概述
规格参数
数据手册BAS316 概述
Silicon Epitaxial Planar Diodes 硅外延平面二极管
BAS316 规格参数
| Case Style： | SOD-323 | IF（mA）： | 250 |
| Maximum recurrent peak reverse voltage： | 100 | TRR（nS)： | 4.0 |
| Maximum instantaneous forward voltage： | 1.25 | @IF（uA）： | 150 |
| Maximum reverse current： | 1.0 | @VR： | 75 |
| class： | Diodes |
BAS316 数据手册
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PDF下载BAS316
Silicon Epitaxial Planar Diodes
SOD-323
Features
Very small plastic SMD package.
High switching speed:max.4ns
Continuous reverse voltage:max.100v
Repetitive peak reverse voltage:max.100v
Repetitive peak forward current:max.500mA
Dimensions in inches and (millimeters)
Applications
Surface mount fast switching diode
Ordering Information
Type No.
Marking
A6
Package Code
SOD-323
BAS316
MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
DC Reverse Voltage
VR
100
V
Forward Current
IF
300
mA
mW
℃
Power Dissipation
Pd
200
Junction and Storage Temperature Rage
Tj,TSTG
-65 to+150
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn
BAS316
Silicon Epitaxial Planar Diodes
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
V(BR)R
VF
Min
100
0.62
Max
-
Unit
V
Test Condition
IR=100μA
Reverse Breakdown Voltage
Forward Voltage
0.715
0.855
1.0
V
IF=1.0mA
IF=10mA
IF=50mA
1.25
1.0
IF=150mA
Reverse Current
IR
-
μA
VR=75V
0.03
1.5
VR=25V
Capacitance between terminals CT
Reverse Recovery Time trr
-
-
pF
ns
VR=0,f=1.0MHz
IF=IR=10mA,RL=100Ω
4.0
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
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mail:lge@luguang.cn
BAS316
Silicon Epitaxial Planar Diodes
http://www.luguang.cn
mail:lge@luguang.cn
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