概述
规格参数
数据手册MBM29DL323BE-90PBT 概述
32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation 32M （ 4M ×8 / 2M ×16 ）位双操作 闪存
MBM29DL323BE-90PBT 规格参数
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 63 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 | 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 2.7 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
MBM29DL323BE-90PBT 数据手册
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PDF下载MBM29DL323BE-90PBT 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| MBM29DL323BE-90TN | FUJITSU | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE-90TR | FUJITSU | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE12PBT | FUJITSU | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE12PBT | CYPRESS | Flash, 2MX16, 120ns, PBGA63, | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE12TN | FUJITSU | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE12TN | CYPRESS | Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE12TR | FUJITSU | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
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| MBM29DL323BE80PBT | FUJITSU | 32M (4M x 8/2M x 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
|
| MBM29DL323BE80PBT | SPANSION | FLASH MEMORY CMOS 32 M (4 M X 8/2 M X 16) BIT Dual Operation | 获取价格 |
|
| MBM29DL323BE80PBT-E1 | SPANSION | Flash, 2MX16, 80ns, PBGA63, PLASTIC, FBGA-63 | 获取价格 |
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