概述
规格参数
数据手册MBM29DL323BE-12PBT 概述
32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation 32M （ 4M ×8 / 2M ×16 ）位双操作 闪存
MBM29DL323BE-12PBT 规格参数
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.75 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 启动块： | BOTTOM | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 长度： | 11 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 63 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 2MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
MBM29DL323BE-12PBT 数据手册
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PDF下载MBM29DL323BE-12PBT 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
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| MBM29DL323BE12PBT | CYPRESS | Flash, 2MX16, 120ns, PBGA63, | 获取价格 |
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