AO8810
2025-09-23 14:08:52
摘要：AO8810 是 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的一款 功率 MOSFET，属于双 N 沟道器件，专为高效电源管理和负载开关应用设计。它通常被集成在便携式电子产品、DC-DC 转换器和电池保护电路中，具有低功耗和高开关效率的优势。
描述
AO8810 内部集成两个 N 沟道 MOSFET，封装紧凑，适合在有限空间的电路板上使用。其设计注重低导通损耗和快速开关特性，能够在高频率下稳定运行。器件常见于电池供电系统、负载切换以及同步整流场景中。
产品概述
| 产品型号 | AO8810 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | MOSFET - 阵列 20V 7A 1.5W 表面贴装型 8-TSSOP |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOP |
产品图片
AO8810产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1295pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W |
主要特点
双 N 沟道 MOSFET 集成，节省 PCB 空间
低功耗设计，适合便携式电子产品
开关速度快，支持高频应用
导通损耗低，提高电源转换效率
封装小巧，适合高密度电路板设计
提供良好的可靠性和热性能
典型应用
DC-DC 电源转换器
电池保护与电源管理系统
同步整流电路
负载开关与功率控制
便携式消费电子产品
工业控制与嵌入式系统
引脚图及功能
电路图
工作原理
AO8810 通过 MOSFET 的栅极控制导通与关断，实现对电流通路的切换或电源能量的转换。两个 MOSFET 可独立使用，也可在电路设计中组合应用，以满足负载开关、功率调节或同步整流的需求。
替代型号
AO8812（同系列 MOSFET，性能相近）
SI4884DY（Vishay）（同类双 N 沟道 MOSFET）
IRF7319（Infineon/IR）（类似应用场景的双 MOSFET）
FDMC8030（ON Semiconductor）（紧凑型 MOSFET 替代方案）