STP75NF75
2025-09-18 14:58:54
摘要：STP75NF75 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道功率 MOSFET，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器和其他功率管理领域。它具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高电流应用中保持高效率和稳定性。
描述
STP75NF75 采用场效应晶体管结构，能够在栅极电压控制下导通或关断主电流通道。该器件具有较强的电流承载能力和低损耗特性，能有效减少发热，提高电路的整体能效。它通常以 TO-220 封装形式提供，便于安装和散热，适合在工业与消费类电子中长期稳定运行。
产品概述
| 产品型号 | STP75NF75 |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 75 V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-220 |
| 包装类型 | 管件 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
产品图片
STP75NF75产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3700 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 300W（Tc） |
主要特点
采用 N 沟道设计，导通性能优良
开关速度快，适合高频功率转换
导通损耗低，提升系统能效
封装适合散热，支持大电流应用
具有较强的耐压和稳定性，保证长期可靠工作
可广泛用于电源、电机和控制电路中
典型应用
开关电源（SMPS）
DC-DC 转换器
电机驱动与控制
不间断电源（UPS）
电池管理系统
汽车电子与工业设备
引脚图及功能
工作原理
STP75NF75 的工作基于 MOSFET 场效应原理：当栅极施加电压时，沟道导通，允许电流在漏极和源极之间流动；当栅极电压撤销时，沟道关闭，电流被切断。凭借这种工作机制，它能够作为电子开关或放大元件，实现功率控制和能量转换。
替代型号
IRF3205（Infineon / IR）
STP80NF70（STMicroelectronics）
FQP75N75（ON Semiconductor / Fairchild）
AUIRFB3077（Infineon，汽车级）
IPB072N15N3（Infineon 高性能替代品）