2N7002K
2025-08-12 11:23:18
摘要：2N7002K 是一款 N沟道增强型MOSFET，由 安森美半导体（Onsemi） 等厂商生产，采用 SOT-23 封装，广泛用于 低电压、小电流开关控制 场景，如逻辑电平转换、信号切换和低功耗负载驱动。
什么是2N7002K？
2N7002K 是一种 N 沟道增强型场效应晶体管（N-Channel Enhancement Mode MOSFET），采用小信号开关设计，具有低导通电阻、快速开关速度和低门极驱动电压的特点。它通常使用 SOT-23 等小型封装，广泛应用于电平转换、开关电路、PWM 控制、电源管理等领域。
2N7002K产品图片
2N7002K中文参数
| 产品型号 | 2N7002K |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | N沟道小信号MOSFET 60V 380mA 1.6Ω |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 320mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 24.5 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
2N7002K主要特点
结构类型：N 沟道增强型 MOSFET
驱动电压低：可在较低的 Vgs 下导通，适合与逻辑电路直接驱动配合使用
低导通电阻（Rds(on)）：提高电路效率，减少发热
开关速度快：适用于高频应用
封装小巧：SOT-23，节省 PCB 空间
2N7002K典型应用
电源开关：在便携设备或嵌入式系统中作为高/低端开关
电平转换：用于不同电压域之间的逻辑信号转换
负载驱动：驱动 LED、小型继电器、马达等
PWM 控制：用于调光、风扇调速等场景
保护电路：作为过压、反向保护开关
2N7002K引脚图及功能
2N7002K用什么型号替代？
2N7002
BSS138（性能接近，但 Vds 和 Rds(on) 略有差异）
AO3400（参数更强，但需要确认电路适配性）