FDV301N
2025-09-25 09:55:19
摘要：FDV301N 是一款由安森美（ON Semiconductor，原 Fairchild）生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET，专为低电压、低功率的开关和放大应用设计。它通常采用 SOT-23 表面贴装封装，体积小，适合高密度 PCB 布局。
描述
FDV301N 具备低导通电阻和快速开关特性，非常适合电池供电的便携式设备。由于其栅极驱动电压要求低，即使在低电压电源系统中也能稳定工作。它常用于电源开关、负载驱动、逻辑电平转换和小信号放大电路中。
产品概述
| 产品型号 | FDV301N |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 25 V 220mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | FDV301 |
产品图片
FDV301N产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.06V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9.5 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
主要特点
N 沟道增强型小信号 MOSFET
低导通电阻，提升能效
栅极驱动电压低，兼容低电压电路
体积小巧，采用 SOT-23 SMD 封装
开关速度快，适合高频应用
可靠性高，适合大规模生产
典型应用
电池供电设备的电源管理
负载开关控制
逻辑电平转换
小型直流电机驱动
便携式电子产品和消费类设备
信号放大与高速开关电路
引脚图及功能
替代型号
BSS138（常用小信号 N 沟道 MOSFET）
2N7002（低压开关 MOSFET）
IRLML6344（低电压驱动 MOSFET）
SI2302（国产常见替代型号）