S29GL128N10TFI02
更新时间：2024-12-05 04:44:11
品牌：SPANSION
描述：Flash, 8MX16, 100ns, PDSO56, MO-142EC, TSOP-56
概述
规格参数
数据手册S29GL128N10TFI02 概述
Flash, 8MX16, 100ns, PDSO56, MO-142EC, TSOP-56 闪存
S29GL128N10TFI02 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | MO-142EC, TSOP-56 |
| 针数： | 56 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.16 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 启动块： | BOTTOM/TOP |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
S29GL128N10TFI02 数据手册
通过下载S29GL128N10TFI02数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。
PDF下载S29GL128N10TFI02 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| S29GL128N10TFI020 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFI022 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFI023 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFI10 | SPANSION | Flash, 8MX16, 100ns, PDSO56, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFI12 | SPANSION | Flash, 8MX16, 100ns, PDSO56, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFI20 | SPANSION | Flash, 8MX16, 100ns, PDSO56, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFIV10 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFIV12 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFIV13 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
| S29GL128N10TFIV20 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology | 获取价格 |
|
S29GL128N10TFI02 相关文章
Nidec交付全球首款4U 250kw CDU，助力英伟达GB200 NVL72高效冷却
- 2024-12-06
- 9
博通推出行业首个3.5D F2F封装技术，将赋能富士通2nm MONAKA处理器
- 2024-12-06
- 11
东方晶源回应被美国商务部列入实体清单：预计对公司影响可控
- 2024-12-06
- 9
台积电与英伟达就美国工厂生产AI芯片展开谈判
- 2024-12-06
- 9
