概述
规格参数
数据手册2N2329 概述
SCR, V(DRM) = 400 V TO 499.9 V SCR ，V （ DRM ） = 400 V至499.9 V 可控硅整流器
2N2329 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| Is Samacsys： | N | Base Number Matches： | 1 |
2N2329 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2N2329A | MICROSEMI | SILICON CONTROLLED RECTIFIER | 获取价格 |
|
| 2N2329A | NJSEMI | SILICON CONTROLLED RECTIFIERS | 获取价格 |
|
| 2N2329A | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 400; Peak Repetitive | 获取价格 |
|
| 2N2329AS | MICROSEMI | SILICON CONTROLLED RECTIFIER | 获取价格 |
|
| 2N2329E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2N2329LEADFREE | CENTRAL | Silicon Controlled Rectifier, 1.6A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-39, HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | 获取价格 |
|
| 2N2329S | MICROSEMI | SILICON CONTROLLED RECTIFIER | 获取价格 |
|
| 2N2329SE3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 0.3454A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN | 获取价格 |
|
| 2N2330 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 | 获取价格 |
|
| 2N2331 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-18 | 获取价格 |
|
2N2329 相关文章
LG电子大幅缩减储能业务，解散产品开发团队
- 2025-01-17
- 11
SK 海力士有望2月启动业界最先进1c nm制程DRAM量产
- 2025-01-17
- 11
英飞凌泰国北榄府半导体后端生产基地正式动工
- 2025-01-17
- 10
台积电回应CoWoS砍单传闻：纯属谣言，公司持续扩产以满足客户需求
- 2025-01-17
- 11
