| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-208AC |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 63 A | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 03510GXF | ETC | Silicon Controlled Rectifier | 获取价格 |
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| 03510GXFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 03510HWFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 03510HXFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 03510JWF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 03510JXF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 03510KWF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 03510KXFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
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| 0351111612 | MOLEX | 1.78mm (.070") Tab Wire-to-Board TPA™, 5.00mm (.197") Pitch, 16 Circuits | 获取价格 |
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| 0351112012 | MOLEX | 1.78mm (.070") Tab Wire-to-Board TPA™, 5.00mm (.197") Pitch, 20 Circuits | 获取价格 |
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