073ASM
- SZN5073DSMS
- SZN5073CSMS
- SZN5073BSMS
- SZN5073ASMS
- BZT52B5V1-AQ
- BZT52B3V9-AQ
- BZT52B3V0-AQ
- BZT52B6V8-Q
- BZT52B5V1-Q
- BZT52B20-AQ
- BZT52B18-AQ
- BZT52B16-AQ
- BZT52B20-Q
- BZT52B16-Q
- BZT52B15-Q
- Z2SMB7.5-Q
- Z2SMB180-Q
- Z2SMB27-Q
- Z2SMB15-Q
- 2BZX84C2V7
- 2BZX84C2V4
- 2BZX84C36
- 2BZX84C16
- 2BZX84C10
- 1N5349B-Q
- 1N5347B-Q
- ZPD3B9
- ZPD3B0
- ZPD24B
- ZPD13B
- ZPD9B1
- ZPD8B2
- ZPD6B2
- ZPD5B6
- ZPD4B7
- ZMY22R7
- ZMC6B2
- SMZ100B
- SMZ22B
- MMSZ5245B-AQ
- MMSZ5243B-AQ
- MMSZ5242B-AQ
- MMSZ5240B-AQ
- MMSZ5236B-AQ
- MMSZ5261B-Q
- MMSZ5257B-Q
- MMSZ5251B-Q
- MMSZ5249B-Q
- MMSZ5245B-Q
- MMSZ5236B-Q
- MMSZ5231B-Q
什么是齐纳二极管
- 齐纳二极管(Zener diode),也被称为稳压二极管,是一种广泛应用于电子设备和系统中的半导体器件,它具有单向导电性和响应速度快等特点,在各种高速电路、低噪声放大器和功率调制器等领域得到了广泛应用。
齐纳二极管的工作原理主要基于PN结的反向击穿特性。在PN结中,当反向电压增加到一定值时,会发生反向击穿现象,此时反向电阻骤然降低,电流急剧增加,但电压基本保持不变。齐纳二极管正是利用这一特性,通过精确控制反向击穿电压,实现稳定的电压输出。
具体来说,当齐纳二极管处于反向偏置状态时,PN结中的电场方向由N区指向P区。随着反向电压的增加,PN结中的电场强度逐渐增强,导致空间电荷区中的电子和空穴被加速并撞击原子,产生新的电子和空穴。这些新产生的电子和空穴又会进一步撞击原子,形成连锁反应,即雪崩倍增效应。当反向电压增加到一定程度时,雪崩倍增效应会导致反向电流急剧增加,PN结发生反向击穿。此时,尽管电流在很大范围内变化,但齐纳二极管两端的电压却基本稳定在反向击穿电压附近,从而实现稳压功能。