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2N2329

更新时间：2025-06-30 08:45:17

品牌：NJSEMI

描述：SCR, V(DRM) = 400 V TO 499.9 V

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2N2329 概述

SCR, V(DRM) = 400 V TO 499.9 V SCR ，V （ DRM ） = 400 V至499.9 V 可控硅整流器

通过下载2N2329数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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型号	制造商	描述	价格	文档
2N2329A	MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIER	获取价格
2N2329A	NJSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIERS	获取价格
2N2329A	DIGITRON	Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 400; Peak Repetitive	获取价格
2N2329AS	MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIER	获取价格
2N2329E3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN	获取价格
2N2329LEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3	获取价格
2N2329S	MICROSEMI	SILICON CONTROLLED RECTIFIER	获取价格
2N2329SE3	MICROSEMI	Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN	获取价格
2N2330	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-5	获取价格
2N2331	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-18	获取价格