概述
规格参数
数据手册1N5803 概述
Glass Passivated Rectifiers 整流二极管
1N5803 规格参数
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-41 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
1N5803 数据手册
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PDF下载Certificate TH97/10561QM
Certificate TW00/17276EM
GLASS PASSIVATED JUNCTION
1N5802 - 1N5806
ULTRA FAST RECTIFIERS
PRV : 50 - 150 Volts
Io : 2.5 Amperes
DO - 41
FEATURES :
* Glass passivated chip
* High current capability
* High surge current capability
* High reliability
1.00 (25.4)
0.107 (2.7)
MIN.
0.080 (2.0)
0.205 (5.2)
0.161 (4.1)
* Low reverse current
* Low forward voltage drop
* Ultrafast recovery time
* Pb / RoHS Free
1.00 (25.4)
0.034 (0.86)
MIN.
0.028 (0.71)
MECHANICAL DATA :
* Case : DO-41 Molded plastic
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,
Method 208 guaranteed
* Polarity : Color band denotes cathode end
* Mounting position : Any
Dimensions in inches and ( millimeters )
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specifie.d
Single phase, half wave,60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by20%.
RATING
SYMBOL 1N5802
1N5803
75
1N5804
100
1N5805
125
1N5806 UNIT
Maximum Working Peak Reverse Voltage
Minimum Breakdown Voltage @ 100µA
VRWM
50
55
150
160
V
V
VBR(Min)
80
110
135
2.5 (TL = 75°C, Note 1)
1.0 (Ta = 55°C)
Maximum Average Forward Current
IF(AV)
IFSM
A
Maximum Peak Forward Surge Current,
8.3ms Single half sine wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
35
A
Maximum Peak Forward Voltage at IF = 1.0 A.
Maximum DC Reverse Current
VF
IR
0.875
1.0
V
μA
at Rated DC Blocking Voltage
IR(H)
Trr
50 (Ta = 100°C)
25
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)
Junction Temperature Range
ns
°C
°C
TJ
- 65 to + 175
- 65 to + 175
Storage Temperature Range
TSTG
Notes :
(1) IF(AV) = 2.5A @ TL=75°C at 3/8 inc lead length. Derate at25mA/°C for TL above75°C.
(2) Reverse Recovery Test Conditions: IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A.
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Rev. 0 : January 16, 2007
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 1N5803HR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode | 获取价格 |
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| 1N5803R | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, | 获取价格 |
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| 1N5803US | MICROSEMI | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP | 获取价格 |
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| 1N5803US | EIC | Fast / Super Fast Recovery Rectifiers | 获取价格 |
|
| 1N5803X | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, | 获取价格 |
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| 1N5804 | MICROSEMI | 2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS | 获取价格 |
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| 1N5804 | SEMTECH | RECTIFIER, up to 150V, 2.5A, 25ns | 获取价格 |
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| 1N5804 | NJSEMI | HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP | 获取价格 |
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| 1N5804 | EIC | Glass Passivated Rectifiers | 获取价格 |
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