概述
规格参数
数据手册TC514101J-10 概述
4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM 4194304 ×1位动态RAM DRAM
TC514101J-10 规格参数
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | SOJ, | 针数： | 20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | NIBBLE | 最长访问时间： | 100 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码： | R-PDSO-J20 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 17.15 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | NIBBLE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 3.75 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8.89 mm | Base Number Matches： | 1 |
TC514101J-10 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| TC514101J-80 | TOSHIBA | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 获取价格 |
|
| TC514101Z-10 | TOSHIBA | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 获取价格 |
|
| TC514101Z-80 | TOSHIBA | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AJ-60 | TOSHIBA | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AJ-70 | TOSHIBA | IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AJ-80 | TOSHIBA | IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AP | TOSHIBA | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AP-10 | TOSHIBA | IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 100 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AP-60 | TOSHIBA | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM | 获取价格 |
|
| TC514102AP-70 | TOSHIBA | IC 4M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18, Dynamic RAM | 获取价格 |
|
TC514101J-10 相关文章
移为GL521MG 4G无线充电资产管理智能终端 20230901
- 2024-09-06
- 0
艾迈斯欧司朗新一代dToF传感器拓展应用边界，引领技术新前沿
- 2024-09-06
- 31
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
- 2024-09-06
- 29
贸泽电子发售Renesas RA8M1语音套件，支持端到端语音方案
- 2024-09-06
- 22
