BSS84
2025-08-27 14:18:37
摘要：BSS84 是一款 P沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），适合低电压、小功率开关电路。它具有导通电阻小、开关速度快的特点，常用于信号开关、负载开关以及功率管理电路。BSS84 多采用 SOT-23 小型封装，适合空间有限的便携式和消费类电子产品。
描述
BSS84 是一种低电压功率场效应管，专为小电流、低功率的电路设计。其漏源电压最大可达 -50V，连续漏极电流约 -130mA，功耗约 200~225mW。凭借低栅极驱动电压特性，它能在较低的栅极电压下快速导通或关断，非常适合数字电路与电源管理电路的开关控制。
产品概述
| 产品型号 | BSS84 |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 50 V 130mA（Ta） 225mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3（TO-236） |
| 基本产品编号 | BSS84 |
产品图片
BSS84产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 欧姆 @ 150mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.3 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 73 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
特点
P沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压：-50V
连续漏极电流：-130mA
低栅极驱动电压，易于驱动
导通电阻小，功耗低
开关速度快，适合高频电路
SOT-23 封装，体积小巧，适合高密度电路板
应用
低功率负载开关
电池供电设备的电源管理
信号切换电路
小功率 DC-DC 转换器
消费类电子产品（手机、MP3、玩具等）
引脚图及功能
工作原理
BSS84 属于 P沟道 MOSFET，当栅极电压低于源极电压时形成沟道，漏极到源极导通；当栅极电压接近或高于源极电压时，沟道关断。由于其输入阻抗高，驱动电流极小，只需电压即可控制导通与关断，因而常用于作为开关器件。
替代型号
常见替代型号包括：
IRLML6402（低导通电阻版本）
AO3407（P沟道 MOSFET，电流更大）
SI2301CDS（N沟道，对应选择时需调整电路设计）
FDN306P、PMV65XP 等其他 P沟道 SOT-23 MOSFET