2N7000
2025-09-01 16:09:02
摘要：2N7000 是一款 N沟道增强型功率 MOSFET，属于小信号 MOSFET，广泛应用于 开关、驱动、低功率功率管理 和信号控制电路中。因其体积小、成本低、易于使用，成为电子设计中常用的通用型 MOSFET。
描述
2N7000 采用 TO-92 封装，漏极电流能力为 200mA，漏源电压可达 60V。其门极阈值电压低（Vgs(th) 2~4V），开关速度快，适合 TTL/CMOS 驱动控制。
产品概述
| 产品型号 | 2N7000 |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 60 V 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-92-3 |
产品图片
2N7000产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta） |
特点
小信号 MOSFET，适合低功率开关
漏极电压 60V，漏极电流 200mA
门极阈值低，容易被 TTL/CMOS 驱动
开关速度快，适合数字控制
TO-92 封装，便于穿孔板或手工焊接
应用
TTL/CMOS 控制的低功率开关
LED 驱动、继电器驱动
小功率 DC/DC 开关电源
信号转换和电平控制
教学和实验电路
引脚图及功能
替代型号
BS170（N沟道 MOSFET，性能接近）
IRLML6344（逻辑电平小信号 MOSFET）
2N7002（SMD 封装版本）