| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-65 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.66 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-208AC | JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 63 A | 断态重复峰值电压： | 400 V |
| 重复峰值反向电压： | 400 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 03904GRFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
|
| 03904GUF | ETC | Silicon Controlled Rectifier | 获取价格 |
|
| 03904GUFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 62.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-65 | 获取价格 |
|
| 03904HPF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63000mA I(T), 400V V(DRM) | 获取价格 |
|
| 03904HRF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
|
| 03904HRFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
|
| 03904KRF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
|
| 03904KRFE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN | 获取价格 |
|
| 03904KUF | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier | 获取价格 |
|
| 03906GPF | ETC | Silicon Controlled Rectifier | 获取价格 |
|
5V 过电压保护回路电路解析：复杂原理源于简单设计
先进封装：台积电、英特尔、三星等大厂的新战场
探秘台积电 SoW：从起源到应用的深度剖析
英特尔战略调整：舍弃 18A，全力进军 1.4nm 制程
概述
规格参数
数据手册
