概述
数据手册
替代型号2N3031 概述
SCRs 0.5 Amp, Planear 可控硅0.5安培，平面变 晶闸管
2N3031 替代型号
| 型号 | 制造商 | 描述 | 替代类型 | 文档 |
| JANTX2N3031 | MICROSEMI | SCRs 0.5 Amp, Planear | 功能相似 |
|
2N3031 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2N3031-HR | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 60; Peak Repetitive | 获取价格 |
|
| 2N3032 | MICROSEMI | SCRs 0.5 Amp, Planear | 获取价格 |
|
| 2N3032 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 500mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2N3032 | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 100; Peak Repetitive | 获取价格 |
|
| 2N3032-HR | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 100; Peak Repetitive | 获取价格 |
|
| 2N3032E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 获取价格 |
|
| 2N3033 | NJSEMI | N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS | 获取价格 |
|
| 2N3034 | NJSEMI | N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS | 获取价格 |
|
| 2N3035 | NJSEMI | N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS | 获取价格 |
|
| 2N3036 | SEME-LAB | Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 | 获取价格 |
|
2N3031 相关文章
LG电子大幅缩减储能业务，解散产品开发团队
- 2025-01-17
- 11
SK 海力士有望2月启动业界最先进1c nm制程DRAM量产
- 2025-01-17
- 11
英飞凌泰国北榄府半导体后端生产基地正式动工
- 2025-01-17
- 10
台积电回应CoWoS砍单传闻：纯属谣言，公司持续扩产以满足客户需求
- 2025-01-17
- 11
