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BAS316

更新时间：2025-07-09 12:52:53

品牌：LGE

描述：Silicon Epitaxial Planar Diodes

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概述
规格参数
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BAS316 概述

Silicon Epitaxial Planar Diodes 硅外延平面二极管

BAS316 规格参数

Case Style：	SOD-323	IF（mA）：	250
Maximum recurrent peak reverse voltage：	100	TRR（nS)：	4.0
Maximum instantaneous forward voltage：	1.25	@IF（uA）：	150
Maximum reverse current：	1.0	@VR：	75
class：	Diodes

BAS316 数据手册

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BAS316

Silicon Epitaxial Planar Diodes

SOD-323

Features

Very small plastic SMD package.

High switching speed:max.4ns

Continuous reverse voltage:max.100v

Repetitive peak reverse voltage:max.100v

Repetitive peak forward current:max.500mA

Dimensions in inches and (millimeters)

Applications

Surface mount fast switching diode

Ordering Information

Type No.

Marking

Package Code

SOD-323

BAS316

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

Unit

DC Reverse Voltage

V_R

100

Forward Current

I_F

300

℃

Power Dissipation

P_d

200

Junction and Storage Temperature Rage

T_j,T_STG

-65 to+150

http://www.luguang.cn

mail:lge@luguang.cn

BAS316

Silicon Epitaxial Planar Diodes

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

V_(BR)R

V_F

Min

100

0.62

Max

Unit

Test Condition

I_R=100μA

Reverse Breakdown Voltage

Forward Voltage

0.715

0.855

1.0

I_F=1.0mA

I_F=10mA

I_F=50mA

1.25

1.0

I_F=150mA

Reverse Current

I_R

μA

V_R=75V

0.03

1.5

V_R=25V

Capacitance between terminals C_T

Reverse Recovery Time t_rr

V_R=0,f=1.0MHz

I_F=I_R=10mA,R_L=100Ω

4.0

TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

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mail:lge@luguang.cn

BAS316

Silicon Epitaxial Planar Diodes

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