2N687E3

更新时间:2025-01-16 14:50:50
品牌:MICROSEMI
描述:Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 300V V(DRM)

2N687E3 概述

Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 300V V(DRM) 可控硅整流器

2N687E3 规格参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.65最大直流栅极触发电流:80 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:50 mA
通态非重复峰值电流:150 A最大通态电流:16000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-65 °C
断态重复峰值电压:300 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N687E3 数据手册

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